[工學]集成電路設計EDA工具實驗指導書2010春季

1、集成電路設計EDA工具實驗指導書（試用版）編寫：潘欣欣 艾娉婷審核：王東紅 司玉娟吉林大學珠海學院電子信息系微電子學科教研組2009年9月學生實驗守則一、 學生必須按照教學計劃規(guī)定的時間，或預定的時間上實驗課，不得遲到、早退或無故缺課。二、 必需遵守實驗室的各項規(guī)章制度，服從實驗教師的指導，保持室內(nèi)整潔、衛(wèi)生、安靜、有序。實驗室內(nèi)不得吸煙、接打手機。三、 遵守操作規(guī)程，注意人身安全。未經(jīng)教師允許不許動用與本實驗無關的設備；凡因違犯操作規(guī)程，或擅自動用其他設備而造成損壞的，應按學校規(guī)定賠償。四、 實驗前必須認真閱讀實驗指導書，明確實驗目的，理解實驗原理，填寫實驗報告，課后要獨立完成實驗報告，并按

2、時交給任課教師批閱。五、 實驗完畢后應將計算機關機，搞好室內(nèi)衛(wèi)生，關好電門窗，經(jīng)教師同意后方可離開實驗室。目 錄引 言1實驗一 Linux 操作系統(tǒng)入門2實驗二 Zeni設計系統(tǒng)入門及常用命令.4實驗三 CMOS與非門電路原理圖設計.21實驗四 CMOS與非門電路原理圖仿真實驗五 CMOS與非門電路版圖設計 29實驗六 CMOS與非門版圖驗證1設計規(guī)則檢查（DRC）實驗七 CMOS與非門版圖驗證2版圖與原理圖一致性檢查（LVS）.實驗八 Zeni系統(tǒng)中的寄生參數(shù)提?。≒E）及信號完整性分析（SI）引 言本實驗是一門培養(yǎng)學生學生集成電路設計能力的專業(yè)實踐課程，是現(xiàn)代集成電路設計的基礎課程。通過學

3、習半導體集成電路設計、半導體工藝為基礎理論，將理論與實踐相結合，培養(yǎng)學生分析能力和解決問題能力以及集成電路軟件工具的使用，掌握微電子技術人員所需的基本理論和能力，為學生以后從事集成電路設計工作打下基礎。本次實驗課程的主要內(nèi)容包括了解集成電路設計流程、工藝庫命令文件、完成或非門最小化設計。本實驗課程以課堂講授和學生實際操作想結合的方式進行的。要求學生在完成預習報告、設計方案選擇、及其設計驗證，提交實驗報告。成績考核方式，按照出勤情況（10%）、預習課堂記分（40%）、報告成績（50%）進行評定。希望同學們能珍惜這次學習機會，進一步完善自己的知識結構。實驗一 LINUX 系統(tǒng)入門一、 實驗目的熟悉

4、LINUX操作系統(tǒng)的界面及常用命令。二、 實驗內(nèi)容1. Linux操作系統(tǒng)的界面。開啟計算機，在顯示如下登陸界面時，輸入本實驗室規(guī)定的相應的用戶名及密碼：Username：ic0xPassword：student回車即登錄進入Linux操作系統(tǒng)的桌面。2. Linux系統(tǒng)的常用命令。（1）文件系統(tǒng)及文件管理類n cd 切換目錄n cd .返回上一級目錄n pwd顯示當前工作目錄n ls 列出目錄內(nèi)容n mkdir創(chuàng)建目錄n rmdir 刪除空目錄n clear 清屏n cp復制文件n rm刪除文件n mv 移動文件n exit 退出（2）vi 編輯器Vi是UNIX/Linux操作系統(tǒng)中最經(jīng)典的

