南昌理工學(xué)院《硅材料檢測技術(shù)》陳文彬

1、硅材料檢測技術(shù)1. 冷熱探筆法測太陽能電池導(dǎo)電類型。2. 在冷熱二端之間建立電場，電場的方向冷 熱。3. 電阻率公式： p =US/IL（ 二） p =CU23/I （四）4. 太陽能電池片樣品二端電壓的變化量與半導(dǎo)體中非平衡載 流子濃度成正比關(guān)系。5. 刃型位錯的柏格斯矢量與位錯線垂直，而螺型位錯的柏格 斯矢量平行。6. 半導(dǎo)體硅是金剛石結(jié)構(gòu)，立方晶系。7.0半峰寬32cm 1, C半峰寬6cm 3。8.純水（去離子水）即去掉陰陽離子和有機物等雜質(zhì)的水。二. 名詞解釋1. 載流子的擴散系數(shù) D （cm2/s）2. 測試要滿足的小注入條件：無論是直流光電導(dǎo)法或 高頻光電導(dǎo)法測量少數(shù)載流子壽命時

2、應(yīng)滿足的小注入條件。 注入比的定義是 p/no1%就符合小注入條件。3 .電化學(xué)腐蝕：金屬或半導(dǎo)體材料于高溫（1200 C）在腐 蝕氣體中所受到的腐蝕。4. Sirtl腐蝕液：可顯示（111）面缺陷，廣泛應(yīng)用。腐 蝕時間1015min。1儲備液（33%CrO3水溶液）1HF ; Dash 腐蝕液：可腐蝕各個晶面，隨位錯線深入到晶體中會出現(xiàn)深的腐蝕坑，減少冰醋酸量可使腐蝕加快。腐蝕時間116小時。1HF、3HNO3、812HAC。5. 微缺陷淺坑與位錯蝕坑的區(qū)別：前者呈淺的平底坑， 顯微鏡下呈白亮的芯，而后者呈深的尖底坑，顯微鏡下呈黑 三角形。6 .半峰寬：在吸收系數(shù)與波數(shù)關(guān)系曲線上，取1/2

3、amax為半峰高，在半峰高處吸收峰的寬度波數(shù)值。7. 離子交換樹脂：一種包含離子交換團的的樹脂，可 選擇性交換水中陰離子或陽離子；&水回收率：產(chǎn)品水流量除以整個的給水流量。如果 考慮到濃水返回前置 RO,回收率一般為 99%，如果濃水被 排放，回收率可為 9095%。三. 解答題1. 四探針法：用針距約為 1mm的四根探針同時壓在樣 品平整表面上，利用恒流源給外面二根探針通以電流，然后在中間二根探針上用電位差計或其它高輸入阻抗的電壓表 測量電壓降，再根據(jù)電阻率公式計算樣品的電阻率p =CU23/I，一般情況下 p =U23。2. 解理面：礦物晶體在外力作用下嚴(yán)格沿著一定結(jié)晶方向 破裂，并且能裂

4、出光滑平面的性質(zhì)稱為 解理，這些平面稱為解理 面。解理面一般平行于面間距最大，面網(wǎng)密度最大的晶面，因為 面間距大，面間的引力小，這樣就造成解理面一般的晶面指數(shù)較低，如Si的解理面為（111）3. 光圖定向的基本原理：硅單晶面經(jīng)過研磨、擇優(yōu)腐 蝕后，表面會出現(xiàn)許許多多的小腐蝕坑。當(dāng)一束平行光入射 到這些小坑上，反射回來的光會在光屏上成像。這種光像具 有與腐蝕坑相應(yīng)的宏觀對稱性。根據(jù)反射光像的對稱性和光 圖中心的偏離角，可以確定晶體生長方向和晶體的晶向偏離 角度。4. 紅外吸收法原理：通過研究分子振動的能級來推斷 分子結(jié)構(gòu)。利用物質(zhì)中的分子對紅外輻射的吸收，得到與分 子結(jié)構(gòu)相應(yīng)的紅外光譜圖，從而鑒定分子結(jié)構(gòu)的方法稱為紅 外吸收光譜法。5. 離子交換法制備純水的原理：利用離子的不斷交換 與樹脂的不斷再生的反復(fù)進行來制取純水。原水流過離子交換樹脂時，水中的陰、陽離子會與樹脂的H+和0H-離子交換而被吸附到樹脂上，若陰、陽離子樹脂比例適當(dāng)，則樹脂 中等量的H+和0H-離子進入水中，完全結(jié)合成水，這一過 程直至樹脂失效。然后經(jīng)過樹脂的再生處理，恢復(fù)樹脂的交 換能力，進行再交換，如此往復(fù)制取純水。四. 計算題1.已知四探針的探針間距為 S1=1.002mm , S2=1.000mmm,S3=1.001mm,請計算該探針的探針系數(shù)C。解：由公式1-16可得：C=2 ni/s1