海思終端芯片ATE技術(shù)手冊

1、本文參照業(yè)界通用做法，泄義了海思終端芯片類COT的推薦ATE測試策略，以及此類芯片在測試程序開發(fā)及量產(chǎn)時各版本的的測試規(guī)范及測試項目要求。因技術(shù)和芯片規(guī)格持續(xù)發(fā)展，各IP的測試規(guī)范不斷添加和完善。對于成熟舊程序開發(fā)時需要遵守該規(guī)范，新IP測試規(guī)范建立時可參考對應(yīng)的測試規(guī)范。二、文檔目的：支撐終端芯片媒體類產(chǎn)品達(dá)成<2000FDPPM的質(zhì)量目標(biāo)。三、使用規(guī)范：1）本文檔針對IP的測試項僅進(jìn)行簡單說明，詳細(xì)說明及指導(dǎo)手冊請嚴(yán)格遵守IP測試規(guī)范及IP測試CBBo2）芯片測試策略必須不松于該規(guī)范，如有測試條件的刪減，需經(jīng)過PDT經(jīng)理/項目經(jīng)理/PE/PL的聯(lián)合會簽，如有特殊需求，可酌情增加測試條

2、件。3.1 程序版本說明FT/CP泄義常溫測試（若只有此一道testflow,也泄義為FTA；若因向量深度或其他問題導(dǎo)致flow增力的，記為FTB.FTC-）。3.2 ATE量產(chǎn)測試流程> 芯片應(yīng)用特點(diǎn)芯片用于機(jī)頂盒，視頻監(jiān)控，數(shù)字電視等產(chǎn)品系列，質(zhì)量及可靠性要求高：發(fā)貨量大，成本敏感；工作環(huán)境為各國正常生活環(huán)境。> 測試流程CP1FT1SLT1溫度25C25C25C電壓VDDNVDDN/IVH覆蓋率低全DVSYNsite數(shù)量14> 補(bǔ)充說明（DCP測試：低覆蓋率（開始為中覆蓋，后續(xù)根據(jù)量產(chǎn)數(shù)據(jù)進(jìn)行刪減測試項以達(dá)到降成本目的），DVS,VDDN,常溫測試，14site（2）F

3、T測試：全覆蓋，VDDN+VDDH+VDDL,常溫測試（高溫待驗證必要性），GB（根據(jù)CHAR結(jié)果）28siteso量產(chǎn)SLT：可選項，長期可根據(jù)ATE覆蓋率更新情況進(jìn)行抽檢或取消。可靠性測試：建議Bywaferlot進(jìn)行HTOL/uHAST抽檢3.3 測試項目標(biāo)準(zhǔn)ate向量規(guī)格要求如下：aATE向量規(guī)格要求（CP_FT）.xlsxlestIPhr測iK目的及測CWrtiS要說朗AEE黑茨說明MIrHEIIIE之廣osOS.PS儉測芯片電涯與地之間是否存在恿路情況需要轄蓋全部的電OSXWFUNC測試芯片所有數(shù)字IOS否與Tes陋連接彭“且各首腳之間;殳有升路和短陶咳，go-nogotest需氏

4、覆去全部帶有上也二極管的首創(chuàng)OS_DD_PPMU測試芯片所有數(shù)字10是否與Te如連接良好，旦各HP之間沒有開路和您跑現(xiàn)象，gonogotest憑要覆釜全沁有上拉二檀管的管即OS-VSS-FUNC測試芯片所有數(shù)字105否與Tew連掾良悅且各鎏即之間沒有開路和矩踣現(xiàn)孰gsnogoz弱更衣走全卸數(shù)芋及OS-VSSPPMU測試芯片刖有數(shù)字K展否與Test涯接良好，巨各首創(chuàng)與電踵地之何注有開短精現(xiàn)象，可測出具體參SL需要爰蓋全斕宇及PORPOR測試上電復(fù)應(yīng)癌塊的復(fù)位.藤時間定杳齪規(guī)格TsensorTSR_ADT7301ifADT73O1基淮一用于儉測環(huán)境；際作.為SOCTsensoiTiimmrmS八準(zhǔn)

5、TSR.JNTf*f測試Tsens遵否工作正常，能正斛15出豈前芯片溫虔值并與基淮戲行比趣（可這：把TrmmingSfgA送至EFUSE中進(jìn)行二戾寫）WJTAG可配（M線可配DCJDDQDCJDDQ測試芯片在特瞪措戲態(tài)下刪字電源言卅辟態(tài)電恁肖駐，模擬電源訓(xùn)試可根據(jù)蚩產(chǎn)測試數(shù)據(jù)做加嚴(yán)多考，要求各電湄管晰電農(nóng)態(tài)可控sPEcm據(jù)最終址產(chǎn)測試數(shù)據(jù),按4sigma原則制定DFTFC-DFTQDFTg敘曙申要求100%,支持1149.1FC-BSCANVDDN則試JTAG5盼電臆琵否工作正卓FCCHAIN-VDDN測試Scan返通蹌FC_STUCK_VDDN測試數(shù)字郅弁泉否存在由生產(chǎn)環(huán)節(jié)異致的Stuck.