5、文本編輯器，幾乎所有的UNIX/Linux發(fā)行版本都提供這一編輯器。Vi是全屏幕文本編輯器，它只能編輯字符，不能對字體，段落等進行排版。Vi沒有菜單，只有命令。n 啟動vi的命令格式是: vi 文件名n 如果不指定文件名，或指定的文件名不存在，則新建一文本文件（未命名的或以指定文件名命名的）。n 如果指定文件存在，則打開指定文件進行編輯。輸入文本指令：要輸入文本必須首先將工作模式轉換為文本編輯模式，在命令模式下鍵入i, I, a, A, o, O命令中的任意一個即可。此時在狀態(tài)/命令區(qū)出現(xiàn)“-INSERT-”字樣。 i 從當前的光標位置開始輸入字符 I 光標移動到當前行的行首，開始輸入字符 a

6、 從當前光標的下一個位置，開始輸入字符 A 光標移動到當前行的行尾，開始輸入字符 o 在光標所在行之下新增一行 O 在光標所在行之上新增一行 n 最后行模式：在命令模式下，按:鍵進入最后行模式，此時vi會在屏幕的底部顯示:符號作為最后行模式的提示符號，等待擁護輸入相關命令。命令執(zhí)行完畢之后，vi自動回到命令模式。n Esc 退出當前命令狀態(tài)，光標所在的位置前開始插入文本；n u撤消恢復最后一次的文本修改: n w 文件名 保存為指定的文件 : q 退出vi : q! 不保存文件，直接推出vi : wq 存盤并退出vi（3）系統(tǒng)操作：n which 在變量中查找$PATH 設置的目錄里查找符合條

7、件的文件 n whois 查找并顯示用戶信息n reboot 重新啟動n shutdown 關機n password 設置用戶密碼三、 實驗操作練習在Linux系統(tǒng)進入和退出zeni設計系統(tǒng)操作步驟：建立目錄student06/zeniworkmkdir student06/zeniwork 進入目錄cd student06/zeniwork 顯示路徑 pwd2. 刪除zeniwork目錄 rm r zeniwork3復制文件 將spice.txt文件復制到當前student06工作目錄 Cp spice.txt /student06/zeniwork4. 用vi 編輯器新建并編輯work.t

8、xt文本內(nèi)容為自己的姓名與學號 Vi work.txt 鍵入 i,進入編輯狀態(tài) 03060* 鍵入ESC退出編輯狀態(tài) 實驗二 Zeni設計系統(tǒng)入門及常用命令一. 實驗目的熟悉Zeni設計系統(tǒng)，設計思路及常用命令的操作二. 實驗內(nèi)容1. Zeni設計系統(tǒng)的管理ZeniSE擁有Analog Simulation Deck（模擬仿真平臺）。（1）啟動軟件1 進入工作目錄/home/ic/student062 啟動軟件dm &（2）創(chuàng)建一個新的設計庫1 在ZDMW中，LMB點擊菜單欄選項File>New>Library2按照以下圖所示，用以下信息填充New Library表格。Li

9、brary Name: NANDIn Directory: /home/student06Technology :Attached To Library:INV/home/student06NANDINVOK鍵確認New Library form。(3) 建立新的單元視圖 1. 在ZDMW中，RMB點擊NAND庫，在子菜單中選擇“New Cellview”命令。2. 按照下圖所示，用以下的信息填充New Cellview form。Library Name: NANDCell Name: nandView Type: schematicNANDnandschematicschematic OK

10、鍵確認New Cellview form。原理圖編輯器窗口(SEW)自動出現(xiàn)，同時新的原理圖單元圖建立。3 在ZDMW中，RMB點擊NAND庫，在子菜單中選擇“New Cellview”命令。4 按照下圖所示，用以下的信息填充New Cellview form。Library Name: NANDCell Name: nandView Name：layoutView Type: layoutNANDnandlayoutlayout OK鍵確認New Cellview form。原理圖編輯器窗口(LEW)自動出現(xiàn)，同時新的版圖單元圖建立。(4)原理圖編輯窗口中常用命令1 添加元件2 刪除3 復制

