內(nèi)存條芯片參數(shù)

1、內(nèi)存條芯片參數(shù)    內(nèi)存條芯片參數(shù)整個DDR SDRAM顆粒的編號，一共是由14組數(shù)字或字母組成，他們分別代表內(nèi)存的一個重要參數(shù)，了解了他們，就等于了解了現(xiàn)代內(nèi)存。 顆粒編號解釋如下： 1 HY是HYNIX的簡稱，代表著該顆粒是現(xiàn)代制造的產(chǎn)品。 2 內(nèi)存芯片類型：（5D=DDR SDRAM） 3 處理工藝及供電：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V） 4 芯片容量密度和刷內(nèi)存

2、條芯片參數(shù)整個DDR SDRAM顆粒的編號，一共是由14組數(shù)字或字母組成，他們分別代表內(nèi)存的一個重要參數(shù)，了解了他們，就等于了解了現(xiàn)代內(nèi)存。顆粒編號解釋如下：1 HY是HYNIX的簡稱，代表著該顆粒是現(xiàn)代制造的產(chǎn)品。2 內(nèi)存芯片類型：（5D=DDR SDRAM）3 處理工藝及供電：（V：VDD=3.3V & VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V & VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V & VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V & VDDQ=1.8V）4 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷

3、新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）5 內(nèi)存條芯片結(jié)構(gòu)：（44顆芯片；88顆芯片；1616顆芯片；3232顆芯片）6 內(nèi)存bank（儲蓄位）：（12 bank；24 bank；38 bank）7 接口類型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）8 內(nèi)核代號：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）9 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）10 封裝類型：（T=TSOP；Q=LOFP；FFBGA；FCFBGA（UTC:8x13mm）11 封裝堆棧：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；

4、J其它；M=MCP（Hynix）；MUMCP（UTC）12 封裝原料：（空白=普通；P=鉛；H鹵素；R=鉛+鹵素）13 速度：（D43DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；JDDR333；MDDR333 2-2-2；KDDR266A；HDDR266B；LDDR200）14 工作溫度：（I=工業(yè)常溫（-40 - 85度）；E=擴(kuò)展溫度（-25 - 85度）由上面14條注解，我們不難發(fā)現(xiàn)，其實最終我們只需要記住2、3、6、13等幾處數(shù)字的實際含義，就能輕松實現(xiàn)對使用現(xiàn)代DDR SDRAM內(nèi)存顆粒的產(chǎn)品進(jìn)行辨別。尤其是第13位數(shù)字，它將明確的告訴消費者，這款內(nèi)存實際的最高工作狀態(tài)

5、是多少。假如，消費者買到一款這里顯示為L的產(chǎn)品（也就是說，它只支持DDR 200的工作頻率），那么就算內(nèi)存條上貼的標(biāo)簽或者包裝盒上吹的再好，它也只是一款低檔產(chǎn)品。常見SDRAM 編號識別維修SDRAM內(nèi)存條時，首先要明白內(nèi)存芯片編號的含義，在其編號中包括以下幾個內(nèi)容：廠商名稱（代號）、容量、類型、工作速度等，有些還有電壓和一些特殊標(biāo)志等。通過對這些參數(shù)的分析比較，就可以正確認(rèn)識和理解該內(nèi)存條的規(guī)格以及特點。(1)世界主要內(nèi)存芯片生產(chǎn)廠商的前綴標(biāo)志如下： HY HYUNDAI - 現(xiàn)代 MT Micron - 美光 GM LG-Semicon HYB SIEMENS - 西門子 HM Hitac

6、hi - 日立 MB Fujitsu - 富士通 TC Toshiba - 東芝 KM Samsung - 三星 KS KINGMAX - 勝創(chuàng)(2)內(nèi)存芯片速度編號解釋如下: -7 標(biāo)記的SDRAM 符合 PC143 規(guī)范,速度為7ns. 75標(biāo)記的SDRAM 符合PC133規(guī)范,速度為7.5ns. 8標(biāo)記的SDRAM 符合PC125規(guī)范,速度為8ns. 7k/-7J/10P/10S標(biāo)記的SDRAM 符合PC100規(guī)范,速度為10ns. 10K標(biāo)記的SDRAM符合PC66規(guī)范,速度為15ns.(3) 編 號 形 式HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj其中5a中的a表示芯片