6、At用的蓋率要挪?%FC/TRANS.CPU(Normal)FC_TRANS_CPU(Profile)»ffiff測試數(shù)宇卸分定否存在由生產(chǎn)環(huán)節(jié)導(dǎo)致的時序上的缺陷。對于CPUGPU叮rans,在CP上測試Normal頻點(diǎn)和電丘在FT上零要新外跑電壓和頻率的profile點(diǎn)（前期以5個頻宜為宜，后明報據(jù)雖產(chǎn)數(shù)振和成本要求進(jìn)行相應(yīng)梧簡）同時對CPUGPU向蚩要有電壓和頻率BApcofileFC_TRANS_GPU(Normal)FC.TRANS.GPU(Profile)c*/FC.TRANS.OTHER.VDDN對干其他模塊6Trans,按照CHAR結(jié)果在FT上進(jìn)f亍低EE加嚴(yán)卷蓋率莖求

7、CPUGPU-95%,M1K70%FC.MBIST.CPU(Normal)ifif測試芯片內(nèi)部的memory是否工fE正常。對干CPUGPU八MBIST.在CP上測試Normal頻巨和要求蓋率100%?CPUGPU相關(guān)MeTnorvSSA7高利氐壓：高中低煩profileoFC.MBIST.CPU(ProfilejJFCXIEISTGPU(Normal)«/a.f甩Jis,tEFT_£rfa甩Hi相BAproSc1前期以34K點(diǎn)為亙.后期根據(jù)呈產(chǎn)數(shù)據(jù)和咸FCMB!STGPU(Profile)1>f本豆求連行相應(yīng)活簡FCAIE1ST_OTHERvBdn對于具他核塊的MB

8、IST,在FT上世行高低壓加FC.IDDQ測試IDDQ向雖functional測試是否Pass&在DCDDQ_VDDN測試項，只會判斷搟態(tài)電流是否超限。而對于向量的PassTailK況，為了避免分Bin泯渚，特設(shè)貿(mào)此項，以謹(jǐn)選。USB3.0USB3_BIST_BERT謂理1率BIST：刃試USB3_BISTNT_LPBK一cTx-toRx內(nèi)環(huán)回測試USB2.0USB2_BIST_HSfUSBHS(highspeed)模式T的BIST測試USB2_BIST_FSUSBFS(Fullspeed)擺式下的BIST測試PCIEPCIEBlSTBERT誤碼率BIST測試PCIE_B1STJNT_

9、LPBKrx-to-Rx內(nèi)環(huán)回測試PCIEIOcPCIEREFCLK觴出場率測試VideoDACINLI測試VidnDAC靜態(tài)蘿數(shù)：積弁菲線性DNLc9測試VkkoDAC篩惠參數(shù)：逢弁菲線性O(shè)FFSETERRORc測試VidnDAC祎態(tài)蘿數(shù)：巾房賽FSRc測試VidcoDAC宏琴數(shù)：滿幅范圍GAINERRORc測試VidcoDAC削J杰數(shù)：醬益誤歪Kfcnoxonicc測試MdeoDAC甜杰數(shù)：里渭性Wfismatchc測試VkieoDAC甜杰澎數(shù)：一致性SNRcc測試VidcoDAC動杰數(shù)：信嗓比THD1測試VideoDAC動杰澎數(shù)：諧通失宜SFDRc測試VidcoDAC動態(tài)簽數(shù)：無會散幼態(tài)

10、范宙SINADc測試VkhoDAC動態(tài)參數(shù)：倍號摩聲失巨比AudioDACINLc>測iitAudioDAC©態(tài)券莎積分非線性DNLc測iitAudioDAC人態(tài)空斷差分非線性SNRc測iitAudioDAC動態(tài)參數(shù)：佑哩比SFDR01測試AudioDAC動態(tài)多數(shù)匚無雜散動態(tài)范困THDc/測試AudioDAC動態(tài)券數(shù)：諧浪失直QAM_ADCINLcf測試ADC祁態(tài)參數(shù)：枳分非線性DNLc1測試ADC3目態(tài)狡遜：差分非線性SNRcr測試ADC動態(tài)參秋佶哩比SFDRcf測試ADC動態(tài)參遜：無雜做動態(tài)范田THDct測試ADC動宏參數(shù)：諧漱失且HDNDHDMI.TXc測試HDbnTXP