11、4 移動5 屬性編輯6 2.3. 添加元器件并設參數(shù)值2.3.1 添加PMOS：在窗口橫條菜單工具點擊圖標，或在Add Instance form中，在Instance Name這一欄里填入M0，然后按照如下信息完成表格里的參數(shù)列表。n BASE: vdd!n MODEL: Pchn W、L值根據(jù)各自設計而定。Nch 在Help下拉菜單里，點擊Apply鍵，將光標移回SEW中。在SEW中任意一處點擊LMB，將pmos3模型放入。添加NMOS,同上述操作一樣，在橫條菜單里選擇圖標，并且把彈出的Add instance菜單用以下信息填充。n Instance Name: M1n BASE: gnd

12、!n MODEL: Nch n L:0.35n W:0.9將noms3模型放入SEW中。注意：由于Pmos 在spice .txt 模型文件中已經(jīng)定義好的模型名稱，所以注意引用模型名稱與模型文件中的一致。24. LMB點擊圖標或點擊Add>Wire通過LMB點擊M0的漏區(qū)，然后移動光標至M1的漏區(qū)，將M0和M1的漏區(qū)連接起來，LMB點擊M1的漏區(qū)，終止連線。以同樣的方式，將M0和M1的柵連接起來。在移動光標的時候，可以發(fā)現(xiàn)，離光標最近的pin腳會出現(xiàn)一個黃色的小方塊，按下ctrlLMB或shiftLMB鍵，可以將當前的連線捕獲連接在該點柵。按下Esc鍵，可以取消Add Wire命令。2.

13、4 添加輸入輸出端口：LMB（鼠標左鍵）點擊 圖標，或點擊Add>Pin。輸入端在Add Pin form中，將Pin的名稱設為IN，將pin的方向設為Input。輸出端，將Pin的名稱設為OUT，將pin的方向設為Output。2.5在橫條菜單中LMB點擊vdd圖標和接地圖標，將它們放入合適的位置，并且將其與MOS的pin腳用連線連接起來。以上就完成了對反相器的原理圖設計。26 LMB點擊check >Current Cellview，check>Hierarchy對本層次原理圖進行檢查并保存。 Design>Check and Save來檢查原理圖的錯誤，并且保存。

14、 27 繪制符號圖符號圖是對原理圖的一種表示形式，主要是構建層次化原理圖簡單化，符號圖在原理圖中能夠直觀的映像出其功能，特別是進行復雜原理圖設計時，可以直接調用其符號，簡單明了，快捷方便。點擊Cellview > Create From Cellview 創(chuàng)建新的sympol Cellview，left :指的是sympol的左側，輸入 in ，表明左側可以輸入端口，right表示右側，輸出端口 out。當紅線邊線框框沒有的時候，可以選擇add>selection Box 。3 Zeni Schematic Editor中的仿真在這部分我們將在輸入引腳上加入激勵信號，同時使用spi

15、ce3仿真器進行電路性能分析。最后，我們可以通過Zeni波形瀏覽器查看仿真后的波形。仿真方法一：3.1. 在輸入引腳加入激勵Step1：在Zeni SE窗口中，在橫條菜單欄上用LMB點擊圖標。Step12：在如下圖的Add Instance對話框中用以下的信息將空格填充。n Library Name：analogn Cell Name：vdcn View Name：symboln DC：5v完成電路圖繪制，切記SAVE AND CHECK保存核查 Step3：添加仿真輸入信號在橫條菜單欄上用LMB點擊圖標。Step4：用以下信息填充Add Instance對話框。n Library Name:

