半導(dǎo)體化學(xué)清洗總結(jié)

1、化學(xué)清洗總結(jié)1。3各洗液的清洗說明；1.3。1SC-1洗液；1。3。1.1去除顆粒；硅片表面由于H2O2氧化作用生成氧化膜（約6mm自然氧化膜約0。6nm厚，其與NH40HH2;SiO2的腐蝕速度隨NH40H勺濃度升高而加快；Si的腐蝕速度，隨NH40H勺濃度升高而快當(dāng)，；NH40H促進(jìn)腐蝕，H2O2阻礙腐蝕；若H2O2的濃度一定，NH40Hfe度越低，顆粒1。3各洗液的清洗說明1。3。1SC-1洗液103.101去除顆粒硅片表面由于H202M化作用生成氧化膜（約6mmg親水性），該氧化膜又被NH40Hs蝕，腐蝕后立即又發(fā)生氧化，氧化和腐蝕反復(fù)進(jìn)行，因此附著在硅片表面的顆粒也隨腐蝕層而落入清洗

2、液內(nèi)。自然氧化膜約0o6nm厚，其與NH40HH20凝度及清洗7溫度無關(guān).Si02的腐蝕速度隨NH40H勺濃度升高而加快，其與H2O2的濃度無關(guān)。Si的腐蝕速度，隨NH40H勺濃度升高而快當(dāng)，到達(dá)某一濃度后為一定值，H202濃度越高這一值越小.NH40HE進(jìn)腐蝕，H2O2阻礙腐蝕。若H2O2的濃度一定，NH40麻度越低，顆粒去除率也越低，如果同時降低H20凝度可抑制顆粒的去除率的下降.隨著清洗液溫度升高，顆粒去除率也提高在一定溫度下可達(dá)最大值。顆粒去除率與硅片表面腐蝕量有關(guān)為確保顆粒的去除要有一定量以上的腐蝕。超聲波清洗時由于空化現(xiàn)象只能去除）0o4dm顆粒。兆聲清洗時由于0.8Mhz的加速度

3、作用能去除）0o2dm顆粒，即使液溫下降到40c也能得到與80c超聲清洗去除顆粒的效果，而且又可避免超聲清洗對晶片產(chǎn)生損傷。在清洗液中硅表面為負(fù)電位有些顆粒也為負(fù)電位，由于兩者的電的排斥力作用可防止粒子向晶片表面吸附，但也有部分粒子表面是正電位，由于兩者電的吸引力作用，粒子易向晶片表面吸附.1.3。1。2去除金屬雜質(zhì)由于硅表面氧化和腐蝕，硅片表面的金屬雜質(zhì)，隨腐蝕層而進(jìn)入清洗液中。由于清洗液中存在氧化膜或清洗時發(fā)生氧化反應(yīng)，生成氧化物的自由能的絕對值大的金屬容易附著在氧化膜上。如：Al、Fe、Zn等便易附著在自然氧化膜上而Ni、Cu則不易附著。Fe、Zn、Ni、Cu的氫氧化物在高pH值清洗液中

4、是不可溶的有時會附著在自然氧化膜上。清洗后硅表面的金屬濃度取決于清洗液中的金屬濃度.其吸附速度與清洗液中的金屬絡(luò)合離子的形態(tài)無關(guān).清洗時，硅表面的金屬的脫附速度與吸附速度因各金屬元素的不同而不同。特別是對Al、Fe、Zn。若清洗液中這些元素濃度不是非常低的話清洗后的硅片表面的金屬濃度便不能下降.對此在選用化學(xué)試劑時按要求特別要選用金屬濃度低的超純化學(xué)試劑。清洗液溫度越高，晶片表面的金屬濃度就越高。若使用兆聲波清洗可使溫度下降有利去除金屬沾污。去除有機(jī)物由于H2O2的氧化作用，晶片表面的有機(jī)物被分解成CO2H2O而被去除.微粗糙度Ra晶片表面Ra與清洗液的NH4OH&成比有關(guān)，組成比例越大，其R

5、a變大。Ra為0。2nm的晶片在NH4OHH202:H2O=11:5的SC-1清洗后Ra可增大至0。5nmi為控制晶片表面Ra有必要降低NH40H勺組成比例如0.5:1:5。COP晶體的原生粒子缺陷）對于CZ（直拉）硅單晶片經(jīng)反復(fù)清洗后經(jīng)測定每次清洗后硅片表面的顆粒）2醫(yī)m的顆粒會增加，但對外延晶片，即使反復(fù)清洗也不會使）0o2dm的顆粒增加。1。3.2DHF在DHF清洗時將用SC-1清洗時表面生成的自然氧化膜腐蝕掉，Si幾乎不被腐蝕；硅片最外層的Si幾乎是以H鍵為終端結(jié)構(gòu)。表面呈疏水性；在酸性溶液中硅表面呈負(fù)電位，顆粒表面為正電位，由于兩者之間的吸引力粒子容易附著在晶片表面。用HF清洗去除表

