微機(jī)原理第五章練習(xí)題及解._第1頁
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文檔簡介

1、微機(jī)原理第五章練習(xí)題及解一:單項(xiàng)選擇題80286在保護(hù)虛地址模式下 ,虛擬空間為 ( D 。A:1MB B:2MB C:4MB D:16MB80486DX和 80386相比,內(nèi)部增加的功能部件是 ( C 。A: 分段部件、分頁部件 B: 預(yù)取部件、譯碼部件C:Cache、浮點(diǎn)運(yùn)算部件 D:執(zhí)行部件、總線接口部件,它要在硬件之間進(jìn)虛擬存儲(chǔ)器是為了使用戶可運(yùn)行比主存容量大得多的程序行信息動(dòng)態(tài)調(diào)度 ,這種調(diào)度是由 ( D 來完成的。A: 硬件 B:操作系統(tǒng)C:BIOS D: 操作系統(tǒng)和硬在各種輔存中 ,除去( D 外,大多是便于安裝、卸載和攜帶的。A:軟盤 B:CD-ROM C:磁帶 D:硬盤硬盤是

2、一種外設(shè) ,而軟盤驅(qū)動(dòng)器屬于 ( C 。A:軟盤 B:CD-ROM C:磁帶 D:硬盤常用的虛擬存儲(chǔ)器尋址系統(tǒng)由 ( A 兩級(jí)存儲(chǔ)器組成。A:主存 外存 B:Cache主存C:Cache 主存 D:Cache Cache高速緩存 Cache的存取速度 ( CA: 比主存慢、比外存快 B: 比主存慢、比內(nèi)部寄存器快C:比主存快、比內(nèi)部寄存器慢 D: 比主存慢、比內(nèi)部寄存器慢 在PC機(jī)中,CPU訪問各類存儲(chǔ)器的頻率由高到低為 ( A 。A: 高速緩存、主存、硬盤、磁帶 B:主存、硬盤、磁帶、高速緩存 C:硬盤、主存、磁帶、高速緩存 D:硬盤、高速緩存、主存、磁帶 下列說法中正確的是 ( D 。A:

3、EPROM 是不能改寫的B:EPROM 可以改寫 ,所以也是一種讀寫存儲(chǔ)器C:EPROM 只能改寫一次D:EPROM可以改寫 ,但不能取代讀寫存儲(chǔ)器目標(biāo)程序中將邏輯地址轉(zhuǎn)換成物理地址稱為 ( B 。A: 存儲(chǔ)分配 B:地址重定位C:地址保護(hù) D:程序移動(dòng)高速緩沖存儲(chǔ)器 Cache的作用是( D 。A: 硬盤與主存儲(chǔ)器間的緩沖 B:軟盤盤與主存儲(chǔ)器間的緩沖C:CPU與視頻設(shè)備間的緩沖 D:CPU 與主存儲(chǔ)器間的緩沖 若256KB的 SRAM 有8條數(shù)據(jù)線,則它有( B 地址線。A:8條 B:18條C:20條 D:256條Cache存儲(chǔ)器一般采用 SRAM,而內(nèi)存條由 ( D 組成A:ROM B:

4、PROM C:DRAM D:SDRAM某SRAM 芯片容量為 8K×8,組成32KB 存儲(chǔ)系統(tǒng)所用芯片數(shù)為 ( BA:2片 B:4片 C:8片 D:16片保護(hù)模式下程序的最大地址空間是 ( D 。A:4KB B:1MKB C:2GB D:4GB有關(guān) SRAM 和 DRAM 的正確敘述是 ( A 。A:DRAM 比 SRAM 的集成度高B:DRAM 比 SRAM 的成本高C:DRAM 比 SRAM 的速度快D:DRAM 比 SRAM 的使用簡單光盤驅(qū)動(dòng)器的核心裝置是 ( D 。A: 定位機(jī)構(gòu) B:驅(qū)動(dòng)電路C:光頭裝置 D:主軸驅(qū)動(dòng)機(jī)構(gòu)硬盤與內(nèi)存交換數(shù)據(jù)時(shí) ,由( C 控制。A: 適配器

