電子產(chǎn)品防靜電設(shè)計(jì)_圖文

1、誠(chéng)信科技股份有限公司陳榮達(dá) 2003. 8. 25目錄 1. 前言4.1. IEC 51000-4-2測(cè)試電壓規(guī)定 4.2 IEC 61000-4-2 測(cè)試結(jié)果評(píng)估判定 5.電子產(chǎn)品之ESD 防制設(shè)計(jì)5.1. ESD的防護(hù)設(shè)計(jì)由PCB 階段開(kāi)始做起 5.2. 在PCB 上對(duì)ESD 保護(hù)常用之設(shè)計(jì)技術(shù) 5.3.系統(tǒng)產(chǎn)品之ESD 防護(hù) 6. 結(jié)語(yǔ)1. 前言靜電對(duì)電子產(chǎn)品的傷害一直是不易解決的問(wèn)題，正常操作的電子產(chǎn)品一但受到靜電的放電(ESD 的作用時(shí)，常會(huì)出現(xiàn)一些不穩(wěn)定的現(xiàn)象，如功能突然失常情形等，輕者須重開(kāi)機(jī)才能排除，有時(shí)電子產(chǎn)品內(nèi)的電子元件會(huì)不堪承受靜電的電壓或電流而損壞。為確保電子產(chǎn)品的功能

2、，國(guó)際知名廠商都要求代工的產(chǎn)品必須符合國(guó)際規(guī)範(fàn)IES 61000-4-2 ESD測(cè)試才會(huì)接受。然而欲使電子產(chǎn)品具靜電防制能力，除了從半導(dǎo)體元件的防護(hù)更需從產(chǎn)品系統(tǒng)設(shè)計(jì)防制技術(shù)等兩方面著手，才能發(fā)揮靜電的防護(hù)功能。靜電放電的模式通常可以分為機(jī)器裝置放電模式(Machinery ESD model、家俱放電模式(Furniture ESD model、人體放電模式(Personnel ESD model等三類。簡(jiǎn)單說(shuō)明如下:機(jī)器裝置放電模式較容易在自動(dòng)化的控制流程中發(fā)生，因在自動(dòng)化機(jī)器中被絕緣之金屬元件與絕緣體的摩擦、或是絕緣液體或高壓氣體等流過(guò)摩擦產(chǎn)生的靜電，當(dāng)能量累積到某程度而對(duì)鄰近形成放電的

3、情形。家俱放電模式通常發(fā)生在金屬家俱與絕緣物體的摩擦，如在地毯上或塑膠地板拉動(dòng)家俱，或是人從椅子上站起來(lái)瞬間的摩擦產(chǎn)生靜電。人體放電模式是因人體的動(dòng)作摩擦產(chǎn)生靜電，如我們穿膠鞋在地毯行走時(shí)，因摩擦使地毯帶正電膠鞋帶負(fù)電，此時(shí)人體腳底會(huì)感應(yīng)而帶正電，同時(shí)使上半身帶負(fù)電, 若這時(shí)候如用手接觸半導(dǎo)體電子元件,會(huì)導(dǎo)致該元件損壞。上述三種形式的靜電放電對(duì)半導(dǎo)體製程和電子產(chǎn)品組裝都顯得很重要，其中以人體放電模式所產(chǎn)生的放電電壓，對(duì)電子產(chǎn)品(半導(dǎo)體元件之傷害問(wèn)題最廣，因此國(guó)際間對(duì)電子產(chǎn)品防護(hù)人體放電模式的法規(guī)要求日益嚴(yán)謹(jǐn)，即使半導(dǎo)體電子元件在出廠前通過(guò)零件標(biāo)準(zhǔn)法規(guī)的靜電測(cè)試，被安裝到成品後經(jīng)常仍未能通過(guò)系統(tǒng)