16、 analogn Cell Name: vplusn View n Name: n symbol n Instance Name: V1n DC: 0n V1: 0vn V2: 5vn TD: 0n TR: 1nsn TF: 1nsn PW:20nsn PER: 40nsStep5：將vpulse與輸入引腳“IN”連接起來。Step 6: check >current CellviewStep 7：LMB點擊 Design>Check and save。如果出現(xiàn)任何錯誤，必須在仿真前進行修改。3.2. 設置仿真環(huán)境 Step 8. 在SE窗口，點擊Option>ToolsTo

17、ols Option表格出現(xiàn)。Step 9. 在ZENI 中提供了Synopsys Hspice 、Berkeley SPICE3 、Cadence Spectre、 Silvaco SmartSpice 、SIMetrix多種仿真工具的平滑接口；并提供了開放源代碼SPICE3仿真工具。下面我門用SPICE3仿真工具對倒相器原理圖進行仿真。圖形如下所示：Step 10. Ok鍵確認該表格。Step 11. 由于每個仿真器都只接受其自身規(guī)定的網(wǎng)表類型， 根據(jù)你所使用的仿真器，點擊Option>Export Format>Netlist來配置網(wǎng)表類型。對于spice3，我們將按照下圖配

18、置網(wǎng)表表格。Step 11. OK鍵確認Export Format表格。Step 12. 點擊Tools>Analog Simulution Deck，彈出對話框，執(zhí)行菜單命令Settings->Simulator Setup,彈出對話筐的底部Spice3命令行為“CMDspice3 b r%W%N”,單擊OK鍵，仿真工具已設置為Spice3。Step 13. 雙擊model setup 輸入模型文件“/zeni/v4627/lib/analog/model/spice/current/spice3.txt”Step 14 雙擊 simulus Setup 前面的小三角，三角標向下

19、旋轉，便可看見ZENI工具已經(jīng)識別出的原理圖中端口In、 vdd、gnd，在原理圖中我們已經(jīng)加載了激勵和電源，所以這里就不用加了。如果在原理圖中沒有加電源和激勵，我們就要加載激勵和電源。Step 15. 鼠標雙擊Analysis Setup,彈出Add Analysis Setup的對話框；分別設置Step、 Stop 、Start的參數(shù)，如下：10ns 50ns 0nsStep 16 在 Analog Simulution Deck對話框中，執(zhí)行菜單命令Settings->options ,去掉enable global power 的選項，點擊OK，退出。Step 17 在 Anal

20、og Simulution Deck對話框中，執(zhí)行菜單命令Simulution>view final netlist 查看生成的.spi文件。Step 18 單擊Analog Simulution Deck對話框中<Run>, 便運行仿真，仿真后自動生成后綴名為.spi, .raw文件。輸出的.spi 為加激勵的spice3網(wǎng)表文件，.raw為spice仿真后的結果波形文件。（沒有出現(xiàn)波形文件可以通過設計管理圖（DM）中，執(zhí)行菜單命令Tools>Waveform Viewer, 彈出Zeni 工具的波形顯示工具。通過File>Open 或快捷圖形，file of

21、type 選為SPICE raw Waveform file 將仿真后的波形文件讀到波形顯示器中。如圖所示：）在該窗口中，LMB點擊File>Open Plot，打開file“inv.raw”波形文件。Step 19. LMB點擊Signal>Add/Delete Signals將有價值的信號放入組單中。Step 20.OK鍵確認Add/Delete Signals form。Step 21 在Waveform Viewer 表格中，可以看到兩個交疊的信號。LMB點擊Option>Custom>Analog Signal，開啟Stack選項，將交疊的信號分開。仿真結束。

22、三、實驗報告原理圖的輸出，選擇Design >print ,注意color 選項選擇Mono,可修改文件地址以及文件名，點擊OK完成原理圖的輸出?；蛘哝I入PRScm,印屏幕。要求測量反相器上升時間和下降時間，記錄延時時間。實驗三 CMOS與非門原理圖的設計一、 實驗目的：1. 了解CMOS與非門原理及原理圖的設計過程2. 熟悉Zeni SE原理圖編輯窗口的操作命令二、實驗內(nèi)容1 LMB點擊DM窗口中NAND庫，打開schematic視圖，原理圖編輯窗口出現(xiàn)，窗口主要有三部分。圖標菜單：位于左側，列出了一些常見的命令的圖標，要查看圖標所代表的指令，只需要將鼠標滑動到想要查看的圖標上，圖標下

