第七章半導(dǎo)體存儲(chǔ)器和可編程邏輯器件

1、！單元數(shù)龐大！輸入/出引腳數(shù)目有限EPROMROMROM可可擦擦除除的的可可編編程程可可編編程程掩掩膜膜RAMRAM動(dòng)態(tài)動(dòng)態(tài)靜態(tài)靜態(tài)A0An-1W0W(2n-1)D0Dm寫(xiě)是一次性編程，不能改！編程時(shí)將不用的熔斷有出廠時(shí)，每個(gè)結(jié)點(diǎn)上都熔絲由易熔合金制成寫(xiě)入時(shí)，要使用編程器MOSInjuctionAvlanchegateFloating:FAMOS 空穴對(duì)，提供泄放通道生電子“擦除”：通過(guò)照射產(chǎn)“寫(xiě)入”：雪崩注入管疊柵注入MOS)MOSInjuctiongateStacked(SIMOS浮置柵控制柵:G:Gfc通處正常邏輯高電平下導(dǎo)上未充負(fù)電荷，則若導(dǎo)通處正常邏輯高電平下不上充以負(fù)電荷，則若工作

2、原理：cfcfGGGG年）光燈下分鐘（陽(yáng)光下一周，熒紫外線照射空穴對(duì)，提供泄放通道生電子“擦除”：通過(guò)照射產(chǎn)形成注入電荷到達(dá)吸引高速電子穿過(guò)寬的正脈沖，上加同時(shí)在發(fā)生雪崩擊穿）間加高壓（“寫(xiě)入”：雪崩注入33020502525202,GSiOms,VG,VSD,fc)MOS(FLOTOXUVEPROM管浮柵隧道氧化層采用點(diǎn)擦除慢，操作不便的缺為克服“隧道效應(yīng)”電子會(huì)穿越隧道）當(dāng)場(chǎng)強(qiáng)達(dá)到一定大?。ê穸戎g有小的隧道區(qū)，與,cm/Vm*SiODGf78210102導(dǎo)通）下，電壓（未充電荷時(shí)，正常讀出截止）下，電壓（充電荷后，正常讀出工作原理：TVGTVGGCCf33fjCiGBms,VG,W*電子

3、隧道區(qū)接的正脈沖，加充電：01020上電荷經(jīng)隧道區(qū)放電加正脈沖，接放電：fjiCGB,WG*0（隧道區(qū)）（隧道區(qū)）區(qū)有極小的重疊區(qū)區(qū)有極小的重疊區(qū)與與）更?。ǜ。ㄅc襯底間與襯底間 SG*nmOSG*fif15102的正脈沖的正脈沖，加加接接），），加正壓（加正壓（，充電利用雪崩注入方式充電利用雪崩注入方式向向工作原理：工作原理：usVGVVSDG*cssf101206 上電荷經(jīng)隧道區(qū)放電上電荷經(jīng)隧道區(qū)放電的正脈沖的正脈沖加加放電，利用隧道效應(yīng)放電，利用隧道效應(yīng)fsscfGns,VV,GG100120 ABCDDCBAYDCBADABCYBCDADBCDCBAYCBABCAYROM4321產(chǎn)生

4、：產(chǎn)生：用用 ),(mY),(mY),(mY),(mY15214414107676324321作存儲(chǔ)單元作存儲(chǔ)單元觸發(fā)器，觸發(fā)器，為基本為基本RSTT41相通相通、與與、導(dǎo)通，導(dǎo)通，行中被選中，行中被選中，時(shí)，能在時(shí)，能在jjiBBQQT,TX6511 單元與緩沖器相連單元與緩沖器相連列列第第行行第第導(dǎo)通，這時(shí)導(dǎo)通，這時(shí)時(shí)，所在列被選中，時(shí)，所在列被選中，jiT,TYj871，讀操作，讀操作截止，截止，與與導(dǎo)通，導(dǎo)通，則則若若時(shí)，時(shí)，當(dāng)當(dāng)OIQAAA,WRCS 32110，寫(xiě)操作，寫(xiě)操作導(dǎo)通，導(dǎo)通，與與截止，截止，則則若若QOIAAA,WR 3210六管N溝道增強(qiáng)型MOS管CSWRAAOIOI

5、片選信號(hào)：片選信號(hào)：寫(xiě)信號(hào)：寫(xiě)信號(hào)：讀讀地址線：地址線：數(shù)據(jù)線：數(shù)據(jù)線：/70701024 x 8RAM70OI.OI9870A,A,A.AWRWRA,A,AAOIOI寫(xiě)信號(hào)：寫(xiě)信號(hào)：讀讀地址線：地址線：數(shù)據(jù)線：數(shù)據(jù)線：/987070):A(110025625670 個(gè)個(gè)地地址址個(gè)個(gè)字字，需需要要每每一一片片提提供供CS,YYAAA,A分分別別接接四四片片的的譯譯成成即即將將兩兩位位代代碼碼區(qū)區(qū)分分四四片片用用308989102376876751251125625501110010007070707AA,AA,AA,AA四四片片的的地地址址分分配配就就是是：89AA4321CSCSCSCS數(shù)字系統(tǒng)A0An-1W0W(2n-1)D0Dm可編程的“或”陣列可編程的“與”陣列用途：產(chǎn)生組合邏輯電路用途：組合邏輯電路，有三態(tài)控制可實(shí)現(xiàn)總線連接可將輸出作輸入用用途：產(chǎn)生時(shí)序邏輯電路時(shí)序邏輯電路還可便于對(duì)“與-或”輸出求反時(shí)序邏輯電路可產(chǎn)生A、B的十六種算術(shù)、邏輯運(yùn)算GAL16V8數(shù)據(jù)選擇器1. IOB2. CLB3. 互連資源4. SRAM可以設(shè)置為輸入/出；輸入時(shí)可設(shè)置為：同步（經(jīng)觸發(fā)器）異步（不經(jīng)觸發(fā)器）可配置邏輯塊：本身包含了組合電路和觸發(fā)器，可構(gòu)成小的時(shí)序電路，將許多CLB組合起來(lái)，可形成大系統(tǒng)1. 數(shù)據(jù)可先放在EPROM或PC機(jī)中2. 通電后，自行