2022年材料測(cè)試方法選擇判斷填空題庫(kù)

1、第一章一、選擇題1.用來進(jìn)行晶體構(gòu)造分析X射線學(xué)分支是（   ）A.X射線透射學(xué)；B.X射線衍射學(xué)；C.X射線光譜學(xué)；D.其他2. M層電子回遷到K層后，多余能量放出特性X射線稱（ ）A. K；B. K；C. K；D. L。3. 當(dāng)X射線發(fā)生裝置是Cu靶，濾波片應(yīng)選（ ）A Cu；B. Fe；C. Ni；D. Mo。4. 當(dāng)電子把所有能量所有轉(zhuǎn)換為X射線時(shí)，該X射線波長(zhǎng)稱（ ）A.短波限0；B. 激發(fā)限k；C. 吸取限；D. 特性X射線5.當(dāng)X射線將某物質(zhì)原子K層電子打出去后，L層電子回遷K層，多余能量將另一種L層電子打出核外，這整個(gè)過程將產(chǎn)生（ ） （多選題） A光電子；

2、B. 二次熒光；C. 俄歇電子；D. （A+C）二、正誤題1. 隨X射線管電壓升高，0和k所有隨之減小。（ ）2. 激發(fā)限和吸取限是一回事，只是從不同樣角度看問題。（ ）3. 經(jīng)濾波后X射線是相對(duì)旳單色光。（ ）4. 產(chǎn)生特性X射線前提是原子內(nèi)層電子被打出核外，原子處在激發(fā)狀態(tài)。（ ）5. 選擇濾波片只要根據(jù)吸取曲線選擇材料，而不需要考慮厚度。（ ）三、填空題1. 當(dāng)X射線管電壓超過臨界電壓就可以產(chǎn)生 X射線和 X射線。2. X射線和物質(zhì)互相作用可以產(chǎn)生 、 、 、 、 、 、 、 。 3. 通過厚度為H物質(zhì)后，X射線強(qiáng)度為 。 4. X射線本質(zhì)既是 也是 ，具有 性。 5. 短波長(zhǎng)X射線稱

3、，常用于 ；長(zhǎng)波長(zhǎng)X射線稱 ，常用于 。第二章一、 選擇題1.有一倒易矢量為，和它相應(yīng)正空間晶面是（ ）。A. （210）；B. （220）；C. （221）；D. （110）；。2.有一體心立方晶體晶格常數(shù)是0.286nm，用鐵靶K（K=0.194nm）照射該晶體能產(chǎn)生（ ）衍射線。A. 三條； B .四條； C. 五條；D. 六條。3.一束X射線照射到晶體上能否產(chǎn)生衍射取決于（ ）。A與否滿足布拉格條件；B與否衍射強(qiáng)度I0；CA+B；D晶體形狀。4.面心立方晶體（111）晶面族多重性因素是（ ）。A4；B8；C6；D12。二、 正誤題1.倒易矢量能唯一地代表相應(yīng)正空間晶面。（ ）2.X射線

4、衍射和光反射同樣，只要滿足入射角等于反射角就行。（ ）3.干涉晶面和實(shí)際晶面辨別在于：干涉晶面是虛擬，指數(shù)間存在公約數(shù)n。（ ）4.布拉格方程只涉及X射線衍射方向，不能反映衍射強(qiáng)度。（ ）5.構(gòu)造因子F和形狀因子G所有是晶體構(gòu)造對(duì)衍射強(qiáng)度影響因素。（ ）三、 填空題1. 倒易矢量方向是相應(yīng)正空間晶面 ；倒易矢量長(zhǎng)度等于相應(yīng) 。2. 只要倒易陣點(diǎn)落在厄瓦爾德球面上，就表達(dá)該 滿足 條件，能產(chǎn)生 。3. 影響衍射強(qiáng)度因素除構(gòu)造因素、晶體形狀外尚有 ， ， ， 。4. 考慮所有因素后衍射強(qiáng)度公式為 ，對(duì)于粉末多晶相對(duì)強(qiáng)度為 。5. 構(gòu)造振幅用 表達(dá)，構(gòu)造因素用 表達(dá)，構(gòu)造因素=0時(shí)沒有衍射我們稱 或

