電子束微影術制作高頻表面聲波元件

1、電子束微影術製作高頻表面聲波元件指導教授：中興大學物理系 孫允武博士 彰化師大物理系 吳仲卿博士學生：歐俊裕目錄摘要2簡介3實驗原理6第一節(jié) 表面聲波元件6 1.1表面聲波.6 1.2 表面聲波元件.6第二節(jié) 電子束微影術7 2.1微影技術.7 2.2 電子束微影術.8製程及實驗步驟.11第一節(jié) 圖形繪製.11第二節(jié)LiNBO3基版之SAW元件製作.12 2.1避免Charged up 現(xiàn)象.12 2.2製作打線區(qū).13 2.3電子束微影術.13 2.4使用RIE蝕刻鍺(Ge) .17 2.5元件製作結果.17第三節(jié)GaAs基版之SAW元件製作.18 3.1元件製作結果.18第四節(jié)數(shù)據(jù)測量.1

2、9 3.1樣品封裝.19 3.2量測系統(tǒng)配置.20 3.3量測程式設計.22 3.4量測數(shù)據(jù)與訊號分析.23結論.26未來展望.26參考書目.27摘要本實驗利用電子束微影術的方法在半導體壓電材料GaAs上製作線寬500nm中心頻率1.26Ghz以及在絕緣體壓電材料LiNbO3上製作線寬700nm，中心頻率1.28GHz的高頻表面波（Surface Acoustic Wave，以下簡稱SAW）元件，並使用最直接的測量方法量得此高頻表面聲波元件在時間域(Time Domain)及頻率域(Frequency Domain)的訊號。 SAW元件在現(xiàn)代高頻通訊相關系統(tǒng)上是一個十分重要的元件，它除了可以用

3、來製作濾波器、延遲線甚至訊號處理及調變之外，它更可用來製作高靈敏度的偵測器。 電子束微影術是現(xiàn)代製作奈米元件、結構的主要工具，故名思義，是用電子束來曝光電子阻劑，因為電子的繞射極限遠小於光的繞射極限，因此可以製作奈米級線寬的元件及結構；因為是利用電子束來當作曝光的光源，所以基版的電性就直接影響微影術的參數(shù)，而基版就會有選擇性，導體及半導體可以用來當作曝光的基版，而絕緣體會在表面產(chǎn)生電荷累積(Charged up)的狀況，不適合使用電子束微影術；本次實驗所選擇的壓電材料為GaAs以及LiNbO3，其中LiNbO3是絕緣體材料，並不適合使用電子束微影術，但本實驗在電子束微影術的過程中，在LiNbO

4、3基版表面鍍上一導電層鍺以導掉表面累積的電荷，使得電子束微影術能用在LiNbO3基版上製作SAW元件。 SAW元件的頻率高達1.28GHz，直接量測到時間域的訊號有很大的困難，必須使用功能強大且頻寬很寬的儀器才能直接量得SAW訊號，所以在本實驗的量測上，我們特別使用取樣頻率8GHz、頻寬1.5GHz的Agilent 54845A 1.5GHz 高頻數(shù)位示波器以及Agilent E4421B 3GHz高頻訊號產(chǎn)生器，成功的直接量測到SAW在時間域的訊號以及延遲線SAW元件的時間延遲，並撰寫LabView程式，以電腦控制高頻訊號產(chǎn)生器及高頻示波器量測SAW元件的頻率對穿透的關係。簡介表面聲波在目前

5、學術界上的應用十分廣泛。例如聲電電流傳輸效應（I=N0ef）上 ，電流可由表面聲波的頻率來控制，也就可以進一步達到單一電子的載運1，甚至可用來界定做為電流的標準；又如在影像應用上，亦可介由在待測物上的表面聲波傳遞，透過雷射、電子束（SEM）及表面探針（AFM）等方法，可得到高解析度的影像資料2 。而另一個熱門的應用方向就是使用表面聲波的聲電效應來探測物質的許多特性，進而可將其當作一靈敏度極高的偵測器3，這也是我們在此研究的主要方向。 半導體壓電材料的壓電係數(shù)十分小，所以在表面聲波的量測上較為困難，但我們希望能夠在半導體壓電材料GaAs上製作高頻SAW元件，透過表面聲波對導電度變化非常敏感的特性

