光電技術(shù)自測(cè)題

1、光電技術(shù)復(fù)習(xí)題第一部分自測(cè)題、多項(xiàng)選擇題1. 下列選項(xiàng)中的參數(shù)與接收器有關(guān)的有（ AD ）A 曝光量 B. 光通量 C. 亮度 D. 照度2. 光電探測(cè)器中的噪聲主要包括（ ABCDE ）A.熱噪聲 B.散粒噪聲 C.產(chǎn)生復(fù)合噪聲 f 噪聲E溫度噪聲3. 光電技術(shù)中應(yīng)用的半導(dǎo)體對(duì)光的吸收主要是（ AB ）A.本征吸收B.雜質(zhì)吸收 C.激子吸收D.自由載流子吸收 E晶格吸收二、單項(xiàng)選擇題1. 被光激發(fā)產(chǎn)生的電子溢出物質(zhì)表面，形成真空中的電子的現(xiàn)象叫做（B）A .內(nèi)光電效應(yīng) B. 外光電效應(yīng) C. 光生伏特效應(yīng) D. 丹培效應(yīng)2. 當(dāng)黑體的溫度升高時(shí)，其峰值光譜輻射出射度所對(duì)應(yīng)的波長(zhǎng)的移動(dòng)方向?yàn)椋?/p>

2、A）A. 向短波方向移動(dòng) B. 向長(zhǎng)波方向移動(dòng) C. 不移動(dòng) D. 均有可能3. 已知某He-Ne激光器的輸出功率為 8mW正常人眼的明視覺(jué)和暗視覺(jué)最大光譜光是效能分別為683lm/W和1725lm/W，人眼明視覺(jué)光譜光視效率為，則該激光器發(fā)出的光通量為（D）半導(dǎo)體（A）電子吸收光子能量躍遷入（），產(chǎn)生電子一空穴對(duì)的現(xiàn)象成為本 征吸收。A. 價(jià)帶，導(dǎo)帶 B. 價(jià)帶，禁帶 C. 禁帶，導(dǎo)帶 D. 導(dǎo)帶，價(jià)帶5. 一個(gè)電阻值為1000歐姆的電阻，在室溫下，工作帶寬為1Hz時(shí)，熱噪聲均方電壓為（B）A 3nV B 4nV C 5nV D 6nV6. 用照度計(jì)測(cè)得某環(huán)境下的照度值為1000lx ，該環(huán)

3、境可能是（ B）A 陽(yáng)光直射 B 陰天室外 C 工作臺(tái) D 晨昏蒙影7. 已知某輻射源發(fā)出的功率為1W該波長(zhǎng)對(duì)應(yīng)的光譜光視效率為，則該輻射源輻射的光通量為（ B）A 683lm C 1276lm D 638lm8. 為了描述顯示器的每個(gè)局部面元在各個(gè)方向的輻射能力，最適合的輻射度量是（ D ）A 輻射照度B輻射強(qiáng)度輻射亮度C 輻射出度 D9. 電磁波譜中可見(jiàn)光的波長(zhǎng)范圍為 （A） B 1um C 13um D 812um10. 已知一束激光功率為 30mW波長(zhǎng)為，普朗克常數(shù) h 6.626 10-34J S則該激光束的光 子流速率N為（A）。A.X 1016個(gè)/ 秒 B. X 1019個(gè)/ 秒

4、 C. X 1025個(gè)/ 秒 D. X 1022個(gè)/ 秒11. 某半導(dǎo)體光電器件的長(zhǎng)波限為13um其雜質(zhì)電離能 Ej為（B）44A. 0.095J B. 0.095eV C. 9.5 104JD. 9.5 104eV12. 100W 標(biāo)準(zhǔn)鎢絲燈在范圍內(nèi)所發(fā)出的輻射通量為（A）A. 1.592W B. 27.223lm C. 3.184W D. 27.223W13. 已知甲、乙兩廠生產(chǎn)的光電器件在色溫 2856K 標(biāo)準(zhǔn)鎢絲燈下標(biāo)定出的靈敏度分別為Se 5uA/uW , Sv o.4A/lm，則甲乙兩廠中光電器件靈敏度比較結(jié)果正確的是（B）A. 甲場(chǎng)靈敏度高B. 乙場(chǎng)靈敏度高C. 甲乙兩場(chǎng)靈敏度一