23、方即會顯示出相應的指令。菜單欄： 位于視圖上部，包含編輯版圖的各個指令，并按照相應類別進行分類，通常叫作下拉菜單。狀態(tài)顯示欄：位于版圖的底部，顯示坐標、當前編輯指令等狀態(tài)信息。2如下圖所示，建立CMOS與非門原理圖。3器件參數(shù)，如下圖所示PMOS NMOS：下面列舉出一些常見的指令，及相應的快捷鍵舉例如下：Zoom In ：放大Zoom out by 2：縮小2倍Save ：保存編輯Delete：刪除編輯Undo ：取消編輯Redo：恢復編輯 Move ; 移動(m)Stretch : 伸縮Rectangle：編輯矩陣圖形Ploygon ：編輯多邊形圖形Merge: 圖形結合Smash : 打

24、散 各層次都分開。在版圖視窗的左側還有一個Layer 層選擇窗口,其功能：可以選擇所編輯的圖形所在的層次；可選擇那些層次可以編輯；可選擇哪些層次可以看到。1.3參考版圖設計INV掩膜版圖如左側：倒向器由一個Pmos 和Nmos 管組成。進入視圖后，1）創(chuàng)建視圖為cont的版圖：Step1：點擊option>Generic>Display, 顯示其網(wǎng)格大小，及其單位，鼠標移動的距離。參考設置修改如下。Type :dotMajor Step: 5Minor Step： 0.100X Sapcing： 0.05Y Sapcing ：0.05Aperture :：0.05保存并退出opti

25、on對話框。Step2: ctrl Z 放大畫布 shift Z：縮小畫布，在Layerout 窗口選擇Cont 層，然后點擊Layer視圖上方正方塊圖標 或按快捷鍵b或者點擊Create>Rectangle畫圖命令，根據(jù)DRC規(guī)則文件要求Cont最小邊長長度為0.2um。可以從坐標（0.4,0.4）到（0.6,0.6）處繪制一個長方形。當前光標的坐標在版圖編輯窗口的右下角處顯示，dx為x軸移動的差值。Step3:在窗口中，首先選中該矩形，然后LMB點擊Advanced>Resize，出現(xiàn)Resize表格。照以下圖形填充表格，OK鍵確認Resize表圖層“met1.dwg”就自動創(chuàng)

26、建了，按照圍繞圖層cnt.dwg擴大0.2微米的尺寸，生成金屬層。Step4：在layer窗口中選擇oxide層，然后從（0.2，0.2）到（0.8，0.8）畫方形薄氧區(qū)，畫完之后按Esc退出命令。Step5: 再畫一個與metl1 層相同的Pimp層作為P型擴散區(qū)。（注意有源區(qū)，由離子摻雜與薄氧化層組成）Step6: 測量畫圖尺寸，LMB點擊Tool>Ruler或點擊 圖標，從原點出發(fā)繪出坐標系，按下Esc鍵終止該命令。即 ct_pdiff 版圖生成。同理: 當畫ct_ndiff 的時候，只需要將pimp層改成nimp層。2) Pmos版圖Step1： 創(chuàng)建Pmos單元視圖。Step2