6、，藉此量測二維電子氣體系統(tǒng)的導電度變化及其他物理特性，1986年有人使用一對IDT（interdigital transducer）延遲線SAW元件，以其中一端為發(fā)射器，另一端為接收器測量在低溫高磁情況下表面波與二維電子氣體系統(tǒng)的交互作用4 在此介紹一關於探討表面波能量和頻率與磁場間相互作用關係的實驗報告。其中有關表面波元件的製作與示意圖如Fig 1所示5：Fig 1 表面聲波元件示意圖這是典型的表面波元件示意圖。在半導體異質結構上使用high-mobility的二維電子氣體系統(tǒng)，並在GaAs上直接鍍上IDT(interdigital transducer)延遲線模式，用來做傳播與接收訊號的電

7、極，而表面波的波長由IDT的週期來決定。在此表面波元件的中央即是表面聲波傳遞的區(qū)域，且由尺標中可看出表面波傳遞的方向與晶格方向必定有關。這裡將表面波的傳遞方向限制在(100) surface 110 propagation。 在半導體壓電材料上壓電係數(shù)非常小，而且傳播速率較一般壓電材料慢，所以要製作高頻的SAW元件並有足夠大的訊號測量二維電子氣體導電度變化，較有困難，所以在論文的另外一個部分提出使用近接耦合（Proximity coupling）訊號的方式使用LiNbO3製作的SAW元件量測二維電子氣體系統(tǒng)，如Fig2所示，二維電子氣體樣品（GaAs）利用頂針壓在LiNbO3SAW元件的延遲線

8、上。Fig 2 LiNbO3表面聲波元件量測示意圖關於訊號處理部份，裝置圖如Fig 3 5：Fig 3 實驗裝置圖有關訊號處理部份，首先使用RF脈衝訊號(頻寬約0.11s，Duty cycle為10kHz)，將此訊號經(jīng)過發(fā)射電極進入半導體樣品中，再由接收電極接收(延遲時間約2s)，藉由上圖裝置來量測相位及強度的變化。訊號強度由Diode detector來量得，而相位則是使用Phase Locked Loop(PLL)來量得5。 我們最終的目的是要利用SAW元件所產(chǎn)生的高頻表面聲波來量測二維電子氣體系統(tǒng)，或者更低維度的電子氣體系統(tǒng)的導電率變化，甚至製作一個單電子傳輸（Single electr

9、on transport）的系統(tǒng)。所以我們要在半導體壓電材料（GaAs）及一般壓電材料（LiNbO3）基版上製作高頻的表面聲波元件，這裡所謂的高頻是希望達到頻率為GHz以上的元件，為了達成這個目標，我們必須使用電子束微影技術來製作高頻表面聲波元件，以製作出次微米甚至奈米級線寬的高頻表面聲波元件。 而在訊號處理的部分，我們希望可以利用簡單的儀器、線路，即時顯示高頻SAW的時間域（Time Domain）訊號或量得其頻率域（Frequency Domain）訊號而不是使用Phase Locked Loop(PLL)或BOXCAR等複雜的高頻量測技術及線路來量得高頻SAW訊號。所以我們使用Agile

10、nt 54845A 1.5GHz高頻示波器及Diode Switch、Pulse Generator 、RF Source運用簡單的線路量得高頻SAW訊號。實驗原理第一節(jié) 表面聲波元件1.1表面聲波（Surface Acoustic Wave）6,7,8在物體表面施加壓力變化可產(chǎn)生一個類似聲波形式的波形，此波形的傳遞方式被限制在表面上這就稱為表面波（Surface Acoustic Wave）。在1887年Lord Rayleigh發(fā)現(xiàn)這種傳播的方式，故亦稱之為Rayleigh Wave。若表面有細微擾動，如質量的變化， SAW會相當靈敏，表現(xiàn)在其傳遞的速度變化及功率衰減量。SAW的傳輸特性和

11、方向及傳播的平面很有關係，本實驗選擇在LiNbO3基板上SAW的傳遞方式為(Y cut)-(Z Propagation)，即波傳遞速率的方向為Z軸，而傳遞的平面和Y軸垂直，而在GaAs基板上為(100) surface 110 propagation。當SAW傳遞通過壓電材料時，(如下圖所示:)Fig 4 SAW通過壓電材料時電場的變化會在表面產(chǎn)生一層束縛電荷（Bound Charge）分布，且伴隨有電場的變化與機械波的產(chǎn)生。1.2 表面聲波元件學術界約在1965即開始使用SAW在壓電材料(piezoelectric)上來實驗。其簡單的原理，就是在壓電材料上鍍上兩個金屬梳狀電極(即為延遲線in

