晶體管特性圖示儀使用方法

1、的使用方法1. 集電極電源極性按鈕,極性可按面板指示選擇。2. 集電極峰值電壓保險絲:1.5A。3. 峰值電壓%:峰值電壓可在010V、050V、0100V、0500V 之連續(xù)可調,面板上的標稱值是近似值,參考用。4. 功耗限制電阻:它是串聯在被測管的集電極電路中,限制超過功耗,亦可作為被測半導體管集電極的負載電阻。5. 峰值電壓范圍:分010V/5A、050V/1A、0100V/0.5A、0 500V/0.1A四擋。當由低擋改換高擋觀察半導體管的特性時,須先將峰值電壓調到零值,換擋后再按需要的電壓逐漸增加,否則容易擊穿被測晶體管。AC擋的設置專為二極管或其他元件的測試提供雙向掃描,以便能同時

2、顯示器件正反向的特性曲線。6. 電容平衡:由于集電極電流輸出端對地存在各種雜散電容,都將形成電容性電流,因而在電流取樣電阻上產生電壓降,造成測量誤差。為了盡量減小電容性電流,測試前應調節(jié)電容平衡,使容性電流減至最小。7. 輔助電容平衡:是針對集電極變壓器次級繞組對地電容的不對稱,而再次進行電容平衡調節(jié)。8. 電源開關及輝度調節(jié):旋鈕拉出,接通儀器電源,旋轉旋鈕可以改變示波管光點亮度。9. 電源指示:接通電源時燈亮。10. 聚焦旋鈕:調節(jié)旋鈕可使光跡最清晰。11. 熒光屏幕:示波管屏幕,外有座標刻度片。12. 輔助聚焦:與聚焦旋鈕配合使用。13. Y軸選擇(電流/度開關:具有22擋四種偏轉作用的

3、開關?？梢赃M行集電極電流、基極電壓、基極電流和外接的不同轉換。14. 電流/度0.1倍率指示燈:燈亮時,儀器進入電流/度0.1倍工作狀態(tài)。15. 垂直移位及電流/度倍率開關:調節(jié)跡線在垂直方向的移位。旋鈕拉出,放大器增益擴大10倍,電流/度各擋IC標值0.1,同時指示燈14亮.16. Y軸增益:校正Y軸增益。17. X軸增益:校正X軸增益。18.顯示開關:分轉換、接地、校準三擋,其作用是:轉換:使圖像在、象限內相互轉換,便于由NPN管轉測PNP管時簡化測試操作。接地:放大器輸入接地,表示輸入為零的基準點。校準:按下校準鍵,光點在X、Y軸方向移動的距離剛好為10度,以達到10度校正目的。19.

4、X軸移位:調節(jié)光跡在水平方向的移位。20. X軸選擇(電壓/度開關:可以進行集電極電壓、基極電流、基極電壓和外接四種功能的轉換,共17擋。21. “級/簇”調節(jié):在010的范圍內可連續(xù)調節(jié)階梯信號的級數。22. 調零旋鈕:測試前,應首先調整階梯信號的起始級零電平的位置。當熒光屏上已觀察到基極階梯信號后,按下測試臺上選擇按鍵“零電壓”,觀察光點停留在熒光屏上的位置,復位后調節(jié)零旋鈕,使階梯信號的起始級光點仍在該處,這樣階梯信號的零電位即被準確校正。23. 階梯信號選擇開關:可以調節(jié)每級電流大小注入被測管的基極,作為測試各種特性曲線的基極信號源,共22擋。一般選用基極電流/級,當測試場效應管時選用

5、基極源電壓/級。24. 串聯電阻開關:當階梯信號選擇開關置于電壓/級的位置時,串聯電阻將串聯在被測管的輸入電路中。25. 重復-關按鍵:彈出為重復,階梯信號重復出現;按下為關,階梯信號處于待觸發(fā)狀態(tài)。26. 階梯信號待觸發(fā)指示燈:重復按鍵按下時燈亮,階梯信號進入待觸發(fā)狀態(tài)。27. 單簇按鍵開關:單簇的按動其作用是使預先調整好的電壓(電流 /級,出現一次階梯信號后回到等待觸發(fā)位置,因此可利用它瞬間作用的特性來觀察被測管的各種極限特性。28. 極性按鍵:極性的選擇取決于被測管的特性。29. 測試臺:其結構如圖A-24所示。圖A-24 XJ4810型半導體管特性圖示儀測試臺30. 測試選擇按鍵:“左

