第一章.電子線路

1、 第一章第一章 基本半導(dǎo)體器件基本半導(dǎo)體器件1-1 結(jié)半導(dǎo)體： 其導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)。特殊性質(zhì)即電導(dǎo)率可控： 溫度 光照 磁場 摻雜質(zhì) 1.1.1本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體GeSi現(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺，它們現(xiàn)代電子學(xué)中，用的最多的半導(dǎo)體是硅和鍺，它們的最外層電子（價(jià)電子）都是四個(gè)而且都具有特定的最外層電子（價(jià)電子）都是四個(gè)而且都具有特定的晶體結(jié)構(gòu)。的晶體結(jié)構(gòu)。在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成在硅和鍺晶體中，原子按四角形系統(tǒng)組成晶體點(diǎn)陣，每個(gè)原子都處在正四面體的中心，晶體點(diǎn)陣，每個(gè)原子都處在正四面體的中心，而四個(gè)其它原子位于四面體的頂點(diǎn)，每個(gè)原子而四個(gè)其它原子位于

2、四面體的頂點(diǎn)，每個(gè)原子與其相臨的原子之間形成與其相臨的原子之間形成共價(jià)鍵共價(jià)鍵，共用一對(duì)價(jià)，共用一對(duì)價(jià)電子。電子。硅和鍺的晶硅和鍺的晶體結(jié)構(gòu)：體結(jié)構(gòu)：硅和鍺的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)硅和鍺的共價(jià)鍵結(jié)構(gòu)共價(jià)鍵共共價(jià)鍵共用電子對(duì)用電子對(duì)+4+4+4+4+4+4表示除表示除去價(jià)電子去價(jià)電子后的原子后的原子共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中，稱為共價(jià)鍵中的兩個(gè)電子被緊緊束縛在共價(jià)鍵中，稱為束縛電子束縛電子，常溫下束縛電子很難脫離共價(jià)鍵成為，常溫下束縛電子很難脫離共價(jià)鍵成為自自由電子由電子，因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以，因此本征半導(dǎo)體中的自由電子很少，所以本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力很弱

3、。形成共價(jià)鍵后，每個(gè)原子的最外層電子是八個(gè)，形成共價(jià)鍵后，每個(gè)原子的最外層電子是八個(gè)，構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。構(gòu)成穩(wěn)定結(jié)構(gòu)。+4+4+4+4 完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的完全純凈的、結(jié)構(gòu)完整的 半導(dǎo)體晶體半導(dǎo)體晶體本征半導(dǎo)體本征半導(dǎo)體1.1.本征半導(dǎo)體的特點(diǎn)本征半導(dǎo)體的特點(diǎn)在絕對(duì)在絕對(duì)0度度（T=0K）和沒有外界激發(fā)時(shí)和沒有外界激發(fā)時(shí), ,價(jià)價(jià)電子完全被共價(jià)鍵束縛著，本征半導(dǎo)體中沒有電子完全被共價(jià)鍵束縛著，本征半導(dǎo)體中沒有可以運(yùn)動(dòng)的帶電粒子（即可以運(yùn)動(dòng)的帶電粒子（即載流子載流子），它的導(dǎo)電），它的導(dǎo)電能力為能力為 0，相當(dāng)于絕緣體。，相當(dāng)于絕緣體。在常溫下，由于熱激發(fā)，使一些價(jià)電子獲在常溫下，由于熱激發(fā)，使一

4、些價(jià)電子獲得足夠的能量而脫離共價(jià)鍵的束縛，成為得足夠的能量而脫離共價(jià)鍵的束縛，成為自由自由電子電子，同時(shí)共價(jià)鍵上留下一個(gè)空位，稱為，同時(shí)共價(jià)鍵上留下一個(gè)空位，稱為空穴空穴。此時(shí)在外電場作用下具有一定的導(dǎo)電能力此時(shí)在外電場作用下具有一定的導(dǎo)電能力+4+4+4+4自由電子自由電子空穴空穴束縛電子束縛電子本征激發(fā)載流子載流子2.本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理+4+4+4+4在其它外力的作用下，在其它外力的作用下，空穴吸引附近的電子空穴吸引附近的電子來填補(bǔ)，這樣的結(jié)果來填補(bǔ)，這樣的結(jié)果相當(dāng)于空穴的遷移，相當(dāng)于空穴的遷移，而空穴的遷移相當(dāng)于而空穴的遷移相當(dāng)于正電荷的移動(dòng)，因此正電荷的移動(dòng)，因此