5、 。對(duì)于有序固溶體，原本消光地方會(huì)浮現(xiàn) 。四、 名詞解釋倒易點(diǎn)陣系統(tǒng)消光衍射矢量形狀因子相對(duì)強(qiáng)度第三章五、 選擇題1.最常用X射線衍射措施是（ ）。A. 勞厄法；B. 粉末多法；C. 周轉(zhuǎn)晶體法；D. 德拜法。2.德拜法中有助于提高測(cè)量精度底片安裝措施是（ ）。A. 正裝法；B. 反裝法；C. 偏裝法；D. A+B。3.德拜法中對(duì)試樣規(guī)定除了無應(yīng)力外，粉末粒度應(yīng)為（ ）。A. <325目；B. >250目；C. 在250-325目之間；D. 任意大小。4.測(cè)角儀中，探測(cè)器轉(zhuǎn)速和試樣轉(zhuǎn)速關(guān)系是（ ）。A. 保持同步11 ；B. 21 ；C. 12 ；D. 10 。5.衍射儀法中試樣形

6、狀是（ ）。A. 絲狀粉末多晶；B. 塊狀粉末多晶；C. 塊狀單晶；D. 任意形狀。六、 正誤題1.大直徑德拜相機(jī)可以提高衍射線接受辨別率，縮短暴光時(shí)間。（ ）2.在衍射儀法中，衍射幾何涉及二個(gè)圓。一種是測(cè)角儀圓，另一種是輻射源、探測(cè)器和試樣三者還必需在同一聚焦圓。（ ）3.選擇小接受光欄狹縫寬度，可以提高接受辨別率，但會(huì)減少接受強(qiáng)度。（ ）4.德拜法比衍射儀法測(cè)量衍射強(qiáng)度改對(duì)旳。（ ）5.衍射儀法和德拜法同樣，對(duì)試樣粉末規(guī)定是粒度均勻、大小適中，沒有應(yīng)力。（ ）七、 填空題1. 在粉末多晶衍射照相法中涉及 、 和 。2. 德拜相機(jī)有兩種，直徑分別是 和 mm。測(cè)量角時(shí)，底片上每毫米相應(yīng) &#

7、186;和 º。3. 衍射儀核心是測(cè)角儀圓，它由 、 和 共同構(gòu)成。4. 可以用作X射線探測(cè)器有 、 和 等。5. 影響衍射儀實(shí)驗(yàn)成果參數(shù)有 、 和 等。第四章八、 選擇題1.測(cè)定鋼中奧氏體含量，若采用定量X射線物相分析，常用措施是（ ）。A. 外標(biāo)法；B. 內(nèi)標(biāo)法；C. 直接比較法；D. K值法。2. X射線物相定性分析時(shí)，若已知材料物相可以查（ ）進(jìn)行核對(duì)。A. Hanawalt索引；B. Fenk索引；C. Davey索引；D. A或B。3.德拜法中對(duì)旳測(cè)定點(diǎn)陣常數(shù)其系統(tǒng)誤差來源于（ ）。A. 相機(jī)尺寸誤差；B. 底片伸縮；C. 試樣偏心；D. A+B+C。4.材料內(nèi)應(yīng)力分為三

8、類，X射線衍射措施可以測(cè)定（ ）。A. 第一類應(yīng)力（宏觀應(yīng)力）；B. 第二類應(yīng)力（微觀應(yīng)力）；C. 第三類應(yīng)力；D. A+B+C。5.Sin2測(cè)量應(yīng)力，一般取為（ ）進(jìn)行測(cè)量。A. 擬定角；B. 0-45º之間任意四點(diǎn)；C. 0º、45º兩點(diǎn)；D. 0º、15º、30º、45º四點(diǎn)。九、 正誤題1.要對(duì)旳測(cè)量點(diǎn)陣常數(shù)。必需一方面盡量減少系統(tǒng)誤差，另一方面選高角度角，最后還要用直線外推法或柯亨法進(jìn)行數(shù)據(jù)解決。（ ）2. X射線衍射之因此可以進(jìn)行物相定性分析，是由于沒有兩種物相衍射把戲是完全相似。（ ）3.理論上X射線物相定性分