11、HY勸能足否正常需要局速扳卡captureHDMI.RXc測試HDJ41RXPHY功能是否正常需要外接TX潟遙人原貽1E號LVDSLVDSTXc測試LVDSTX功能是否正常需要高速班卡captureMIPIMIP1RXc測試HPIRX功能是否正常需要高速扳卡偷人相應(yīng)碼型VBOVBO_TXQcJ測試VBOTX功能罡舌正常需要高速扳卡captureEuqatarDACINL測試EuqatorDACgl態(tài)口念數(shù):積分非線性DNLc1測iitEuqatarDACgl態(tài)口念如芒分非絢性SNRc測試EuqmtorDAC動態(tài)參數(shù):比SFDRc測試EuqatorDAC動態(tài)口念救：無全散動態(tài)范國GAINERRO

12、Rc測ixtEuqatorDACgf態(tài)口念如啟益誤差OFFSETERRORc1測試LuqaEDAC醉態(tài)參如Mismatchc1測試EuqagrDACSI態(tài)參如一致性INLcf測試EuqatorADC顯態(tài)參如枳分非線性DNLc測試EuqaEADC祁態(tài)參如差分非線性SNRc/測iitEuqatorADC動態(tài)參如伯嚨比SFDRc*1測試EuqatorADC動杰涉數(shù)：無雜散動態(tài)范囤GAINERRORc測試Euqa(6)ADC靜態(tài)多如增益渭整OFFSETERROR測試EuqaiorADC啼態(tài)蘿數(shù)：偏蠱CBUSCBUS00CC測試CBUS禊塊，用于支持MHL煩格ARCARC測試ARCITi夬，用于音頻回傳

13、FEPHYFEPHYBIST0C測試TEPHY巾能定否正章DIE.IDDIEJDIRCc本道TcstFlow測之前扔貽讀取完全Follow<DIEID30）規(guī)范和EFUSE情寫祿范或CBBnstflg注彥要符合4Read2Writc貝1DIEIDPRCc所有測試項仰1試完咸后,EFUSEOTP燒芍之前M該DIEIDPGMcEFUSEOTP燒寫DIEIDOTCcEFUSEOTP寫后現(xiàn)場校驗DIE_ID_REPGM_FLAGc*當(dāng)現(xiàn)場校駭失敗，燒死PASSFLAGDIEIDFRCc最終請取檢查OTPOTP_BLANK_TESTcOTP空日測試OIPTESTDECcOTP壓力測試OTPDOLB

14、Yc0cDolby切能饒直O(jiān)TP_DOLBY_LOCKc0cDolby功能燒寫后LOCKOTP.DTSc0cDTS功能燒寫OTP.DTS.LOCKc0cDTS功能燒寫后LOCKOTPJD.WORD.WRc0c1D.W0RD饒寫OTPJD_WORD_LOCKc0cID.WORD饒寫后LOCKOTP_SOC_FUSE_WRc0cSOC.FUSE燒寫OTP_SOC_FUSE_LOCKc0cSOJFUSE嗓寫后LOCKOTPATELOCKc0c所耳OTPATE接CILOCKHPMHPM/0c監(jiān)測，藝、溫度變優(yōu)，用于AVS目功調(diào)整電壓：需要在與應(yīng)用場雖相同電伍條件下對HPM進(jìn)行測里并淤入EFUS玖按需求

15、）通過JTAGSZS相應(yīng)寄存器，通過冥用背卅1輸出LS.ADCINLc*測試ADCSI態(tài)參瓠枳分非線性DNLcfk測試,ADC靜惠券數(shù)：整分非線性SNRc£測試ADC動惠參數(shù)：信嗓比THDc-k測試ADC動戀參數(shù)：諧液失真SFDRckk測試ADC動態(tài)參數(shù)：無奈減動態(tài)范國3.4 降成本策略當(dāng)量產(chǎn)程序穩(wěn)壓后，即可開始量產(chǎn)測試降成本工作，降成本細(xì)肖請參考海思COT芯片ATE測試降成本規(guī)范，本文僅針對無線終端芯片進(jìn)行策略性指導(dǎo)。>啟動條件（需同時滿足條件1和2,或滿足條件3,投入產(chǎn)出比要合算）：1、發(fā)貨總量超過XXK,且最新測試程序版本連續(xù)XXlot測試良率波動Xsigma2、 FDPPM連續(xù)XX月維持低水準(zhǔn)（vXXXPPM）3、或