4、產(chǎn)層次的法規(guī)要求。3. 靜電放電測(cè)試法規(guī)回顧10年來(lái)國(guó)際間關(guān)於耐靜電測(cè)試的法規(guī)，在半導(dǎo)體及電子產(chǎn)業(yè)界幾乎都已經(jīng)熟悉美軍標(biāo)準(zhǔn)MIL-STD-883. Method 3015所定義之人體靜電放電模式 (ESD Human Body Model ，且都接受它的測(cè)試水平要求。但近年來(lái)由國(guó)際電工協(xié)會(huì)(IEC: International Electro-technical Commission所制定的電磁相容基本規(guī)範(fàn)(EMC Basic standards中，包含一項(xiàng)靜電測(cè)試規(guī)範(fàn) IEC 61000-4-2受到國(guó)際間多數(shù)國(guó)家的認(rèn)同，對(duì)系統(tǒng)產(chǎn)品之靜電耐受(immunity要求及測(cè)試方法定義很完整，目前資訊

5、與行動(dòng)通訊之國(guó)際大公司多引用這規(guī)範(fàn)作為成品靜電測(cè)試的依據(jù)。IEC 61000-4-2主要是以模擬人體靜電放電模式作為放電測(cè)試的基本架構(gòu)，與MIL-STD 883 所定義之人體靜電放電模式有點(diǎn)相似，最主要差別在於儲(chǔ)能的電容值和放電電阻值不同，則放電能量及靜電蜂值電流自然會(huì)有很大差異。圖1是國(guó)際法規(guī)IEC 所定義的模擬人體靜電放電槍的電路構(gòu)造簡(jiǎn)圖。表1所示為軍用標(biāo)準(zhǔn)規(guī)範(fàn) 883及國(guó)際規(guī)範(fàn)IEC 所定義的模擬人體ESD 放電基本電路參數(shù)。參數(shù)比較MIL-STD-883(HBMIEC 61000-4-2 (HBMR1: 充電電流限制電阻 1 - 10 M 50 - 100 M R2 : 放電電阻 15

6、00 330 儲(chǔ)能電容100 pF150 pF表1: MIL-STD-883 與 IEC 61000-4-2 之比較先從表1的電容值比較, IEC規(guī)範(fàn)的電容值為軍規(guī)883的1.5倍。放電電阻值只約五分之一，這樣的差異，不難瞭解這兩種法規(guī)的嚴(yán)厲程度的差別,即使在相同的ESD 電壓所產(chǎn)生的峰值電流相差五倍。所以對(duì)電子元件傷害力也明顯不同，如圖2.所示, 8kV ESD 電壓在MIL-STD -883 規(guī)範(fàn)僅產(chǎn)生約5.3A 的峰值放電電流， 而在IEC 61000-4-2 規(guī)範(fàn)所產(chǎn)生的放電電流可達(dá)到30A, 峰值電流大於五倍. 這就是大部份產(chǎn)品在通過(guò)零件等級(jí)的靜電測(cè)試後, 成品卻有時(shí)仍會(huì)在系統(tǒng)法規(guī)I

7、EC61000-4-2測(cè)試失敗的主要原因也因此促使IEC61000-4-2成為多數(shù)人所接受之系統(tǒng)法規(guī).IEC 61000 -4-2 MIL-STD-883 放電測(cè)試電壓 (kV峰值放電電流(A 上升時(shí)間tr (ns峰值放電電流(A上升時(shí)間tr (ns2 7.5 0.7 - 1 1.3 2 - 10 4 12 0.7 - 1 2.6 2 - 10 6 25 0.7 - 1 4.0 2 - 10 8300.7 - 12 - 10表 2: IEC 61000-4-2 與 MIL-STD-883 放電電流上升時(shí)間比較.另外從頻率響應(yīng)的差別分析, 按圖1之靜電槍是依據(jù)EN 61000-4-2之人體放電模