6、面的自然氧化膜，因此附著在自然氧化膜上的金屬再一次溶解到清洗液中，同時DHF清洗可抑制自然氧化膜的形成故可容易去除表面的Al、Fe、Zn、Ni等金屬.但隨自然氧化膜溶解到清洗液中一部分Cu等貴金屬（氧化還原電位比氫高），會附著在硅表面，DHF清洗也能去除附在自然氧化膜上的金屬氫氧化物。如硅表面外層的Si以H鍵結(jié)構(gòu)，硅表面在化學(xué)上是穩(wěn)定的，即使清洗液中存在Cu等貴金屬離子也很難發(fā)生Si的電子交換，因Cu等貴金屬也不會附著在裸硅表面。但是如液中存在Cl、Br一等陰離子，它們會附著于Si表面的終端氫鍵不完全地方，附著的Cl-、Br-陰離子會幫助Cu離子與Si電子交換，使Cu離子成為金屬Cu而附著在晶

7、片表面.因溶液中的Cu2德子的氧化還原電位（E0=0。337V）比Si的氧化還原電位（E0=一0.857V）高得多，因此Cu2+5子從硅表面的Si得到電子進(jìn)行還原，變成金屬Cu從晶片表面析出；另一方面被金屬Cu附著的Si釋放與Cu的附著相平衡的電子，自身被氧化成SiO20從晶片表面析出的金屬Cu形成Cu粒子的核。這個Cu粒子核比Si的負(fù)電性大，從Si吸引電子而帶負(fù)電位，后來Cu離子從帶負(fù)電位的Cu粒子核得到電子析出金屬Cu,Cu粒子就這樣生長起來。Cu下面的斷一面供給與Cu的附著相平衡的電子一面生成Si02o在硅片表面形成的SiO2,在DHF清洗后被腐蝕成小坑，其腐蝕小坑數(shù)量與去除Cu粒子前的

8、Cu粒子量相當(dāng)腐蝕小坑直徑為00010。1cm,與Cu粒子大小也相當(dāng)，由此可知這是由結(jié)晶引起的粒子，常稱為Mip（金屬致拉子）。1。3。3SC2洗液（1）清洗液中的金屬附著現(xiàn)象在堿性清洗液中易發(fā)生，在酸性溶液中不易發(fā)生，并具有較強(qiáng)的去除晶片表面金屬的能力，但經(jīng)SC-1洗后雖能去除Cu等金屬，但晶片表面形成的自然氧化膜的附著（特別是Al）問題還未解決。（2）硅片表面經(jīng)SC-2清洗后，表面Si大部分以O(shè)鍵為終端結(jié)構(gòu)，形成成一層自然氧化膜，呈親水性.（3）由于晶片表面的SiO2和Si不能被腐蝕，因此不能達(dá)到去除粒子的效果.如在SC-1和SC-2的前、中、后加入98%勺H2SO430%的H2O2和HR

9、HF終結(jié)中可得到高純化表面，阻止離子的重新沾污。在稀HCl溶液中加氯乙酸，可極好地除去金屬沾污。表面活性劑的加入，可降低硅表面的自由能，增強(qiáng)其表面純化.它在HF中使用時，可增加疏水面的浸潤性，以減少表面對雜質(zhì)粒子的吸附。2清洗技術(shù)的改進(jìn)2。1SC-1液的改進(jìn)a。為抑制SC-1時表面Ra變大，應(yīng)降低NH4OH&成比即NH4OH:H202H20=0.05:1:1,當(dāng)Ra=0b2nm的硅片清洗后其值不變在AP愀后的DIW漂洗應(yīng)在低溫下進(jìn)行.b.可使用兆聲波清洗去除超微粒子，同時可降低清洗液溫度，減少金屬附著。cSC-1液中添加表面活性劑、可使清洗液的表面張力從603dyn/cm下降到19dyn/cm

