光電技術(shù)自測(cè)題(全)

1、光電技術(shù)復(fù)習(xí)題第一部分自測(cè)題一、多項(xiàng)選擇題1.下列選項(xiàng)中的參數(shù)與接收器有關(guān)的有（ AD ） A曝光量 B.光通量 C.亮度 D.照度2.光電探測(cè)器中的噪聲主要包括（ ABCDE ）A熱噪聲 B.散粒噪聲 C.產(chǎn)生復(fù)合噪聲 D.1/f噪聲 E 溫度噪聲3.光電技術(shù)中應(yīng)用的半導(dǎo)體對(duì)光的吸收主要是（ AB ）A本征吸收 B.雜質(zhì)吸收 C.激子吸收 D.自由載流子吸收 E 晶格吸收二、單項(xiàng)選擇題1.被光激發(fā)產(chǎn)生的電子溢出物質(zhì)表面，形成真空中的電子的現(xiàn)象叫做（B） A內(nèi)光電效應(yīng) B. 外光電效應(yīng) C.光生伏特效應(yīng) D.丹培效應(yīng)2.當(dāng)黑體的溫度升高時(shí)，其峰值光譜輻射出射度所對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)的移動(dòng)方向?yàn)椋ˋ） A

2、.向短波方向移動(dòng) B.向長(zhǎng)波方向移動(dòng) C.不移動(dòng) D.均有可能3.已知某He-Ne激光器的輸出功率為8mW，正常人眼的明視覺和暗視覺最大光譜光是效能分別為683lm/W和1725lm/W，人眼明視覺光譜光視效率為0.24，則該激光器發(fā)出的光通量為（D） A.3.31lx B.1.31lx C.3.31lm D.1.31lm4.半導(dǎo)體（A）電子吸收光子能量躍遷入（），產(chǎn)生電子空穴對(duì)的現(xiàn)象成為本征吸收。 A.價(jià)帶，導(dǎo)帶 B.價(jià)帶，禁帶 C.禁帶，導(dǎo)帶 D.導(dǎo)帶，價(jià)帶5.一個(gè)電阻值為1000歐姆的電阻，在室溫下，工作帶寬為1Hz時(shí)，熱噪聲均方電壓為(B)A 3nV B 4nV C 5nV D 6nV

3、6.用照度計(jì)測(cè)得某環(huán)境下的照度值為1000lx，該環(huán)境可能是（B） A陽光直射 B陰天室外 C 工作臺(tái) D 晨昏蒙影 7.已知某輻射源發(fā)出的功率為1W，該波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)的光譜光視效率為0.5，則該輻射源輻射的光通量為（B）A 683lm B341.5lm C 1276lm D 638lm8.為了描述顯示器的每個(gè)局部面元在各個(gè)方向的輻射能力，最適合的輻射度量是 （D ） A 輻射照度 B 輻射強(qiáng)度 C 輻射出度 D 輻射亮度9. 電磁波譜中可見光的波長(zhǎng)范圍為(A)A0.380.78um B 0.381um C 13um D 812um10. 已知一束激光功率為30mW、波長(zhǎng)為0.6328um，普朗克常

4、數(shù)則該激光束的光子流速率N為（A）。 A. 9.55×1016個(gè)/秒B. 9.55×1019個(gè)/秒C. 2.87×1025個(gè)/秒D. 2.87×1022個(gè)/秒11. 某半導(dǎo)體光電器件的長(zhǎng)波限為13um，其雜質(zhì)電離能為（B） A. B. C. D. 12. 100W標(biāo)準(zhǔn)鎢絲燈在0.2sr范圍內(nèi)所發(fā)出的輻射通量為（A） A. B. C. D. 13. 已知甲、乙兩廠生產(chǎn)的光電器件在色溫2856K標(biāo)準(zhǔn)鎢絲燈下標(biāo)定出的靈敏度分別為，則甲乙兩廠中光電器件靈敏度比較結(jié)果正確的是（B）A. 甲場(chǎng)靈敏度高 B. 乙場(chǎng)靈敏度高 C. 甲乙兩場(chǎng)靈敏度一樣高 D. 無法比較1