8、式150pF/330機(jī)制設(shè)計(jì), 可產(chǎn)生介於700ps 到 1ns 上升時(shí)間的電流波形, 峰值電壓可以到達(dá)數(shù)千伏特以上,在50ns 內(nèi)降到50%電壓, 如以50W 負(fù)載器校正時(shí), 其峰值電流為20 安培, 這種時(shí)域的放電波形所包含的頻率成份到300MHz 附近仍是屬平坦的頻譜分布, 所以有影響的頻率是括展到1GHz 以上的頻寬. 這種ESD 放電波形比MIL-STD-883 定義的5ns 波形上升時(shí)間產(chǎn)生頻譜的頻寬 (約100MHz 嚴(yán)厲許多. 因此對(duì)於高速的電子產(chǎn)品測(cè)試, 欲使靜電效應(yīng)發(fā)輝作用, ESD放電波形上升時(shí)間必須少於700ps. 因?yàn)橛癊SD 放電能量有兩個(gè)參數(shù):峰值(peak le

9、vel電流與上升時(shí)間變率 (rate of change, dI/dt . 按傅立葉轉(zhuǎn)換(Fourier transform 可知時(shí)間變率蘊(yùn)含著頻率成份:; 如之前提到IEC 61000-4-2電流波形上升時(shí)間0.7ns , 頻寬可達(dá)到300MH 以上如圖3所示. 圖3: IEC 61000-4-2 之放電電流及頻率響應(yīng)頻寬.EN 61000-4-2 模擬人體放電測(cè)試方法包括下列事項(xiàng).空氣放電測(cè)試：係模擬人的手指在接觸電子產(chǎn)品時(shí)發(fā)生靜電放電的情況. 靜電槍用8mm 的放電頭, 對(duì)電子產(chǎn)品操作人員經(jīng)常容易接觸的非金屬部位做測(cè)試, 測(cè)試電壓由低電壓到高電壓, 通常測(cè)到正負(fù)8kV. 但法規(guī)中保留容許

10、高於正負(fù)15kV 的測(cè)試條件. 接觸放電測(cè)試：係模擬操作人員直接或間接透過(guò)手工具接觸電子產(chǎn)品時(shí)發(fā)生放電的情況. 測(cè)試時(shí)靜電槍經(jīng)過(guò)放電頭的尖端對(duì)待測(cè)產(chǎn)品的金屬部位做測(cè)放電測(cè)試. 測(cè)試電壓仍由低到高, 通常測(cè)到正負(fù)4kV. 此項(xiàng)測(cè)試法規(guī)保留容許高於正負(fù)4kV 的測(cè)試條件. 水平與垂直金屬板放電測(cè)試: 係模擬操作人員靠近電子產(chǎn)品接觸臨近的物品放電時(shí), 產(chǎn)生耦合場(chǎng)效應(yīng), 這項(xiàng)測(cè)試是以靜電槍對(duì)平行板及水平板放電方式執(zhí)行. 測(cè)試電壓條件與接觸放電測(cè)試相同.4.1. IEC 51000-4-2測(cè)試電壓規(guī)定執(zhí)行ESD 測(cè)試的電壓由低到高的規(guī)定, 是因?yàn)楸粶y(cè)試的產(chǎn)品偶爾在低壓放電時(shí)會(huì)出現(xiàn)失效現(xiàn)象, 但在最高電壓

11、放電時(shí)反而不見(jiàn)失效現(xiàn)象. 因此在法規(guī)中有明確定義電壓值須要從最高電壓的25%, 50%, 75%, 100%逐漸增加,Contact discharge Air discharge Level Voltage kVLevelVoltage kV1 ±2 1 ±2 2 ±4 2 ±4 3 ±6 3 ±8 4±84±15X Special X Special註(1:X保留對(duì)產(chǎn)品各別指定的測(cè)試規(guī)格.(2:測(cè)試環(huán)境相對(duì)濕度須保持30%60 %; 1535(3:樣品至少須打200次以上的放電.表3: IEC 61000-4-