10、。選用低表面張力的清洗液可使顆粒去除率穩(wěn)定維持較高的去除效率。使用SC-1液洗，其Ra變大，約是清洗前的2倍。用低表面張力的清洗液，其Ra變化不大(基本不變)。doSC-1液中加入HF,控制其pH值，可控制清洗液中金屬絡(luò)合離子的狀態(tài)抑制金屬的再附著，也可抑制Ra的增大和COP勺發(fā)生。e.SC-1加入鰲合劑可使洗液中的金屬不斷形成贅合物有利于抑制金屬的表面的附著.2。2有機(jī)物的去除(1)如硅片表面附著有機(jī)物，就不能完全去除表面的自然氧化層和金屬雜質(zhì)，因此清洗時首先應(yīng)去除有機(jī)物.(2)添加210PpmO3S凈水清洗對去除有機(jī)物很有效，可在室溫進(jìn)行清洗而不必進(jìn)行廢液處理，比SC-1清洗的效果更好.2

11、.3DHF的改進(jìn)2.301HF+H202清洗(1)HF0.5%+H2O210%可在室溫下#洗可防止DHF清洗中的Cu等貴金屬附著.(2)由于H202氧化作用可在硅表面形成自然氧化膜，同時又因HF的作用將自然氧化層腐蝕掉，附著在氧化膜上的金屬被溶解到清洗液中。在APM清洗時附著在晶片表面的金屬氫氧化物也可被去除。晶片表面的自然氧化膜不會再生長。(3) Al、Fe、Ni等金屬同DHF清洗一樣，不會附著在晶片表面。(4)對n+P+型硅表面的腐蝕速度比n、p型硅表面大得多，可導(dǎo)致表面粗糙因而不能使用于n+、p+型硅片清洗。(5)添加強(qiáng)氧化劑H202(E。=1。776V),比Cu2璃子優(yōu)先從5i中奪取電

12、子，因此硅表面由于H202被氧化，Cu以Cu2璃子狀態(tài)存在于清洗液中。即使硅表面附著金屬Cu也會從氧化劑H202奪取電子呈離子化.硅表面被氧化形成一層自然氧化膜。因此Cu2嘀子和5i電子交換很難發(fā)生，并越來越不易附著。在HF0.5%的DHF液中加入表面活性劑，其清洗效果與HF+H202青洗相同2。3。3DHF照離子表面活性劑清洗在DHF液中，硅表面為負(fù)電位，粒子表面為正電位，當(dāng)加入陰離子表面活性劑，可使得硅表面和粒子表面的電位為同符號，即粒子表面電位由正變?yōu)樨?fù)，與硅片表面正電位同符號，使硅片表面和粒子表面之間產(chǎn)生電的排斥力，可以防止粒子的再附著。2.4ACD清洗2.4 01AC清洗在標(biāo)準(zhǔn)的AC

13、清洗中，將同時使用純水、HF,03,表面活性劑與兆聲波。由于03具有非常強(qiáng)的氧化性，可以將硅片表面的有機(jī)沾污氧化為CO開口H2Q達(dá)到去除表面有機(jī)物的目的，同時可以迅速在硅片表面形成一層致密的氧化膜；HF可以有效的去除硅片表面的金屬沾污，同時將03氧化形成的氧化膜腐蝕掉，在腐蝕掉氧化膜的同時，可以將附著在氧化膜上的顆粒去除掉，兆聲波的使用將使顆粒去除的效率更高，而表面活性劑的使用，可以防止已經(jīng)清洗掉的顆粒重新吸附在硅片表面。2。4。2AD清洗在AD干燥法中，同樣使用HF與03。整個工藝過程可以分為液體中反應(yīng)與氣相處理兩部分。首先將硅片放入充滿HF/03的干燥槽中，經(jīng)過一定時間的反應(yīng)后，硅片將被慢

14、慢地抬出液面；由于HF酸的作用，硅片表面將呈疏水性，因此，在硅片被抬出液面的同時，將自動達(dá)到干燥的效果。在干燥槽的上方安裝有一組03的噴嘴，使得硅片被抬出水面后就與高濃度的03直接接觸，進(jìn)而在硅片表面形成一層致密的氧化膜在采用AD干燥法的同時，可以有效地去除金屬沾污。該干燥法可以配合其他清洗工藝來共同使用，干燥過程本身不會帶來顆粒沾污。2。5酸系統(tǒng)溶液2.5 。1SE洗液HNO3(60%):HF(0o025%0.1%),SE能使硅片表面的鐵沾污降至常規(guī)清洗工藝的十分之一，各種金屬沾污均小于1010原子/cm2,不增加微粗糙度。這種洗液對硅的腐蝕速率比對二氧化硅快10倍，且與HF含量成正比，清洗