12、terdigital transducer，簡稱IDT)，分別為發(fā)射端及接收端。再以高頻電訊號輸入發(fā)射端的IDT以產(chǎn)生電場改變來使底下的壓電材料產(chǎn)生形變，而此一形變最後即成表面聲波的方式傳播經(jīng)過樣品區(qū)域，而在另一接收端的IDT即把此接收到的SAW透過壓電材料而產(chǎn)生電場變化，進而還原產(chǎn)生一高頻電訊號，此即為一簡單的表面聲波元件。IDT是在SAW元件中用來把高頻電訊號傳達到壓電材料上產(chǎn)生形變的電極。而此電極在學術界的應用上有很多種類，不同的種類所產(chǎn)生的傳播機制都有些許不同，我們在此使用的是最常見的Regular transducer type，故名思義它是各種transducer中最標準也最具對稱

13、性，其基本的形狀如下圖所示：Fig 5 IDT示意圖上圖(a)為對應的SAW電位，(b)是IDT俯視圖，(c)是IDT側視圖第二節(jié) 電子束微影術2.1微影技術微影技術是整個半導體工業(yè)的關鍵技術，目前在微影部門的經(jīng)費往往佔整個元件製作成本的三分之一，而且這個比例有逐年增加的趨勢。此技術的工作原理與照相、沖洗底片及印刷成相片的方式很類似，底下舉個例子說明：例如我們想在晶片（或稱作基板）上做一條銅線。其製作過程如下：(1) 準備光罩（mask）：光罩上面有這條銅線的圖案。而光罩是用玻璃或石英製造的，在它上面不透光的部分鍍有一層金屬鉻。(2) 於晶片上鍍銅薄膜：一般作法是在真空中把銅加熱使之融化、蒸發(fā)

14、附著在晶片表面上。(3) 上負光阻於銅薄膜上：接著在鍍有銅膜的晶片上旋鍍上一種對紫外線敏感的光阻劑（photoresist）。這種光阻劑是液態(tài)的，先用約每分鐘數(shù)千轉的速度把它旋鍍在晶片上，在烘烤後它會發(fā)生化學相變而形成一層膠膜。(4) 曝光及顯影：用紫外光透過上述的光罩作曝光，曝光完後再作顯影。因是負光阻劑(如圖2-2-1)，顯影完後光阻劑上就形成與光罩相同的圖案，也就是一條光阻劑的線。(5) 蝕刻：此後再把晶片放入適當?shù)奈g刻設備中去腐蝕（etch）掉不想要的銅，這時上層光阻劑就當作下層材料的保護膜，蝕刻完後的晶片上就剩下一條銅線上面覆蓋著一層光阻膠。最後再用丙酮之類的溶劑把上層的光阻劑洗掉就

15、完成了圖形的轉移。若使用正光阻劑，如圖我們不用蝕刻的方法而改用一種叫做舉離( lift-off )的方法。使用這種方法時，先在未鍍銅的晶片上鋪上正光阻劑，然後曝光、顯影之後再鍍上銅薄膜。此時一部分的銅膜會鍍在光阻劑上，另外一部分會鍍在晶片上，最後再把晶片放入丙酮之類的溶劑中把上層光阻劑及鍍在其上的銅膜一起洗掉就完成了。舉離的方法不須腐蝕掉多餘銅膜，所以比較清潔、簡單，常為實驗室採用。但它有幾個缺點：第一、它要求要有垂直方向性的蒸鍍源，因為在光阻劑垂直的壁面上不能有銅膜，以確保在光阻劑上的銅膜與在晶片上的銅膜被完全隔離。第二、蒸鍍高熔點材料時晶片的溫度可能會很高，因光阻劑不能耐高溫，所以這類材料

16、不適合在舉離時使用。第三、把光阻劑放入蒸鍍銅膜的機器內有可能會污染到蒸鍍系統(tǒng)的真空腔，所以舉離的方法在半導體製程中很少使用。另外，負光阻劑也不常被使用，因為它的解像度比正光阻劑低。2.2 電子束微影術以上所述的微影技術是用光學方法來作的，由於這種技術很適合大量生產(chǎn)用，所以一直都為半導體工業(yè)所採用，但是現(xiàn)在技術上已經(jīng)漸漸逼近到它解析度的極限了。這極限的由來主要是因為光波在光罩圖案邊緣會產(chǎn)生複雜的繞射條紋，而且晶片表面的反射光會使這問題更複雜化。雖然新的製程已經(jīng)使用波長較短的深紫外線光源，並且也嘗試在光罩上下功夫來減少繞射，但一般相信光學微影技術的極限可能不會小於0.1微米。如果要做到更細小的尺寸