5、4. 光電發(fā)射材料的光電發(fā)射長(zhǎng)波限為680nm，該光電發(fā)射材料的光電發(fā)射閾值的大小為（D）A. B. C. D. 15. 已知某種光電器件的本征吸收長(zhǎng)波限為1.4um，則該材料的禁帶寬度為（B） A. B. C. D. 三、判斷題1. 比探測(cè)率是一個(gè)與工作頻率、測(cè)量帶寬無關(guān)的常數(shù)。 （錯(cuò)）2. 探測(cè)率是一個(gè)反映探測(cè)器探測(cè)能力的物理量，探測(cè)率越大，說明探測(cè)器的探測(cè)能力越強(qiáng)。（對(duì)）3. 噪聲等效功率是信噪比為1時(shí)，入射到探測(cè)器上的信號(hào)輻射通量。（對(duì)）4. 1/f噪聲是一種低頻噪聲，幾乎所有探測(cè)器中都存在這種噪聲。（對(duì)）5. 量子效率是在特定波長(zhǎng)下單位時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生的平均光電子數(shù)與入射光子數(shù)之比。（對(duì)）

6、6. 若金屬溢出功為W，則長(zhǎng)波限為1.24/W(nm).(錯(cuò))7. 光通量的單位是坎德拉。(錯(cuò))8. 輻射通量與光通量的單位是相同的。(錯(cuò))9. 朗伯輻射體的輻射出射度等于他的輻射亮度。（錯(cuò)）10. 被照明物體表面的輻射照度和光源與物體表面的距離平方成反比。（對(duì)）11. 輻射出射度Me與輻射照度Ee的定義式都是：某點(diǎn)處面元的輻通量除以改面元的面積的商，所以這兩個(gè)物理量是具有相同的概念。（錯(cuò)）12. 發(fā)光方式主要有電致發(fā)光，光致發(fā)光，化學(xué)發(fā)光和熱發(fā)光。（對(duì)）13. 發(fā)光強(qiáng)度的單位是坎德拉（cd）,其定義為：在給定方向上能發(fā)射的單色輻射源，在此方向上的輻強(qiáng)度為（1/683）W/sr，其發(fā)光強(qiáng)度定義

7、為1cd。（對(duì)）14. 在對(duì)具有一定量度和顏色的非黑體輻射體的溫度標(biāo)測(cè)中，亮溫度與實(shí)際溫度的偏差最小，色溫度次之，輻射溫度與實(shí)際溫度的偏差最大。（錯(cuò)）15. 波長(zhǎng)長(zhǎng)于本征吸收的光波長(zhǎng)波限的入射輻射能使器件產(chǎn)生本征吸收，改變本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。（錯(cuò)）16. 雜志吸收的長(zhǎng)波限總要長(zhǎng)于本征吸收的長(zhǎng)波限。（對(duì)）17. 可以引起光電效應(yīng)的光吸收包括本征吸收，雜質(zhì)吸收，激子吸收，自由載流子吸收和晶格吸收。（錯(cuò)）18. 在弱輻射作用的情況下，半導(dǎo)體的光電導(dǎo)效應(yīng)與入射輻射通量的關(guān)系是線性的。（對(duì)）19. 光生伏特效應(yīng)能將光能轉(zhuǎn)換成電能。（對(duì)）20. 外光電效應(yīng)是半導(dǎo)體光電器件、真空光電倍增管、攝像管、變像管

8、和像增強(qiáng)器的核心技術(shù)。（錯(cuò)）第二部分 常用光輻射源 自測(cè)題一、多項(xiàng)選擇題1.常用的激光器有（ACDE）A. 氣體激光器 B.液體激光器 C.固體激光器 D.染料激光器 E 半導(dǎo)體激光器2.按發(fā)光機(jī)理分類，常用光源有（ABCD）A. 發(fā)光二極管 B.激光器 C.氣體放電 D.熱輻射 E 太陽二、單項(xiàng)選擇題1.低壓汞燈光譜為（A）。A. 線狀光譜 B.帶狀光譜 C.連續(xù)光譜 D.混合光譜2.高壓鈉燈光譜為（B）。A. 線狀光譜 B.帶狀光譜 C.連續(xù)光譜 D.混合光譜3. 高壓鈉燈光譜為（B）。A. 線狀光譜 B.帶狀光譜 C.連續(xù)光譜 D.混合光譜4.白熾燈光譜為（ C ）A. 線狀光譜 B.帶

