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文檔簡介
1、UPS無線并機均流控制技術(shù)摘要: 預(yù)料以后的微處理器將呈現(xiàn)出更強的帶載能力和更快的暫態(tài)響應(yīng)能力。當(dāng)今的電壓調(diào)整模塊( VRM )需要更大更多的濾波器以滿足其要求,這無疑會使現(xiàn)存的 VRM 拓撲變得不再實用。作為候選拓撲之一, QSM VRM 表現(xiàn)非常優(yōu)異的性能,比如快速的暫態(tài)響應(yīng)能力和高的功能密度。這種技術(shù)的難點就是電流均分控制技術(shù),在這篇文章中,介紹了一種新型的電流偵測和均分電流的技術(shù),通過這種技術(shù),在并機系統(tǒng)中,無需電流變壓器和電流偵測電阻,均分電流能夠控制,另外,這種技術(shù)很容易集成于芯片,用四模塊并機的 QSM VRM 來驗證這門技術(shù),通過試驗證實,這種技術(shù)擁有高功率密度、高效率,和高響
2、應(yīng)速度。同時電流均分技術(shù)也得到了一般化整理和擴展.介紹 隨著微處理器技術(shù)的發(fā)展,為此種設(shè)備提供能量的電源面臨著新的挑戰(zhàn),這種挑戰(zhàn)開始于高效 pentium 微處理器不在使用標(biāo)準(zhǔn)的 5V 電壓,而是使用非標(biāo)準(zhǔn)的電壓等級小于 5V 的電源。為了滿足更快、更有效的數(shù)據(jù)處理需求,開發(fā)出了更低電壓等級得中型微處理器,這種處理器的電源電壓將從 3.3V 降到 1.11.8V ,同時,因為會有更多的設(shè)備集成到同一處理器 IC 上并且處理器的工作頻率會更高,微處理器需要強效的電源管理能力。將來的微處理器的電流將從現(xiàn)在的 13A 增大到 30A50A ,如此大的電流反過來需
3、要專業(yè)的電壓調(diào)整模塊來提供低電壓等級,高帶載能力的電源。 隨著處理器速度的提高, VRM 的負載也在增大,這種相互的關(guān)系使電源的大負載發(fā)生變化的時候經(jīng)常出現(xiàn),比如在處理器從休眠到正常運行模式。將來的微處理器需要更高的電流等級,不但如此,而且總的電壓調(diào)偏差將更小,目前,電壓調(diào)偏差為 5% (對于 3.3V 的 VRM 輸出,電壓的偏差可到 +/-165mV )。將來,總的電壓偏差將為 2% (對于 1.1 V VRM 輸出,電壓的偏差僅又 +/-22mV )。所有這些要求給電源的設(shè)計帶來了挑戰(zhàn)。表一顯示了未來 VRM 的電流規(guī)格書。 大多 VRM 使用同步整流 BUCK 拓撲結(jié)構(gòu),圖一顯示了同步
4、整流 BUCK 電路 , 圖一: 同步整流器 當(dāng)今的 VRM 的輸出有大濾波電感。巨大的輸出電容和退耦電容(在板電容)需要減少電壓 SPIKE ,以后的電腦母板相對較貴,現(xiàn)在的 VRM 不在實用于未來的設(shè)備。 圖二顯示了輸出加小電容的 BUCK 的同步整流運行波形,圖三顯示了 QSMVRM 的暫態(tài)響應(yīng),這種技術(shù)的缺點是效率低,穩(wěn)態(tài)輸出電壓的紋波大。 為了滿足穩(wěn)態(tài)和暫態(tài)的要求,發(fā)展了交叉 QSM ,見圖 4 交叉 QSM 技術(shù)消除了電流紋波并加快的暫態(tài)響應(yīng)速度,圖 5 顯示了四模塊交叉 QSM VRM 的暫
