薄膜物理-CH6溶液鍍膜法ppt課件

1、溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù) 溶液鍍膜是指在溶液中利用化學(xué)反響或電化學(xué)反溶液鍍膜是指在溶液中利用化學(xué)反響或電化學(xué)反響等化學(xué)方法在基片外表堆積薄膜的技術(shù)。響等化學(xué)方法在基片外表堆積薄膜的技術(shù)。 溶液鍍膜技術(shù)不需求真空條件，設(shè)備儀器簡(jiǎn)單，溶液鍍膜技術(shù)不需求真空條件，設(shè)備儀器簡(jiǎn)單，可在各種基體外表成膜，原料易得，在電子元器件、可在各種基體外表成膜，原料易得，在電子元器件、外表途覆和裝飾等方面得到廣泛運(yùn)用。外表途覆和裝飾等方面得到廣泛運(yùn)用。 化學(xué)反響堆積化學(xué)反響堆積 Sol-Gel Sol-Gel技術(shù)技術(shù) 陽(yáng)極氧化技術(shù)陽(yáng)極氧化技術(shù) 電鍍技術(shù)電鍍技術(shù) LB LB技術(shù)技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)化學(xué)鍍膜化學(xué)鍍

2、膜q 化學(xué)鍍膜化學(xué)鍍膜 化學(xué)鍍膜是指在復(fù)原劑的作用下，使金屬鹽中的金屬化學(xué)鍍膜是指在復(fù)原劑的作用下，使金屬鹽中的金屬離子復(fù)原成原子，在基片外表堆積的鍍膜技術(shù)，又稱無(wú)電離子復(fù)原成原子，在基片外表堆積的鍍膜技術(shù)，又稱無(wú)電源電鍍。源電鍍。q 化學(xué)鍍膜與化學(xué)堆積鍍膜的區(qū)別：化學(xué)鍍膜與化學(xué)堆積鍍膜的區(qū)別： 化學(xué)鍍膜的復(fù)原反響必需在催化劑的作用下才干進(jìn)展，化學(xué)鍍膜的復(fù)原反響必需在催化劑的作用下才干進(jìn)展，且堆積反響只發(fā)生在基片外表上。且堆積反響只發(fā)生在基片外表上。 化學(xué)堆積鍍膜的復(fù)原反響是在整個(gè)溶液中均勻發(fā)生的，化學(xué)堆積鍍膜的復(fù)原反響是在整個(gè)溶液中均勻發(fā)生的，只需一部分金屬在基片上構(gòu)成薄膜，大部分構(gòu)成粉粒堆

3、積物。只需一部分金屬在基片上構(gòu)成薄膜，大部分構(gòu)成粉粒堆積物。溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)化學(xué)鍍膜化學(xué)鍍膜化學(xué)鍍膜是在催化條件下的氧化復(fù)原過(guò)程。化學(xué)鍍膜是在催化條件下的氧化復(fù)原過(guò)程。q 自催化自催化 催化劑是指能提供或激活化學(xué)反響，而本身又不發(fā)催化劑是指能提供或激活化學(xué)反響，而本身又不發(fā)生化學(xué)變化的物質(zhì)。生化學(xué)變化的物質(zhì)。 自催化是指參與反響物或產(chǎn)物之一具有催化作用的自催化是指參與反響物或產(chǎn)物之一具有催化作用的反響過(guò)程。反響過(guò)程。 化學(xué)鍍膜普通采用自催化化學(xué)鍍膜機(jī)制，靠被鍍金化學(xué)鍍膜普通采用自催化化學(xué)鍍膜機(jī)制，靠被鍍金屬本身的自催化作用完成鍍膜過(guò)程。屬本身的自催化作用完成鍍膜過(guò)程。 通常所謂的化學(xué)鍍

4、膜均是指自催化化學(xué)鍍膜。通常所謂的化學(xué)鍍膜均是指自催化化學(xué)鍍膜。溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)化學(xué)鍍膜化學(xué)鍍膜q 自催化化學(xué)鍍膜的優(yōu)點(diǎn)自催化化學(xué)鍍膜的優(yōu)點(diǎn)可以在復(fù)雜外形外表構(gòu)成薄膜；可以在復(fù)雜外形外表構(gòu)成薄膜；薄膜的孔隙率較低；薄膜的孔隙率較低；可直接在塑料、陶瓷、玻璃等非導(dǎo)體外表制備薄可直接在塑料、陶瓷、玻璃等非導(dǎo)體外表制備薄膜；膜；薄膜具有特殊的物理、化學(xué)性能；薄膜具有特殊的物理、化學(xué)性能；不需求電源，沒(méi)有導(dǎo)電電極。不需求電源，沒(méi)有導(dǎo)電電極。 廣泛用于制備廣泛用于制備Ni、Co、Fe、Cu、Pt、Pd、Ag、Au等等金屬或合金薄膜。金屬或合金薄膜。溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)化學(xué)鍍膜化學(xué)鍍膜 由于化