9、狀光譜 C.連續(xù)光譜 D.混合光譜5. 熒光燈光譜為（ D ）A. 線狀光譜 B.帶狀光譜 C.連續(xù)光譜 D.混合光譜6.某光源的發(fā)光效率為90100lm/W，該光源可能是（ C ）A. 普通熒光燈 B.高壓汞燈 C.高壓鈉燈 D.鹵鎢燈7.連續(xù)波半導(dǎo)體激光器輸出功率約為（ B ）A. 小于1mW B.幾毫瓦到數(shù)百毫瓦 C.幾瓦 D.幾百瓦8. 黑體是指（ B ）A.反射為1 B.吸收為1 C.黑色的物質(zhì) D.不發(fā)射電磁波三、判斷題1. 發(fā)光效率是光源發(fā)射的光通量與所需的電功率之比。（對(duì)）2. GaAs的開啟電壓約為1V。（對(duì)）3. 物體溫度升高時(shí)，輻射峰值波長(zhǎng)向長(zhǎng)波方向移動(dòng)。（錯(cuò)）4. 氮化

10、物藍(lán)或紫LED的管芯中加上三基色熒光粉可激發(fā)出白光，成為白光LED。（對(duì)）5. 超高亮度LED是指輻射功率高，法向發(fā)光強(qiáng)度在1000mcd以上的LED，光效可以達(dá)到50100lm/W。（對(duì)）6. 發(fā)光二極管輻射光的峰值波長(zhǎng)與材料的禁帶寬度Eg無關(guān)。（錯(cuò)）7. LED發(fā)出的光是基于受激輻射，發(fā)出的是相干光。（錯(cuò)）8. 普通鎢絲燈的發(fā)光效率約為818lm/W。（對(duì)）9. LED的壽命通常小于106小時(shí)。（錯(cuò)）10. 通常利用半導(dǎo)體激光器（LD）和發(fā)光二極管伏安特性和響應(yīng)時(shí)間特性對(duì)光源進(jìn)行直接調(diào)制。（對(duì)）第三部分 光電導(dǎo)探測(cè)器 自測(cè)題一、多項(xiàng)選擇題1.下列光電導(dǎo)器件中那些屬于本證光電導(dǎo)器件（ BCD

11、E）A鍺摻汞 B.硫化鎘 C.硫化鉛 D.銻化汞 E 碲鎘汞2.光電導(dǎo)器件的噪聲主要有（ ABC ）A熱噪聲 B.1/f噪聲 C.產(chǎn)生與復(fù)合噪聲 D.散粒噪聲 二、單項(xiàng)選擇題1.光電導(dǎo)的單位（ B ）A.歐姆 B.西門子 C.流明 D 勒克斯2.氮化鎵光電導(dǎo)器件的光譜響應(yīng)范圍為（ A ）A.200365nm B.400700nm C.7001100nm D 17um3.硫化鎘光電導(dǎo)器件的光譜響應(yīng)范圍為（ B ）A.200365nm B.400700nm C.7001100nm D 17um4.常溫硫化鉛光電導(dǎo)器件的光譜響應(yīng)范圍為（ D ）A.200365nm B.400700nm C.7001

12、100nm D 0.43um5. 常溫碲化銦光電導(dǎo)器件的光譜響應(yīng)范圍為（ C ）A.200365nm B.400700nm C.17.5um D 0.43um6.設(shè)某光敏電阻在100lx光照下的阻值為2，且已知它在90120lx范圍內(nèi)的。則該光敏電阻在110lx光照下的阻值為（C）。 A2224.6 B1999.9 C. 1873.8 D.935.27. 假設(shè)某只CdS光敏電阻的最大功耗是30mW，光電導(dǎo)靈敏度，暗電導(dǎo)。當(dāng)CdS光敏電阻上的偏置電壓為20V是的極限照度為（D）。 A. 150lx B.22500lx C.2500lx D. 150lx和22500lx 8.光電導(dǎo)探測(cè)器的特性受工