7、類別,7-SDRAM; DDDR SDRAM.b表示電壓,V3.3V; U-2.5V; 空白5V.CCC表示容量,1616M; 6564M; 129129M; 256256M.dd表示帶寬。f表示界面，0LVTTL； 1SSTL（3）； 2SSTL_2.g表示版本號，B第三代。h表示電源功耗， L低功耗； 空白普通型。ii表示封裝形式， TC400mil TSOPH.jj表示速度，7143MHZ; 75133MHZ;8125MHZ;10P100MHZ(CL=2);10S100MHZ(CL=3)10100MHZ(非PC100)。例：1） HY57V651620B TC-75按照解釋該內(nèi)存條應(yīng)為：

8、SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.2) HY57V653220B TC-7按照解釋該內(nèi)存條應(yīng)為：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ全球主要內(nèi)存芯片生產(chǎn)廠家(掌握內(nèi)存芯片生產(chǎn)技術(shù)的廠家主要分布在美國、韓國、日本、德國、臺灣)：序號 品牌 國家/地區(qū) 標(biāo)識 備注1 三星 韓國 SAMSUNG2 現(xiàn)代 韓國 HY3 樂金 韓國 LGS 已與HY合并4 邁克龍 美國 MT5 德州儀器 美國 Ti 已與Micron合并6 日電 日本 NEC7 日立 日本 HITACHI8 沖電氣 日本 OKI9 東芝 日本 TOSHIBA10 富士通 日本 F11 西門子 德國 SIEME

9、NS12 聯(lián)華 臺灣 UMC13 南亞 臺灣 NANYA14 茂矽 臺灣 MOSEISAMSUNG內(nèi)存體含義解釋：例：SAMSUNG K4H280838B-TCB0主要含義：第1位芯片功能K，代表是內(nèi)存芯片。第2位芯片類型4，代表DRAM。第3位芯片的更進(jìn)一步的類型說明，S代表SDRAM、H代表DDR、G代表SGRAM。第4、5位容量和刷新速率，容量相同的內(nèi)存采用不同的刷新速率，也會使用不同的編號。64、62、63、65、66、67、6A代表64Mbit的容量；28、27、2A代表128Mbit的容量；56、55、57、5A代表256Mbit的容量；51代表512Mbit的容量。第6、7位數(shù)據(jù)

10、線引腳個數(shù)，08代表8位數(shù)據(jù)；16代表16位數(shù)據(jù)；32代表32位數(shù)據(jù)；64代表64位數(shù)據(jù)。第11位連線“-”。第14、15位芯片的速率，如60為6ns；70為 7ns；7B為7.5ns (CL=3)；7C為7.5ns (CL=2) ；80為 8ns；10 為10ns (66MHz)。知道了內(nèi)存顆粒編碼主要數(shù)位的含義，拿到一個內(nèi)存條后就非常容易計算出它的容量。例如一條三星DDR內(nèi)存，使用18片SAMSUNG K4H280838B-TCB0顆粒封裝。顆粒編號第4、5位“28”代表該顆粒是128Mbits，第6、7位“08”代表該顆粒是8位數(shù)據(jù)帶寬，這樣我們可以計算出該內(nèi)存條的容量是128Mbits

11、（兆數(shù)位） × 16片/8bits=256MB（兆字節(jié)）。注：“bit”為“數(shù)位”，“B”即字節(jié)“byte”，一個字節(jié)為8位則計算時除以8。關(guān)于內(nèi)存容量的計算，文中所舉的例子中有兩種情況：一種是非ECC內(nèi)存，每8片8位數(shù)據(jù)寬度的顆粒就可以組成一條內(nèi)存；另一種ECC內(nèi)存，在每64位數(shù)據(jù)之后，還增加了8位的ECC校驗碼。通過校驗碼，可以檢測出內(nèi)存數(shù)據(jù)中的兩位錯誤，糾正一位錯誤。所以在實際計算容量的過程中，不計算校驗位，具有ECC功能的18片顆粒的內(nèi)存條實際容量按16乘。在購買時也可以據(jù)此判定18片或者9片內(nèi)存顆粒貼片的內(nèi)存條是ECC內(nèi)存。Hynix(Hyundai)現(xiàn)代現(xiàn)代內(nèi)存的含義：H

12、Y5DV641622AT-36HY XX X XX XX XX X X X X X XX1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 121、HY代表是現(xiàn)代的產(chǎn)品2、內(nèi)存芯片類型：(57=SDRAM，5D=DDR SDRAM)；3、工作電壓：空白=5V，V=3.3V,U=2.5V4、芯片容量和刷新速率：16=16Mbits、4K Ref；64=64Mbits、8K Ref；65=64Mbits、4K Ref；128=128Mbits、8K Ref；129=128Mbits、4K Ref；256=256Mbits、16K Ref；257=256Mbits、8K Ref5、代表芯片輸出的數(shù)據(jù)位寬