6、”、“右”、“二簇”:可以在測試時任選左右兩個被測管的特性,當置于“二簇”時,即通過電子開關自動地交替顯示左右二簇特性曲線,此時“級/簇”應置適當位置,以利于觀察。二簇特性曲線比較時,請不要誤按單簇按鍵?！傲汶妷骸辨I:按下此鍵用于調整階梯信號的起始級在零電平的位置,見(22項?！傲汶娏鳌辨I:按下此鍵時被測管的基極處于開路狀態(tài),即能測量ICEO特性。31、32. 左右測試插孔:插上專用插座(隨機附件,可測試F1、F2型管座的功率晶體管。33、34、35.晶體管測試插座。36. 二極管反向漏電流專用插孔(接地端。在儀器右側板上分布有圖A-25所示的旋鈕和端子:圖A-25 XJ4810型半導體管特性

7、圖示儀右側板37. 二簇移位旋鈕:在二簇顯示時,可改變右簇曲線的位置,更方便于配對晶體管各種參數的比較。38. Y軸信號輸入:Y軸選擇開關置外接時,Y軸信號由此插座輸入。39. X軸信號輸入:X軸選擇開關置外接時,X軸信號由此插座輸入。40. 校準信號輸出端:1V、0.5V校準信號由此二孔輸出。7.2測試前注意事項為保證儀器的合理使用,既不損壞被測晶體管,也不損壞儀器內部線路,在使用儀器前應注意下列事項:1. 對被測管的主要直流參數應有一個大概的了解和估計,特別要了解被測管的集電極最大允許耗散功率PCM、最大允許電流ICM和擊穿電壓BVEBO、BVCBO 。2. 選擇好掃描和階梯信號的極性,以

8、適應不同管型和測試項目的需要。3. 根據所測參數或被測管允許的集電極電壓,選擇合適的掃描電壓范圍。一般情況下,應先將峰值電壓調至零,更改掃描電壓范圍時,也應先將峰值電壓調至零。選擇一定的功耗電阻,測試反向特性時,功耗電阻要選大一些,同時將X、Y偏轉開關置于合適擋位。測試時掃描電壓應從零逐步調節(jié)到需要值。4. 對被測管進行必要的估算,以選擇合適的階梯電流或階梯電壓,一般宜先小一點,再根據需要逐步加大。測試時不應超過被測管的集電極最大允許功耗。5. 在進行ICM的測試時,一般采用單簇為宜,以免損壞被測管。6. 在進行IC或ICM的測試中,應根據集電極電壓的實際情況選擇,不應超過本儀器規(guī)定的最大電流

9、,見表A-3。電壓范圍/V 010 050 0100 0500允許最大電流/A 5 1 0.5 0.1表A-3 最大電流對照表7. 進行高壓測試時,應特別注意安全,電壓應從零逐步調節(jié)到需要值。觀察完畢,應及時將峰值電壓調到零。7.3基本操作步驟1. 按下電源開關,指示燈亮,預熱15分鐘后,即可進行測試。2. 調節(jié)輝度、聚焦及輔助聚焦,使光點清晰。3. 將峰值電壓旋鈕調至零,峰值電壓范圍、極性、功耗電阻等開關置于測試所需位置。4. 對X、Y軸放大器進行10度校準。5. 調節(jié)階梯調零。6. 選擇需要的基極階梯信號,將極性、串聯電阻置于合適擋位,調節(jié)級/簇旋鈕,使階梯信號為10級/簇,階梯信號置重復

10、位置。7. 插上被測晶體管,緩慢地增大峰值電壓,熒光屏上即有曲線顯示。7.4測試實例1. 晶體管hFE和值的測量以NPN型3DK2晶體管為例,查手冊得知3DK2 hFE的測試條件為VCE =1V、IC=10mA。將光點移至熒光屏的左下角作座表零點。儀器部件的置位詳見表A-4。表A-4 3DK2晶體管hFE、測試時儀器部件的置位部件置位部件置位峰值電壓范圍 010V Y軸集電極電流 1 mA /度集電極極性 + 階梯信號重復功耗電阻 250階梯極性 +X軸集電極電壓 1V/度階梯選擇 20A逐漸加大峰值電壓就能在顯示屏上看到一簇特性曲線,如圖A-26所示.讀出X軸集電極電壓Vce =1V時最上面