5、 B:地址譯碼器C:DMA 控制器 D:三態(tài)數(shù)據(jù)緩沖器計(jì)算機(jī)中保護(hù)斷點(diǎn)和現(xiàn)場應(yīng)使用 ( D 。A:ROM B: 中斷相量表C:寄存器 D: 堆棧若CPU有64GB的尋址能力,則CPU的地址總線有 ( B 。A:64條 B:36條 C:32條 D:24條易失性存儲(chǔ)器是 ( D 。A:ROM B:PROM C:EEPROM D:RAM容量為 8KB 的 SRAM 的起始地址為 2000H,則終止地址為 ( D 。A:21FFH B:23FFH C:27FFH D:3FFFH磁盤上的磁道是 ( A 。A: 記錄密度不同的同心圓 B:記錄密度相同的同心圓C:記錄密度不同的扇區(qū) D: 記錄密度相同的扇區(qū)

6、下列存儲(chǔ)器中 ,按記錄密度從低到高的順序?yàn)?( C 。A: 軟盤、硬盤、光盤、磁帶 B:磁帶、硬盤、軟盤、光盤C:磁帶、軟盤、硬盤、光盤 D:硬盤、軟盤、磁帶、光盤目前 PC機(jī)主板上的 ROM-BIOS 為( C 。A:PROM B:EPROM C:EEPROM D:DRAM下列內(nèi)存條類型中 ,速度最快的是 ( A 。A:EDO B:DRAM C:SDRAM D:RDRAM若顯示器的最高分辯率為 1280×1024、24位,所需最小緩存為 ( CA:1MB B:2MB C:4MB D:6MB段頁式存儲(chǔ)管理中 ,虛擬地址空間是 ( BA: 一維 B:二維 C:三維 D:層次常用虛擬存儲(chǔ)

7、器尋址系統(tǒng)由 ( A 組成。A:主存 外存 B:Cacle主存C:Cacle外存 D:CacheCache存儲(chǔ)器系統(tǒng)中 10KBRAM 的尋址范圍為 ( A 。A:0000H2BFFH B:0000H0FFFHC:0000H03FFH D:0000H4AFFH用容量 64K×1的RAM 芯片構(gòu)成 1MB 的存儲(chǔ)器系統(tǒng)需要芯片數(shù)為 ( D 。A:16 B:32 C:64 D:128在存儲(chǔ)器組織中 ,存儲(chǔ)單元無重疊地址的控制方式是 ( C 。A: 線選控制法 B:部分譯碼控制C:全譯碼控制 D:都可以用MB 表示存儲(chǔ)器容量時(shí) ,1MB等于( C 。A:210個(gè)字節(jié) B:216個(gè)字節(jié) C:

8、220個(gè)字節(jié) D:232 個(gè)字節(jié)某I/O接口芯片中的 I/O 端口地址為 0330H033FH,它的片內(nèi)地址線有 ( BA:2條 B:4條 C:8條D:16條下列敘述中 ,正確的是 ( B 。A:1KB=1024×1024B B:1KB=1024BC:1KB=1024MB D:1MB=1024B下面關(guān)于 RAM 、 ROM 的敘述中 ,正確的是 ( C 。A:ROM 在系統(tǒng)工作時(shí)即能讀也能寫 B:掉電后,ROM 中存放的數(shù)據(jù)會(huì)丟失 C:RAM 在系統(tǒng)工作時(shí)即能讀也能寫 D:掉電后 ,RAM 中存放的數(shù)據(jù)不丟失 采用虛 擬存儲(chǔ)器的目的是 ( C 。A: 提高主存的速度 B:擴(kuò)大外存的容

9、量C:擴(kuò)大內(nèi)存的尋址空間 D: 提高外存的速度與內(nèi)存儲(chǔ)器相比 ,外存儲(chǔ)器的主要特點(diǎn)是 ( B 。A: 容量大、速度快、成本低 B:容量大、速度慢、成本低C:容量小、速度快、成本低 D:容量小、速度快、成本低Cache的出現(xiàn)是為了解決 ( D 。A:軟盤速度不滿足 CPU 的要求 B:硬盤速度不滿足 CPU的要求C:光驅(qū)速度不滿足 CPU 的要求 D:主存速度不滿足 CPU的要求保護(hù)模式下 ,80286CPU的虛擬空間為 1GB,實(shí)際地址空間為 ( C 。A:1MB B:4MB C:16MB D:64MB8086CPU中,關(guān)于存儲(chǔ)器的敘述 ,錯(cuò)誤的是 ( D 。A: 內(nèi)存儲(chǔ)器由半導(dǎo)體器件構(gòu)成 B