17、，用電子束當作光源來作曝光的技術可能是最好的方法了。電子束微影技術不需要用光罩，可以直接把在電腦上設計好的圖案送到曝光的系統(tǒng)去寫（稱作直寫，direct write）。所以它可大幅縮短從設計到製作的時間，也因此特別適合研究室或非量產(chǎn)型元件使用。事實上前面所述及的光學微影技術所用的光罩大多是用電子束微影技術作出來的。如果說紫外線是平面光源，電子束可以說是一種點光源，所以比起光學微影技術，電子束曝光系統(tǒng)的產(chǎn)能要低很多，生產(chǎn)的成本太高而不適合工業(yè)用。將來工業(yè)界可能使用的微影技術包括有使用極短波長的紫外線、X-ray（包括同步輻射）或平面的電子束來替代現(xiàn)在的紫外光源作投影式曝光，或甚至可用直接壓版的方

18、式在光阻劑上壓製圖案。由於這些技術都要用到電子束微影技術製作出來的光罩或模子，所以它們能做到的尺寸極限都會受限於電子束微影的技術。 那麼用電子束微影技術能做到的極限是多小呢？電子束的波長很短，因此它沒有繞射的問題，而能達到很高的解析度。電子束的直徑依電子槍的種類及其加速電壓而不同，加速電壓越高電子束的直徑就越小。一般電子束曝光系統(tǒng)的加速電壓約在25至50 kV之間，其電子束的直徑約在1.55個毫微米，以彰化師大毫微米元件實驗室製程經(jīng)驗，可製作出30奈米的金屬線。電子束雖沒有繞射的問題，但入射的電子會在電子阻膠內產(chǎn)生散射，更嚴重的是它們會與晶片的晶格發(fā)生碰撞產(chǎn)生大量的反射電子及二次電子，這些電子

19、有可能會破壞電子阻膠的鍵結而影響曝光的結果，稱之為近距效應（proximity effect），如圖Fig 7 不同加速電壓下之電子散射情形由於近距效應的作用，如要製作出更小的線寬，除了選擇合適的電子阻劑外，我們需要更好的顯影劑配置及顯影溫度控制。製程及實驗步驟第一節(jié)圖形繪製 在設計圖形前，當然得先決定圖案的尺寸，首先是IDT的線寬及間距，計算公式為：IDT線寬及間距 = W = (表面波在該基板介質上之波速/表面波中心頻率) Fig 8 IDT尺寸示意圖如上圖所示，表面波在傳播時剛好在三個電極間有一個完整的波長，所以以電極中心來平均分配，電極間距及電極線寬剛好就是該波長的四分之一。以下為本實

20、驗所設計之SAW IDT尺寸表：Vp (m/s)CF (GHz)LineWidth(m)GaAs2863 1.00.721.260.5LiNbO334911.00.871.250.7而計算後之結果的小數(shù)部分，因為有最小解析度的限制，所以只能將之四捨五入，反正只要最後的實驗頻率範圍不要離所要的頻率太遠即可。 計算好所要的中心頻率及其線寬後，將其尺寸用CAD軟體（Design CAD 6.0）繪製，並將其轉成電子束微影術的執(zhí)行檔備用。第二節(jié)LiNbO3基版之SAW元件製作2.1避免Charged up 現(xiàn)象蒸鍍鍺(Ge) 10nm於樣品上，LiNBO3樣品本身為絕緣體，當電子束在樣品上掃瞄時會產(chǎn)生

21、Charged up現(xiàn)象，即電荷在樣品表面累積，造成電子束微影術的困難，故鍍上鍺(Ge)導掉電荷，以避免Charged up效應。選用鍺這個材料是因為，它很容易蒸鍍，做完電子束微影術之後，也容易用乾式或濕式蝕刻的方法將其去除，以免表面聲波的傳遞受阻或散射。2.2製作打線區(qū)本研究中因為所量測的元件是屬於毫微米尺度，所以無法直接接線。因此本實驗主要利用以下方法製作微米級打線區(qū)（bonding-pad）:1. 設計光罩如下圖：1.6mmFig 9 整個光罩圖形其中兩個相對的三角形打線區(qū)相隔1.6mm(此即為延遲線SAW的延遲線長度)Fig 10 電子束微影術Writing 處（紅線區(qū)）2. 利用光微