5、學(xué)鍍技術(shù)廢液排放少，對(duì)環(huán)境污染小以及本錢(qián)由于化學(xué)鍍技術(shù)廢液排放少，對(duì)環(huán)境污染小以及本錢(qián)較低，在許多領(lǐng)域已逐漸取代電鍍，成為一種環(huán)保型的外較低，在許多領(lǐng)域已逐漸取代電鍍，成為一種環(huán)保型的外表處置工藝。表處置工藝。 目前，化學(xué)鍍技術(shù)已在電子、閥門(mén)制造、機(jī)械、石油目前，化學(xué)鍍技術(shù)已在電子、閥門(mén)制造、機(jī)械、石油化工、汽車、航空航天等工業(yè)中得到廣泛的運(yùn)用。化工、汽車、航空航天等工業(yè)中得到廣泛的運(yùn)用。 反響通式反響通式+n0M + ne() M 催化表面來(lái)自還原劑溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)化學(xué)鍍膜化學(xué)鍍膜q 化學(xué)鍍鎳化學(xué)鍍鎳 化學(xué)鍍鎳，又稱無(wú)電解鍍鎳，是利用氧化復(fù)原反響，化學(xué)鍍鎳，又稱無(wú)電解鍍鎳，是利用氧化

6、復(fù)原反響，在工件外表堆積出非晶態(tài)在工件外表堆積出非晶態(tài)Ni-P、Ni-P-B合金鍍層的高新合金鍍層的高新外表處置技術(shù)，已在電子、機(jī)械、石油化工、汽車、航外表處置技術(shù)，已在電子、機(jī)械、石油化工、汽車、航空航天等工業(yè)中得到廣泛的運(yùn)用。空航天等工業(yè)中得到廣泛的運(yùn)用。 耐腐蝕性強(qiáng)，耐磨性好，外表硬度高；耐腐蝕性強(qiáng)，耐磨性好，外表硬度高； 耐高溫、低電阻、可焊性好；耐高溫、低電阻、可焊性好； 可鍍外形復(fù)雜：工件外形不受限制，可處置較深的盲孔和可鍍外形復(fù)雜：工件外形不受限制，可處置較深的盲孔和外形復(fù)雜的內(nèi)腔；外形復(fù)雜的內(nèi)腔； 被鍍資料廣泛：可在鋼、銅、鋁、鋅、塑料、尼龍、玻璃、被鍍資料廣泛：可在鋼、銅、鋁

7、、鋅、塑料、尼龍、玻璃、橡膠、木材等資料上鍍膜。橡膠、木材等資料上鍍膜。溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)化學(xué)鍍膜化學(xué)鍍膜_2+2223H PO + H OHPO + H + 2H 表面催化2+Ni + 2HNi + 2H 22HH _222H PO + HH O + OH + P _2+2+2223Ni+ H PO +H OHPO + 3H + Ni 表面催化總反響式：總反響式：溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)化學(xué)鍍膜化學(xué)鍍膜化學(xué)鍍?cè)O(shè)備Electroless plating equipment 溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)化學(xué)鍍膜化學(xué)鍍膜化學(xué)鍍Ni-P-B活塞化學(xué)鍍Ni-P塑料模具 化學(xué)鍍Ni-P鋁質(zhì)天線盒 溶液

8、鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)化學(xué)鍍膜化學(xué)鍍膜q 多層多層PCB技術(shù)中的化學(xué)鍍膜技術(shù)中的化學(xué)鍍膜Layer 1 (Outer)Layer 6 (Outer)Layer 2 (Inner)Layer 3 (Inner)Layer 4 (Inner)Layer 5 (Inner)FOILFOILPRE-PREGPRE-PREGPRE-PREGINNER LAYERINNER LAYERCopperLaminate溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)化學(xué)鍍膜化學(xué)鍍膜Drilling of Bonded PanelLayer 1Layer 6Layer 2Layer 3Layer 4Layer 5CopperLaminat