13、作溫度影響（B）。 A.很小 B.很大 C.不受影響 D.不可預(yù)知三、判斷題1.由于電子的遷移率比空穴大，因此通常用P型材料制成光電導(dǎo)器件。（錯(cuò)）2.本征光電導(dǎo)器件的長(zhǎng)波限可以達(dá)到130um。（錯(cuò)）3.弱輻射情況下，本征光電導(dǎo)與入射輻射通量成正比。（對(duì)）4.材料確定后，光敏電阻的光照指數(shù)是一個(gè)常數(shù)。（錯(cuò)）5.前歷效應(yīng)是指光電導(dǎo)探測(cè)器的時(shí)間特性與工作前歷史有關(guān)的一種現(xiàn)象。（對(duì)）6.光電導(dǎo)器件的時(shí)間響應(yīng)都較小，適合于探測(cè)窄脈沖光信號(hào)。（錯(cuò)）7.當(dāng)光電導(dǎo)器件接收交變調(diào)制光時(shí)，隨調(diào)制光頻率的增加，其輸出會(huì)減小。（對(duì)）8.光敏電阻光譜特性的峰值波長(zhǎng)，低溫時(shí)向短波方向移動(dòng)。（錯(cuò)）9光敏電阻光敏面做成蛇形狀

14、，有利于提高靈敏度。（對(duì)）10.光敏電阻的恒壓偏置電路比恒流偏置電路的電壓靈敏度要高一些。（錯(cuò)）11. 光電導(dǎo)器件在方波輻射的作用下，其上升時(shí)間大于小將時(shí)間。（錯(cuò) ）12. 在測(cè)量某光電導(dǎo)器件的值時(shí)，背景光照越強(qiáng)，其值越小。（對(duì) ）13. 光敏電阻在恒壓偏置電路比恒流偏置電路的電壓靈敏度要高一些。（錯(cuò) ）14. 光敏電阻的阻值與環(huán)境溫度有關(guān)，溫度升高光敏電阻的阻值也隨之升高。（對(duì)）15. 光敏電阻的前例效應(yīng)是由于被光照過后所產(chǎn)生的光生電子與空穴的復(fù)合而需要很長(zhǎng)的時(shí)間，而且，隨著復(fù)合的進(jìn)行，光生電子與空穴的濃度與復(fù)合機(jī)率不斷減小，使得光敏電阻恢復(fù)被照前的阻值需要很長(zhǎng)時(shí)間這一特性的描述。（ 錯(cuò)）第

15、四部分 光伏探測(cè)器自測(cè)題一、多項(xiàng)選擇題1.光伏探測(cè)器的響應(yīng)時(shí)間主要由（ ABC ）因素決定A.光生載流子擴(kuò)散到結(jié)區(qū)的時(shí)間 B.光生載流子的漂移時(shí)間 C.結(jié)電容和負(fù)載電阻決定的時(shí)間常數(shù) 2.光伏器件的噪聲主要有（ AD ）A熱噪聲 B.1/f噪聲 C.產(chǎn)生與復(fù)合噪聲 D.散粒噪聲3.光伏探測(cè)器的光電特性主要與（ ABCD ）有關(guān)A材料 B.光照范圍 C.負(fù)載大小 D.外加電壓4.光伏探測(cè)器在正常使用時(shí)，常用的偏置方式有（ ABC ）A自偏置 B.零偏置 C.反向偏置 D.正向偏置 E.恒壓偏置二、單項(xiàng)選擇題1.若要檢測(cè)脈寬為10-7s的光脈沖，應(yīng)選用（ A ）為光電變換器件。A.PIN型光電二極

16、管 B.3DU型光電三極管 C.PN結(jié)型光電二極管 D.硅光電池2. 用光電法測(cè)量某高速轉(zhuǎn)軸的轉(zhuǎn)速時(shí)，最好選用（ D ）為光電接收器件。A.PMT B.CdS光敏電阻 C.2CR42硅光電池 D.3DU型光電三極管3.硅光電池在（ D ）偏置時(shí)，其光電流與入射輻射量有良好的線性關(guān)系，且動(dòng)態(tài)范圍較大。A.恒流 B.自偏置 C.零伏偏置 D.反向偏置4.硅光電池在（ B ）情況下有最大的輸出功率。A.開路 B.自偏置 C.零伏偏置 D.反向偏置5. 通常光伏探測(cè)器的擴(kuò)散時(shí)間為（ A ）A10-9s B.10-10s C.10-11s D.10-12s6.通常光伏探測(cè)器的漂移時(shí)間為（ C ）A10-

