模擬電子技術(shù)試題A卷

1、模擬電子技術(shù)試題（A卷）一、填空題（每空1分，共20分）1、如果按結(jié)構(gòu)分類，二極管可分為 型和 型兩種類型。2、BJT工作在截止區(qū)時(shí)，其發(fā)射結(jié)處于 偏置，集電結(jié)處于 偏置。3、電壓射極輸出器的輸出電阻R0的值越 好。4、為消除乙類功放的交越失真，給BJT發(fā)射結(jié)加一定的 偏壓，使Q點(diǎn)上移，擺脫 電壓的影響。這時(shí)，電路工作在 狀態(tài)。5、互補(bǔ)對(duì)稱功放采用 類型的兩個(gè)BJT組成推挽輸出器，在輸入交流信號(hào)作用下，兩管 工作，為使輸出電壓波形對(duì)稱，要求兩管的性能 。6、雙端輸出差動(dòng)放大器在電路完全對(duì)稱時(shí)，其共模增益為 ，共模抑制比為 。7、運(yùn)算放大器的輸出電阻越小，它帶負(fù)載的能力 ，如果是恒壓源，帶負(fù)載的

2、能力 。8、深度負(fù)反饋是指 ，負(fù)反饋深度等于 。9、正弦波振蕩器主要由 電路、 電路和 電路三部分組成。二、判斷題（每小題1分，共10分）1、PN結(jié)中的空間電荷區(qū)是由帶電的正負(fù)離子形成的，因而它的電阻率很高。（ ）2、集電結(jié)處于正偏的BJT，它一定工作在飽和區(qū)。（ ）3、BJT的值越大，放大能力越強(qiáng)，但在選用BJT時(shí)，并不是值越大越好。（ ）4、集電極電阻RC的作用是將集電極電流的變化轉(zhuǎn)換成電壓的變化，實(shí)現(xiàn)電壓放大。因此，RC的值越大，輸出電壓越高。（ ）5、只要將晶體管的靜態(tài)工作點(diǎn)設(shè)置在BJT特性曲線的線性放大區(qū)，則不論輸入什么信號(hào)，都不會(huì)產(chǎn)生非線性失真。（ ）6、分壓偏置電路的發(fā)射極電阻R

3、e越大，工作點(diǎn)穩(wěn)定性越好。但Re過大，會(huì)使BJT的VCE減小，影響放大器的正常工作。（ ）7、射極輸出器的輸入電流是IB，輸出電流是IE，因此，具有較高的電流放大倍數(shù)。（ ）8、在OTL 功放電路中，輸出耦合電容的主要作用是“隔直”，防止直流經(jīng)負(fù)載短路。（ ）9、在運(yùn)放電路中，閉環(huán)增益AF是指電流放大倍數(shù)。（ ）10、只要滿足AF=1，+=2n這兩個(gè)條件，就可以產(chǎn)生正弦波振蕩。 三、選擇題（每小題1分，共10分）1、PN結(jié)在外加正向電壓的作用下，擴(kuò)散電流（ ）漂移電流。a.大于 b. 小于 c. 等于2、當(dāng)環(huán)境溫度降低時(shí)，二極管的反向電流（ ）a.不變 b. 增大 c.減小3、測(cè)得BJT各極對(duì)

4、地電壓為VB=4V，VC=36V，VE=34V，則該BJT工作在（ ）狀態(tài)。a.截止 b.飽和 c.放大4、NPN管工作在放大區(qū)時(shí)，三個(gè)極的電位特征是（ ）。a.VCVBVE b.VCVBVE c.VEVBVC d.VEVBVC5、為了減小輸出電阻，集成運(yùn)放的輸出級(jí)多采用（ ）電路。a.共射或共源 b.差分放大 c.互補(bǔ)對(duì)稱6、運(yùn)放的共模抑制比越大越好，因?yàn)樗酱?，表明運(yùn)放的（ ）a.放大倍數(shù)越穩(wěn)定 b.交流放大倍數(shù)越大 c.抑制溫漂能力越強(qiáng)7、希望接上負(fù)載RL后，VO基本不變，應(yīng)引入（ ）負(fù)反饋。a.電壓 b.電流 c.串聯(lián) d.并聯(lián)8、要求得到一個(gè)由電流控制的電壓源，應(yīng)引入（ ）負(fù)反饋。a

5、.電壓串聯(lián) b.電壓并聯(lián) c.電流串聯(lián) d.電流并聯(lián)9、某放大電路，當(dāng)輸入電壓為10mV時(shí)，輸出電壓為7V，輸入電壓為15mV時(shí)，輸出電壓為6.5V，則AV=（ ）a.700 b.100 c.-10010、某BJT的IE=1mA，IB=20A，則IC=（ ）mAa.0.98 b.1.02 c.0.8 d.1.2四、計(jì)算題（共60分）1.電路如圖1所示，已知BJT的=100，VBE= -0.7V。畫出簡(jiǎn)化小信號(hào)等效電路；試計(jì)算該電路的靜態(tài)工作點(diǎn)、電壓增益AV、輸入電阻Ri和輸出電阻RO.（15分） 圖1圖22.源極輸出器電路如圖2所示，已知FET工作點(diǎn)上的互導(dǎo)gm =0.9mS,試求電壓增益AV、輸入電阻Ri和輸出電阻RO 。（10分）3.電路如圖3所示，JFET的gm =2mS，Rds=20K。試求雙端輸出時(shí)的差模電壓增益AVD的值；若電路改為單端輸出時(shí)，試求AVD1、AVC1和KCMR的值。（15分） 圖34.電