5、樣高D. 無(wú)法比較14. 光電發(fā)射材料 K2CsSb的光電發(fā)射長(zhǎng)波限為 680nm該光電發(fā)射材料的光電發(fā)射閾值的 大小為（ D）A. 1.82 103JB. 1.82 103eV C. 1.82J D. 1.83eV15. 已知某種光電器件的本征吸收長(zhǎng)波限為，則該材料的禁帶寬度為（B）A. 0.886J B. 0.886eV C. 886J D. 886eV三、判斷題1. 比探測(cè)率是一個(gè)與工作頻率、測(cè)量帶寬無(wú)關(guān)的常數(shù)。（錯(cuò)）2. 探測(cè)率是一個(gè)反映探測(cè)器探測(cè)能力的物理量， 探測(cè)率越大， 說(shuō)明探測(cè)器的探測(cè)能力越強(qiáng)。（對(duì)）3. 噪聲等效功率是信噪比為 1 時(shí)，入射到探測(cè)器上的信號(hào)輻射通量。 （對(duì)）4

6、. 1/f 噪聲是一種低頻噪聲，幾乎所有探測(cè)器中都存在這種噪聲。（對(duì)）5. 量子效率是在特定波長(zhǎng)下單位時(shí)間內(nèi)產(chǎn)生的平均光電子數(shù)與入射光子數(shù)之比。（對(duì)）6. 若金屬溢出功為W則長(zhǎng)波限為W（nm）.（錯(cuò)）7. 光通量的單位是坎德拉。 （ 錯(cuò) ）8. 輻射通量與光通量的單位是相同的。（錯(cuò)）9. 朗伯輻射體的輻射出射度等于他的輻射亮度。 （錯(cuò)）10. 被照明物體表面的輻射照度和光源與物體表面的距離平方成反比。（對(duì)）11. 輻射出射度 Me與輻射照度Ee的定義式都是：某點(diǎn)處面元的輻通量d e除以改面元的面積dA的商，所以這兩個(gè)物理量是具有相同的概念。（錯(cuò)）12. 發(fā)光方式主要有電致發(fā)光，光致發(fā)光，化學(xué)發(fā)

7、光和熱發(fā)光。 （對(duì)）13. 發(fā)光強(qiáng)度的單位是坎德拉（cd）,其定義為：在給定方向上能發(fā)射540 1012Hz的單色輻射源，在此方向上的輻強(qiáng)度為（1/683）W/sr，其發(fā)光強(qiáng)度定義為led。（對(duì)）14. 在對(duì)具有一定量度和顏色的非黑體輻射體的溫度標(biāo)測(cè)中，亮溫度與實(shí)際溫度的偏差最小，色溫度次之，輻射溫度與實(shí)際溫度的偏差最大。（錯(cuò)）15. 波長(zhǎng)長(zhǎng)于本征吸收的光波長(zhǎng)波限的入射輻射能使器件產(chǎn)生本征吸收，改變本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。（錯(cuò)）16. 雜志吸收的長(zhǎng)波限總要長(zhǎng)于本征吸收的長(zhǎng)波限。 （對(duì)）17. 可以引起光電效應(yīng)的光吸收包括本征吸收，雜質(zhì)吸收，激子吸收，自由載流子吸收和晶 格吸收。（錯(cuò)）18. 在弱