11、一條曲線(每條曲線為20A,最下面一條IB=0不計在內IB值和Y軸IC值,可得hFE = = = =42.5若把X軸選擇開關放在基極電流或基極源電壓位置,即可得到圖A-27所示的電流放大特性曲線。即=圖A-26 晶體三極管輸出特性曲線圖A-27 電流放大特性曲線PNP型三極管hFE和的測量方法同上,只需改變掃描電壓極性、階梯信號極性、并把光點移至熒光屏右上角即可。2.晶體管反向電流的測試以NPN型3DK2晶體管為例,查手冊得知3DK2 ICBO、ICEO的測試條件為VCB、VCE均為10V。測試時,儀器部件的置位詳見表A-5。逐漸調高“峰值電壓”使X軸VCB=10V,讀出Y軸的偏移量,即為被測

12、值。被測管的接線方法如圖1-28,其中圖A-28(a測ICBO值,圖A-28(b測ICEO值、圖A-28(c測IEBO值。圖A-28 晶體管反向電流的測試表A-5 3DK2晶體管反向電流測試時儀器部件的置位項目部件位置ICBOICEO峰值電壓范圍 010V 010V極性+X軸集電極電壓 2V/度 2V/度Y軸集電極電流 10A/度 10A/度倍率 Y軸位移拉出0.1 Y軸位移拉出0.1功耗限制電阻 5K 5K測試曲線如圖A-29所示。讀數:ICBO=0.5A(VCB=10V ICEO=1A(VCE=10V圖A-29 反向電流測試曲線PNP型晶體管的測試方法與NPN型晶體管的測試方法相同?？砂礈y

13、試條件,適當改變擋位,并把集電極掃描電壓極性改為“”,把光點調到熒光屏的右下角(階梯極性為“+”時或右上角(階梯極性為“”時即可。3.晶體管擊穿電壓的測試以NPN型3DK2晶體管為例,查手冊得知3DK2 BVCBO、BVCEO、BVEBO 的測試條件IC分別為100A、200A和100A。測試時,儀器部件的置位詳見表A-6。逐步調高“峰值電壓”,被測管按圖A-30(a的接法,Y軸IC=0.1mA 時,X軸的偏移量為BVCEO值;被測管按圖A-30(b的接法,Y軸IC=0.2m A時,X軸的偏移量為BVCEO值;被測管按圖A-30(c的接法,Y軸IC=0.1mA時,X軸的偏移量為BVEBO值。表

14、A-6 3DK2晶體管擊穿電壓測試時儀器部件的置位置位項目部件BVCBOBVCEO峰值電壓范圍 0100V 0100V 010V極性 + + +X軸集電極電壓 10V/度 10V/度 1V/度Y軸集電極電流 20A/度 20A/度 20A/度功耗限止電阻 1 k5 k 1 k5 k 1 k5 k測試曲線如圖A-30所示。圖A-30 反向擊穿電壓曲線(NPN圖A-31 反向擊穿電壓曲線(PNP讀數:BVCBO=70V(IC=100ABVCEO=60V(IC=200ABVEBO=7.8V(IC=100APNP型晶體管的測試方法與NPN型晶體管的測試方法相似。其測試曲線如圖1-31所示。4.穩(wěn)壓二極

15、管的測試以2CW19穩(wěn)壓二極管為例,查手冊得知2CW19穩(wěn)定電壓的測試條件IR=3mA。測試時。儀器部件置位詳見表A-7。逐漸加大“峰值電壓”,即可在熒光屏上看到被測管的特性曲線,如圖A-32所示。表A-7 2CW19穩(wěn)壓二極管測試時儀器部件的置位部件置位部件峰值電壓范圍 AC 010V X軸集電極電壓 5V/度功耗限止電阻 5 k Y軸集電極電流 1mA/度讀數:正向壓降約0.7V,穩(wěn)定電壓約12.5V。5.整流二極管反向漏電電流的測試以2DP5C整流二極管為例,查手冊得知2DP5的反向電流應500nA。測試時,儀器各部件的置位詳見表A-8。逐漸增大“峰值電壓”,在熒光屏上即可顯示被測管反向

16、漏電電流特性,如圖A-33所示。讀數:IR=4div0.2A0.1(倍率=80 nA測量結果表明,被測管性能符合要求。圖A-32 穩(wěn)壓二極管特性曲線圖A-33 二極管反向電流測試表A-8 2DP5C整流二極管測試時儀器部件的置位部件置位部件置位峰值電壓范圍 010V Y軸集電極電流 0.2A/度功耗限制電阻 1 k倍率 Y軸位移拉出0.1X軸集電極電壓 1V/度6.二簇特性曲線比較測試以NPN型3DG6晶體管為例,查手冊得知3DG6晶體管輸出特性的測試條件為IC=10 mA、VCE=10V。測試時,儀器部件的置位詳見表A-9。將被測的兩只晶體管,分別插入測試臺左、右插座內,然后按表1-8置位各功能