13、：40、80、16、32分別代表4位、8位、16位和32位6、BANK數(shù)量：1、2、3分別代表2個、4個和8個Bank，是2的冪次關(guān)系7、I/O界面：1 :SSTL_3、2 :SSTL_28、芯片內(nèi)核版本：可以為空白或A、B、C、D等字母，越往后代表內(nèi)核越新9、代表功耗：L=低功耗芯片，空白=普通芯片10、內(nèi)存芯片封裝形式：JC=400mil SOJ，TC=400mil TSOP-，TD=13mm TSOP-，TG=16mm TSOP-11、工作速度：55 :183MHZ、5 :200MHZ、45 :222MHZ、43 :233MHZ、4 :250MHZ、33 :300NHZ、L :DDR20

14、0、H :DDR266B、K :DDR266AInfineon（億恒）Infineon是德國西門子的一個分公司，目前國內(nèi)市場上西門子的子公司Infineon生產(chǎn)的內(nèi)存顆粒只有兩種容量：容量為128Mbits的顆粒和容量為256Mbits的顆粒。編號中詳細(xì)列出了其內(nèi)存的容量、數(shù)據(jù)寬度。Infineon的內(nèi)存隊列組織管理模式都是每個顆粒由4個Bank組成。所以其內(nèi)存顆粒型號比較少，辨別也是最容易的。HYB39S128400即128MB/ 4bits，“128”標(biāo)識的是該顆粒的容量，后三位標(biāo)識的是該內(nèi)存數(shù)據(jù)寬度。其它也是如此，如：HYB39S128800即128MB/8bits；HYB39S1281

15、60即128MB/16bits；HYB39S256800即256MB/8bits。Infineon內(nèi)存顆粒工作速率的表示方法是在其型號最后加一短線，然后標(biāo)上工作速率。-7.5表示該內(nèi)存的工作頻率是133MHz；-8表示該內(nèi)存的工作頻率是100MHz。例如：1條Kingston的內(nèi)存條，采用16片Infineon的HYB39S128400-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計算為： 128Mbits（兆數(shù)位）×16片/8=256MB（兆字節(jié)）。1條Ramaxel的內(nèi)存條，采用8片Infineon的HYB39S128800-7.5的內(nèi)存顆粒生產(chǎn)。其容量計算為： 128Mbits（兆數(shù)位） &#

16、215; 8 片/8=128MB（兆字節(jié)）。KINGMAX、ktiKINGMAX內(nèi)存的說明Kingmax內(nèi)存都是采用TinyBGA封裝（Tiny ball grid array）。并且該封裝模式是專利產(chǎn)品，所以我們看到采用Kingmax顆粒制作的內(nèi)存條全是該廠自己生產(chǎn)。Kingmax內(nèi)存顆粒有兩種容量：64Mbits和128Mbits。在此可以將每種容量系列的內(nèi)存顆粒型號列表出來。容量備注：KSVA44T4A0A64Mbits，16M地址空間 × 4位數(shù)據(jù)寬度；KSV884T4A0A64Mbits，8M地址空間 × 8位數(shù)據(jù)寬度；KSV244T4XXX128Mbits，32

17、M地址空間 × 4位數(shù)據(jù)寬度；KSV684T4XXX128Mbits，16M地址空間 × 8位數(shù)據(jù)寬度；KSV864T4XXX128Mbits，8M 地址空間 × 16位數(shù)據(jù)寬度。Kingmax內(nèi)存的工作速率有四種狀態(tài)，是在型號后用短線符號隔開標(biāo)識內(nèi)存的工作速率：-7APC133 /CL=2；-7PC133 /CL=3；-8APC100/ CL=2；-8PC100 /CL=3。例如一條Kingmax內(nèi)存條，采用16片KSV884T4A0A-7A 的內(nèi)存顆粒制造，其容量計算為： 64Mbits（兆數(shù)位）×16片/8=128MB（兆字節(jié)）。Micron（美光）以MT48LC16M8A2TG-75這個編號來說明美光內(nèi)存的編碼規(guī)則。含義：MTMicron的廠商名稱。48內(nèi)存的類型。48代表SDRAM；46 代表DDR。LC供電電壓。LC代表3V；C 代表5V；V 代表2.5V。16M8內(nèi)存顆粒容量為128Mbits，計算方法是：16M（地址）×8位數(shù)據(jù)寬度。A2內(nèi)存內(nèi)核版本號。TG封裝方式，TG即TSOP封裝。-75內(nèi)存工作速率，-75即133MHz；-65即150MHz。實例：一條Micron DDR內(nèi)存條，采用18片編號為MT46V32M4-75的顆粒制造。該內(nèi)存支持ECC功能。所以每個Bank是奇數(shù)片內(nèi)