IC可靠性測(cè)試 關(guān)于EFR,HTOL和Burn in的異同

1、【討論】關(guān)于EFR,HTOL和Burn in的異同！ 【討論】關(guān)于EFR,HTOL和Burn in的異同！ 半導(dǎo)體技術(shù)天地s Archiver 論壇 Reliability可靠性測(cè)試評(píng)價(jià) 【討論】關(guān)于EFR,HTOL和Burn in的異同！semicon2009 發(fā)表于 2009-1-9 09:34:51 【討論】關(guān)于EFR,HTOL和Burn in的異同！討論EFR,HTOL和Burn in的異同 本帖最后由 semicon2009 于 2009-1-23 13:37 編輯 sunjj 發(fā)表于 2009-1-9 11:56:48 早期失效EFR：目的是通過試驗(yàn)得到產(chǎn)品的早期失效率，所以試驗(yàn)的

2、樣本量較大。高溫壽命HTOL：目的是通過此鑒定試驗(yàn)得到產(chǎn)品的使用壽命，所以試驗(yàn)時(shí)間較長(zhǎng)。老練篩選Burn-In：目的是通過試驗(yàn)剔除早期失效產(chǎn)品提高批次的可靠性，所以產(chǎn)品應(yīng)全數(shù)進(jìn)行試驗(yàn)。 semicon2009 發(fā)表于 2009-1-9 12:28:23 所以EFR是qual時(shí)候做的，Burn in是mass production做的吧。那么具體使用的板子有什么區(qū)別，還有是動(dòng)態(tài)測(cè)試function還是做完之后再測(cè)？有沒有詳細(xì)點(diǎn)的參考資料share一下？ zlf123 發(fā)表于 2009-1-9 12:42:27 了解了！ 茱wling 發(fā)表于 2009-1-9 13:18:00 pigeon 發(fā)表

3、于 2009-1-9 13:28:03 Burn in主要是模擬產(chǎn)品工作壽命，加偏壓，加高溫主要是模擬產(chǎn)品在最壞的工作使用情況下的條件。Burn in主要用于作為可靠性監(jiān)控和從批次產(chǎn)品中剔除早起失效的。取決于Burn in時(shí)間的長(zhǎng)短，它的失效可以是早衰期的缺陷導(dǎo)致的，也可以是老化損耗期的。EFR目的是為了評(píng)估工藝的穩(wěn)定性，加速缺陷失效率，去除由于天生原因失效的產(chǎn)品。對(duì)應(yīng)于浴盆曲線的早衰期。失效多是早衰期的缺陷導(dǎo)致的，比如工藝設(shè)計(jì)等缺陷等。時(shí)間一般是168H或者更少。HTOL目的是評(píng)估器件在超熱和超電壓情況下一段時(shí)間的耐久力，也就是正常工作的壽命。對(duì)應(yīng)于浴盆曲線的wear out期。失效多是老化

4、損耗期的失效，比如熱載流子效應(yīng)，氧化層擊穿，電遷移等等。時(shí)間一般會(huì)做到1000Hrs。125條件下1000小時(shí)測(cè)試通過IC可以保證持續(xù)使用4年，2000小時(shí)測(cè)試持續(xù)使用8年；150 1000小時(shí)測(cè)試通過保證使用8年，2000小時(shí)保證使用28年。 本帖最后由 pigeon 于 2009-1-9 13:29 編輯 semicon2009 發(fā)表于 2009-1-9 15:12:28 回復(fù) 5# 茱wling 的帖子謝謝. 本帖最后由 semicon2009 于 2009-1-23 13:35 編輯 semicon2009 發(fā)表于 2009-1-10 19:39:44 繼續(xù)請(qǐng)教。 twiyjch 發(fā)表

5、于 2009-1-10 21:37:13 謝謝, 了解. pigeon 發(fā)表于 2009-1-11 14:09:31 回復(fù) 7# semicon2009 的帖子個(gè)人是覺得這個(gè)觀點(diǎn)正確的吧 yebenyin 發(fā)表于 2009-1-13 15:36:22 感謝樓上 寶貴的意見受益匪淺之前一直沒有完全搞清楚這幾個(gè)概念 LIU69 發(fā)表于 2009-1-30 10:22:21 回復(fù) 6# pigeon 的帖子幾年的說法來自哪里？是統(tǒng)計(jì)出來的還是計(jì)算出來的？ czy163 發(fā)表于 2009-2-2 15:33:55 回復(fù) 2# sunjj 的帖子回答的比較資深哦 moudo 發(fā)表于 2009-2-2 1

6、6:03:31 回復(fù) 12# LIU69 的帖子應(yīng)該是計(jì)算出來的就是MTTF的計(jì)算，再加上加速因子很容易就能大概估算出來 bonbonssy 發(fā)表于 2009-2-6 10:02:00 太牛了，學(xué)到了很多知識(shí)阿。 Kate01 發(fā)表于 2009-2-9 11:42:04 不錯(cuò)的討論，了解更多的東西了。 tanwen1030 發(fā)表于 2009-2-13 13:31:53 謝謝了，好東西 lzg0000 發(fā)表于 2009-2-19 06:27:48 wqpye 發(fā)表于 2009-2-27 21:10:56 在溫度與電子系統(tǒng)可靠性一書中，作者對(duì)Arrhenius Law的準(zhǔn)確性提出了質(zhì)疑。 thhz

7、y1 發(fā)表于 2009-7-8 10:51:20 感謝樓上 寶貴的意見受益匪淺之前一直沒有完全搞清楚這幾個(gè)概念本來還想自己發(fā)貼請(qǐng)教高手的呢！ Tony_hf123 發(fā)表于 2009-7-11 23:37:31 mrlin 發(fā)表于 2009-7-12 11:52:52 同意樓上的,學(xué)一下具體的case比較有益 kimperkins 發(fā)表于 2009-7-20 15:00:08 MBI和TDBI是不同的，MBI就是output monitoring ,檢測(cè)的是輸出pin的信息，也是一種監(jiān)測(cè)手段。TDBI一般是可以真正意義上實(shí)現(xiàn)function test during BI. 目前據(jù)了解在存儲(chǔ)器類和一些高密度封裝器件上國(guó)外已經(jīng)有這種技術(shù)與機(jī)器了。當(dāng)然TDBI并不能完全取代最后的測(cè)試，因?yàn)楹芏郿evice失效時(shí)他們的function 都pass但是在parameter test上，他們可能會(huì)有defect出現(xiàn)。以后BI的趨勢(shì)應(yīng)該會(huì)