5、可以認(rèn)為空穴是載流可以認(rèn)為空穴是載流子。子。本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即本征半導(dǎo)體中存在數(shù)量相等的兩種載流子，即自由電子自由電子和和空穴空穴。溫度越高，載流子的濃度越高。因此本征半溫度越高，載流子的濃度越高。因此本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強(qiáng)，溫度是影響半導(dǎo)體性導(dǎo)體的導(dǎo)電能力越強(qiáng)，溫度是影響半導(dǎo)體性能的一個(gè)重要的外部因素，這是半導(dǎo)體的一能的一個(gè)重要的外部因素，這是半導(dǎo)體的一大特點(diǎn)。大特點(diǎn)。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電能力取決于載流子的濃度。本征半導(dǎo)體中電流由兩部分組成：本征半導(dǎo)體中電流由兩部分組成： 1. 自由電子移動(dòng)產(chǎn)生的電流。自由電子移動(dòng)產(chǎn)生的電流。 2.

6、 空穴移動(dòng)產(chǎn)生的電流?？昭ㄒ苿?dòng)產(chǎn)生的電流。1.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性 雜質(zhì)半導(dǎo)體：雜質(zhì)半導(dǎo)體：在本征半導(dǎo)體中人為摻入某種“雜質(zhì)”元素形成的半導(dǎo)體。分為N型半導(dǎo)體和P 型半導(dǎo)體。一一 N N型半導(dǎo)體：型半導(dǎo)體： 在純凈Si中摻入五價(jià)元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半導(dǎo)體。 所摻入五價(jià)元素稱為施主 雜質(zhì)，簡稱施主 （能供給自由電子）。 右圖（2-1）N型半導(dǎo)體中，自由電子為多子，空穴為少子。型半導(dǎo)體中，自由電子為多子，空穴為少子。 二. P型半導(dǎo)體： 在純凈Si中摻入三價(jià)元素（硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了P型半導(dǎo)體。所摻入三價(jià)元素稱為受主雜質(zhì)，簡稱受主P型

7、半導(dǎo)體中，空穴為多子，自由電子為少子。型半導(dǎo)體中，空穴為多子，自由電子為少子。1.1.3 PN結(jié)的形成PN結(jié)：采用不同的摻雜工藝，將P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體制作在同一塊硅片上，在它們的交界面就形成PN結(jié)。PN結(jié)形成過程分解：結(jié)形成過程分解：1.1.4 PN結(jié)的單向?qū)щ娞匦越Y(jié)的單向?qū)щ娞匦?當(dāng)外加電壓使當(dāng)外加電壓使PN結(jié)中結(jié)中P區(qū)的電位高于區(qū)的電位高于N區(qū)的電位，稱為區(qū)的電位，稱為加加正向電壓正向電壓，簡稱，簡稱正偏正偏；反之；反之稱為加稱為加反向電壓反向電壓，簡稱簡稱反偏反偏。 +REPN 結(jié)正向偏置結(jié)正向偏置內(nèi)電場內(nèi)電場外電場外電場變薄變薄PN+_內(nèi)電場被削弱，多子內(nèi)電場被削弱，多子的擴(kuò)散加強(qiáng)

8、能夠形成的擴(kuò)散加強(qiáng)能夠形成較大的擴(kuò)散電流。較大的擴(kuò)散電流。反向偏置（簡稱反偏） PN結(jié)反偏：P區(qū)接低電位（負(fù)電位），N區(qū)接高電位（正電位）。 PN 結(jié)反向偏置結(jié)反向偏置+內(nèi)電場內(nèi)電場外電場外電場變厚變厚NP+_內(nèi)電場被被加強(qiáng)，多內(nèi)電場被被加強(qiáng)，多子的擴(kuò)散受抑制。少子的擴(kuò)散受抑制。少子漂移加強(qiáng)，但少子子漂移加強(qiáng)，但少子數(shù)量有限，只能形成數(shù)量有限，只能形成較小的反向電流。較小的反向電流。RE PN結(jié)加正向電壓時(shí)，呈現(xiàn)低電阻，具有較結(jié)加正向電壓時(shí)，呈現(xiàn)低電阻，具有較大的正向擴(kuò)散電流；大的正向擴(kuò)散電流； PN結(jié)加反向電壓時(shí)，呈現(xiàn)高電阻，具有很結(jié)加反向電壓時(shí)，呈現(xiàn)高電阻，具有很小的反向漂移電流。小的反向