9、析可以告訴我們被測(cè)材料中有哪些物相，而定量分析可以告訴我們這些物相含量有多少。（ ）4.只要材料中有應(yīng)力就可以用X射線來檢測(cè)。（ ）5.衍射儀和應(yīng)力儀是相似，構(gòu)造上沒有辨別。（ ）十、 填空題6. 在一定狀況下， º，sin ；因此對(duì)旳測(cè)定點(diǎn)陣常數(shù)應(yīng)選擇 。7. X射線物相分析涉及 和 ，而 更常用更廣泛。8. 第一類應(yīng)力導(dǎo)致X射線衍射線 ；第二類應(yīng)力導(dǎo)致衍射線 ；第三類應(yīng)力導(dǎo)致衍射線 。9. X射線測(cè)定應(yīng)力常用儀器有 和 ，常用措施有 和 。10. X射線物相定量分析措施有 、 、 等。第五章十一、 選擇題1.若H-800電鏡最高辨別率是0.5nm，那么這臺(tái)電鏡有效放大倍數(shù)是（ ）

10、。A. 1000；B. 10000；C. 40000；D.600000。2. 可以消除像差是（ ）。A. 球差；B. 像散；C. 色差；D. A+B。3. 可以提高TEM襯度光欄是（ ）。A. 第二聚光鏡光欄；B. 物鏡光欄；C. 選區(qū)光欄；D. 其他光欄。4. 電子衍射成像時(shí)是將（ ）。A. 中間鏡物平面和和物鏡背焦面重疊；B. 中間鏡物平面和和物鏡像平面重疊；C. 關(guān)閉中間鏡；D. 關(guān)閉物鏡。5.選區(qū)光欄在TEM鏡筒中位置是（ ）。A. 物鏡物平面；B. 物鏡像平面C. 物鏡背焦面；D. 物鏡前焦面。十二、 正誤題1.TEM辨別率既受衍射效應(yīng)影響，也受透鏡像差影響。（ ）2.孔徑半角是影響

11、辨別率核心因素，TEM中角越小越好。（ ）3.有效放大倍數(shù)和儀器可以達(dá)到放大倍數(shù)不同樣，前者取決于儀器辨別率和人眼辨別率，后者僅僅是儀器制造水平。（ ）4.TEM中核心是電磁透鏡，由于電磁透鏡不存在凹透鏡，因此不能象光學(xué)顯微鏡那樣通過凹凸鏡組合設(shè)計(jì)來減小或消除像差，故TEM中像差所有是不可消除。（ ）5.TEM景深和焦長(zhǎng)隨辨別率r0數(shù)值減小而減?。浑S孔徑半角減小而增長(zhǎng)；隨放大倍數(shù)提高而減小。（ ）十三、 填空題11. TEM中透鏡有兩種，分別是 和 。12. TEM中三個(gè)可動(dòng)光欄分別是 在 ， 在 ， 在 。13. TEM成像系統(tǒng)由 、 和 構(gòu)成。14. TEM核心構(gòu)成部分是 、 和觀 ；輔助

12、部分由 、 和 構(gòu)成。15. 電磁透鏡像差涉及 、 和 。十四、 名詞解釋景深和焦長(zhǎng) 點(diǎn)辨別和晶格辨別率消像散器選區(qū)衍射第六章十五、 選擇題1.單晶體電子衍射把戲是（ ）。A. 規(guī)則平行四邊形斑點(diǎn)；B. 同心圓環(huán)；C. 暈環(huán)；D.不規(guī)則斑點(diǎn)。2. 薄片狀晶體倒易點(diǎn)形狀是（ ）。A. 尺寸很小倒易點(diǎn)；B. 尺寸很大球；C. 有一定長(zhǎng)度倒易桿；D. 倒易圓盤。3. 當(dāng)偏離矢量S<0時(shí)，倒易點(diǎn)是在厄瓦爾德球（ ）。A. 球面外；B. 球面上；C. 球面內(nèi)；D. B+C。4. 能協(xié)助消除180º不唯一性復(fù)雜衍射把戲是（ ）。A. 高階勞厄斑；B. 超構(gòu)造斑點(diǎn)；C. 二次衍射斑；D. 孿