10、:當(dāng)前正在執(zhí)行的指令應(yīng)放在內(nèi)存中C:字節(jié)是內(nèi)存的基本編址單位 D: 一次讀寫操作僅能訪問一個(gè)存儲(chǔ)器單元 DRAM芯片 2164中,對存儲(chǔ)器刷新的方法是每次 ( D 。A: 一個(gè)單元 B:全部單元 C:256 個(gè)單元 D:512 個(gè)單元存儲(chǔ)周期是指是 ( B 。C:從存A: 向存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)的時(shí)間 B:兩次存儲(chǔ)單元讀或?qū)懖僮鞯拈g隔時(shí)間 儲(chǔ)單元讀取數(shù)據(jù)的時(shí)間 D:寫一次再讀一次所需的時(shí)間在當(dāng)前 PC機(jī)主板上,ROM BIOS的存儲(chǔ)器載體是 ( C 。A:PROM B:EPROM C:EEPROM D:DRAM通常所說的 32位機(jī)是指( A 。A:CPU 字長為 32位 B:寄存器數(shù)量為 32 個(gè)

11、C:存儲(chǔ)器單元數(shù)據(jù)位為 32位 D:地址總線寬度為 32位PentiumCPU復(fù)位后,首先進(jìn)入的工作模式是 ( A 。A: 實(shí)模式 B:保護(hù)模式C:虛擬 8086 模式 D:系統(tǒng)管理模式目前大多數(shù)存儲(chǔ)器芯片使用的半導(dǎo)體器件是 ( B 。A:TTL B:CMOS C:ECL D:I2C在 32 位計(jì)算機(jī)中 ,一個(gè)字節(jié) (byte 由( B 位 (bit 組成。A:4 B:8 C:16 D:32一臺(tái) PC微機(jī)的內(nèi)存為 8MB,該機(jī)所用 CPU的型號(hào)至少是 ( B 。A:8086CPU B:80286CPU C:80386CPU D:80486CPU二:填空題磁盤是直接存儲(chǔ)器 ,磁帶是 (順序存儲(chǔ)器

12、。半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的主要性能指標(biāo)是 (存儲(chǔ)容量、 (存取時(shí)間和 (功耗。計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中 ,內(nèi)存使用(半導(dǎo)體材料存儲(chǔ)器 ,外存使用 (磁材料和(光 材料存儲(chǔ)器。 RAM稱為(隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 ,是英文(Random Acess Memory 的縮寫。 ROM稱為(只讀存儲(chǔ)器 ,是英文(Read Only Memory 的縮寫。 SRAM稱為(靜態(tài)存儲(chǔ)器 ,每個(gè)存儲(chǔ)位由 ( 6 個(gè)場效應(yīng)管組成。 DRAM稱為(動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器 ,每個(gè)存儲(chǔ)位由 ( 1 個(gè)場效應(yīng)管加電容組成。 相對而言,SRAM比DRAM 的集成度(低;外圍電路更 (簡單。DRAM用電容保持信息 ,由于電容的漏電 DRAM 需要 (定時(shí)刷新電路。

13、PROM稱為(一次編程 ROM;EPROM 稱為 (光擦除多次編程 ROM; EEPROM稱為 (電擦除多次編程 ROM。存儲(chǔ)容量可用 (存儲(chǔ)位容量和 (存儲(chǔ)字節(jié)容量表示。存儲(chǔ)芯片 6116的字節(jié)容量是 2KB,它的位容量是 (16 Kb。存儲(chǔ)容量 1KB =(1024 B;1MB =(1024 KB 。用存儲(chǔ)芯片 2114(1024 ×4構(gòu)成 1KB 的存儲(chǔ)系統(tǒng)需 ( 2 片2114,此時(shí)需要擴(kuò)展 (位線。用存儲(chǔ)芯片 6116(2048 ×8構(gòu)成 4KB 的存儲(chǔ)系統(tǒng)需 ( 2 片6116,此時(shí)需要擴(kuò)展(字線在內(nèi)存儲(chǔ)器的組織中 ,可將 CPU 的全部地址線分為存儲(chǔ)器單元尋址