17、9s B.10-10s C.10-11s D.10-12s7.硅光電池的最高截止頻率通常為（ B ）A幾千赫茲 B.幾萬赫茲 C.幾十萬赫茲 D.幾百萬赫茲8.硅光電池的受光面的輸出多做成梳齒狀或E字形電極，其目的是（B ）。A增大內(nèi)電阻 B.減小內(nèi)電阻 C. 簡(jiǎn)化制作工藝 D.約定俗成9.硅光電三極管偏置電壓為零，現(xiàn)在逐漸增強(qiáng)其光照度，則此時(shí)光電三極管集電極電流的變化為（D）。A電流不斷增大 B.電流逐漸減小 C.電流逐漸增大，到一定程度后趨于穩(wěn)定 D電流大小始終為零10.為了提高光電二極管短波段波長(zhǎng)的光譜響應(yīng)，下面可以采取的措施是（D）。A.增強(qiáng)短波波長(zhǎng)光譜的光照強(qiáng)度 B.增強(qiáng)長(zhǎng)波波長(zhǎng)光譜

18、的光照強(qiáng)度 C.增加PN節(jié)厚度 D.減薄PN節(jié)厚度11.用光電法測(cè)量某高速轉(zhuǎn)軸（15000r/min）的轉(zhuǎn)速時(shí)，最好選用（D ）為光電接收器件。A.PMT B.CdS光敏電阻 C.2CR42硅光電池 D.3DU型光電三極管12.若要檢測(cè)脈寬為的光脈沖，應(yīng)選用（A ）為光電變換器件。A.PIN型光電二極管 B.3DU型光電三極管 C.PN結(jié)型光電二極管 D.2硅光電池13.硅光電池在（D）偏置時(shí)，其光電流與入射輻射通量有良好的線性關(guān)系，且動(dòng)態(tài)范圍較大。A.恒流 B.自偏置 C.零伏偏置 D.反向偏置14.硅光電池在（B）情況下有最大的電流輸出。A.開路 B.自偏置 C.零伏偏置 D.反向偏置15

19、光伏器件的自偏置電路主要用于（ B ）器件A.光電三極管 B.光電池 C.PSD位置傳感器 D.象探測(cè)器16.下列光電器件中可以作為繼電器的是（ B ）A.色敏器件 B.光耦合器 C.PSD D.象探測(cè)器17.下列光電器件中可以精確測(cè)量位置的是（ C ）A.色敏器件 B.光耦合器 C.PSD D.象探測(cè)器三、判斷題1.光伏探測(cè)器的暗電流是一個(gè)確定的常數(shù)。（錯(cuò)）2.光伏器件外加反向偏壓時(shí)，暗電流隨反向偏壓的增加有所增大，最后趨近于反向飽和電流。（對(duì)）3.自偏壓是指光伏探測(cè)器的輸出電流流過外電路負(fù)載電阻產(chǎn)生的壓降就是他自身的正向偏壓。（對(duì)）4.光電池的主要用途為太陽能光電池和測(cè)量光電池。（對(duì)）5.

20、雪崩光電二極管的最佳工作點(diǎn)在接近雪崩擊穿點(diǎn)附近。（對(duì)）6.硅光電池需要加偏壓才能把光能轉(zhuǎn)換成電能。（錯(cuò)）7.光電池通常工作在自偏置狀態(tài)，用作弱光信號(hào)的線性測(cè)量或強(qiáng)光信號(hào)的存在探測(cè)。（對(duì)）8.光伏效應(yīng)對(duì)光的吸收主要為非本征吸收。（錯(cuò)）9.用雙結(jié)光電二極管作顏色測(cè)量時(shí)，可以測(cè)出其中兩個(gè)硅光電二極管的短路電流比的對(duì)數(shù)值與入射光波長(zhǎng)的關(guān)系。（對(duì)）10.PSD是利用位置離子注入技術(shù)制成的一種對(duì)入射到光敏面上的光點(diǎn)位置敏感的光電器件。（對(duì)）第五部分 光電子發(fā)射探測(cè)器一、多項(xiàng)選擇題1.下面選項(xiàng)中屬于光電倍增管產(chǎn)生暗電流的原因有( ABCD )。 A歐姆漏電 B.熱發(fā)射 C.殘余氣體放電 D場(chǎng)致發(fā)射 2.光電

