第四部分 常用半導(dǎo)體元件檢測

1、LOGO第四部分第四部分 常用半導(dǎo)體元件的檢測常用半導(dǎo)體元件的檢測測量內(nèi)容測量內(nèi)容萬用表對晶體二極管正負(fù)極的判斷1加基極偏置電流判別晶體管電極2對MOS絕緣柵型場效應(yīng)晶體管電極的判斷 3對MOS絕緣柵型場效應(yīng)晶體管好壞的判斷4測量內(nèi)容穩(wěn)壓集成電路5電容器的充放電原理及其粗測方法61萬用表對晶體二極管正負(fù)極的判斷萬用表對晶體二極管正負(fù)極的判斷將萬用表的量程開關(guān)撥至將萬用表的量程開關(guān)撥至R R1k1k檔，檔，兩枝表筆分別接在二極管的兩端，依兩枝表筆分別接在二極管的兩端，依次測二極管的正向電阻值和反向電阻次測二極管的正向電阻值和反向電阻值。若測得電阻值為幾百歐姆至幾千值。若測得電阻值為幾百歐姆至幾千

2、歐姆，說明這是正向電阻，這時萬用歐姆，說明這是正向電阻，這時萬用表的黑表筆接的是二極管的正極，紅表的黑表筆接的是二極管的正極，紅表筆接的是二極管的負(fù)極。表筆接的是二極管的負(fù)極。 值得一提的，二極管是非線性元件，值得一提的，二極管是非線性元件，其正向電壓與正向電流不成正比。若其正向電壓與正向電流不成正比。若是將萬用表的量程選擇在是將萬用表的量程選擇在R Rl00l00檔，檔，或或R R1010檔、檔、R R11檔，通過二極管檔，通過二極管的正向電流依次增大，正向電阻值也的正向電流依次增大，正向電阻值也逐漸減小，但二者并不成反比關(guān)系。逐漸減小，但二者并不成反比關(guān)系。所以萬用表選擇的量程檔位不同，測

3、所以萬用表選擇的量程檔位不同，測出的電阻值也就不一樣。出的電阻值也就不一樣。2萬用表判別晶體三極管電極 對對NPN型晶體三極型晶體三極管而言，用紅、黑管而言，用紅、黑表筆分接觸除基極表筆分接觸除基極以外的兩極，濕手以外的兩極，濕手指接觸基極和黑表指接觸基極和黑表筆，然后再將紅黑筆，然后再將紅黑表筆對調(diào)重測一次。表筆對調(diào)重測一次。比輕兩次萬用表指比輕兩次萬用表指針偏轉(zhuǎn)角度的大小，針偏轉(zhuǎn)角度的大小，以偏轉(zhuǎn)角度大的一以偏轉(zhuǎn)角度大的一次為準(zhǔn)，黑表筆接次為準(zhǔn)，黑表筆接的是集電極，紅表的是集電極，紅表筆接的則是發(fā)射極。筆接的則是發(fā)射極。3萬用表對場效應(yīng)晶體管電極的判斷v將萬用表的量程開關(guān)撥至R 100檔，

4、假定被測場效應(yīng)晶體管的某腳為柵極，用萬用表的黑表夾與它相連，再用紅表夾分別碰觸另外兩極，若兩次測得的阻值為無窮大，交換表夾測試之后阻值還是無窮大，則表明假定的柵極為真正的柵極G。這個結(jié)果對于耗盡型MOS管肯定是正確的，但對于增強(qiáng)型MOS管則不一定準(zhǔn)確，因此，還必須進(jìn)行檢驗(yàn)。檢驗(yàn)方法是找到柵極后，再將兩表夾分別接到漏、源極，讓柵極懸空，如果萬用表指針有輕微擺動，則證明測試結(jié)果是正確的；若萬用表指針不擺動，必須重新假定柵極并進(jìn)行測試。3萬用表對場效應(yīng)晶體管電極的判斷v 之后，還需對被測場效應(yīng)晶體管的漏極D和源極S進(jìn)行判斷。對于耗盡型MOS管來說，找到柵極G后，用萬用表的紅、黑表夾測漏極和源極間的電

5、阻值，在幾百到幾k內(nèi)，并且正、反向電阻值略有差別，以阻值略小的那次為準(zhǔn)，黑表夾接的是漏極D，紅表夾接的是源極S。有些場效應(yīng)晶體管的源極S與其外殼是連在一起的，更容易判別。v 測試結(jié)束之后，應(yīng)當(dāng)將場效應(yīng)晶體管的管腳絞合在一起或放在金屬箔中，及時泄放掉柵極上的電荷，以防柵極產(chǎn)生很高的電壓擊穿二氧化硅層，燒壞場效應(yīng)晶體管。 4萬用表對場效應(yīng)晶體管好壞的判斷v 將萬用表的量程開關(guān)撥至R100檔。v (1)耗盡型MOS管的判斷：若是測得GD、GS間正反向電阻值為無窮大，說明被測場效應(yīng)晶體管的絕緣性能良好，如果測得的阻值較小，說明被測場效應(yīng)晶體管的氧化膜已經(jīng)擊穿損壞，不可用；測得DS間電阻值在幾百至幾k為