14、所需的 (片 內(nèi)地址線和存儲(chǔ)器芯片片選所需的 (片選地址線。存儲(chǔ)芯片 2114(1024 ×4的片內(nèi)地址線為 (A0 A9 。存儲(chǔ)芯片 6116(2048 ×8的片內(nèi)地址線為 (A0 A10外部存儲(chǔ)器中的磁盤 ,光盤 ,磁帶 ,速度最慢的是 (磁帶。存儲(chǔ)器組織中 ,存儲(chǔ)器芯片片選控制的方法有 (線選法、 (部分譯碼法和(全譯碼法。存儲(chǔ)器組織中使用部分譯碼時(shí) ,若片選地址線中有 N 條未用,則存儲(chǔ)單元的重 疊地址有(2N 個(gè)。80386的地址總線具有 4GB實(shí)際尋址空間和 (64 TB 虛擬空間。某CPU的地址總線為 16條,則最大可尋址空間為 (64K ;用2K×

15、4的 SRAM構(gòu)成按字節(jié)編址的最大存儲(chǔ)容量需 (64 片 SRAM。高速緩存 Cache中存放的只是主存中一部分內(nèi)容的 (映射。 Pentium微 處理器有三種工作模式 ,即(實(shí)地址模式、保護(hù)地址模式和(虛擬 8086 模式。 PC機(jī)中 ,高速緩存 Cache是由 (SRAM 存儲(chǔ)器芯片構(gòu)成。PC機(jī)中,內(nèi)存條每字節(jié)增加 1位用于校驗(yàn) ,采用的是(奇偶校驗(yàn)技術(shù)。 80X86CPU采用虛擬存儲(chǔ)器的目的是 (提高內(nèi)存的尋址能力。當(dāng)前微機(jī)的存儲(chǔ)系統(tǒng)分為三級(jí) ,即(Cache 、(主存和 (外存。保護(hù)模式下 ,80286CPU 的虛擬空間為 1GB,實(shí)際地址空間為 (16MB 三:判斷題在外存儲(chǔ)器中 ,

16、磁盤和磁帶均按順序方式工作 ( ×。在 PC機(jī)中,外存儲(chǔ)器中的存儲(chǔ)價(jià)質(zhì)僅為磁性材料 (×。在 PC機(jī)中,內(nèi)存儲(chǔ)器中的存儲(chǔ)價(jià)質(zhì)僅為半導(dǎo)體材料 ( CPU訪問內(nèi)存的速度比訪問外存的速度慢 ( ×。在PC/XT 機(jī)中,存儲(chǔ)系統(tǒng)采用二級(jí)存儲(chǔ)器體系 (。在當(dāng)前 PC機(jī)中,存儲(chǔ)系統(tǒng)采用二級(jí)存儲(chǔ)器體系 ( ×。 三級(jí)存儲(chǔ)器體系是指主存、內(nèi)存和外存 ( ×。磁帶是順序存儲(chǔ)器 ( 。磁盤是順序存儲(chǔ)器 ( ×。CCD是串行存儲(chǔ)器 ( 。存儲(chǔ)器芯片的主要技術(shù)指示是容量、存取時(shí)間和功耗 ( 。 RAM是英文 Random Acess Memory 的縮寫 (

17、 。 ROM是英文 Read Only Memory 的縮寫 ( 。字節(jié)的英文為 Byte,位的英文為 bit( 。某存儲(chǔ)芯片的字節(jié)容量為 1KB, 它的位容量為 10Kb( ×。存儲(chǔ)容量 1MB 等于 1000KB(×。靜態(tài) RAM 需要刷新電路 ( ×。動(dòng)態(tài) RAM 需要刷新電路 ( 。相對而言,靜態(tài) RAM 比動(dòng)態(tài) RAM 的集成度高 (×。相對而言,靜態(tài) RAM 比動(dòng)態(tài) RAM 的外圍電路簡單 (。相對而言,TTL 存儲(chǔ)器比 CMOS存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)存取速度快 ( TTL器件的存儲(chǔ)器比 CMOS 器件的存儲(chǔ)器功耗大 ( 。靜態(tài) SRAM 的每個(gè)存儲(chǔ)單

