IGBT驅(qū)動(dòng)電阻選取

1、IGBT驅(qū)動(dòng)電阻的選擇IGBT的驅(qū)動(dòng)電阻及尖閉電阻選擇基本基本沒有計(jì)算，要是計(jì)算的話，也就是一個(gè) RC充放電時(shí)間的計(jì)算來確定這個(gè)R的選擇。僅僅是這個(gè)時(shí)間是不確定的，時(shí)間的 大小受到各方面因素的制約，所以在確定這個(gè)R的時(shí)候，需要考慮諸多問題。第一：查出各IGBT的最小門極電阻。Datashee上寫的是各IGBT廠家推薦的最小 Rg。選擇電阻的個(gè)人經(jīng)驗(yàn)，首先確定的范圍為廠家推薦的最小電阻的 見表廿2倍之 間。IGBT型號(hào)最小門極電阻可選擇Rgon最小尖斷電阻可選擇RoffBSM100GB170DLC15Q15Q-30 Q15Q15Q-30QBSM150GB170DLC10Q10Q-20Q10Q10

2、Q-20QFF200R17KE3FF300R17KE36.8Q6.8Q-13.6Q6.84.7 Q4.7Q -9.4 Q4.7 Q4.7Q-9.4 QFF450R17ME43.3Qt?.3 Q-6.6Q3.3 0 -6.6QFF650R17IE41.81.8Q -3.6 Q2.7Q2.7Q-5.4 QFF1000R17IE41.2Q1.2 Q-2.4Q1.8Q-3.6QFF1400R17IP40.47Q0.47 Q | 0.68 Q |0.6836Q |表1目前公司所用的IGBT驅(qū)動(dòng)電阻可選擇范圍門極電阻的選擇范圍就如表1，具體的要進(jìn)行雙脈沖試驗(yàn)，才能最終確定最優(yōu)化Rgon和 Rgoff。第二

3、：確定Ron的功率。計(jì)算公式：P = fs X QG XA U備注：P：每通道Rgon功率；f s ： IGBT開尖頻率；QG： IGBT門極電荷，可從datashee中 查出gate charge不同IGBT該數(shù)值不同；:門極驅(qū)動(dòng)電壓擺幅，等于驅(qū)動(dòng)正壓+U和 負(fù)壓U之間差值。這里我們公司選擇的是2SD315和SKYPER32。其？ U=30V。IGBT型號(hào)BSM100GB170DLCQG(datasheet1.2uCFs取 值1.2K?U30VP(W0.0432可選擇Rgon備注電阻功率備注三0.125WBSM150GB170DLC1.8uC1.2K30V0.0648三0.125WFF200

4、R17KE32.3uC1.2K30V0.0828三0.125WFF300R17KE33.5uC1.2K30V0.126三0.25WFF450R17ME44.6uC1.2K30V0.1656三0.5WFF650R17IE47uC1.2K30V0.252三0.5WFF1000R17IE410uC1.2K30V0.36FF1400R17IP413.5uC1.2K30V0.486u=10A(-6第三：根據(jù)以上兩個(gè)表格，來選擇Ron和Roff的型號(hào)。其實(shí)這里的電阻選擇說白了就是一個(gè)RC充放電回路的計(jì)算。結(jié)合IGBT的其他特 性（di/dt、du/dt、橋臂死區(qū)時(shí)間，IC振蕩、續(xù)流二極管的特性、熱損耗等）

5、及實(shí)際應(yīng)用 中的需求（實(shí)際使用時(shí)IGBT的開尖頻率等）。來選擇這個(gè)R。這個(gè)R中心 領(lǐng)導(dǎo)需要 我來進(jìn)行計(jì)算，我是比較頭疼。由于沒有進(jìn)行過現(xiàn)實(shí)試驗(yàn)，在我自己的合理范圍內(nèi)我都 可以認(rèn)為是合理的。本來想進(jìn)行仿真的，但是沒有建立好模型。以后再說吧，反正在我 提供的范圍內(nèi)選擇的電阻，就不會(huì)出問題。要是一定要有一個(gè)合理的，能夠具有說服力 的解釋，那就得進(jìn)行不斷的試驗(yàn)，獲得第一手的資料才能夠行。Ron選擇時(shí)，主要考慮以下兩個(gè)方面1、一方面需要選擇盡量小的阻值，以保證IGBT 能以最快的速度導(dǎo)通。2、另一方面需要選擇盡量大的電阻，以保證IC不發(fā)生振蕩?！緩S家提供的最小電阻 就是發(fā)生振蕩的臨界值?！縍off主要考

6、慮的因素是三個(gè)：1、di/dt。如果Roff太小，di/dt太大，容易造成IGBT 尖閉時(shí)'由寄生電感發(fā)射的電壓尖峰過高。大大的增加了 IGBT的風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)也需要更 加苛刻的吸收電容來吸收。另外，也會(huì)造成續(xù)流二極管的反向恢復(fù)電流過大，會(huì)造成二 極管擊穿。2、死區(qū)時(shí)間控制。如果Roff太大，會(huì)延長尖斷下沿時(shí)間導(dǎo)致橋臂死區(qū)時(shí)間超過最小 值。3、隨著Roff的增大，尖閉時(shí)IGBT的損耗也不斷增加。所以希望能夠在我提供的范圍內(nèi)，稍微大于最小值的地方選擇一個(gè)Roff的電阻。不要低于datashee所規(guī)定的最小電阻就可以。至于最上限，同時(shí)不得高于2倍規(guī)定值電阻。經(jīng)常使用的是14倍最小值之間選電阻，

7、沒有出過問題。同時(shí)，發(fā)熱量也不至于大到那里去。最終的選擇結(jié)果IGBT型號(hào)功率Ron/Roff （括號(hào)內(nèi)尖閉 時(shí)間 電阻值在開通電阻上疊加值）BSM100GB170DLCRon18Q0.1us1WRoff24 Q0.9us1WBSM150GB170DLCRon12Q0.1us1WRoff15Q0.9us1WFF200R17KE3Ron8.2 Q0.3us1WRoff10Q1us1WFF300R17KE3Ron5.1 Q0.3us1WRoff6.8 Q1us1WFF450R17ME4Ron3.6 Q0.26us1WRoff4.02 Q1us1WFF650R17IE4IRon0.6us| 2WRoff101.3us2WFF1000R17IE4Ron15Q0.6us2WRoff0