9、eDrilled Hole溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)化學(xué)鍍膜化學(xué)鍍膜Electroless Copper ProcessAddition of Copper to all Exposed SurfacesLayer 1Layer 6Layer 2Layer 3Layer 4Layer 5CopperDrilled Hole溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)化學(xué)鍍膜化學(xué)鍍膜Layer 1Layer 6Layer 2Layer 3Layer 4Layer 5Laminating and Imaging of External LayersUV sensitive film is laminated over

10、top and bottomsurfaces of PCBIt is then exposed and developed, leaving an exposed image of the PCB patternCopper溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)化學(xué)鍍膜化學(xué)鍍膜Layer 1Layer 6Layer 2Layer 3Layer 4Layer 5Electro-plating Process 1Additional Copper to all Exposed SurfacesLaminated FilmPlate Additional Copper溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)化學(xué)鍍膜化學(xué)鍍膜Lay

11、er 1Layer 6Layer 2Layer 3Layer 4Layer 5Electro-plating Process 2Add Tin over Exposed Copper AreasLaminated FilmAdditional CopperTin Plating溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)化學(xué)鍍膜化學(xué)鍍膜Layer 1Layer 6Layer 2Layer 3Layer 4Layer 5Electro-plating Process 3Remove Laminated FilmLaminated Film RemovedTin Plating溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)化學(xué)鍍膜化學(xué)鍍膜

12、Etch Process - Remove Exposed CopperCopper RemovedTin PlatingLayer 1Layer 6Layer 2Layer 3Layer 4Layer 5溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)化學(xué)鍍膜化學(xué)鍍膜Layer 1Layer 6Layer 2Layer 3Layer 4Layer 5Tin Strip - Remove Tin PlatingTin Plating Removed溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)化學(xué)鍍膜化學(xué)鍍膜PCB is now complete except forsurface finishes and panel routingLa

13、yer 6Layer 1Via HoleSMD PadTracksTracks溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)化學(xué)鍍膜化學(xué)鍍膜Solder Mask Application- Curtain Coated MethodLayer 6Layer 1Apply Liquid Photo-imageable Resist, then Dry溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)化學(xué)鍍膜化學(xué)鍍膜Solder Mask ApplicationImage, Develop and CureLayer 6Layer 1UV Image, Develop and Cure溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)化學(xué)鍍膜化學(xué)鍍膜Surface Fi

14、nish ProcessLayer 6Layer 1Apply Solder to Exposed Copper Areas溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)化學(xué)鍍膜化學(xué)鍍膜Component NotationR34IC3SCL2 9624溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)Sol-Gel技術(shù)技術(shù)q Sol-gel工藝原理工藝原理 Sol-Gel工藝廣泛用于制備玻璃、陶瓷和超微構(gòu)造復(fù)合工藝廣泛用于制備玻璃、陶瓷和超微構(gòu)造復(fù)合資料。資料。 采用金屬醇鹽或其它鹽類作為原料，通常溶解在醇、采用金屬醇鹽或其它鹽類作為原料，通常溶解在醇、醚等有機(jī)溶劑中構(gòu)成均勻溶液醚等有機(jī)溶劑中構(gòu)成均勻溶液solution，該溶液經(jīng)過(guò)水，該溶

15、液經(jīng)過(guò)水解和縮聚反響構(gòu)成溶膠解和縮聚反響構(gòu)成溶膠sol，進(jìn)一步聚合反響實(shí)現(xiàn)溶膠，進(jìn)一步聚合反響實(shí)現(xiàn)溶膠-凝膠轉(zhuǎn)變構(gòu)成凝膠凝膠轉(zhuǎn)變構(gòu)成凝膠gel，在經(jīng)過(guò)熱處置脫除溶劑和水，在經(jīng)過(guò)熱處置脫除溶劑和水，最后構(gòu)成薄膜。最后構(gòu)成薄膜。溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)Sol-Gel技術(shù)技術(shù)q Sol-gel 技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)高度均勻性；高度均勻性；高純度；高純度；可降低燒結(jié)溫度；可降低燒結(jié)溫度；可制備非晶態(tài)薄膜；可制備非晶態(tài)薄膜；可制備特殊資料薄膜、纖維、粉體、多孔資料等可制備特殊資料薄膜、纖維、粉體、多孔資料等溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)Sol-Gel技術(shù)技術(shù)q Sol-gel 技術(shù)的缺陷技術(shù)的缺陷 原料價(jià)錢(qián)高