21、倍增管的短波限和長(zhǎng)波限的決定因素有（BC）A.光電陽極材料 B.光電陰極材料 C.窗口材料 D.倍增級(jí)材料3.常規(guī)光電陰極材料有（ABCD）A.銀氧銫 B.單堿銻化物 C.多堿銻化物 D.碲化銫 E 負(fù)電子親和勢(shì)4.光電倍增管的時(shí)間特性主要有（ ABC ）參數(shù)A.響應(yīng)時(shí)間 B.渡越時(shí)間 C.渡越時(shí)間分散 D.擴(kuò)散時(shí)間5.下列信號(hào)中，可以使用光電倍增管進(jìn)行探測(cè)的有（AD）。 A.微弱可見光信號(hào) B.強(qiáng)紫外光信號(hào)C.正午太陽光信號(hào) D.快速脈沖弱光信號(hào)6.下列選項(xiàng)中，符合光電倍增管電子光學(xué)系統(tǒng)作用的選項(xiàng)有（AB）。 A.將光電陰極發(fā)射的光電子盡可能多的匯聚到第一倍增級(jí) B.使光電陰極發(fā)射的光電子到

22、達(dá)第一倍增級(jí)的渡越時(shí)間零散最小 C.使達(dá)到第一倍增級(jí)的光電子能多于光電陰極的發(fā)射光電子量 D.使進(jìn)入光電倍增管的光子數(shù)增加二、單項(xiàng)選擇題1.光電子發(fā)射探測(cè)器是基于（B）的光電探測(cè)器。 A內(nèi)光電效應(yīng) B. 外光電效應(yīng) C.光生伏特效應(yīng) D.光熱效應(yīng)2.已知某光電倍增關(guān)的陽極靈敏度為100A/lm，陰極靈敏度為2A/lm，要求陽極輸出電流限制在100A范圍內(nèi)，則允許的最大入射光通量為（A）。 A. B. C. D. 3.真空光電器件的響應(yīng)速度可以達(dá)到（C）量級(jí)。 A.usB.nsC.psD.fs4.在光電倍增管中，吸收光子能量發(fā)射光電子的部件是（B）。 A.光入射窗B. 光電陰極 C.光電倍增級(jí)

23、D. 光電陽極5.在較強(qiáng)輻射作用下倍增管靈敏度下降的現(xiàn)象稱為（D）。 A.失效B.衰老C.失誤D.疲勞三、判斷題1.負(fù)電子親和勢(shì)光電陰極是真空能級(jí)在導(dǎo)帶之下，從而使有效的電子親和勢(shì)為負(fù)值。（對(duì)）2.NEA材料的量子效率比常規(guī)光電子陰極材料高很多。（對(duì)）3.光電倍增極在使用過程中隊(duì)入射光沒有特殊要求。（錯(cuò)）4.測(cè)量陽極靈敏度時(shí)，入射到陰極上的光通量大約在10-510-2lm。（錯(cuò)）5.光電倍增管分壓電阻通常要求流過電阻鏈的電流比陽極最大電流大10倍以上。（對(duì)）6.光電倍增管的電流增益通常不超過105。（錯(cuò)）7.光電倍增管增益定義為陽極電流與陰極電流之比，或陽極靈敏度與陰極靈敏度之比。（對(duì)）8.光電倍增管的倍增極通常是大于12。(錯(cuò))9.光電倍增管的噪聲主要是散粒噪聲。（對(duì)）10.光電倍增管分壓電阻鏈上的電流值通常要比陽極最大平均電流大10倍以上。（對(duì)）第六部分 熱探測(cè)器一、多項(xiàng)選擇題1.常用的熱輻射探測(cè)器主要有( ABC )。 A熱電偶 B.測(cè)輻射熱計(jì) C.熱釋電探測(cè)器 D紅外焦平面陣列 2.光電倍增管的短波限和長(zhǎng)波限的決定因素有（BC）A.光電陽極材料 B.光電陰極材料 C.窗口材料 D.倍增級(jí)材料3.常規(guī)光電陰極材料有（ABCD