12、2 測(cè)試電壓與還境條件.4.2 IEC 61000-4-2 測(cè)試結(jié)果評(píng)估判定ESD 測(cè)試結(jié)果評(píng)估須按被測(cè)試產(chǎn)品功能受影響的程度做判定, 依法規(guī)係將受影響的程度分為四級(jí),說(shuō)明如下:第一級(jí)為 A 級(jí)判定 (Criterion A: 指產(chǎn)品功能在測(cè)試前後及測(cè)試過(guò)程中完全可以正常操作, 無(wú)任何功能減低或異?，F(xiàn)象出現(xiàn), 完全不受ESD 放電影響, 則稱產(chǎn)品符合A 級(jí)判定結(jié)果.第二級(jí)為 B 級(jí)判定 (Criterion B: 指產(chǎn)品在測(cè)試過(guò)程中,功能會(huì)受ESD 放電影響,在放電瞬間會(huì)暫時(shí)性的功能降低, 但可以自動(dòng)回復(fù), 這樣的產(chǎn)品則稱符合B 級(jí)判定結(jié)果.第三級(jí)為 C 級(jí)判定 (Criterion C:指產(chǎn)

13、品功能在測(cè)試前可正常被操作,但測(cè)試過(guò)程中受ESD 放電影響, 出現(xiàn)功能降低或異常, 且功能無(wú)法自動(dòng)回復(fù), 必須經(jīng)由操作人員做重置(Re-set或重開(kāi)機(jī)的動(dòng)做才能回復(fù)功能, 這情形則僅符合C 級(jí)判定結(jié)果.第四級(jí)為 D 級(jí)判定 (Criterion D: 指產(chǎn)品功能在測(cè)試前可正常被操作,但測(cè)試過(guò)程中出現(xiàn)異常,雖經(jīng)由操作人員做重置(Re-set或重開(kāi)機(jī)也不能回復(fù)功能, 這種情況大概產(chǎn)品已損傷嚴(yán)重, 僅符合D 級(jí)判定結(jié)果. (這屬不合格.依IEC 61000-4-2法規(guī)建議,產(chǎn)品採(cǎi)購(gòu)驗(yàn)證必須符合A 級(jí)或B 級(jí)的判定才能接受, C級(jí)和D 級(jí)判定是不合格的.判定等級(jí)受ESD 影響現(xiàn)像結(jié)果A 測(cè)試過(guò)程功能完

14、全正常, 不受影響 合格 B功能暫時(shí)性受影響, 但可自動(dòng)回復(fù)合格C功能受ESD 影響出現(xiàn)異常, 須人為重置或重開(kāi)機(jī)排除. 不合格D 重開(kāi)機(jī)功能也不能回復(fù), 已損壞. 不合格表4: IEC 61000-4-2 ESD測(cè)試判定等級(jí)圖6 : IEC 61000-4-2 測(cè)試架構(gòu)示意圖.5.電子產(chǎn)品之ESD 防制設(shè)計(jì)在討論如何設(shè)計(jì)產(chǎn)品避免遭受ESD 損壞之前, 先要瞭解ESD 破壞電子產(chǎn)品的原因, 方便後續(xù)討論與技術(shù)的瞭解. ESD能量是經(jīng)由傳導(dǎo)性能量轉(zhuǎn)移方式引入產(chǎn)品的電子元件內(nèi), 主要破壞力是瞬間峰值電流, 電壓是引導(dǎo)放電作用的誘發(fā)位能. ESD開(kāi)始時(shí)是經(jīng)由直接(電流或間接輻射方式以快速的暫態(tài)突波衝