27、 : 選擇oxide層，畫出長為4.8 um,6um 的層次。調整圖形時候，可以點擊Stretch,圖像拉伸。Step3： 畫P+ 摻雜區(qū)，選中oxide方框，選擇Advanced>Resize ,生成比oxide層擴大0.6um Pdiff。Step4： 畫n 阱區(qū)，在畫P有源區(qū)層基礎上，生成擴大0.6 um的nwell層。（n阱的薄氧層）Step5： PMOS柵極，選用poly層，點擊LMB點擊Create>Path或點擊 圖標，或者快捷鍵p，出現(xiàn)一個Create Path表格（如果表格沒有出現(xiàn)，按下F3鍵來激活，或者，開啟選項，Options>Generic>Ed

28、itor>Auto Popup Form 自動彈出菜單）。中心畫寬度為0.6。調整長度，使之伸出oxide框的0.6um，雙擊結束。Step6： 畫接觸孔Cont,調用我們之前畫好的，LMB點擊Create>Instance或點擊 圖標，或者點擊快捷鍵i，出現(xiàn)Create Instance表格。圖形旋轉，可以使用快捷鍵r。 查看調用的圖，curlt f 可顯示插入的圖形。3 ) NMOS版圖同Pmos版圖一樣，只不過不需要畫n阱，版圖默認襯底是P襯底。Step1：先畫氧化層，在layer 層次上選oxide，畫長寬為4.8，0.6長方形。Step2：畫Nimp層，點擊選中oxide

29、方框，選擇Advanced>Resize ,添加Nimp.dwg層, 生成比oxide層擴大0.6um ndiff。Step3: 畫柵極，選中Poly層，添加path, width 0.6um,修改后，點擊Apply確認，雙擊結束命令。4 ) INV 版圖Inv 可以通過調用已經(jīng)畫好PMOS NMOS的版圖形式來完成。Step1 ：快捷鍵i，添加調用pmos，noms單元layout視圖，使用ctrl-f 來查看內(nèi)部版圖。Step2 : poly層作為柵極，連接pmos,nmos版圖的柵極， 利用標尺來確定兩個單元視圖之間最小距離為3um。Step3：柵極作為輸入端口，與metl1 用c

30、ont 連接，如果輸入端的信號是由金屬二端口輸入的，那么金屬二與金屬一之間用via方孔連接。Step4：選用metl1層連接pmos,nmos漏極,作為信號輸出端，假設該輸出信號將由金屬2引出，同step3 步驟一樣。Step5：畫電源（vdd）和地(gnd)。Pmos的源極用線寬1.5um金屬1接電源，Nmos的漏極用金屬1寬度1.5um接地。在畫電源和地線時，寬度要寬一些。Step6：pmos 基極接電源，即阱要接電源；noms基極接地，即p襯底接地。保存，版圖繪制完畢。三 、實驗報告1.熟悉版圖設計流程2.版圖層次設計3.按照要求完成INV反相器的版圖設計4.熟悉ZENI layout版

31、圖設計思考題：為什么一個標準的倒相器中的P管的寬長比要比N管的大？實驗四 INV版圖DRC檢測一、 實驗目的1 版圖設計規(guī)則（DRC）檢測2.熟悉IC制造工藝文件二、 實驗內(nèi)容1. 通過用戶界面運行DRC版圖設計規(guī)則檢查（ DRC）：最小線寬、最小圖形間距、最小接觸孔尺寸、柵和源漏區(qū)的最小交疊等DRC 關于設計規(guī)則，包括邏輯要求，大小要求，空間要求的檢測，生成.rpt文件。“prvrulecontent”1. LMB點擊Options>Generic command，將Veryfiy>Working Path中的地址修改為“/student06”，或使用“Browse”來設置任意你

32、想要的目錄，即設置你工作路徑。圖像如下所示。.OK并保存選項表格。2. LMB點擊Verify>Layout Verification，出現(xiàn)一個Layout Verification表格。3. 在其中的“Tool”這個下拉菜單里選擇“Zeni Veri”。 4. 用“/zeni/v4627/demo/tutorial/PLL_demo/inv.drc”填寫在Command field（命令區(qū)）。5. 用戶也可以點擊“Edit”按鈕來瀏覽命令文件。6. 確認Layout Verification表格的內(nèi)容如下圖所示。7. 點擊OK，啟動DRC作業(yè)。Background按鈕可以使DRC作業(yè)以