18、元由 6個(gè)場效應(yīng)晶體管構(gòu)成 ( 。動(dòng)態(tài) DRAM 的每個(gè)存儲(chǔ)單元由 6 個(gè)場效應(yīng)晶體管構(gòu)成 (×。由于 DRAM 中有電容 ,所以需要向電容隨時(shí)充電 (。存儲(chǔ)器芯片的片選控制信號(hào)由 CPU 片選地址線經(jīng)譯碼器產(chǎn)生 ( 。 在內(nèi)存儲(chǔ)器組織中用部分譯碼方式 ,存儲(chǔ)器單元地址有重復(fù)地址值 ( 。 在內(nèi)存儲(chǔ)器組織中用全譯碼方式 ,存儲(chǔ)器單元地址有重復(fù)地址值 ( ×。在內(nèi)存儲(chǔ)器組織中用線選方式 ,不需要額外的邏輯電路 ( 。 PROM 是可多次擦寫的 ROM×( 。EEPROM的數(shù)據(jù)擦除方式為光擦除 ( ×。EEPROM的數(shù)據(jù)被擦除后 ,存儲(chǔ)單元中的值為 0( &

19、#215;。 PC/XT機(jī)中,BIOS 程序放在 EEPROM中( 。PC/XT機(jī)中,用戶程序放在 EEPROM中( ×。若存儲(chǔ)芯片有 1K 個(gè)存儲(chǔ)單元 ,它的片內(nèi)地址線有 10條( 。CPU的地址線為 16條,可訪問 64K個(gè)存儲(chǔ)單元 (。因ROM 是僅讀存儲(chǔ)器,向它內(nèi)部寫入數(shù)據(jù)是不可能的 (×。內(nèi)存條由靜態(tài)存儲(chǔ)器組成 ( ×。高速緩存用 CMOS 器( ×。74LS138是 3-8譯碼器( 。用1024×4的SRAM芯片組成 1KB內(nèi)存儲(chǔ)器,應(yīng)擴(kuò)展位線( 。用1024×8的SRAM芯片組成 2KB存儲(chǔ)器,應(yīng)擴(kuò)展位線( ×

20、。四:簡答題 CPU 地址線與尋址存儲(chǔ)器范圍的關(guān)系是什么? 地址線與尋址存儲(chǔ) 器范圍的關(guān)系是什么? 的地址線數(shù)量決定了可尋址存儲(chǔ)器單元的數(shù)量, 【解】 CPU 的地址線數(shù)量決定了可尋址存儲(chǔ)器單元的數(shù)量, CPU 的地址線數(shù)量為 N 條,:若 N 則尋址存儲(chǔ)器單元的數(shù)量為 2 個(gè)。 SRAM 存儲(chǔ)器芯片容量與芯片地 址線和數(shù)據(jù)線的關(guān)系是什么? 存儲(chǔ)器芯片容量與芯片地址線和數(shù)據(jù)線的關(guān)系是什 么? :不同型號(hào)的 芯片的存儲(chǔ)容量不同, 【解】 不同型號(hào)的 SRAM 芯片的存儲(chǔ) 容量不同,可根據(jù)芯片的地址線數(shù)量和數(shù)據(jù)線數(shù)量 : 確定芯片的存儲(chǔ)容量, 確定 芯片的存儲(chǔ)容量,若芯片的地址線數(shù)量為 N,數(shù)據(jù)線

21、數(shù)量為 M ,則芯片的存 儲(chǔ), N N 。從容量為 2 ×M(bit)或 2 ×M/8(BYTE)從 SRAM 芯片的型號(hào)的 型號(hào)也可知該 ( ) ( ) 。 芯片的存儲(chǔ)容量, 芯片的存儲(chǔ)容量,例: 6116,容量 為 16Kb 或 2KB ; 6264,容量為 64Kb 或 8KB。,;, 。機(jī)中內(nèi)存儲(chǔ)器和外存儲(chǔ) 器的應(yīng)用特點(diǎn)。 簡述 PC 機(jī)中內(nèi)存儲(chǔ)器和外存儲(chǔ)器的應(yīng)用特點(diǎn)。 PC 【解】 PC 機(jī) 中內(nèi)存儲(chǔ)器和外存儲(chǔ)器都必不可少。 機(jī)所用的操作系統(tǒng)存放在外存儲(chǔ)器中, : 機(jī) 中內(nèi)存儲(chǔ)器和外存儲(chǔ)器都必不可少。 機(jī)所用的操作系統(tǒng)存放在外存儲(chǔ)器中, 當(dāng)開 機(jī)時(shí),在內(nèi)存儲(chǔ)器中引