9、漂移電流。 由此可以得出結(jié)論：由此可以得出結(jié)論：PN結(jié)具有單向?qū)щ娦?。結(jié)具有單向?qū)щ娦浴?1.3.1 半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)半導(dǎo)體二極管的結(jié)構(gòu)及符號(hào) 在在PN結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個(gè)二極結(jié)上加上引線和封裝，就成為一個(gè)二極管。二極管按結(jié)構(gòu)分有管。二極管按結(jié)構(gòu)分有點(diǎn)接觸型、面接觸型和平點(diǎn)接觸型、面接觸型和平面型面型三大類。三大類。(1) 點(diǎn)接觸型二極管點(diǎn)接觸型二極管 PN結(jié)面積小，結(jié)電結(jié)面積小，結(jié)電容小，用于檢波和變頻等容小，用于檢波和變頻等高頻電路。高頻電路。(a)(a)點(diǎn)接觸型點(diǎn)接觸型 二極管的結(jié)構(gòu)示意圖二極管的結(jié)構(gòu)示意圖1-2 二極管二極管(3) 平面型二極管平面型二極管 往往用于集

10、成電路制造往往用于集成電路制造藝中。藝中。PN 結(jié)面積可大可小，結(jié)面積可大可小，用于高頻整流和開關(guān)電路中。用于高頻整流和開關(guān)電路中。(2) 面接觸型二極管面接觸型二極管 PN結(jié)面積大，用結(jié)面積大，用于工頻大電流整流電路。于工頻大電流整流電路。(b)(b)面接觸型面接觸型(c)(c)平面型平面型陰極陰極引線引線陽極陽極引線引線PNP 型支持襯底型支持襯底(4) 二極管的代表符號(hào)二極管的代表符號(hào)(d) 代表符號(hào)代表符號(hào)k 陰極陰極陽極陽極 a半導(dǎo)體二極管圖片一一.PN結(jié)的伏安特性結(jié)的伏安特性PN結(jié)所加端電壓結(jié)所加端電壓U與流過它的電流與流過它的電流I的關(guān)系為：的關(guān)系為：其中其中 為反向飽和電流，為

11、反向飽和電流，VT為為kT/q稱溫度的電壓當(dāng)稱溫度的電壓當(dāng)量，量，k為玻耳茲曼常數(shù)，為玻耳茲曼常數(shù)，T為熱力學(xué)溫度，為熱力學(xué)溫度，q為電子的電為電子的電量，常溫下，量，常溫下，T300K時(shí)，時(shí)，VT可取可取26mv 1.3.2 1.3.2 二極管的伏安特性二極管的伏安特性) 1()(eIiTDVvsatRD)(satRIUI死區(qū)電壓死區(qū)電壓 硅管硅管0.6V,鍺管鍺管0.2V。導(dǎo)通壓降導(dǎo)通壓降: : 硅硅管管0.60.7V,鍺鍺管管0.20.3V。反向擊穿反向擊穿電壓電壓UBRPN結(jié)的伏安特性曲線結(jié)的伏安特性曲線) 1(/R(sat)DDTVveIi 當(dāng)當(dāng)PN結(jié)的反向電壓結(jié)的反向電壓增加到一定

12、數(shù)值時(shí)，反增加到一定數(shù)值時(shí)，反向電流突然快速增加，向電流突然快速增加，此現(xiàn)象稱為此現(xiàn)象稱為PN結(jié)的結(jié)的反向反向擊穿。擊穿。iDOVBR D熱擊穿熱擊穿不可逆不可逆 雪崩擊穿雪崩擊穿 齊納擊穿齊納擊穿 電擊穿電擊穿可逆可逆*擊穿并不意味著擊穿并不意味著PN結(jié)燒壞。結(jié)燒壞。二極管的伏安特性曲線可用下式表示二極管的伏安特性曲線可用下式表示)1(/SDD TVveIi0 D/V0.2 0.4 0.6 0.8 10 20 30 405101520 10 20 30 40iD/ AiD/mA死區(qū)死區(qū)VthVBR硅二極管硅二極管2CP102CP10的的V V- -I I 特性特性0 D/V0.2 0.4 0