16、；原料價(jià)錢(qián)高； 收縮率高，容易開(kāi)裂；收縮率高，容易開(kāi)裂； 存在剩余微氣孔；存在剩余微氣孔； 存在剩余的羥基、碳等；存在剩余的羥基、碳等； 有機(jī)溶劑有毒；有機(jī)溶劑有毒； 工藝周期較長(zhǎng)。工藝周期較長(zhǎng)。溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)Sol-Gel技術(shù)技術(shù)q Sol-gel 技術(shù)制備薄膜的主要步驟技術(shù)制備薄膜的主要步驟 復(fù)合醇鹽的制備；復(fù)合醇鹽的制備； 成膜勻膠、浸漬提拉；成膜勻膠、浸漬提拉； 水解和聚合；水解和聚合； 枯燥；枯燥； 焙燒。焙燒。溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)Sol-Gel技術(shù)技術(shù)q Sol-gel 反響的物理化學(xué)過(guò)程反響的物理化學(xué)過(guò)程 水解反響：水解反響：n2n-M(OR) + H O (RO)

17、MOH + ROHxxx式中，式中，M是金屬原子，是金屬原子，R是烷烴基。是烷烴基。 聚合反響：聚合反響：2MOH + HOM MOM + H O （水）MOH + ROM MOM + ROH （醇）溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)Sol-Gel技術(shù)技術(shù)q Sol-gel 法制備薄膜實(shí)例法制備薄膜實(shí)例25424425Ti(OC H ) + 4H O H TiO + 4C H OH4422120H TiO TiO 2H O 加熱Sol-Gel技術(shù)制備技術(shù)制備TiO2薄膜：薄膜：25424425Si(OC H ) + 4H O H SiO + 4C H OH4422120H SiO SiO 2H O 加熱

18、Sol-Gel技術(shù)制備技術(shù)制備SiO2薄膜：薄膜：溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)陽(yáng)極氧化技術(shù)陽(yáng)極氧化技術(shù) 金屬或合金在適當(dāng)?shù)碾娊庖褐凶鳛殛?yáng)極，并施加一定金屬或合金在適當(dāng)?shù)碾娊庖褐凶鳛殛?yáng)極，并施加一定的直流電壓，由于電化學(xué)反響在陽(yáng)極外表構(gòu)成氧化物薄膜的直流電壓，由于電化學(xué)反響在陽(yáng)極外表構(gòu)成氧化物薄膜的方法，稱為陽(yáng)極氧化技術(shù)。的方法，稱為陽(yáng)極氧化技術(shù)。q 陽(yáng)極氧化薄膜構(gòu)成過(guò)程陽(yáng)極氧化薄膜構(gòu)成過(guò)程+2nM + nH O MO + 2nH + 2ne 2n+M M + 2ne +2n+n2MO + 2nH M + nH O 金屬氧化：金屬氧化：金屬溶解：金屬溶解：氧化物溶解：氧化物溶解：溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜

19、技術(shù)陽(yáng)極氧化技術(shù)陽(yáng)極氧化技術(shù) 在薄膜構(gòu)成初期，同時(shí)存在金屬氧化和金屬溶解反響。在薄膜構(gòu)成初期，同時(shí)存在金屬氧化和金屬溶解反響。溶解反響產(chǎn)生水合金屬離子，生成由氫氧化物或氧化物組溶解反響產(chǎn)生水合金屬離子，生成由氫氧化物或氧化物組成的膠態(tài)狀沉淀氧化物。成的膠態(tài)狀沉淀氧化物。 氧化膜鍍覆后，金屬活化溶解停頓，繼續(xù)氧化反響是氧化膜鍍覆后，金屬活化溶解停頓，繼續(xù)氧化反響是金屬離子和電子穿過(guò)絕緣性氧化物在膜外表構(gòu)成氧化物。金屬離子和電子穿過(guò)絕緣性氧化物在膜外表構(gòu)成氧化物。 為繼續(xù)由離子挪動(dòng)而構(gòu)成的薄膜生長(zhǎng)，需求一定強(qiáng)度為繼續(xù)由離子挪動(dòng)而構(gòu)成的薄膜生長(zhǎng)，需求一定強(qiáng)度的電場(chǎng)。此電場(chǎng)大約是的電場(chǎng)。此電場(chǎng)大約是7