8、輻射作用的情況下，半導(dǎo)體的光電導(dǎo)效應(yīng)與入射輻射通量的關(guān)系是線性的。（對(duì)）19. 光生伏特效應(yīng)能將光能轉(zhuǎn)換成電能。 （對(duì)）20. 外光電效應(yīng)是半導(dǎo)體光電器件、真空光電倍增管、攝像管、變像管和像增強(qiáng)器的核心技術(shù)。（錯(cuò)）第二部分常用光輻射源自測(cè)題、多項(xiàng)選擇題1. 常用的激光器有（ ACDE）A. 氣體激光器 B. 液體激光器C. 固體激光器 D.染料激光器 E 半導(dǎo)體激光器2. 按發(fā)光機(jī)理分類(lèi)，常用光源有（ A. 發(fā)光二極管 B.激光器C.ABCD)氣體放電D. 熱輻射E 太陽(yáng)、單項(xiàng)選擇題1.低壓汞燈光譜為（A. 線狀光譜 B.A）。帶狀光譜C.連續(xù)光譜D.混合光譜2. 高壓鈉燈光譜為（A. 線狀光

9、譜 B.B）。帶狀光譜C.連續(xù)光譜D.混合光譜3. 高壓鈉燈光譜為（A. 線狀光譜 B.B）。帶狀光譜C.連續(xù)光譜D.混合光譜4. 白熾燈光譜為（ CA. 線狀光譜 B.）帶狀光譜C.連續(xù)光譜D.混合光譜5. 熒光燈光譜為（A. 線狀光譜 B.D ）帶狀光譜C.連續(xù)光譜D.混合光譜B ）C. 幾瓦 D. 幾百瓦該光源可能是（6. 某光源的發(fā)光效率為901 00lm/W ，A. 普通熒光燈 B. 高壓汞燈 C. 高壓鈉燈 D. 鹵鎢燈7. 連續(xù)波半導(dǎo)體激光器輸出功率約為（A. 小于 1mW B. 幾毫瓦到數(shù)百毫瓦8. 黑體是指（ B ）A. 反射為 1 B. 吸收為 1 C. 黑色的物質(zhì) D.

10、不發(fā)射電磁波三、判斷題1. 發(fā)光效率是光源發(fā)射的光通量與所需的電功率之比。 （對(duì)）2. GaAs的開(kāi)啟電壓約為IV。（對(duì)）3. 物體溫度升高時(shí)，輻射峰值波長(zhǎng)向長(zhǎng)波方向移動(dòng)。 （錯(cuò)）4. 氮化物藍(lán)或紫LED的管芯中加上三基色熒光粉可激發(fā)出白光，成為白光LEDb （對(duì)）lOOOmcd以上的LED,光效可以達(dá)到Eg無(wú)關(guān)。（錯(cuò)）（錯(cuò)）5. 超高亮度 LED 是指輻射功率高，法向發(fā)光強(qiáng)度在50100lm/W。（對(duì)）6. 發(fā)光二極管輻射光的峰值波長(zhǎng)與材料的禁帶寬度7. LED發(fā)出的光是基于受激輻射，發(fā)出的是相干光。8. 普通鎢絲燈的發(fā)光效率約為818lm/W。（對(duì)）9. LED的壽命通常小于106小時(shí)。（

11、錯(cuò)）10. 通常利用半導(dǎo)體激光器（LD）和發(fā)光二極管伏安特性和響應(yīng)時(shí)間特性對(duì)光源進(jìn)行直接調(diào)制。（對(duì)）第三部分 光電導(dǎo)探測(cè)器 自測(cè)題一、多項(xiàng)選擇題1. 下列光電導(dǎo)器件中那些屬于本證光電導(dǎo)器件（BCDE）A.鍺摻汞 B.硫化鎘C.硫化鉛D.銻化汞E碲鎘汞2. 光電導(dǎo)器件的噪聲主要有（ ABC ）A.熱噪聲f 噪聲 C.產(chǎn)生與復(fù)合噪聲 D.散粒噪聲二、單項(xiàng)選擇題1. 光電導(dǎo)的單位（ B ）A. 歐姆 B. 西門(mén)子 C. 流明 D 勒克斯2. 氮化鎵光電導(dǎo)器件的光譜響應(yīng)范圍為（A）365nm 700nm 1100nm D 17um3. 硫化鎘光電導(dǎo)器件的光譜響應(yīng)范圍為（B）365nm 700nm 11