15、后硅片表面有1nm的自然氧化層.HNO3HF:H2O2=50（0。50。9）:（49。549.1）,35C,35min。用CSE清洗的硅片表面沒有自然氧化層，微粗糙度較SE清洗的降低；對硅的腐蝕速率不依賴于HF的濃度，這樣有利于工藝控制.當(dāng)HF濃度控制在0.1%時效果較好.3幾種的清洗方案3。1硅片襯底的常規(guī)清洗方法三氯乙烯（除脂）80C,15分鐘；丙酮、甲醇20C,依次2分鐘； 去離子水流洗2分鐘；2號液（4：1：1）90C,10分鐘； 去離子水流洗2分鐘；擦片（用擦片機(jī)）；去離子水沖5分鐘；1號液（4：1：1）9095C,10分鐘；去離子水流洗5分鐘； 稀鹽酸（50：1）,2。5分鐘；11

16、去離子水流洗5分鐘；12甩干（硅片）。該方案的清洗步驟為：先去油，接著去除雜質(zhì)，其中10步用于進(jìn)一步去除殘余的雜質(zhì)（主要是堿金屬離子）03.2DZ-1、DZ-2清洗半導(dǎo)體襯底的方法去離子水沖洗；DZ1（95：5）,5060c超聲10分鐘；去離子水沖洗（5分鐘）;DZ2（95：5）,5060c超聲10分鐘；去離子水沖洗（5分鐘）；甩干或氮?dú)獯蹈伞Ｔ摲桨钢杏秒娮忧逑磩┐娣桨敢恢械乃釅A及雙氧水等化學(xué)試劑，清洗效果大致與方案一相當(dāng).3.3 硅拋光片的一般清洗方法無鈉清洗劑加熱煮三次；熱去離子水沖洗；3號液；熱去離子水沖洗；去離子水沖洗；稀氫氟酸漂洗；去離子水沖洗；1號液；去離子水沖洗；甩干。對于用不

17、同的拋光方式（有蠟或無蠟）得到的拋光片，其被各種類型的污染雜質(zhì)沾污的情況各不相同，清洗的側(cè)重點(diǎn)也就各不相同，因此上述各清洗步驟的采用與否及清洗次數(shù)的多少也就各不相同.3.4 某一化學(xué)清洗流程以下所有試劑配比均為體積比。所用有機(jī)試劑均是分析級試劑。部分試劑的濃度如下：w（H2O2戶20%;w（HF）40%w（H2SO4:9598%除脂三氯乙烯溶液中旋轉(zhuǎn)清洗3次，每次3min;異丙醇中旋轉(zhuǎn)清洗3次，每次3min;去離子水漂洗3次；高純氮?dú)獯蹈?；氧化在新配的H2SO4：H2O2（1：1）溶液中氧化3min;在70c溫水中漂洗3min（避免Si表面因驟冷出現(xiàn)裂紋）；去離子水中漂洗2次，每次3min;刻

18、蝕HF：C2H5OH1：10）溶液中刻蝕3min;C2H5O即漂洗3次，每次3min;高純氮?dú)獯蹈?化學(xué)清洗后，把樣品快速傳入真空系統(tǒng)，這是因?yàn)镠鈍化的硅表面在空氣中只能維持幾分鐘內(nèi)不被重新氧化。若清洗后的Si片不能及時進(jìn)入超高真空系統(tǒng)，可將清洗后的Si片放入無水C2H50Hh這既可以延緩表面被氧化的速度，又可以避免清洗后的表面被空氣中的雜質(zhì)所污染.1傳統(tǒng)的RCA青洗法1.1主要清洗液1。1.1SPM（三號液）（H2SO4：H2O2：H2Q在120150c清洗10min左右,SPM具有很高的氧化能力，可將金屬氧化后溶于清洗液中，并能把有機(jī)物氧化生成CO開口H2O用SPM青洗硅片可去除硅片表面的

19、重有機(jī)沾污和部分金屬，但是當(dāng)有機(jī)物沾污特別嚴(yán)重時會使有機(jī)物碳化而難以去除。經(jīng)SPM清洗后，硅片表面會殘留有硫化物，這些硫化物很難用去粒子水沖洗掉。由Ohnishi提出的SPFM（H2SO4/H2O2/H）F溶液，可使表面的硫化物轉(zhuǎn)化為氟化物而有效地沖洗掉。由于臭氧的氧化性比H2O2的氧化性強(qiáng)，可用臭氧來取代H2O2（H2SO4/O3/H2O為SOMt液），以降低H2SO4勺用量和反應(yīng)溫度.H2SO4（98%）:H2O2（30%）=4:11。1。2DHF（HF（H2O2:H2Q在2025c清洗30s腐蝕表面氧化層，去除金屬沾污，DHF清洗可去除表面氧化層，使其上附著的金屬連同氧化層一起落入清洗液