20、106V/cm。溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)陽(yáng)極氧化技術(shù)陽(yáng)極氧化技術(shù)q 陽(yáng)極氧化薄膜特點(diǎn)陽(yáng)極氧化薄膜特點(diǎn) 采用陽(yáng)極氧化法生成的氧化膜的構(gòu)造、性質(zhì)、顏色隨采用陽(yáng)極氧化法生成的氧化膜的構(gòu)造、性質(zhì)、顏色隨電解液的種類、電解條件的不同而變化。電解液的種類、電解條件的不同而變化。溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)陽(yáng)極氧化技術(shù)陽(yáng)極氧化技術(shù) 用陽(yáng)極氧化法得到的氧化物薄膜大多是無(wú)定形構(gòu)造。由用陽(yáng)極氧化法得到的氧化物薄膜大多是無(wú)定形構(gòu)造。由于多孔性使得外表積特別大，所以顯示明顯的活性，既可吸于多孔性使得外表積特別大，所以顯示明顯的活性，既可吸附染料也可吸附氣體。附染料也可吸附氣體。 化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定的超硬薄膜耐磨損性強(qiáng)，用封孔處

21、置法可化學(xué)性質(zhì)穩(wěn)定的超硬薄膜耐磨損性強(qiáng)，用封孔處置法可將孔隙塞住，使薄膜具有更好耐蝕性和絕緣性。將孔隙塞住，使薄膜具有更好耐蝕性和絕緣性。 利用著色法可以便膜具有裝飾效果。利用著色法可以便膜具有裝飾效果。q 陽(yáng)極氧化技術(shù)在微電子領(lǐng)域中的運(yùn)用陽(yáng)極氧化技術(shù)在微電子領(lǐng)域中的運(yùn)用 在電子學(xué)領(lǐng)域，在電子學(xué)領(lǐng)域，-族化合物半導(dǎo)體資料遭到廣泛注族化合物半導(dǎo)體資料遭到廣泛注重。這是由于它具有硅資料不具備的性能，并可制取特殊功重。這是由于它具有硅資料不具備的性能，并可制取特殊功能器件。使器件外表鈍化薄膜、氧化膜、絕緣膜等。能器件。使器件外表鈍化薄膜、氧化膜、絕緣膜等。溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)電鍍法電鍍法 電鍍是

22、指在含有被鍍金屬離子的水溶液中通入直流電流，電鍍是指在含有被鍍金屬離子的水溶液中通入直流電流，使正離子在陰極外表堆積，得到金屬薄膜的工藝過(guò)程。使正離子在陰極外表堆積，得到金屬薄膜的工藝過(guò)程。q 電鍍系統(tǒng)的構(gòu)成電鍍系統(tǒng)的構(gòu)成 電解池的正極，即陽(yáng)極，普通情況下由鈦構(gòu)成的，鈦電解池的正極，即陽(yáng)極，普通情況下由鈦構(gòu)成的，鈦的上面有一層鉑，以到達(dá)更好的導(dǎo)電效果。預(yù)備電鍍的部的上面有一層鉑，以到達(dá)更好的導(dǎo)電效果。預(yù)備電鍍的部件基片為負(fù)極。件基片為負(fù)極。 這里，關(guān)鍵的要素是電解質(zhì)及電解液，它的組成會(huì)影這里，關(guān)鍵的要素是電解質(zhì)及電解液，它的組成會(huì)影響相關(guān)的化學(xué)反響和電鍍效果。響相關(guān)的化學(xué)反響和電鍍效果。 常見(jiàn)

23、的電解質(zhì)均為各種鹽或絡(luò)合物的水溶液。常見(jiàn)的電解質(zhì)均為各種鹽或絡(luò)合物的水溶液。溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)電鍍法電鍍法q 電鍍過(guò)程的根本原理電鍍過(guò)程的根本原理 兩個(gè)電極浸入電解液中，兩個(gè)電極浸入電解液中，并銜接外部直流電源；并銜接外部直流電源； 假設(shè)金屬假設(shè)金屬A與電解液的組與電解液的組適宜當(dāng)，金屬適宜當(dāng)，金屬A將溶解，構(gòu)將溶解，構(gòu)成金屬離子成金屬離子A+； 在直流電流的驅(qū)動(dòng)下，金在直流電流的驅(qū)動(dòng)下，金屬離子屬離子A+遷移到遷移到B； 在基片在基片B，金屬離子得到，金屬離子得到電子被復(fù)原。電子被復(fù)原。AB溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)電鍍法電鍍法q Faraday 定律鍍層厚度與時(shí)間和電流的關(guān)系定律鍍層厚