15、擊到電路元件上, 這當(dāng)中有電流熱效應(yīng)也有電磁場(chǎng)的干擾效應(yīng).故ESD 對(duì)造成電子元件失效情況可概分三種情形, (1 硬體失效(Hard failure,(2 潛在性失效(Latent failure和 (3 場(chǎng)強(qiáng)感應(yīng)失效 (Field induction failure1. 硬體失效問(wèn)題: ESD電弧電壓(Spark voltage竄入半導(dǎo)體內(nèi)部使絕緣部位損壞. 如在P-N 接合點(diǎn)短路或開(kāi)路, 內(nèi)部絕緣的氧化層貫穿(punch-through-金屬氧化處理部位產(chǎn)生熔蝕(melting等, 這都是屬於永久性失效. 如圖6; 圖7.2. 潛在性失效問(wèn)題: 當(dāng)ESD 發(fā)生時(shí)系統(tǒng)雖暫時(shí)受到影響, 仍然可

16、繼續(xù)動(dòng)作, 但功能會(huì)隨時(shí)間逐漸變差,隔數(shù)日或數(shù)週後系統(tǒng)出現(xiàn)異常, 最後成為硬體失效. 這是因?yàn)榘雽?dǎo)體元件已經(jīng)受到部分不可回復(fù)的損傷, 隨著使用時(shí)間日增, 異常功能自會(huì)逐漸顯現(xiàn). 這種失效是最難捉模, 無(wú)法以失效模式分析確認(rèn). 若使用者若遇這類產(chǎn)品, 應(yīng)該要能意識(shí)到該產(chǎn)品的品質(zhì)狀況, 尚不成熟.3. 感應(yīng)場(chǎng)強(qiáng)失效問(wèn)題: 當(dāng) ESD的高壓放電火花跟電流會(huì)對(duì)產(chǎn)生電場(chǎng)輻射效應(yīng), 這種寬頻的輻射, 經(jīng)常使臨近的電路受干擾而失常, 如Latch-Up, 或暫時(shí)性程序錯(cuò)亂, 及資料流失等, 嚴(yán)重時(shí)更會(huì)損傷硬體成為永久行硬體失效.5.1. ESD的防護(hù)設(shè)計(jì)由PCB 階段開(kāi)始做起談到系統(tǒng)產(chǎn)品的靜電防制設(shè)計(jì), 必

17、須從印刷電路板(PCB開(kāi)始做ESD 的保護(hù). 在印刷電路板上也有三種容易造成ESD 失誤狀態(tài)如下:1. ESD電流直接流經(jīng)受害電路元件的接腳造成永久性損壞: 此類模式係由外部組件(如鍵盤, 或I/O界面的連接器 直接連線帶入ESD 突波電流. 要預(yù)防這種直接傷害, 即使用一顆串聯(lián)電阻或並聯(lián)電容在這些電路上就可以限制流經(jīng)IC 的ESD 電流.2. ESD電流流經(jīng)地迴路造成重置或損壞: 大部份的設(shè)計(jì)者都假設(shè)其電路接地為低阻抗, 經(jīng)ESD 脈充電流通過(guò), IC接地的阻抗極容易產(chǎn)生地電位跳動(dòng)(Ground Bounce, 這種地彈跳會(huì)使IC 重置或鎖定, IC如被鎖定時(shí)非常容易被供應(yīng)的電源摧毀.3.

18、電磁場(chǎng)間接耦合: 例如垂直板與水平板之放電, 使電路造成重置, 對(duì)於高阻抗元件曾經(jīng)有損壞之報(bào)告, 這種失效模式與PCB 環(huán)路面積, 機(jī)構(gòu)屏蔽好壞而定. 欲防護(hù)這種ESD 可以從機(jī)構(gòu)屏蔽和PCB 設(shè)計(jì)佈線著手.5.2. 在PCB 上對(duì)ESD 保護(hù)常用之設(shè)計(jì)技術(shù) PCB 走線排列時(shí)加放電間隙, 這是用一組銳角三角形銅箔尖端相對(duì), 間隔約6-10 mil,其中一端接地.參閱圖8所示. PCB 走線須考慮減少對(duì)電磁場(chǎng)耦合的敏感度, 多應(yīng)用反耦合電容, 可減小迴路面積. 反耦合電容宜選用耐高壓的陶磁電容, 這些電容必須放置在靠近I/O連接器處. 如圖9所示之例子將耐高壓的陶磁電容放在PCB 連接器附近的