6、正常。若DS間的電阻值很大或很小，說明漏極與源極間已斷開或擊穿短路，被測場效應(yīng)晶體管已損壞不可使用。v (2)增強(qiáng)型MOS管的判斷：在確定柵極無感應(yīng)電壓的情況下，測GD、GS、DS間的正反向電阻值均為無窮大時被測場效應(yīng)晶體管正常；如果阻值較小，則表明被測場效應(yīng)晶體管已損壞。讓柵極G懸空，萬用表的表筆接D、S，指針若有擺動則被測場效應(yīng)晶體管為好管。4萬用表對場效應(yīng)晶體管好壞的判斷v將萬用表的量程開關(guān)撥至R 100檔，假定被測場效應(yīng)晶體管的某腳為柵極，用萬用表的黑表夾與它相連，再用紅表夾分別碰觸另外兩極，若兩次測得的阻值為無窮大，交換表夾測試之后阻值還是無窮大，則表明假定的柵極為真正的柵極G。這個

7、結(jié)果對于耗盡型MOS管肯定是正確的，但對于增強(qiáng)型MOS管則不一定準(zhǔn)確，因此，還必須進(jìn)行檢驗(yàn)。檢驗(yàn)方法是找到柵極后，再將兩表夾分別接到漏、源極，讓柵極懸空，如果萬用表指針有輕微擺動，則證明測試結(jié)果是正確的；若萬用表指針不擺動，必須重新假定柵極并進(jìn)行測試。4萬用表對場效應(yīng)晶體管好壞的判斷萬用表對MOS絕緣柵型場效應(yīng)晶體管好壞的判斷v a)對耗盡型MOS管的判斷 b)對增強(qiáng)型MOS管的判斷5.萬用表對對穩(wěn)壓集成電路穩(wěn)壓集成電路好壞判斷好壞判斷v 三端穩(wěn)壓集成電路簡稱三端穩(wěn)壓器，其型號規(guī)格很多。較常用的有78XX系列，其輸出電壓是固定的，如7805、7809、7810、7812、7818、7824，它

8、們的輸出電壓分別為+5v、+9V、+10V、+12V、+18V、+24V。v 用萬用表來判斷三端穩(wěn)壓器的方法如圖1 62所示。以7812為例，在它的1、2腳加上直流電壓輸入至少比穩(wěn)壓器的穩(wěn)壓值高2V，但最高不要超過35V。再將萬用表的量程開關(guān)撥至直流電壓檔，測量7812的3腳與2腳之間的電壓，若萬用表的讀數(shù)與穩(wěn)壓值相同，則證明此穩(wěn)壓集成電路是好的。5.萬用表對對穩(wěn)壓集成電路穩(wěn)壓集成電路好壞判斷好壞判斷用萬用表來判斷三端穩(wěn)用萬用表來判斷三端穩(wěn)壓器的方法如圖壓器的方法如圖1 62所示。以所示。以78127812為例，在為例，在它的它的1 1、2 2腳加上直流電腳加上直流電壓輸入至少比穩(wěn)壓器的壓輸入

9、至少比穩(wěn)壓器的穩(wěn)壓值高穩(wěn)壓值高2V2V，但最高不，但最高不要超過要超過35V35V。再將萬用表。再將萬用表的量程開關(guān)撥至直流電的量程開關(guān)撥至直流電壓檔，測量壓檔，測量78127812的的3 3腳與腳與2 2腳之間的電壓，若萬用腳之間的電壓，若萬用表的讀數(shù)與穩(wěn)壓值相同，表的讀數(shù)與穩(wěn)壓值相同，則證明此穩(wěn)壓集成電路則證明此穩(wěn)壓集成電路是好的是好的6電容器的充放電原理及其粗測方法電容器的充放電原理及其粗測方法v 電容器上的儲存電荷，不是瞬間充上的，也不是瞬間放盡的，而是需要經(jīng)過一段時間才能充滿或放完的。 綜合上述原理，得出電容器的一個重要特性，即電容器兩端的電壓不能突變。 v粗測是指對電容器能否儲存電荷進(jìn)行大概的測試，是運(yùn)用電容器充放電原理，用萬用表電阻檔向電容里充電，通過觀察萬用表指針的偏轉(zhuǎn)角度，來粗略估計電容器的容量的。測試時，應(yīng)根據(jù)被測電容器的容量來選擇萬用表的電阻檔，詳見表1。表1測量電容器時對萬用表電阻檔的選擇測量電容器時對萬用表電阻檔的選擇測量電容器時對萬用表電阻檔的選擇小小 結(jié)結(jié)1 1數(shù)字萬用表比模擬萬用表精確，但測量電子元件時不如模擬指針表直觀。數(shù)字萬用表比模擬萬用表精確，但測量電子元件時不如模擬指針表直觀。2 2萬用表內(nèi)阻越高越好。萬用表內(nèi)阻越高越好。1 1萬用表內(nèi)阻很大有什么好