13、晶斑點(diǎn)。5. 菊池線可以協(xié)助（ ）。A. 估計(jì)樣品厚度；B. 擬定180º不唯一性；C. 鑒別有序固溶體；D. 對(duì)旳測(cè)定晶體取向。6. 如果單晶體衍射把戲是正六邊形，那么晶體構(gòu)造是（ ）。A. 六方構(gòu)造；B. 立方構(gòu)造；C. 四方構(gòu)造；D. A或B。十六、 鑒定題1.多晶衍射環(huán)和粉末德拜衍射把戲同樣，隨著環(huán)直徑增大，衍射晶面指數(shù)也由低到高。（ ）2.單晶衍射把戲中所有斑點(diǎn)同屬于一種晶帶。（ ）3.由于孿晶是同樣晶體沿孿晶面兩則對(duì)稱分布，因此孿晶衍射把戲也是衍射斑點(diǎn)沿兩則對(duì)稱分布。（ ）4.偏離矢量S=0時(shí)，衍射斑點(diǎn)最亮。這是由于S=0時(shí)是對(duì)旳滿足布拉格方程，因此衍射強(qiáng)度最大。（ ）5

14、.對(duì)于未知晶體構(gòu)造，僅憑一張衍射把戲是不能擬定其晶體構(gòu)造。還要從不同樣位向拍攝多幅衍射把戲，并根據(jù)材料成分、加工歷史等或結(jié)合其他措施綜合鑒定晶體構(gòu)造。（ ）6.電子衍射和X射線衍射同樣必需嚴(yán)格符合布拉格方程。（ ）十七、 填空題16. 電子衍射和X射線衍射不同樣之處在于 不同樣、 不同樣，和 不同樣。17. 電子衍射產(chǎn)生復(fù)雜衍射把戲是 、 、 、 和 。18. 偏離矢量S最大值相應(yīng)倒易桿長(zhǎng)度，它反映是角 布拉格方程限度。19. 單晶體衍射把戲標(biāo)定中最核心一步是 。20. 二次衍射可以使密排六方、金剛石構(gòu)造把戲中在 產(chǎn)生衍射把戲，但體心立方和面心立方構(gòu)造把戲中 。十八、 名詞解釋偏離矢量S 18

15、0º不唯一性 菊池線 高階勞厄斑第七章十九、 選擇題1.將某一衍射斑點(diǎn)移到熒光屏中心并用物鏡光欄套住該衍射斑點(diǎn)成像，這是（ ）。A. 明場(chǎng)像；B. 暗場(chǎng)像；C. 中心暗場(chǎng)像；D.弱束暗場(chǎng)像。2. 當(dāng)t=5s/2時(shí)，衍射強(qiáng)度為（ ）。A.Ig=0；B. Ig<0；C. Ig>0；D. Ig=Imax。3. 已知一位錯(cuò)線在選擇操作反射g1=（110）和g2=（111）時(shí)，位錯(cuò)不可見，那么它布氏矢量是（ ）。A. b=（0 -1 0）；B. b=（1 -1 0）；C. b=（0 -1 1）；D. b=（0 1 0）。4. 當(dāng)?shù)诙嗔Ｗ雍突w呈共格關(guān)系時(shí)，此時(shí)成像襯度是（ ）。A

16、. 質(zhì)厚襯度；B. 衍襯襯度；C. 應(yīng)變場(chǎng)襯度；D. 相位襯度。5. 當(dāng)?shù)诙嗔Ｗ雍突w呈共格關(guān)系時(shí)，此時(shí)所看到粒子大小（ ）。A. 不不小于真實(shí)粒子大小；B. 是應(yīng)變場(chǎng)大??；C. 和真實(shí)粒子同樣大??；D. 遠(yuǎn)遠(yuǎn)不小于真實(shí)粒子。二十、 鑒定題1.實(shí)際電鏡樣品厚度很小時(shí),能近似滿足衍襯運(yùn)動(dòng)學(xué)理論條件,這時(shí)運(yùn)動(dòng)學(xué)理論能較好地解釋襯度像。（ ）2.厚樣品中存在消光距離g，薄樣品中則不存在消光距離g。（ ）3.明場(chǎng)像是質(zhì)厚襯度，暗場(chǎng)像是衍襯襯度。（ ）4.晶體中只要有缺陷，用透射電鏡就可以觀測(cè)到這個(gè)缺陷。（ ）5.等厚消光條紋和等傾消光條紋一般是形貌觀測(cè)中干擾，應(yīng)當(dāng)通過更加好制樣來避免它們浮現(xiàn)。（ ）