13、.6 20 40 605101520 10 20 30 40iD/ AiD/mAVthVBR鍺二極管鍺二極管2AP152AP15的的V V- -I I 特性特性正向特性正向特性反向特性反向特性反向擊穿特性反向擊穿特性二二.實(shí)際二極管的伏安特性實(shí)際二極管的伏安特性三三.理想二極管的特性理想二極管的特性+iDvD-R1.二極管的正向壓降遠(yuǎn)小于和它串聯(lián)的電壓2.反向電流遠(yuǎn)小于和它并聯(lián)的電流Di三三.理想二極管的特性理想二極管的特性DiDv+iDvD-R1.二極管的正向壓降遠(yuǎn)小于和它串聯(lián)的電壓2.反向電流遠(yuǎn)小于和它并聯(lián)的電流Di0 1.3.3 二極管的參數(shù)二極管的參數(shù)(1) 最大正向電流最大正向電流I

14、F+iDvD-R 1.3.3 二極管的參數(shù)二極管的參數(shù)(2) 反向擊穿電壓反向擊穿電壓VBR和最大反向工作電壓和最大反向工作電壓VRMiDOVBR DVRM =0.5VBR為了保證二極管安全工作：為了保證二極管安全工作：(3) 反向電流反向電流I IR R 1.3.3 二極管的參數(shù)二極管的參數(shù)(4) 正向壓降正向壓降VFV 70on.硅V（硅二極管典型值）（硅二極管典型值）V 20on.鍺V（鍺（鍺 二極管典型值）二極管典型值）導(dǎo)通壓降：+iDvD-R(5) 最高工作頻率fM1.3.4 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管1. 穩(wěn)壓特性穩(wěn)壓特性(a)符號(hào)符號(hào)(b) 伏安特性伏安特性 利用二極管反向擊穿特性實(shí)現(xiàn)

15、穩(wěn)壓。穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓時(shí)工利用二極管反向擊穿特性實(shí)現(xiàn)穩(wěn)壓。穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓時(shí)工作在反向電擊穿狀態(tài)。作在反向電擊穿狀態(tài)。 IZ很大，很大， VZ很小。很小。(1) 穩(wěn)定電壓穩(wěn)定電壓VZ(3) 動(dòng)態(tài)電阻動(dòng)態(tài)電阻rZ 在反向擊穿后兩端的在反向擊穿后兩端的實(shí)際工作電壓。實(shí)際工作電壓。rZ = VZ / IZ(4)(4)最大穩(wěn)定工作電流最大穩(wěn)定工作電流 IZmax 和最小穩(wěn)定工作電流和最小穩(wěn)定工作電流 IZmin2. 穩(wěn)壓二極管主要參數(shù)穩(wěn)壓二極管主要參數(shù)1.3.4 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓二極管(2) 穩(wěn)定電流穩(wěn)定電流IZ 3. 如何穩(wěn)壓如何穩(wěn)壓+R-IR+-RLIOVOVIIZDZ正常穩(wěn)壓時(shí)正常穩(wěn)壓時(shí) VO =VZ

16、IZmin IZ IZmax一.限幅電路：單向限幅電路：如17頁圖二.穩(wěn)壓電路穩(wěn)壓電路1.3.5 1.3.5 二極管電路二極管電路半導(dǎo)體三極管半導(dǎo)體三極管 （雙極型晶體管）（雙極型晶體管） 1.4.1 晶體管的結(jié)構(gòu)及符號(hào)晶體管的結(jié)構(gòu)及符號(hào) 半導(dǎo)體三極管的結(jié)構(gòu)示意圖如圖所示。它有兩種類型半導(dǎo)體三極管的結(jié)構(gòu)示意圖如圖所示。它有兩種類型:NPN型和型和PNP型。型。兩種類型的三極管兩種類型的三極管發(fā)射結(jié)發(fā)射結(jié)(Je) 集電結(jié)集電結(jié)(Jc) 基極基極，用B或b表示（Base） 發(fā)射極發(fā)射極，用E或e表示（Emitter）；集電極集電極，用C或c表示（Collector）。 發(fā)射區(qū)發(fā)射區(qū)集電區(qū)集電區(qū)基區(qū)