22、導(dǎo)程序控制下, 當(dāng)開機(jī)時(shí),在內(nèi)存儲(chǔ)器中引導(dǎo)程序控制 下,CPU 將存放在外存儲(chǔ)器中的操作系統(tǒng)調(diào) 入內(nèi)存儲(chǔ)器中。同理, 機(jī)的應(yīng)用程序和數(shù)據(jù)也存放在外存儲(chǔ)器中, 入內(nèi)存儲(chǔ)器中。同理, PC 機(jī)的應(yīng)用程序和數(shù)據(jù)也存 放在外存儲(chǔ)器中, CPU 要執(zhí)行某 一應(yīng)用程序或調(diào)用數(shù)據(jù)時(shí),也須先調(diào)入內(nèi)存后執(zhí) 行或調(diào)用。當(dāng)關(guān)機(jī)時(shí), 一應(yīng)用程序或調(diào)用數(shù)據(jù)時(shí),也須先調(diào)入內(nèi)存后執(zhí)行或調(diào) 用。當(dāng)關(guān)機(jī)時(shí),內(nèi)存儲(chǔ)器中 的信息將消失,而外存儲(chǔ)器中的信息將保持。 的信息 將消失,而外存儲(chǔ)器中的信息將保持。 機(jī)中內(nèi)存儲(chǔ)器系統(tǒng)的地址范圍的分配特點(diǎn) 的地址范圍的分配特點(diǎn)。 簡述 PC/XT 機(jī)中內(nèi)存儲(chǔ)器系統(tǒng)的地址范圍的分配特 點(diǎn)。 :在

23、 機(jī)中,內(nèi)存儲(chǔ)器系統(tǒng)分為固定區(qū)域和用戶區(qū)域兩部分。在固定區(qū)域中, 【解】 在 PC/XT 機(jī)中,內(nèi)存儲(chǔ)器系統(tǒng)分為固定區(qū)域和用戶區(qū)域兩部分。在固定區(qū) 域中, : 開始, 中斷向量存放在地址 00000H003FFH 中;顯示緩沖區(qū)從地址 A0000H 開始,根據(jù)顯 卡的需要確定緩沖區(qū)的大??; IP=FFFFH: 0000H, 卡的需 要確定緩沖區(qū)的大??; 由于上電復(fù)位時(shí)的 CS: : : , 系統(tǒng) BIOS 存放在內(nèi)存的 高端地址處, 外開始存。除固定區(qū)域外, 存放在內(nèi)存的高端地址處,一般在 F0000H 外開始存。除固定區(qū)域外,其余為用戶區(qū) 存儲(chǔ)器,操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序和 數(shù)據(jù)可從外存中調(diào)入用戶

24、區(qū)域中。 域,均為 RAM 存儲(chǔ)器,操作系統(tǒng)、應(yīng)用程序 和數(shù)據(jù)可從外存中調(diào)入用戶區(qū)域中。 簡述存儲(chǔ)器芯片中存儲(chǔ)單元數(shù)量與存儲(chǔ)容量 大小的關(guān)系。 簡述存儲(chǔ)器芯片中存儲(chǔ)單元數(shù)量與存儲(chǔ)容量大小的關(guān)系。 :在存儲(chǔ) 器芯片中 【解】 在存儲(chǔ)器芯片中,存儲(chǔ)單元數(shù)量與芯片的地址線數(shù)量有關(guān),若地 址線數(shù)量為 N,則 :在存儲(chǔ)器芯片中,存儲(chǔ)單元數(shù)量與芯片的地址線數(shù)量有 關(guān), , N 存儲(chǔ)容量除與存儲(chǔ)單元數(shù)量有關(guān)外, 存儲(chǔ)單元數(shù)量為 2 ;存儲(chǔ)容量除與 存儲(chǔ)單元數(shù)量有關(guān)外,還與芯片的數(shù)據(jù)線數(shù)量有 關(guān),若地址線數(shù)量為 N,數(shù)據(jù)線 線數(shù)量為 M,則存儲(chǔ)容量為 2N×M 。 , , 。 簡述表示存儲(chǔ)器容量時(shí),