24、度與時(shí)間和電流的關(guān)系 Definitions m: coating metal weight p: metal density; T: plating time; M: metal atomic weight n: valence of metal ions; F: Faraday Constant; I(d): current density; S: coating area; h: coating thickness; m=K*Q m=K*I*T m=(M/nF)*(I(d)*S)*T p*v=m p*S*h=(M/nF)*(I(d)*S)*T p*h=(M/nF)*I(d)*T h=(1

25、/p)*(M/nF)*I(d)*T h=constant*I(d)*T溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)電鍍法電鍍法q 電鍍過(guò)程的特點(diǎn)電鍍過(guò)程的特點(diǎn) 膜層缺陷：孔隙、裂紋、雜質(zhì)污染、凹坑等；膜層缺陷：孔隙、裂紋、雜質(zhì)污染、凹坑等； 上述缺陷可以由電鍍工藝條件控制；上述缺陷可以由電鍍工藝條件控制； 限制電鍍運(yùn)用的最重要要素之一是拐角處鍍層的構(gòu)限制電鍍運(yùn)用的最重要要素之一是拐角處鍍層的構(gòu)成；成； 在拐角或邊緣電鍍層厚度大約是中心厚度的兩倍；在拐角或邊緣電鍍層厚度大約是中心厚度的兩倍； 多數(shù)被鍍件是圓形，可降低上述效應(yīng)的影響。多數(shù)被鍍件是圓形，可降低上述效應(yīng)的影響。溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)LB技術(shù)技術(shù) Lan

26、gmuir-Blodgett技術(shù)技術(shù)LB技術(shù)是指把液體外表的技術(shù)是指把液體外表的有機(jī)單分子膜轉(zhuǎn)移到固體襯底外表上的一種成膜技術(shù)。得有機(jī)單分子膜轉(zhuǎn)移到固體襯底外表上的一種成膜技術(shù)。得到的有機(jī)薄膜稱為到的有機(jī)薄膜稱為L(zhǎng)B薄膜。薄膜。 根本原理類似與外表活性劑。其分子具有兩性基。根本原理類似與外表活性劑。其分子具有兩性基。 親水基：羧基親水基：羧基-COOH，醇基，醇基-OH等；等； 增水基：烷烴基，烯烴基，芳香烴基等；增水基：烷烴基，烯烴基，芳香烴基等；溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)LB法制膜技術(shù)法制膜技術(shù)CH3CH2COOH親水基親水基親油基親油基水水溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)LB法制膜技術(shù)法制膜技術(shù)q

27、 單分子層的轉(zhuǎn)移單分子層的轉(zhuǎn)移 根據(jù)薄膜分子在基片上的相對(duì)取向，根據(jù)薄膜分子在基片上的相對(duì)取向，LB薄膜可分為薄膜可分為X型、型、Y型、型、Z型三種類型。型三種類型。LB薄膜每層分子的親油基指向基片外表薄膜每層分子的親油基指向基片外表溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)LB法制膜技術(shù)法制膜技術(shù)LB薄膜每層分子的親水基指向基片外表薄膜每層分子的親水基指向基片外表溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)LB法制膜技術(shù)法制膜技術(shù)LB薄膜每層分子的親水基與親水基相連，薄膜每層分子的親水基與親水基相連，親油基與親油基相連親油基與親油基相連溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)LB法制膜技術(shù)法制膜技術(shù)q 制膜技術(shù)和安裝制膜技術(shù)和安裝 水槽水槽 刮膜板刮膜板 外表壓傳感器外表壓傳感器 提膜安裝提膜安裝溶液鍍膜技術(shù)溶液鍍膜技術(shù)LB法制膜技術(shù)法制膜技術(shù)q LB薄膜的特點(diǎn)薄膜的特點(diǎn)優(yōu)點(diǎn)：優(yōu)點(diǎn)： LB薄膜中分子有序定向陳列，這是一個(gè)重薄膜中分子有序定向陳列，這是一個(gè)重要特點(diǎn)；要特點(diǎn)； 很多資料都可以用很多資料都可以用LB技術(shù)成膜，技術(shù)成膜