20、中，可以很容易地去除硅片表面的Al,Fe,Zn,Ni等金屬，但不能充分地去除Cu.HF:H2O2=1:50o1.1。3APM（SC-1）（一號液）（NH40HH2O2：H2Q在6580c清洗約10min主要去除粒子、部分有機(jī)物及部分金屬。由于H2O2的作用，硅片表面有一層自然氧化膜（Si02）,呈親水性，硅片表面和粒子之間可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化層與硅片表面的Si被NH4OHW蝕，因此附著在硅片表面的顆粒便落入清洗液中，從而達(dá)到去除粒子的目的.此溶液會增加硅片表面的粗糙度。Fe,Zn,Ni等金屬會以離子性和非離子性的金屬氫氧化物的形式附著在硅片表面，能降低硅片表面的Cu的附著。體

21、積比為（1：1：5）（1：2：7）的NH40H（27%）、H2O2（30%）和H20s成的熱溶液。稀釋化學(xué)試劑中把水所占的比例由1：5增至1：50,配合超聲清洗，可在更短時間內(nèi)達(dá)到相當(dāng)或更好的清洗效果.SC-1清洗后再用很稀的酸（HCl:H2O為1：104）處理，在去除金屬雜質(zhì)和顆粒上可收到良好的效果，也可以用稀釋的HF溶液短時間浸漬，以去除在SC-1形成的水合氧化物膜。最后，常常用SC-1原始溶液濃度1/10的稀釋溶液清洗，以避免表面粗糙，降低產(chǎn)品成本，以及減少對環(huán)境的影響。1.104HPM（SC-2）（二號液）（HCl:H2O2：H2Q在6585c清洗約10min用于去除硅片表面的鈉、鐵、

22、鎂等金屬沾污，。在室溫下HPM就能除去Fe和Zn。H2O2會使硅片表面氧化，但是HCl不會腐蝕硅片表面，所以不會使硅片表面37硅片的化學(xué)清洗總結(jié)的Si幾乎是以H鍵為終端結(jié)構(gòu).表面呈疏水性；在酸；用HF清洗去除表面的自然氧化膜，因此附著在自然；如硅表面外層的Si以H鍵結(jié)構(gòu)，硅表面在化學(xué)上是；因溶液中的Cu2璃子的氧化還原電位（E0=0;從晶片表面析出的金屬Cu形成Cu粒子的核；在硅片表面形成的SiO2,在DHF清洗后被腐蝕；1.3。3SC-2洗液；（1）清洗液中的金屬附著現(xiàn)象在堿性清洗液中的Si幾乎是以H鍵為終端結(jié)構(gòu)。表面呈疏水性；在酸性溶液中硅表面呈負(fù)電位，顆粒表面為正電位，由于兩者之間的吸引

23、力粒子容易附著在晶片表面。用HF清洗去除表面的自然氧化膜，因此附著在自然氧化膜上的金屬再一次溶解到清洗液中，同時DHF清洗可抑制自然氧化膜的形成故可容易去除表面的Al、Fe、Zn、Ni等金屬。但隨自然氧化膜溶解到清洗液中一部分Cu等貴金屬（氧化還原電位比氫高），會附著在硅表面，DHF清洗也能去除附在自然氧化膜上的金屬氫氧化物.如硅表面外層的Si以H鍵結(jié)構(gòu)，硅表面在化學(xué)上是穩(wěn)定的，即使清洗液中存在Cu等貴金屬離子也很難發(fā)生Si的電子交換，因Cu等貴金屬也不會附著在裸硅表面。但是如液中存在Cl-、Br一等陰離子，它們會附著于Si表面的終端氫鍵不完全地方，附著的Cl、Br一陰離子會幫助Cu離子與Si

24、電子交換，使Cu離子成為金屬Cu而附著在晶片表面。因溶液中的Cu2璃子的氧化還原電位（E0=0。337V）比Si的氧化還原電位（E0=-0。857V）高得多,因此Cu2嘀子從硅表面的Si得到電子進(jìn)行還原，變成金屬Cu從晶片表面析出；另一方面被金屬Cu附著的Si釋放與Cu的附著相平衡的電子，自身被氧化成SiO2o從晶片表面析出的金屬Cu形成Cu粒子的核。這個Cu粒子核比Si的負(fù)電性大，從Si吸引電子而帶負(fù)電位，后來Cu離子從帶負(fù)電位的Cu粒子核得到電子析出金屬Cu,Cu粒子就這樣生長起來。Cu下面的斷一面供給與Cu的附著相平衡的電子一面生成Si02o在硅片表面形成的SiO2,在DHF清洗后被腐蝕