12、00nm D 17um4. 常溫硫化鉛光電導(dǎo)器件的光譜響應(yīng)范圍為（ D ）365nm 700nm 1100nm D 3um5. 常溫碲化銦光電導(dǎo)器件的光譜響應(yīng)范圍為（ C ）365nm 700nm D 3um6. 設(shè)某光敏電阻在 100lx 光照下的阻值為 2k ，且已知它在 90120lx 范圍內(nèi)的 0.9 。 則該光敏電阻在 110lx 光照下的阻值為（ C）。A . B . C.假設(shè)某只CdS光敏電阻的最大功耗是30mV，光電導(dǎo)靈敏度Sg0.5 106S/lx，暗電導(dǎo)go 0。當(dāng)CdS光敏電阻上的偏置電壓為20V是的極限照度為（ D）。A. 150lx D. 150lx和 22500lx

13、8. 光電導(dǎo)探測(cè)器的特性受工作溫度影響（B）。A. 很小 B. 很大 C. 不受影響 D. 不可預(yù)知三、判斷題1. 由于電子的遷移率比空穴大，因此通常用P型材料制成光電導(dǎo)器件。（錯(cuò)）2. 本征光電導(dǎo)器件的長(zhǎng)波限可以達(dá)到130um。（錯(cuò)）3. 弱輻射情況下，本征光電導(dǎo)與入射輻射通量成正比。（對(duì)）4. 材料確定后，光敏電阻的光照指數(shù)是一個(gè)常數(shù)。 （錯(cuò)）5. 前歷效應(yīng)是指光電導(dǎo)探測(cè)器的時(shí)間特性與工作前歷史有關(guān)的一種現(xiàn)象。（對(duì)）6. 光電導(dǎo)器件的時(shí)間響應(yīng)都較小，適合于探測(cè)窄脈沖光信號(hào)。（錯(cuò)）7. 當(dāng)光電導(dǎo)器件接收交變調(diào)制光時(shí)，隨調(diào)制光頻率的增加，其輸出會(huì)減小。（對(duì)）8. 光敏電阻光譜特性的峰值波長(zhǎng)，低

14、溫時(shí)向短波方向移動(dòng)。（錯(cuò)）9 光敏電阻光敏面做成蛇形狀，有利于提高靈敏度。（對(duì)）10. 光敏電阻的恒壓偏置電路比恒流偏置電路的電壓靈敏度要高一些。（錯(cuò)）11. 光電導(dǎo)器件在方波輻射的作用下，其上升時(shí)間大于小將時(shí)間。（錯(cuò)）12. 在測(cè)量某光電導(dǎo)器件的 值時(shí)，背景光照越強(qiáng)，其 值越小。（對(duì)）13. 光敏電阻在恒壓偏置電路比恒流偏置電路的電壓靈敏度要高一些。（錯(cuò)）14. 光敏電阻的阻值與環(huán)境溫度有關(guān)，溫度升高光敏電阻的阻值也隨之升高。（對(duì)）15. 光敏電阻的前例效應(yīng)是由于被光照過(guò)后所產(chǎn)生的光生電子與空穴的復(fù)合而需要很長(zhǎng)的時(shí)間，而且，隨著復(fù)合的進(jìn)行，光生電子與空穴的濃度與復(fù)合機(jī)率不斷減小，使得光敏 電

15、阻恢復(fù)被照前的阻值需要很長(zhǎng)時(shí)間這一特性的描述。（ 錯(cuò)）第四部分 光伏探測(cè)器自測(cè)題、多項(xiàng)選擇題ABC ）因素決定B. 光生載流子的漂移時(shí)間C. 結(jié)電容和負(fù)載電阻決1. 光伏探測(cè)器的響應(yīng)時(shí)間主要由（A. 光生載流子擴(kuò)散到結(jié)區(qū)的時(shí)間 定的時(shí)間常數(shù)2. 光伏器件的噪聲主要有（ AD ）A.熱噪聲f噪聲 C.產(chǎn)生與復(fù)合噪聲D.散粒噪聲3. 光伏探測(cè)器的光電特性主要與（ ABCD ）有關(guān)A.材料B.光照范圍C.負(fù)載大小D.外加電壓4. 光伏探測(cè)器在正常使用時(shí)，常用的偏置方式有（ ABC ）A.自偏置 B.零偏置C.反向偏置 D.正向偏置E.恒壓偏置二、單項(xiàng)選擇題1. 若要檢測(cè)脈寬為 10-7s 的光脈沖，