5、態(tài)響應(yīng),結(jié)果顯示這種技術(shù)滿足了將來對電源暫態(tài)的要求,并且不會產(chǎn)生大的電壓紋波,它不但能減少輸出電壓紋波,它也能減少輸入電壓紋波,因為必要的電容減小了,母板上就能留下更大的空間,更大的功率密度變得可能。另外,因為每個模塊需要處理的功率更小,這種拓撲擁有更高的效率并容易封裝。 交叉技術(shù)的難點是其電流均分的控制,雖然在其他的運用中這也是個難點,但是在 QSM 技術(shù)中,其更難實現(xiàn),在傳統(tǒng)的運用中,一個變壓器和電流偵測電阻被用來偵測每個模塊的電流,但是變壓器太大太貴,電阻降低了這種低電壓等級大電流逆變器的效率,另外,傳統(tǒng)的電流均分控制技術(shù),例如電壓模型控制或則峰值電
6、流模式控制都受到開關(guān)導(dǎo)通電阻和電感的值得影響,對于生產(chǎn)制造來說很難控制。 在這篇論文中,介紹了一種新型的電流偵測和均分電流技術(shù),通過這種技術(shù),很容易在并機系統(tǒng)中得到電流的均分,并且無需傳統(tǒng)的電流偵測方法,其很容易集成于芯片,四模塊交叉 QSMVRM 被用來驗證此技術(shù)。 運用于并機模塊的傳統(tǒng)電流均分控制方式 A 單環(huán)電壓模式控制 在并機模塊運用中,僅有一個環(huán)的電壓環(huán)控制是最簡單的一種,這種方式包含了電流偵測和均分電流控制,電流的分配取決于各個模塊的一致性(小信號中等效為電阻,根據(jù)歐姆定理分配電流),在實際中,在沒有精確的電流均分控制系統(tǒng)中,這種技
7、術(shù)很難做到電流均分,有許多因素導(dǎo)致不均分的電流:元件差異,逆變到負載非一致性的連接,由于元件的老化和物理狀態(tài)所導(dǎo)致的元件非一致性的變化。 使用這種模式的原因是其成本低,但是它很難控制半導(dǎo)體的質(zhì)量,均分電流的能力很差,結(jié)果,熱管理變得非常重要, VRM 效率小將,成本增加。 實際上,只有電壓模式控制的系統(tǒng)很難在低電壓大電流運用中均分電流,圖 6 顯示了 MOSFET 模型,它等效于串聯(lián)了電阻的開關(guān),電阻是 MOSFET 導(dǎo)通電阻, 圖 6 ( b )顯示了同步整流 BUCK 逆變器的等效模型 ,RON1 和 RON2 代表了上下開關(guān)的開通電阻 ,R3 是線路
8、阻抗和 LAYOUT 電阻的總和 , 如果考慮寄生 ,BUCK 逆變器的占空比如下 : 在高電壓 , 低電流運用中 , 因為 VO 遠大于 IO*(RON2+RON3), 這種效應(yīng)可以忽略 , 但在低電壓 , 大電流運用中 , VO 很小 , IO*(RON2+RON3) 的影響變得不容忽視。例如,如果 VO 為 2V , VIN 是 5V , RON1 和 RON2 是 14m ,當(dāng)負載從 030A 變化時,逆變占空比將在 0.40.5 之間變化,正常情況下, MOSFET 導(dǎo)通電阻遠大于線阻和 LAYOUT 的電阻, R3 和 VIN 大于 IO* (
9、 RON2-RON1 )。方程( 1 )可簡化為: 這種特性嚴重影響電流均分的結(jié)果,圖 7 顯示了只有電壓環(huán)兩個模塊并機的電路圖。 對于模塊 1 ,占空比為: 對于模塊 2, 占空比為 : IO1 和 IO2 是各個模塊的輸出電流, RON12 和 RON22 是每個模塊同步整流的導(dǎo)通電阻,因為誤差信號, VC 是同一個比較斜坡的用于產(chǎn)生各個模塊的占空比控制的信號,如果斜坡幅值一樣, D1 等于 D2 。由( 3 )和( 4 ): 只有當(dāng) RON12 等于 RON22 時能得到均分
10、電流,但是這是非常難控制的部分,通常有在同一類型的設(shè)備中有 20% 差異。表 顯示了來自工業(yè)的數(shù)據(jù)。運用這種控制方式很難實現(xiàn)均分的電流。圖 8 顯示了 MOSFET 導(dǎo)通電阻對電流均分的影響,負載越大,均分結(jié)果越糟糕。 B 峰值電流模式控制為了避免開關(guān)管導(dǎo)通電阻的影響,可以用電流模式控制,峰值電流模式控制是現(xiàn)在最流行的一種控制方式,其運行非常簡單,圖 9 顯示其控制框圖,從電壓環(huán)補償器過來的誤差信號作為每個模塊峰值電流信號的比較參考信號,比較結(jié)果是每個模塊占空比的周期信號。 這種方式簡單并且不受設(shè)備寄生現(xiàn)象的影響,缺點是在輕載時其軍流能力較弱,和每個模塊電