22、影術，將圖形曝光至LiNbO3基版上並顯影3. 蒸鍍Ti/Au =10nm/50nm 在基版4. 將基版泡入丙酮中舉離5. 完成打線區(qū)2.3電子束微影術電子束微影術基本的硬體配備為一部掃描式電子顯微鏡（scanning electron microscope）及電腦介面控制軟體（Nano Pattern Generation System，簡稱NPGS）。實驗室所使用的掃描式電子顯微鏡為HITACHI公司製造S-2460N機臺，包括真空系統(tǒng)、樣品存放腔、樣品臺及變壓器等。以鎢絲發(fā)熱負極作為電子槍，利用變壓器產(chǎn)生30KV的加速電壓，激發(fā)生固定電流密度的電子束。另外凝聚透鏡（磁透鏡magnetic

23、 lens）使電子束聚焦，其解析度可達4nm。然而使用時必須在真空的狀態(tài)，否則電子容易為氣體分子所分散造成電子束停滯不移動，也可延長電子槍中鎢絲的壽命。後者用以控制遮黑平板（beam blanker，電子束的開關）與偏角線圈（控制電子束偏折的角度），將電腦輔助軟體設計之圖形相對應轉移曝光於塗佈電子阻劑之晶片上。Fig 11 電子顯微鏡實際操作圖Fig 12 本實驗之電子束微影術實際配置圖HITACHI2460N基本製作流程步驟如下所述：1. 塗佈電子阻劑：使用光阻塗佈機將電子阻劑塗佈在晶片上，電子阻劑的解析度受限於兩個因素，第一為顯影液中的膨脹現(xiàn)象，這會造成原本是分開的線段在顯影後相連而短路，

24、第二為電子阻劑的厚度，越薄解析度越好?；渡鲜隼碛赏ǔＪ褂玫恼娮幼鑴榫奂谆┧峒柞ィ╬olymethylmethacrylate），簡稱PMMA其解析度小於0.1微米以下。並且厚度通常依照PMMA不同重量百分濃度及不同旋轉速度加以控制。實驗室主要的電子阻劑百分濃度通常使用 1、2、3以及6，首先將晶片置於光阻塗佈機上，再塗佈上我們所需要的電子阻劑百分濃度，然後以轉速4000 rpm、旋轉25 sec來將電子阻劑塗佈均勻。2. 烘烤：塗佈完成後，將晶片移入烤箱中，以溫度160烘烤兩小時以上。目的是將PMMA的溶劑蒸發(fā)掉。鍺(Ge)3. 曝光：完成上述兩步驟之後，將晶片放入電子顯微鏡之樣品座

25、上，調整工作距離至10 mm，將電子顯微鏡之設定調整到最好的狀態(tài)，再利用 NPGS 軟體以及 Beam Blanker 控制平板和偏轉線圈來將晶片曝光成我們所要的結構。4. 顯影：使用methyl isobutyl keyton（MIBK）和2-propanol（IPA，異丙醇）以一比三之比例調配成的顯影液，在定溫25的溫度下，顯影75秒鐘，再放入IPA中約20 sec，再將晶片上殘留的IPA吹乾即完成。由於電子顯微鏡電子有二次反射的原因，所以會有底切（under cutting）的效應。5. 蒸鍍：將晶片放入蒸鍍機中，蒸鍍所要之金屬薄膜以及厚度。6. 舉離（lift off）：將晶片放入丙酮

26、（Acetone）溶液中，讓丙酮將尚未曝光之電子阻劑以及不需要之金屬薄膜區(qū)域清除，而得到完成設計之圖案。2.4使用RIE蝕刻鍺(Ge)利用RIE（反應式離子蝕刻機）將Ge蝕刻掉，以免Ge導電層影響表面聲波的傳遞。註：鍍Ge目的是要讓LiNBO3表面有一層導電層，樣品放入SEM樣品室時在Ge表面扣上一金屬鎖在樣品座上以導掉Charge。2.5元件製作結果Fig 13 LiNBO3樣品製作結果-1Fig 14 LiNBO3樣品製作結果-2第三節(jié)GaAs基版之SAW元件製作GaAs製程和LiNbO3相似，只是不需要蒸鍍及蝕刻導電層3.1元件製作結果Fig 15 GaAs元件製作結果-1Fig 16

