短暫性MCAO大鼠注射天麻素具有神經(jīng)保護作用

1、短暫性MCAO大鼠注射天麻素具有神經(jīng)保護作用         08-10-11 11:46:00     編輯：studa20         作者：楊杰，趙朝華，宗長宏，張峰昌，陳國敏  【摘要】  目的： 探討天麻素對缺血性腦損傷的神經(jīng)保護作用. 方法： 通過線栓技術閉塞大腦中動脈（MCAO）2 h誘導建立暫時性局部腦缺血模型，SD大鼠腹腔內(nèi)連續(xù)注射天麻素3 d. 采用TU

2、NEL染色測定缺血邊緣區(qū)細胞凋亡；免疫組織化學染色觀測S100和iNOS蛋白表達. 結(jié)果： MCAO后3 d，天麻素組大鼠腦梗死邊緣區(qū)TUNAL+細胞數(shù)目明顯減少（P<0.05）；S100和iNOS+細胞數(shù)目下降（P<0.05）. 結(jié)論： 天麻素可以抑制腦缺血誘導的細胞凋亡，具有神經(jīng)保護作用；S100和iNOS蛋白表達的下調(diào)可能涉及到天麻素的抗細胞凋亡作用. 【關鍵詞】  天麻素；腦缺血；細胞凋亡；S100；iNOS    0引言    腦血管疾病的病理生理過程是非常復雜的，涉及到興奮性毒性、一氧化氮(NO)蓄積

3、、鈣超載、氧自由基損傷、能量代謝障礙、凋亡、膠質(zhì)細胞異常等. 腦缺血后神經(jīng)元死亡存在壞死和凋亡兩種方式. 抑制凋亡過程，挽救缺血性半暗帶內(nèi)的神經(jīng)元，防止半暗區(qū)向梗塞區(qū)的發(fā)展逐漸成為腦缺血保護劑研究的熱點1. 研究發(fā)現(xiàn)天麻素的神經(jīng)保護作用與抑制細胞凋亡有關2. 本實驗的目的是通過研究天麻素對暫時性大腦中動脈閉塞（MCAO）大鼠的細胞凋亡和S100以及iNOS蛋白表達的影響，探討天麻素的神經(jīng)保護作用機制.    1材料和方法    1.1材料健康雄性SpragueDawley (SD)大鼠（由西安交通大學醫(yī)學院動物中心提供），體質(zhì)量240

4、280 g. 實驗前常規(guī)環(huán)境分籠飼養(yǎng)7 d. 參考longa等(1989)描述的管腔內(nèi)線栓技術閉塞大腦中動脈制作暫時性局部腦缺血. 簡要過程, 大鼠經(jīng)水合氯醛（300 mg/kg）腹腔注射麻醉，分離暴露右側(cè)頸部血管，40縫合線結(jié)扎頸外動脈和頸總動脈，將一頭端加熱呈光滑球形并覆有多聚賴氨酸（sigma）的30單股尼龍線（購于寧波醫(yī)用縫針廠）緩慢插入頸內(nèi)動脈至感到有輕微阻力為止(約距頸總動脈分叉處1718 mm),閉塞MCA起始部. 手術期間使用電熱毯維持大鼠體溫在36.537.5. 大鼠拔線后分為天麻素組（n=4）和對照組（n=4）. 天麻素組大鼠按100 mg/kg腹腔內(nèi)每日注射天麻素注射液（

5、中山市三才醫(yī)藥集團有限公司）1次，連續(xù)3 d. 對照組大鼠注射同體積的生理鹽水. 所有大鼠放回籠中常規(guī)喂養(yǎng).    1.2方法    統(tǒng)計學處理：  計量數(shù)據(jù)均用x±s表示，兩組間比較采用t檢驗，P<0.05為有統(tǒng)計學差異.    2結(jié)果    2.1缺血邊緣區(qū)TNNEL陽性細胞的形態(tài)和數(shù)目變化MCAO后3 d在缺血側(cè)半球可見許多TUNEL陽性細胞環(huán)繞在梗死區(qū)周圍，散在分布于正常細胞中（圖1）. 而天麻素組缺血邊緣區(qū)凋亡細胞數(shù)目(18.42±

6、;2.43)較對照組（23.53±3.36）減少(P<0. 05).    圖1MCAO大鼠（A）和天麻素治療MCAO大鼠（B）缺血邊緣區(qū)TUNEL免疫反應陽性細胞TUNEL ×200    2.2缺血邊緣區(qū)S100陽性細胞的形態(tài)和數(shù)目變化免疫組織化學染色顯示，對照組大鼠MCAO后3 d S100陽性細胞在缺血中心區(qū)消失，在缺血邊緣區(qū)出現(xiàn)大量胞體肥大呈圓形的S100陽性細胞，突起較多且長. 天麻素治療組大鼠在缺血邊緣區(qū)也可見許多的S100陽性細胞，但數(shù)目較少（圖2）. S100陽性細胞定量分析顯示對照組組為1

7、8.92±2.37，天麻素組為14.64±3.11，天麻素組少于對照組，差異有統(tǒng)計學意義(P<0. 05).    圖2MCAO大鼠（A）和天麻素治療MCAO大鼠（B）缺血邊緣區(qū)S100免疫反應陽性細胞SABC ×200    2.3缺血邊緣區(qū)iNOS陽性細胞的分布和數(shù)目變化免疫組織化學染色（圖3）顯示，各組大鼠MCAO后3 d在缺血側(cè)腦可見許多iNOS陽性細胞，主要集中于梗死區(qū)周圍. 在天麻素組iNOS陽性細胞體積較小,數(shù)目(27.42±5.18)較對照組（35.77±6.01

8、）減少(P<0.05).    圖3MCAO大鼠（A）和天麻素治療MCAO大鼠（B）缺血邊緣區(qū)iNOS免疫反應陽性細胞SABC ×200    3討論    研究表明腦缺血再灌注后的病理改變是形成缺血核心區(qū)和缺血半暗帶. 核心區(qū)為腦血流減少最嚴重的區(qū)域，神經(jīng)元和膠質(zhì)細胞能量衰竭，失去調(diào)節(jié)其離子含量的能力，最終細胞死亡. 圍繞在缺血核心周圍的缺血半暗帶血供受抑制,細胞功能受損，但能量代謝保存，為可逆性修復的腦組織1. 腦缺血再灌注后,壞死細胞主要位于梗死灶中心區(qū),而凋亡細胞主要分布于梗死邊緣區(qū)的內(nèi)側(cè), 并呈放射狀動態(tài)地向四周擴展, 提示缺血邊緣區(qū)