17、基區(qū)三極管符號(hào)三極管符號(hào) 結(jié)構(gòu)特點(diǎn)：結(jié)構(gòu)特點(diǎn)： 發(fā)射區(qū)的摻雜濃度最高；發(fā)射區(qū)的摻雜濃度最高； 集電區(qū)摻雜濃度低于發(fā)射區(qū)，且面積大；集電區(qū)摻雜濃度低于發(fā)射區(qū)，且面積大； 基區(qū)很薄，一般在幾個(gè)微米至幾十個(gè)微米，且摻基區(qū)很薄，一般在幾個(gè)微米至幾十個(gè)微米，且摻雜濃度最低。雜濃度最低。平面型結(jié)構(gòu)平面型結(jié)構(gòu) 1.內(nèi)部載流子的傳輸過程內(nèi)部載流子的傳輸過程 三極管的放大作用是在一定的外部條件控制下，通過載流三極管的放大作用是在一定的外部條件控制下，通過載流子傳輸體現(xiàn)出來的。子傳輸體現(xiàn)出來的。 外部條件：外部條件：發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。發(fā)射區(qū)：發(fā)射載流子發(fā)射區(qū)：發(fā)射載流子集電區(qū)：收集載

18、流子集電區(qū)：收集載流子基區(qū)：傳送和控制載流子基區(qū)：傳送和控制載流子 （以（以NPN為例）為例） 載流子的傳輸過程載流子的傳輸過程 以上看出，三極管內(nèi)有兩種載流子以上看出，三極管內(nèi)有兩種載流子(自自由電子和空穴由電子和空穴)參與導(dǎo)電，故稱為雙極型三參與導(dǎo)電，故稱為雙極型三極管?；驑O管?；駼JT (Bipolar Junction Transistor)。 2. 電流分配關(guān)系電流分配關(guān)系發(fā)射極注入電流發(fā)射極注入電流傳輸?shù)郊姌O的電流傳輸?shù)郊姌O的電流設(shè)設(shè) FBhIIEnC 即根據(jù)傳輸過程可知根據(jù)傳輸過程可知 IC= InC+ ICBOIB= IB - ICBO通常通常 IC ICBOECFB II

19、h則有 為電流放大系數(shù)，為電流放大系數(shù)，與管子的結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜與管子的結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度有關(guān)濃度有關(guān)一般一般 = 0.9 0.99IE=IB+ IC載流子的傳輸過程載流子的傳輸過程FBh)(FBh1 根據(jù)根據(jù) 是另一個(gè)電流放大系數(shù)，是另一個(gè)電流放大系數(shù)，同樣，它也與管同樣，它也與管子的結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度有關(guān)。子的結(jié)構(gòu)尺寸和摻雜濃度有關(guān)。一般一般 1IE=IB+ ICECFB IIh可得可得2. 電流分配關(guān)系電流分配關(guān)系FEhIIBC 令)(FEh或?qū)懗蒄BFBhhh1 FE3. 三極管的三種組態(tài)三極管的三種組態(tài)Rs放大電路放大電路IoIi+Vo+Vs+ViRL信號(hào)源信號(hào)源負(fù)載負(fù)載模擬信號(hào)的放大

20、模擬信號(hào)的放大共發(fā)射極接法共發(fā)射極接法，發(fā)射極作為公共電極，用，發(fā)射極作為公共電極，用CE表示；表示； 是是共射共射電流放大系電流放大系數(shù)，一般數(shù)，一般 1BCFE IIh)(FEh3. 三極管的三種組態(tài)三極管的三種組態(tài)Rs放大電路放大電路IoIi+Vo+Vs+ViRL信號(hào)源信號(hào)源負(fù)載負(fù)載共基極接法共基極接法，基極作為公共電極，用基極作為公共電極，用CB表示。表示。ECIIhFB 為共基電流放大為共基電流放大系數(shù)，一般系數(shù)，一般 = 0.9 0.99)(FBh3. 三極管的三種組態(tài)三極管的三種組態(tài)Rs放大電路放大電路IoIi+Vo+Vs+ViRL信號(hào)源信號(hào)源負(fù)載負(fù)載共集電極接法共集電極接法，集

