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文檔簡介

Ar基板Pump抽真空靶材(Ni)電極Ar+ArArArArAr1.真空中通入氬氣(Ar),含有 微量的氬離子(Ar+) 。電源供應(yīng)器2.於電極板加負高壓電。 3.帶正電的氬離子 (Ar+) 被負 高壓電吸引。Ale-4.Ar+撞擊靶材產(chǎn)生電子(e-) 及轟擊出鎳原子(Nl) 。Ar+e-e-5.e-撞擊Ar Ar+ e- + e-。Al6.鋁原子沉積在素材基板上。7.Ar+重複 3. 6. 。Ar低真空鍍膜AlAlAr+Ar+Ar+AlAr高真空鍍膜Ar+AlAlAlAr+粗略真空粗略真空中度真空中度真空高真空高真空超高真空超高真空壓力壓力(Torr)760 11 10-310-3 10-7 10-7平均自由平均自由徑徑(cm) 10-210-2 1010 105 1051.高功率單一離子所擊出的靶原子較多 可縮短鍍膜時間瞬間產(chǎn)生的熱較多2.低功率單一離子所擊出的靶原子較少 會延長鍍膜時間鍍膜溫度較低演講完畢,謝謝觀看!

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