19、VCC 和Ground, 這不僅縮小了環(huán)路面積, 也收到反耦合( decoupling的作用. 另在電源及地之間加上高諧振頻率的旁路電容, 可降低對(duì)感應(yīng)場(chǎng)強(qiáng)及電磁場(chǎng)間接耦合的反應(yīng), 唯電容的等效串聯(lián)電感 (ESL 及等效串聯(lián)電阻要越低越好. 在PCB 佈局時(shí)可以使用低通濾波的方式疏導(dǎo)ESD 能量, 低通濾波器是由電容與電感組合構(gòu)成, 它可以阻止高頻的ESD 能量進(jìn)入系統(tǒng). 其中電感對(duì)突波會(huì)呈現(xiàn)高阻抗, 因而衰減了竄入系統(tǒng)的能量, 電容是裝置在電感的輸入端, 會(huì)將竄入的ESD 高頻頻譜能量旁路到接地端. 如圖10. 使用環(huán)氧鐵質(zhì)( Ferrite電感對(duì)ESD 電流有極佳之衰減能力. 在PCB 上

20、可用箝制電路抑制瞬間高壓如圖11, 圖12. 如使用電壓箝制二極體作抑制, 在規(guī)格上必須選擇能承受數(shù)kV 之耐壓且dv/dt脈衝響映快速, 並能在瞬間消耗大電流的二極體元件. 在PCB 部局時(shí)可將對(duì)ESD 敏感元件以壕溝方式與其他區(qū)域隔離, 以防止ESD 事件的轉(zhuǎn)移或耦合到其它功能的部位. 對(duì)間接放電的電磁場(chǎng)耦合及電弧效應(yīng)場(chǎng)強(qiáng)輻射抵抗力而言, 採(cǎi)用多層板比單層板可增加10倍以上的免疫力.5.3.系統(tǒng)產(chǎn)品之ESD 防護(hù)在系統(tǒng)階段的靜電防制措施,最主要是從介面的連接阜作好接地, 另外機(jī)殼若為金屬材質(zhì), 如要做表面處理前,機(jī)殼或機(jī)構(gòu)在銜接位置務(wù)必保持導(dǎo)電性, 如此才可以使機(jī)殼發(fā)揮屏蔽功能. 若ESD

21、 打在機(jī)構(gòu)屏蔽良好的產(chǎn)品上, 理論上機(jī)構(gòu)內(nèi)的電路是不會(huì)受影響的,這就如同以前物理學(xué)家法拉第曾經(jīng)坐在金屬籠試驗(yàn)原理相同. 但是電子產(chǎn)品須要有開(kāi)關(guān)及按鈕,因此要防止ESD 能量從開(kāi)關(guān)或按鈕進(jìn)入電路板傷及元件, 可採(cǎi)用導(dǎo)電材質(zhì)的墊片或墊圈(Gasket 以阻擋ESD 電流如圖15所示.目前大多數(shù)的消費(fèi)性電子產(chǎn)品機(jī)構(gòu)外殼是使用非金屬材料, 例如使用塑膠質(zhì)外殼, 是可以免測(cè)直接接觸放電項(xiàng)目, 若其絕緣與耐壓特性不足, 在被測(cè)試空氣放電 (Air discharge時(shí), ESD電弧會(huì)穿透外殼或從機(jī)構(gòu)隙縫竄進(jìn)產(chǎn)品內(nèi)部對(duì)PCB 上的IC 形成二次放電 (Second arcing 的情況.如圖16所示. 要預(yù)