21、電極作為公共電極，用，集電極作為公共電極，用CC表示表示;IE=IB（1hFE）=IB/(1-hFB)3. 三極管的三種組態(tài)三極管的三種組態(tài)共集電極接法共集電極接法，集電極作為公共電極，集電極作為公共電極，共基極接法共基極接法，基極作為公共電極，基極作為公共電極，共發(fā)射極接法共發(fā)射極接法，發(fā)射極作為公共電極，發(fā)射極作為公共電極，BJT的三種組態(tài)的三種組態(tài)實(shí)現(xiàn)這一傳輸過程的兩個(gè)條件是：實(shí)現(xiàn)這一傳輸過程的兩個(gè)條件是：（1）內(nèi)部條件：內(nèi)部條件：發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)發(fā)射區(qū)雜質(zhì)濃度遠(yuǎn)大于基區(qū)雜質(zhì)濃度，且基區(qū)很薄。雜質(zhì)濃度，且基區(qū)很薄。（2）外部條件：外部條件：發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反發(fā)射結(jié)正向偏置，

22、集電結(jié)反向偏置。向偏置。IE=IB+ ICIC=hFEIBIC=hFBIE綜上所述，三極管的放大作用，主要是依靠它的綜上所述，三極管的放大作用，主要是依靠它的發(fā)射極電流能夠通過基區(qū)傳輸，然后到達(dá)集電極而實(shí)現(xiàn)發(fā)射極電流能夠通過基區(qū)傳輸，然后到達(dá)集電極而實(shí)現(xiàn)的。的。vCE = 0V+-bce共射極放大電路VBBVCCvBEiCiB+-vCE iB=f(vBE) vCE=const(2) 當(dāng)當(dāng)vCE1V時(shí)，時(shí)， vCB= vCE - - vBE0，集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài)，開始收，集電結(jié)已進(jìn)入反偏狀態(tài)，開始收 集電子，基區(qū)復(fù)合減少，同樣的集電子，基區(qū)復(fù)合減少，同樣的vBE下下 IB減小，特性曲線右移。減

23、小，特性曲線右移。vCE = 0VvCE 1V(1) 當(dāng)當(dāng)vCE=0V時(shí)，相當(dāng)于發(fā)射結(jié)的正向伏安特性曲線。時(shí)，相當(dāng)于發(fā)射結(jié)的正向伏安特性曲線。1. 輸入特性曲線輸入特性曲線1.4.4 晶體管的特性曲線晶體管的特性曲線（以共射極放大電路為例）（以共射極放大電路為例）(3) 輸入特性曲線的三個(gè)部分輸入特性曲線的三個(gè)部分死區(qū)死區(qū)非線性區(qū)非線性區(qū)線性區(qū)線性區(qū)1. 輸入特性曲線輸入特性曲線1.4.4晶體管的特性曲線晶體管的特性曲線飽和區(qū)：飽和區(qū)：iC明顯受明顯受vCE控控制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)，制的區(qū)域，該區(qū)域內(nèi)，一般一般vCE0.7V(硅管硅管)。此時(shí)，此時(shí)，發(fā)射結(jié)正偏，集發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)正偏或反偏電壓

24、很電結(jié)正偏或反偏電壓很小小。iC=f(vCE) iB=const2. 2. 輸出特性曲線輸出特性曲線輸出特性曲線的三個(gè)區(qū)域輸出特性曲線的三個(gè)區(qū)域:1.4.4 BJT的特性曲線的特性曲線截止區(qū)：截止區(qū)：iC接近零的接近零的區(qū)域，相當(dāng)區(qū)域，相當(dāng)iB=0的曲的曲線的下方。此時(shí)，線的下方。此時(shí)， vBE小于死區(qū)電壓，小于死區(qū)電壓，集電結(jié)反偏集電結(jié)反偏。放大區(qū)：放大區(qū)：iC平行于平行于vCE軸的軸的區(qū)域，曲線基本平行等距。區(qū)域，曲線基本平行等距。此時(shí)，此時(shí)，發(fā)射結(jié)正偏，集電發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏結(jié)反偏。end1.4.5 BJT的主要參數(shù)的主要參數(shù) ( (1)1)共發(fā)射極直流電流放大系數(shù)共發(fā)射極直流電流放大系數(shù) FEhBCFEIIh1. 電流放大系數(shù)電流放大系數(shù) (2) 共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)共發(fā)射極交流電流放大系數(shù)hfe hfe = IC/ IB vCE=const1.4.5 BJT的主要參數(shù)的主要參數(shù)1. 電流放大系數(shù)電流放大系數(shù) (3) 共基極直流電流放大系數(shù)共基極直流電流放大系數(shù) =IC/IE fehfeh (4) 共基極交流電流放大系數(shù)共基極交流電流放大系數(shù)hFE hFE= IC/ IE VCB=const 當(dāng)當(dāng)BJT工作于放