33、后臺方式運行。對于更大型的DRC作業(yè)，這一點對于在等待DRC運行的時候，同時做其他任務是很有用的?！癓oad Report Automatically”（自動加載報告）按鈕可以在DRC作業(yè)完成的時候自動調出DRC的結果。如果沒有開啟這一功能，用戶可以在DRC作業(yè)完成的時候，通過點擊Verify>Load Report來查看DRC結果。8. Zterm-ldc表格出現(xiàn)。 關閉Zterm。2 瀏覽檢查DRC違規(guī)1. 如果Load Report Automatically選項沒有開啟，點擊Verify>Load Report來調出DRC違規(guī)報告。注意，DRC結果文件“inv.rpt”保存

34、在用戶自定義的工作路徑中。這種情況下，文件保存在“/student06”目錄下。確認File Type（文件類型）是Zeni Veri，然后點擊OK鍵，確認加載DRC錯誤。如下圖：2. LMB點擊Tools>Browse Marker，出現(xiàn)Browse Marker表格。3. 表格被分為兩半。左半部分列出了驗證工具，也就是說，Zeni可以調用其他EDA驗證工具的DRC結果，比如Dracula，Calibre和Hercules。右半部分列出了所有的DRC違規(guī)，用驗證工具列出在左側。這種情況下，只有一個DRC違規(guī)。4. 對于用戶來說，將Browse Marker表格移至屏幕的右下角，將可以瀏

35、覽整個版圖的完整界面而不被阻擋。5. LMB點擊DRC違規(guī)“EXT MET1 LT 0.50 OUTPUT err901”，相應的DRC錯誤就以白色標記的方式顯示在版圖編輯窗口中。如下圖所示。該DRC違規(guī)意味著兩個met1.dwg圖層的外部間距小于了0.50微米?，F(xiàn)在，在這個版圖中，間距為0.4微米。因此，用戶需要通過移動mpoly單元和m1m2單元的引用塊陣列來拉大間距。 將mpoly和m1m2單元的引用塊陣列向左側移動0.1微米。下圖顯示了兩個met1.dwg圖層的間距。6. 保存版圖，重新運行DRC，可以發(fā)現(xiàn)，DRC結果中，沒有DRC違規(guī)的報告了。在這部分中，我們學會了使用ZeniDRC

36、工具來運行DRC檢查，顯示和檢查DRC找到的版圖錯誤。三、實驗報告1、熟悉ZENI工具平臺2、熟悉DRC工藝文件命令、查看檢測結果并修改3、心得體會及其其他實驗五 LVS版圖原理圖一致性檢查一、實驗目的版圖對原理圖驗證（Layout-Versus-Schematic, LVS）用于將在原理圖中提取和仿真的電路和在版圖中提取的電路進行對比。二、 實驗內(nèi)容及步驟 INV版圖檢查Zeni工具首先在版圖中進行電路提取。版圖首先被檢查，然后器件的結構和相互間的連接關系就被定義出來。據(jù)此，就產(chǎn)生了代表版圖中電路的網(wǎng)表。第二個網(wǎng)表是由原理圖產(chǎn)生的。如果這兩個網(wǎng)表在進行對比的時候有任何差異，Zeni工具將會檢查并顯示出來，進行錯誤的修改。將利用交互式LVS進行反相器版圖和原理圖間的同構比較。同時，采用LVS Debugger-LDX進行查找和顯示LVS錯誤。1. 進入工作目錄2. dm &3. 出現(xiàn)ZDM窗口。4. 在ZDM窗口中，從左到右依次點擊：INV1>inv1>layout（雙擊打開版圖界面）5. 打開原理圖界面“inv1.schematic”。6. LMB點擊Options>