11、感值得影響。圖 10 顯示了不同電感值對均流的影響,因為在這種并機系統(tǒng)中其輸入和輸出都是一樣的,如果模塊的電感值不一致,電感的峰值電流將不一致,電感值小的模塊的峰峰電流值將比其他大,由于峰值電流模式只限制電流最大值,而每個模塊的平均值將不受直接控制,結(jié)果,電感小的模塊的電流小,實際上,電感的值很難控制,正常情況下,電感的值可能有 20%30% 的差異。圖 11 顯示了不同電感值得影響, 影響可以表示成: fs是開關(guān)頻率,每個模塊電流差異從輕載到重載固定不變,在輕載時,均流很差,在 VRM 中 均流控制技術(shù) A一個簡單的電流偵測網(wǎng)絡(luò)
12、 對于將來低電壓,高電流并機系統(tǒng)來講,需要一個簡單,低成本,對寄生參數(shù)免疫的電流偵測和均流控制電路。 圖 12 顯示了 RC 開關(guān)網(wǎng)絡(luò),兩個開關(guān)管處于互補的開關(guān)狀態(tài): 像在同步整流的 BUCK 逆變器重,當(dāng)上管 S1 開,下管 S2 關(guān),輸出電容由輸入電壓與電容電壓的差值通過 R 充電,假設(shè) R RON1 和 RON2 ,我們得到: 當(dāng) S1 OFF , S2 ON 輸出電容通過 R 和 S2 放電: 開關(guān)網(wǎng)絡(luò)像沒有負載的 BUCK 逆變器,唯一的差別是輸出
13、電感和電阻 R 重新放置了,占空比周期是: 實際上,穩(wěn)態(tài)時電阻上的平均電壓為 0 ,因為通過輸出電容流出的電流的平均值是 0 ,如果這一開關(guān)網(wǎng)絡(luò)聯(lián)合同步整流 BUCK 電路,見圖 13 , VC 可以用來估計電感的電流值,圖 13 中, R3 是線阻和 LAYUOT 的總電阻, RON1 和 RON2 是 MOSFET 的導(dǎo)通電阻。 穩(wěn)態(tài)時,充放電壓可以由下表示: IO 是負載電流,其也等于電感的平均電流, TON 是開關(guān)的導(dǎo)通時間,圖 13 中電感的充放電可由下表示: VO 是同步整流逆變器的輸出電壓,從( 10 )和
14、( 11 ),同步整流占空比是: 從( 12 ) Vc 的平均電流是: 從( 13 )知平均電感電流: 在 (14) 中被偵測點平均電感電流只受 R3 的影響 , 電阻 R,C, 電感值 , 開關(guān)導(dǎo)通電阻對于偵測電流的偵測結(jié)果沒有影響 , 運用這種 RC 網(wǎng)絡(luò) , 傳統(tǒng)電流變壓器或則偵測電阻可以去掉 , 用過平均電容電壓可以估計電感電流值 , 這種運用簡單 , 成本低 , 對逆變效率沒有影響 . B 新型均流控制技術(shù) 圖 14 顯示了新型均流控制技術(shù),利用 VC 平均值信號,每個模塊
15、的電感電流得到了控制, 圖 14 顯示其控制框圖,其包括了電流和電壓環(huán),所有的模塊都使用同一個電壓環(huán),每一個模塊有其自己的 RC 偵測網(wǎng)絡(luò)和均流控制電流環(huán)。 應(yīng)該指出的是,雖然以下是用兩個模塊試驗,但是其方法可以實用于任何數(shù)目并機系統(tǒng)中。在圖 14 中,電容電壓信號包含了平均電流信號,在模塊 1 和 2 中有: IO1 和 IO2 是每個模塊的平均電流值,首先,假定 R13 等于 R23 ,即假定電感線路設(shè)計對稱。實際中,這種對稱在制造中容易實現(xiàn),為了得到一