25、成小坑，其腐蝕小坑數(shù)量與去除Cu粒子前的Cu粒子量相當(dāng)腐蝕小坑直徑為0001001cm,與Cu粒子大小也相當(dāng)，由此可知這是由結(jié)晶引起的粒子，常稱為Mip（金屬致拉子）。1。3。3SC2洗液（1）清洗液中的金屬附著現(xiàn)象在堿性清洗液中易發(fā)生，在酸性溶液中不易發(fā)生，并具有較強(qiáng)的去除晶片表面金屬的能力，但經(jīng)SC-1洗后雖能去除Cu等金屬，但晶片表面形成的自然氧化膜的附著（特別是Al）問題還未解決。（2）硅片表面經(jīng)SC-2清洗后，表面Si大部分以O(shè)鍵為終端結(jié)構(gòu)，形成成一層自然氧化膜，呈親水性。（3）由于晶片表面的SiO2和Si不能被腐蝕，因此不能達(dá)到去除粒子的效果。如在SC-1和SC-2的前、中、后加入

26、98%的H2SO430%的H2O牙口HF。HF終結(jié)中可得到高純化表面，阻止離子的重新沾污。在稀HCl溶液中加氯乙酸，可極好地除去金屬沾污.表面活性劑的加入，可降低硅表面的自由能，增強(qiáng)其表面純化.它在HF中使用時，可增加疏水面的浸潤性，以減少表面對雜質(zhì)粒子的吸附.2清洗技術(shù)的改進(jìn)2.1SC-1液的改進(jìn)a。為抑制SC-1時表面Ra變大，應(yīng)降低NH40Hs成比即NH40HH202:H20=0。05:1:1,當(dāng)Ra=0o2nm的硅片清洗后其值不變在AP愀后的DIW漂洗應(yīng)在低溫下進(jìn)行。bo可使用兆聲波清洗去除超微粒子，同時可降低清洗液溫度，減少金屬附著。c.SC-1液中添加表面活性劑、可使清洗液的表面張

27、力從6。3dyn/cm下降到19dyn/cm。選用低表面張力的清洗液可使顆粒去除率穩(wěn)定維持較高的去除效率。使用SC-1液洗，其Ra變大，約是清洗前的2倍.用低表面張力的清洗液，其Ra變化不大（基本不變）。doSC-1液中加入HF,控制其pH值，可控制清洗液中金屬絡(luò)合離子的狀態(tài)抑制金屬的再W著，也可抑制Ra的增大和COP勺發(fā)生。e。SC-1加入鰲合劑可使洗液中的金屬不斷形成贅合物有利于抑制金屬的表面的附著。2。2有機(jī)物的去除(1)如硅片表面附著有機(jī)物，就不能完全去除表面的自然氧化層和金屬雜質(zhì)，因此清洗時首先應(yīng)去除有機(jī)物。(2)添加210Ppm03超凈水清洗對去除有機(jī)物很有效，可在室溫進(jìn)行清洗而不

28、必進(jìn)行廢液處理，比SC-1清洗的效果更好。2.3DHF的改進(jìn)(1) HF+H202清洗HF005%+H2O210%T在室溫下清洗可防止DHF清洗中的Cu等貴金屬附著。(2)由于H202氧化作用可在硅表面形成自然氧化膜，同時又因HF的作用將自然氧化層腐蝕掉，附著在氧化膜上的金屬被溶解到清洗液中.在APM青洗時附著在晶片表面的金屬氫氧化物也可被去除。晶片表面的自然氧化膜不會再生長。(3) Al、Fe、Ni等金屬同DHF清洗一樣，不會附著在晶片表面.(4)對n+、P+型硅表面的腐蝕速度比n、p型硅表面大得多，可導(dǎo)致表面粗糙因而不能使用于n+、p+型硅片清洗。(5)添加強(qiáng)氧化劑H202(E。=1。77

29、6V),比Cu2璃子優(yōu)先從5i中奪取電子，因此硅表面由于H202被氧化，Cu以Cu2璃子狀態(tài)存在于清洗液中。即使硅表面附著金屬Cu也會從氧化劑H202奪取電子呈離子化.硅表面被氧化形成一層自然氧化膜.因此Cu2璃子和5i電子交換很難發(fā)生，并越來越不易附著。2。3。2DHF+g面活性齊U清洗在HF0.5%的DHF液中加入表面活性劑，其清洗效果與HF+H202青洗相同.2。3。3DHF+I離子表面活性劑清洗在DHF液中，硅表面為負(fù)電位，粒子表面為正電位，當(dāng)加入陰離子表面活性劑，可使得硅表面和粒子表面的電位為同符號，即粒子表面電位由正變?yōu)樨?fù)，與硅片表面正電位同符號，使硅片表面和粒子表面之間產(chǎn)生電的排