22、防這種靜電問(wèn)題,可在靠近縫隙的位置旁加一片金屬阻隔並接地, 一般稱之為輔助接地.塑膠外殼的電子產(chǎn)品對(duì)ESD 脈衝電磁場(chǎng)強(qiáng)不具屏蔽功能, 當(dāng)遇到垂直和水平金屬板的間接放電測(cè)試時(shí)特別容易受到影響, 對(duì)策是要從電路板的佈局減小迴路面積或使用雙層以上電路板,以有效降低對(duì)ESD 電磁場(chǎng)的感應(yīng).故定在機(jī)殼的介面連接器須有接地防護(hù)措施, 其信號(hào)線可視需要狀況選擇用二極體或電容或突波吸做旁路保護(hù)如圖18. 對(duì)介面連接線 ( I/O cable 要使用環(huán)氧磁磊挾扣(Ferrate core 抑制ESD 電流流竄到主要控制電路. 但是用電容器旁路時(shí)必須留意電容器未置,如位置不對(duì)反而會(huì)把ESD 電流引到主電路影響I

23、C 元件,如圖17.在系統(tǒng)接地方式宜採(cǎi)用單點(diǎn)對(duì)機(jī)構(gòu)(機(jī)殼接地, 如圖19 當(dāng)高頻的ESD 電流經(jīng)機(jī)殼至地的路徑,因有接地電阻存在, 對(duì)ESD 電流經(jīng)不同的接地點(diǎn),會(huì)產(chǎn)生共模雜訊電壓(V1,V2干擾系統(tǒng)功能. 因應(yīng)對(duì)策是使用單點(diǎn)接地如圖20.故定機(jī)構(gòu)或機(jī)殼的金屬螺絲不宜穿透到內(nèi)部,如圖22所示它會(huì)形成輻射天線, 當(dāng)ESD 對(duì)該螺絲做接觸放電時(shí),則ESD 能量完全經(jīng)由該螺絲對(duì)內(nèi)部輻射及作尖端放電. 如金屬外殼有開(kāi)孔未加保護(hù)處理, 則經(jīng)過(guò)表面的ESD 電流會(huì)透過(guò)該槽孔對(duì)內(nèi)產(chǎn)生輻射.如圖21. 保護(hù)對(duì)策如圖23之右圖加輔助接地隔離.6. 結(jié)語(yǔ)對(duì)於電子產(chǎn)品ESD 的防護(hù)應(yīng)從設(shè)計(jì)著手,所謂“Designe

24、d-in at the device”,從零件的選用,PC板的設(shè)計(jì)階段,到成品系統(tǒng)佈線整合,每個(gè)階段都不能草率. 對(duì)於ESD 讓電子產(chǎn)品失效之三個(gè)因素:暫態(tài)湧入的大電流的熱效應(yīng),和電壓漂動(dòng)及靜電輻射場(chǎng)強(qiáng)等都必須同時(shí)加上對(duì)策. 由其在PC 板佈局是關(guān)係到電子產(chǎn)品對(duì)ESD 敏感度, 這是可運(yùn)用PC 板佈局設(shè)計(jì)技術(shù)控制, 而對(duì)MOS, Bipolar等IC 元件之ESD 防護(hù)能力相對(duì)較弱. 需從半導(dǎo)體設(shè)計(jì)源頭做起. 半導(dǎo)體設(shè)計(jì)ESD 防護(hù)是最難的一環(huán), 期望在大加家的努力下, 不久半導(dǎo)體業(yè)可以突破目前的瓶井, 推出功能穩(wěn)定且可以抵抗ESD 的IC 供系統(tǒng)產(chǎn)業(yè)界使用.參考文獻(xiàn)1. Electromagnetic Compatibility by Design. page 366-372 By R&B Enterprises. Author: Oren Hartal2. IEC 61000-4-2: 20003. Electrostatic discharge understand, simulate and fix ESD pr