17、二十一、 填空題21. 運(yùn)動(dòng)學(xué)理論兩個(gè)基本假設(shè)是 和 。22. 對(duì)于抱負(fù)晶體，當(dāng) 或 持續(xù)變化時(shí)襯度像中會(huì)浮現(xiàn) 或 。23. 對(duì)于缺陷晶體，缺陷襯度是由缺陷引起 導(dǎo)致衍射波振幅增長(zhǎng)了一種 ，但是若 =2整數(shù)倍時(shí)，缺陷也不產(chǎn)生襯度。24. 一般狀況下，孿晶和層錯(cuò)襯度像所有是平行 ，但孿晶平行線 ，而層錯(cuò)平行線是 。25. 實(shí)際位錯(cuò)線在位錯(cuò)線像 ，其寬度也大大不不小于位錯(cuò)線像寬度，這是由于位錯(cuò)線像寬度是 寬度。二十二、 名詞解釋中心暗場(chǎng)像 等厚消光條紋和等傾消光條紋 不可見性判據(jù) 應(yīng)變場(chǎng)襯度第八章二十三、 選擇題1. 僅僅反映固體樣品表面形貌信息物理信號(hào)是（ ）。A. 背散射電子；B. 二次電子；

18、C. 吸取電子；D.透射電子。2. 在掃描電子顯微鏡中，下列二次電子像襯度最亮區(qū)域是（ ）。A.和電子束垂直表面；B. 和電子束成30º表面；C. 和電子束成45º表面；D. 和電子束成60º表面。3. 可以探測(cè)表面1nm層厚樣品成分信息物理信號(hào)是（ ）。A. 背散射電子；B. 吸取電子；C. 特性X射線；D. 俄歇電子。4. 掃描電子顯微鏡配備成分分析附件中最常用儀器是（ ）。A. 波譜儀；B. 能譜儀；C. 俄歇電子譜儀；D. 特性電子能量損失譜。5. 波譜儀和能譜儀相比，能譜儀最大長(zhǎng)處是（ ）。A. 迅速高效；B. 精度高；C. 沒有機(jī)械傳動(dòng)部件；D. 價(jià)格

19、便宜。二十四、 鑒定題1.掃描電子顯微鏡中物鏡和透射電子顯微鏡物鏡同樣。（ ）2.掃描電子顯微鏡辨別率核心取決于物理信號(hào)而不是衍射效應(yīng)和球差。（ ）3. 掃描電子顯微鏡襯度和透射電鏡同樣取決于質(zhì)厚襯度和衍射襯度。（ ）4. 掃描電子顯微鏡具有大景深，因此它可以用來進(jìn)行斷口形貌分析觀測(cè)。（ ）5.波譜儀是逐個(gè)接受元素特性波長(zhǎng)進(jìn)行成分分析；能譜儀是同步接受所有元素特性X射線進(jìn)行成分分析。（ ）二十五、 填空題26. 電子束和固體樣品互相作用可以產(chǎn)生 、 、 、 、 、 等物理信號(hào)。27. 掃描電子顯微鏡放大倍數(shù)是 掃描寬度和 掃描寬度比值。在襯度像上顆粒、凸起棱角是 襯度，而裂紋、凹坑則是 襯度。28. 辨別率最高物理信號(hào)是 為 nm，辨別率最低物理信號(hào)是 為 nm以上。29. 電子探針涉及 和 兩種儀器。30. 掃描電子顯微鏡可以替代 進(jìn)行材料 觀測(cè)，也可以對(duì) 進(jìn)行分析觀測(cè)。二十六、 名詞解釋1. 背散射電子、吸取電子、特性X射線、俄歇電子、二次電子、透射電子。2. 電子探針、波譜儀、能譜儀。如何操作透射電子顯微鏡使其從成像措施轉(zhuǎn)為衍射措施 答：透射