30、斥力，可以防止粒子的再附著2。4ACD清洗3.4。 1AC清洗在標(biāo)準(zhǔn)的AC清洗中，將同時使用純水、HF,03,表面活性劑與兆聲波。由于03具有非常強(qiáng)的氧化性，可以將硅片表面的有機(jī)沾污氧化為CO開口H2Q達(dá)到去除表面有機(jī)物的目的，同時可以迅速在硅片表面形成一層致密的氧化膜；HF可以有效的去除硅片表面的金屬沾污，同時將03氧化形成的氧化膜腐蝕掉，在腐蝕掉氧化膜的同時，可以將附著在氧化膜上的顆粒去除掉，兆聲波的使用將使顆粒去除的效率更高，而表面活性劑的使用，可以防止已經(jīng)清洗掉的顆粒重新吸附在硅片表面.2。4。2AD清洗在AD干燥法中，同樣使用HF與03.整個工藝過程可以分為液體中反應(yīng)與氣相處理兩部分

31、。首先將硅片放入充滿HF/03的干燥槽中，經(jīng)過一定時間的反應(yīng)后，硅片將被慢慢地抬出液面；由于HF酸的作用，硅片表面將呈疏水性，因此，在硅片被抬出液面的同時，將自動達(dá)到干燥的效果.在干燥槽的上方安裝有一組03的噴嘴，使得硅片被抬出水面后就與高濃度的03直接接觸，進(jìn)而在硅片表面形成一層致密的氧化膜。在采用AD干燥法的同時，可以有效地去除金屬沾污.該干燥法可以配合其他清洗工藝來共同使用，干燥過程本身不會帶來顆粒沾污.2。5酸系統(tǒng)溶液3.5。 1SE洗液HNO3（60%:HF（0o025沙0。1%）,SE能使硅片表面的鐵沾污降至常規(guī)清洗工藝的十分之一，各種金屬沾污均小于1010原子/cm2,不增加微粗

32、糙度。這種洗液對硅的腐蝕速率比對二氧化硅快10倍，且與HF含量成正比，清洗后硅片表面有1nm的自然氧化層。2.5 02CSE洗液HNO3HF:H2O2=50（0。50.9）:（49.549.1）,35C,35min.用CSE青洗的硅片表面沒有自然氧化層，微粗糙度較SE清洗的降低；對硅的腐蝕速率不依賴于HF的濃度，這樣有利于工藝控制。當(dāng)HF濃度控制在0。1%寸效果較好。3幾種的清洗方案3.1 硅片襯底的常規(guī)清洗方法 三氯乙烯（除脂）80C,15分鐘；丙酮、甲醇20C,依次2分鐘；去離子水流洗2分鐘；2號液（4：1：1）90C,10分鐘；去離子水流洗2分鐘；擦片（用擦片機(jī)）；去離子水沖5分鐘；1號

33、液（4：1：1）9095C,10分鐘；去離子水流洗5分鐘；稀鹽酸（50：1）,2.5分鐘；11去離子水流洗5分鐘；12甩干（硅片）。該方案的清洗步驟為：先去油，接著去除雜質(zhì)，其中10步用于進(jìn)一步去除殘余的雜質(zhì)（主要是堿金屬離子）03。2DZ1、DZ-2清洗半導(dǎo)體襯底的方法去離子水沖洗； DZ1（95：5）,5060c超聲10分鐘；去離子水沖洗（5分鐘）； DZ2（95：5）,5060c超聲10分鐘； 去離子水沖洗（5分鐘）；甩干或氮?dú)獯蹈伞Ｔ摲桨钢杏秒娮忧逑磩┐娣桨敢恢械乃釅A及雙氧水等化學(xué)試劑，清洗效果大致與方案一相當(dāng). .3硅拋光片的一般清洗方法無鈉清洗劑加熱煮三次；熱去離子水沖洗；3號液