16、致的電流分配, VC1 ( avg )必須等于 VC2 ( avg )。從( 10 , 11 )得出,當(dāng) VC1 ( avg )等于 VC2 ( avg ), R13 等于 R23 , IO1 等于 IO2 ,現(xiàn)在,均流控制環(huán)的目的是控制 VC1 和 VC2 ,使他們相等。 圖 15 顯示一種簡單的實現(xiàn)方法,電流環(huán)是一個綜合補償器,所有得模塊使用共同的參考信號,因為控制器包含一個同一的補償器,所以沒有穩(wěn)態(tài)誤差, VC1 和 vc2 都等于參考電壓,圖 16 顯示一個完整的控制圖。 如圖中控制方法, VC1
17、總是等于 VC2 ,從( 15 , 16 )有: 均流的效果取決于 R13-R23 的比率。當(dāng)他們相等時。均流很好, MOSFET 導(dǎo)通電阻和電桿值得差異對于均流控制來說沒有影響。圖 17 顯示了其仿真結(jié)果, 兩個模塊并機,一個模塊 MOSFET 導(dǎo)通電阻為 20m ,輸出電感量為 320nH ,另一模塊開關(guān)電阻為 10m ,輸出電感量為 300nH ,當(dāng)負載從 1A 到 13A 變化時,各模塊電流差異小于 30mV ,相對于 MOSFET 導(dǎo)通電阻和電感值,線阻在制造中更容易控制。 設(shè)計和試驗
18、結(jié)果 圖 18 顯示了測試電路圖: 功率板部分時 4 模塊交叉 QSM VRM 。每個模塊電感量是 320nH ,開關(guān)頻率是 300 赫茲,輸入電感為 5V ,輸出電壓為 2V ,最大的負載電流為 30A 。在測試電路中, PCB 走線作為電感線圈使用, R3 是 PCB 電阻,圖 18 顯示了路線代電阻 R13 , R23 、 R33 、 R43 ,盡管這些電阻很小, 1m 一個,電流偵測沒有受到干擾,實際上,電流決定于其比值,而不是其絕對值,圖 18 顯示每個走線一致,他們近似相等,可以得到均分的電流。
19、 圖 19 顯示了電流均流環(huán)補償器的設(shè)計,為了保證其穩(wěn)定性, R*C 比 RF*CF 小 10 倍以上,使用這種設(shè)計,模塊顯示了非常好的電流均分能力,圖 20 顯示了測試的結(jié)果, 當(dāng)負載電流從 0.5 到 30A 變化時,輸入電流差異小于 50mA ,由于均流, VRM 的小量 3 高,見圖 21 。 圖 22 顯示了電壓環(huán)補償器設(shè)計,它是傳統(tǒng)的雙極點,單零點補償器。電壓環(huán)確保閉環(huán)帶寬高,暫態(tài)響應(yīng)快。 圖 23 顯示了測試的電壓閉環(huán)增益,帶寬為
20、85K 赫茲,相位裕量為 62 度。由于寬的帶寬, VRM 的輸出阻抗小,逆變器的暫態(tài)響應(yīng)快。 圖 24 顯示了暫態(tài)響應(yīng): 當(dāng)負載從 0. 515A (負載變化率 30A /us ),輸出電壓降落只有 40mV ,輸出電容為 1200uf ,表 顯示了 QSMVRM 設(shè)計與傳統(tǒng)設(shè)計的比較。新型的設(shè)計可以提高功率密度到原來的 3 倍,和更快的暫態(tài)響應(yīng)。 條理化和延伸新型均流控制 A 一般化 前部分討論了當(dāng)線路阻抗一致時新型均流控制技術(shù)的運行。一般化這項技術(shù),需要研究黨所有的線路和 LAYOUT 電阻不一致時的電路運行情況。 圖 25 顯示了當(dāng) R13 和 R23 不同時的情況。假定: 在電流環(huán)增加了有兩個額外的比例放大器,其作用是用來調(diào)整不同模塊中的電流分配。 在圖 25 中。 Va 和 Vb 是: 電流環(huán)的兩個統(tǒng)一體使 Vb 等于 Vc2 ,由( 15 、 16 、 20 )可以得到如
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