27、GaAs元件製作結果-2第四節(jié) 數(shù)據(jù)量測4.1樣品封裝在完成表面波元件製作後，為了之後的實驗量測需要避免其他訊號耦合到輸出訊號，我們直接把樣品封裝在一小金屬盒中，其基本架構如下圖所示，為簡單的線路、金屬盒及SMA接頭組合而成。金線打線樣品SMA接頭Fig 17 樣品置於高頻樣品基版圖4.2量測系統(tǒng)配置這部分即是本系統(tǒng)的重心，也就是脈衝高頻訊號的量測處理過程，整個測量系統(tǒng)裝置如下圖所示：RF Generator(Agilent E4421B 高頻訊號產(chǎn)生器) 高頻示波器(Agilent 54845A 1.5GHz 高頻數(shù)位示波器)Sample 粉紅色:低頻訊號橙色:高頻訊號Stainless-S

28、tealSemirigid CoaxStainless-StealSemirigid CoaxSAW Receiver IDTSAW Emitter IDTAmplifierPulse GeneratorStep AttenuatorHighSpeed Diode Switch Fig 18 量測系統(tǒng)配置圖使用儀器如下：Agilent 54845A 1.5GHz 高頻數(shù)位示波器Fig 19 Agilent 54845A 1.5GHz 高頻數(shù)位示波器特性：取樣頻率8GHz，頻寬1.5GHzAgilent E4421B 3GHz高頻訊號產(chǎn)生器Fig 20 Agilent E4421B 3GHz高頻

29、訊號產(chǎn)生器特性：輸出100k-3GHz的RF訊號，並可做AM及FM訊號調變4.3量測程式設計SAW樣品本身對頻率的變化很敏感，所以必須設計一改變RF Generator頻率，用示波器量測不同頻率下的穿透率。 使用LabView程式設計控制RF Generator極高頻示波器的程式，程式如下：Fig 21 程式設計圖Fig 22 程式操作面版4.4量測數(shù)據(jù)與訊號分析第一部份LiNbO3樣品(a) 示波器看到的訊號，由此可計算時間延遲Fig 23 時間域SAW訊號延遲線長度為1.6+0.2mm（兩個SAW元件中心到中心距離）左右，起延遲時間為(1.8mm/3491m/s)=515.6ns由數(shù)據(jù)可知

30、從輸入Gating訊號到SAW訊號的時間延遲約為550ns和計算的延遲時間相差6.8%次誤差來可能來自於導線和電路本身的時間延遲。(b) 中心頻率範圍量測SAW訊號（Frequency Domain訊號）Fig 24中心頻率範圍量測SAW訊號（Frequency Domain訊號）由數(shù)據(jù)可知，SAW訊號本身很?。s-67dB），所以量測要很小心，另一方面元件的頻寬很寬（約160MHz）這是由於我們的SAW元件的對數(shù)只有13對的緣故。第二部份GaAs樣品GaAs樣品的對數(shù)（Fingers）為60對，所以中心頻率附近的穿透率特別高，且明顯的頻寬很窄，約50MHz，訊號也大了許多（約-40dB）。結

31、論 本實驗是利用電子束微影技術製作高頻表面聲波元件，並在絕緣體壓電材料及半導體壓電材料基版上製作高頻表面聲波元件，我們得到一個SAW延遲線的元件，並且用我們所設計最直接的方法測量其元件特性，可以提供我們往後這製作高頻SAW元件的主要參考未來展望：元件的製作希望可以朝向10GHz的SAW元件邁進，即線寬70nm的SAW元件。並使用本實驗室擁有的PLL高頻量測系統(tǒng)作有效的測量，最後我們會將SAW延遲線元件製作在GaAs二維電子氣體或量子點樣品的基版上，表面聲波的衰減係數(shù)及傳播速率對鄰近材料的導電度非常敏銳 。尤其是對於導電性不好的絕緣態(tài)，或是難以做電性接觸的量子點系統(tǒng)，這樣的測量特別有用，可進一步

32、讓我們研究表面聲波和低維度電子系統(tǒng)的交互作用。參考書目1. J. Cunningham, V. I. Talyanskii, J. M. Shilton, and M. Pepper A. Kristensen and P. E. Lindelof ，Single-electron acoustic charge transport on shallow-etched channels in a perpendicular magnetic field，Physical Review B (Condensed Matter and Materials Physics) - July 15, 2000 - Volume 62, Issue 3, pp. 1564-15672. Behme, G.; Blocker, M.; Bigler, E.; Hesjedal, T.; Frohlich, H.-J.，High resolution acoustic field imaging applied to surface acoustic wave devices， Ultrasonics Symposium, 1998. Proceedings., 1998 IEEE , Volume: 1 , 1998 Page(s): 265