34、；熱去離子水沖洗；去離子水沖洗；稀氫氟酸漂洗；去離子水沖洗；1號液；去離子水沖洗；甩干.對于用不同的拋光方式（有蠟或無蠟）得到的拋光片，其被各種類型的污染雜質(zhì)沾污的情況各不相同，清洗的側(cè)重點(diǎn)也就各不相同，因此上述各清洗步驟的采用與否及清洗次數(shù)的多少也就各不相同。 .4某一化學(xué)清洗流程以下所有試劑配比均為體積比.所用有機(jī)試劑均是分析級試劑。部分試劑的濃度如下：w（H2O220%;w（HF）40%w（H2SO4）:95-98%0除脂三氯乙烯溶液中旋轉(zhuǎn)清洗3次，每次3min;異丙醇中旋轉(zhuǎn)清洗3次，每次3min;去離子水漂洗3次；高純氮?dú)獯蹈?；氧化在新配的H2SO4：H2O2（1：1）溶液中氧化3mi

35、n;在70c溫水中漂洗3min（避免Si表面因驟冷出現(xiàn)裂紋）；去離子水中漂洗2次，每次3min;刻蝕HF：C2H50H(1：10)溶液中刻蝕3min;C2H50廂漂洗3次，每次3min;高純氮?dú)獯蹈??；瘜W(xué)清洗后，把樣品快速傳入真空系統(tǒng)，這是因?yàn)镠鈍化的硅表面在空氣中只能維持幾分鐘內(nèi)不被重新氧化。若清洗后的Si片不能及時進(jìn)入超高真空系統(tǒng)，可將清洗后的Si片放入無水C2H50由，這既可以延緩表面被氧化的速度，又可以避免清洗后的表面被空氣中的雜質(zhì)所污染。1傳統(tǒng)的RCA青洗法1。1主要清洗液1。1。1SPM(三號液)(H2SO4：H2O2：H20在120150c清洗10min左右,SPM具有很高的氧化

36、能力，可將金屬氧化后溶于清洗液中，并能把有機(jī)物氧化生成C0開口H20用SPM青洗硅片可去除硅片表面的重有機(jī)沾污和部分金屬，但是當(dāng)有機(jī)物沾污特別嚴(yán)重時會使有機(jī)物碳化而難以去除。經(jīng)SPM清洗后，硅片表面會殘留有硫化物，這些硫化物很難用去粒子水沖洗掉。由0hnishi提出的SPFM(H2S04/H202/H)F溶液，可使表面的硫化物轉(zhuǎn)化為氟化物而有效地沖洗掉.由于臭氧的氧化性比H2O2的氧化性強(qiáng)，可用臭氧來取代H2O2(H2SO4/O3/H20為SOMt液)，以降低H2S04勺用量和反應(yīng)溫度.H2SO4(98%:H2O2(30%)=4:11。1.2DHF(HF(H2O2):H2Q在2025c清洗30

37、s腐蝕表面氧化層，去除金屬沾污，DHF清洗可去除表面氧化層，使其上附著的金屬連同氧化層一起落入清洗液中，可以很容易地去除硅片表面的Al,Fe,Zn,Ni等金屬，但不能充分地去除Cu.HF:H2O2=1:50。1。1。3APMI(SC-1)(一號液)(NH40HH2O2：H20)在6580c清洗約10min主要去除粒子、部分有機(jī)物及部分金屬.由于H2O2的作用，硅片表面有一層自然氧化膜(Si02),呈親水性，硅片表面和粒子之間可被清洗液浸透。由于硅片表面的自然氧化層與硅片表面的Si被NH40HW蝕，因此附著在硅片表面的顆粒便落入清洗液中，從而達(dá)到去除粒子的目的.此溶液會增加硅片表面的粗糙度.Fe

38、,Zn,Ni等金屬會以離子性和非離子性的金屬氫氧化物的形式附著在硅片表面，能降低硅片表面的Cu的附著。體積比為(1：1：5)(1：2：7)的NH40H(27%)、H2O2(30%)和H2旃成的熱溶液.稀釋化學(xué)試劑中把水所占的比例由1：5增至1：50,配合超聲清洗，可在更短時間內(nèi)達(dá)到相當(dāng)或更好的清洗效果。SC-1清洗后再用很稀的酸(HCl:H20j1：104)處理，在去除金屬雜質(zhì)和顆粒上可收到良好的效果，也可以用稀釋的HF溶液短時間浸漬，以去除在SM1形成的水合氧化物膜。最后，常常用SM1原始溶液濃度1/10的稀釋溶液清洗，以避免表面粗糙，降低產(chǎn)品成本，以及減少對環(huán)境的影響。1.1 04HPM（SC-2）（二號液）（HCl:H2O2：H2Q在6585c清洗約10min用于去除硅片表面的鈉、鐵、鎂等金屬沾污