25、 的關(guān)系。 簡述表示存儲(chǔ)器容量時(shí),符號(hào) B、KB、MB 和 GB 的關(guān)系。 、 :表示存儲(chǔ)器容 量時(shí)有存儲(chǔ)字節(jié) 【解】 表示存儲(chǔ)器容量時(shí)有存儲(chǔ)字節(jié)( Byte)和存儲(chǔ)位( bit)兩 種方式,符號(hào) B、 KB、 :表示存儲(chǔ)器容量時(shí)有存儲(chǔ)字節(jié)( )和存儲(chǔ)位( )兩種 方式, 、 、 MB 和 GB 均為字節(jié)表示方式, B 表示字節(jié)、 KB 表示千字節(jié)、 MB 表 示兆字節(jié)、 GB 均為字節(jié)表示方式, 表示字節(jié)、 表示千字節(jié)、 表示兆字節(jié)、 表示 吉字節(jié),它們之間的關(guān)系是, 表示吉字節(jié),它們之間的關(guān)系是, 1KB=1024B 、1MB=1024KB 、1GB=1024MB。述存儲(chǔ)器芯片的主要技術(shù)指

26、標(biāo)。 簡述存儲(chǔ)器芯片的主要技術(shù)指標(biāo)。 :存儲(chǔ)器芯片的主要技術(shù)指標(biāo)有 【解】 存儲(chǔ)器芯片的 主要技術(shù)指標(biāo)有:存儲(chǔ)容量,表示一個(gè)存儲(chǔ)器芯片上能存儲(chǔ)多少個(gè)用 :存儲(chǔ)器芯 片的主要技術(shù)指標(biāo)有:存儲(chǔ)容量, 二進(jìn)制表示的信息位數(shù)。存取時(shí)間, 二進(jìn)制表 示的信息位數(shù)。存取時(shí)間,指向存儲(chǔ)器單元寫入數(shù)據(jù)及從存儲(chǔ)器單元讀出 數(shù)據(jù)所 需的時(shí)間。功耗,其一是指存儲(chǔ)器芯片中存儲(chǔ)單元的功耗,單位為W單/ 元 單元; 數(shù)據(jù)所需的時(shí)間。功耗,其一是指存儲(chǔ)器芯片中存儲(chǔ)單元的功耗,單位為 W/單元; 其二是指存儲(chǔ)器芯片的功耗 單位為 mW 芯片。 存儲(chǔ)器芯片的功耗, mW/ 芯片 工作電源, 存儲(chǔ)器芯片的供電電壓。 芯片。 工作

27、電源, 存儲(chǔ)器芯片的 供電電壓。 其二是指存儲(chǔ)器芯片的功耗, 指簡述 CPU 與 Cache、主存和外存的關(guān) 系。 、主存和外存的關(guān)系。 :Cache、主存和外存為當(dāng)前 PC 機(jī)的三級(jí)存儲(chǔ)體系結(jié) 構(gòu),CPU 首先訪問速度最快 機(jī)的三級(jí)存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu), 【解】 :、 Cache,而 Cache 的數(shù)據(jù)由主存提供,稱 Cache 中的數(shù)據(jù)為主存中數(shù)據(jù)的映射,而 的數(shù)據(jù)由主 存提供, 中的數(shù)據(jù)為主存中數(shù)據(jù)的映射, , 主存中的數(shù)據(jù)從速度最慢的外存獲 得。采用三級(jí)存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu)后, 主存中的數(shù)據(jù)從速度最慢的外存獲得。采用三級(jí) 存儲(chǔ)體系結(jié)構(gòu)后,可大大提高 CPU 的工作效率。 的工作效率。 簡述存儲(chǔ)器與寄存

28、 器的異同。 簡述存儲(chǔ)器與寄存器的異同。 :相同點(diǎn) 【解】 相同點(diǎn):存儲(chǔ)器和寄存 器均用于存放二進(jìn)制信息。不同點(diǎn):寄存器為 CPU 內(nèi)部的 :相同點(diǎn):存儲(chǔ)器和寄 存器均用于存放二進(jìn)制信息。不同點(diǎn): 存儲(chǔ)單元,數(shù)量較少,每個(gè)寄存器都指定 專門用途并命名,編程時(shí)用寄存器名訪問, 存儲(chǔ)單元,數(shù)量較少,每個(gè)寄存器都 指定專門用途并命名,編程時(shí)用寄存器名訪問, 外部的存儲(chǔ)單元,數(shù)量較大, 例 如 MOV AX , BX;存儲(chǔ)器為 CPU 外部的存儲(chǔ)單元,數(shù)量較大,每個(gè)存儲(chǔ)單 元,;都有地址,可存放指令和數(shù)據(jù),編程時(shí)用存儲(chǔ)單元地址訪問, 都有地址, 可 存放指令和數(shù)據(jù) , 編程時(shí)用存儲(chǔ)單元地址訪問, 例如

29、 MOV AX , , 2000H 。 。 的異同。 簡述 ROM 與 RAM 的異同。 相同點(diǎn): ROM、 RAM 均為 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器, 均為半導(dǎo)體存儲(chǔ)器, 構(gòu)成計(jì)算機(jī)的內(nèi)存儲(chǔ)系統(tǒng)。 不同點(diǎn): RAM 【解】 相同點(diǎn): : 、 構(gòu)成計(jì)算機(jī)的內(nèi)存儲(chǔ)系統(tǒng)。 不同點(diǎn): 中可寫入和讀取數(shù) 據(jù), 掉電后存放的數(shù)據(jù)將消失, 為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器; ROM 中可寫入和讀取數(shù) 據(jù), 掉電后存放的數(shù)據(jù)將消失, RAM 為隨機(jī)存取存儲(chǔ)器; 稱 中的數(shù)數(shù)據(jù)應(yīng)預(yù)先 寫入,工作時(shí)只能讀取數(shù)據(jù)不能改寫數(shù)據(jù), 中的數(shù)數(shù)據(jù)應(yīng)預(yù)先寫入,工作時(shí)只能 讀取數(shù)據(jù)不能改寫數(shù)據(jù),掉電后預(yù)先寫入的數(shù) 據(jù)不會(huì)消失, 為僅讀存儲(chǔ)器。 據(jù)不 會(huì)消

30、失,稱 ROM 為僅讀存儲(chǔ)器。 簡述內(nèi)存儲(chǔ)器與外存儲(chǔ)器的作用。 簡述內(nèi)存儲(chǔ) 器與外存儲(chǔ)器的作用。 :內(nèi)存儲(chǔ)器由半導(dǎo)體存儲(chǔ)器構(gòu)成 兩種, 【解】 內(nèi)存儲(chǔ)器由 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器構(gòu)成,有 RAM 和 ROM 兩種, CPU 可經(jīng)存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)單 :內(nèi)存儲(chǔ) 器由半導(dǎo)體存儲(chǔ)器構(gòu)成, 元地址訪問;外存儲(chǔ)器由磁、光材料構(gòu)成,用于存放長 期有用的信息, 元地址訪問;外存儲(chǔ)器由磁、光材料構(gòu)成,用于存放長期有用的 信息, CPU 經(jīng) I/O 端口對磁盤或光盤進(jìn)行訪問。 端口對磁盤或光盤進(jìn)行訪問。 簡 述存儲(chǔ)器芯片的位線擴(kuò)展和字線擴(kuò)展 簡述存儲(chǔ)器芯片的位線擴(kuò)展和字線擴(kuò)展 :存 儲(chǔ)器芯片的存儲(chǔ)容量與存儲(chǔ)器芯片的位線和字線有關(guān) 【解】 存儲(chǔ)器芯片的存儲(chǔ)容 量與存儲(chǔ)器芯片的位線和字線有關(guān),例如存儲(chǔ)器芯片 2114 的 :存儲(chǔ)器芯片的存儲(chǔ) 容量與存儲(chǔ)器芯片的位線和字線有關(guān), 個(gè)存儲(chǔ)單元) ,位線為 ( 存儲(chǔ)容量為 1024×4, ×,即字線為 1024(表示 2114 有 1024 個(gè)存儲(chǔ)單元) 位線為 4(表 (, 位二進(jìn)制數(shù)) 。PC 示 2114 的每個(gè)存儲(chǔ)單元中可存放 4 位二進(jìn)制數(shù)) 。 機(jī)中定義 每個(gè)地址單元中的二 的存儲(chǔ)系統(tǒng), 進(jìn)制數(shù)位為 8,若用 2114 構(gòu)成 1KB 的存儲(chǔ)系 統(tǒng),需 2 片 211

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