16、應(yīng)選用（ A ）為光電變換器件。 型光電二極管 型光電三極管 結(jié)型光電二極管 D. 硅光電池2. 用光電法測(cè)量某高速轉(zhuǎn)軸的轉(zhuǎn)速時(shí)，最好選用（ D ）為光電接收器件。光敏電阻 硅光電池 型光電三極管3. 硅光電池在（ D ）偏置時(shí)，其光電流與入射輻射量有良好的線性關(guān)系，且動(dòng)態(tài)范圍較大。A. 恒流 B. 自偏置 C. 零伏偏置 D. 反向偏置4. 硅光電池在（ B ）情況下有最大的輸出功率。A.開(kāi)路 B.自偏置 C.零伏偏置 D.反向偏置5. 通常光伏探測(cè)器的擴(kuò)散時(shí)間為（ A ）A. 10-9s6. 通常光伏探測(cè)器的漂移時(shí)間為（ C ）A. 10-9s7. 硅光電池的最高截止頻率通常為（ B ）A

17、.幾千赫茲 B.幾萬(wàn)赫茲 C.幾十萬(wàn)赫茲 D.幾百萬(wàn)赫茲8. 硅光電池的受光面的輸出多做成梳齒狀或E字形電極，其目的是（B ）。A.增大內(nèi)電阻 B.減小內(nèi)電阻 C. 簡(jiǎn)化制作工藝 D.約定俗成9. 硅光電三極管偏置電壓為零， 現(xiàn)在逐漸增強(qiáng)其光照度， 則此時(shí)光電三極管集電極電流的變 化為（ D）。A電流不斷增大B.電流逐漸減小C.電流逐漸增大，到一定程度后趨于穩(wěn)定D 電流大小始終為零10. 為了提高光電二極管短波段波長(zhǎng)的光譜響應(yīng)，下面可以采取的措施是（D）。A.增強(qiáng)短波波長(zhǎng)光譜的光照強(qiáng)度B.增強(qiáng)長(zhǎng)波波長(zhǎng)光譜的光照強(qiáng)度C.增加PN節(jié)厚度D.減薄PN節(jié)厚度11. 用光電法測(cè)量某高速轉(zhuǎn)軸（ 15000

18、r/min ）的轉(zhuǎn)速時(shí)，最好選用（ D ）為光電接收器件。光敏電阻 硅光電池 型光電三極管12. 若要檢測(cè)脈寬為10 7S的光脈沖，應(yīng)選用（A ）為光電變換器件。型光電二極管型光電三極管結(jié)型光電二極管CRl1硅光電池13. 硅光電池在（D）偏置時(shí)，其光電流與入射輻射通量有良好的線性關(guān)系，且動(dòng)態(tài)范圍較大。A. 恒流 B. 自偏置 C. 零伏偏置 D. 反向偏置14. 硅光電池在（B）情況下有最大的電流輸出。A. 開(kāi)路 B. 自偏置 C. 零伏偏置 D. 反向偏置 15光伏器件的自偏置電路主要用于（B ）器件A. 光電三極管 B. 光電池 位置傳感器 D. 象探測(cè)器16. 下列光電器件中可以作為繼

19、電器的是（B ）A. 色敏器件 B. 光耦合器D.象探測(cè)器17. 下列光電器件中可以精確測(cè)量位置的是（C ）A. 色敏器件 B. 光耦合器D.象探測(cè)器三、判斷題1. 光伏探測(cè)器的暗電流是一個(gè)確定的常數(shù)。 （錯(cuò)）2. 光伏器件外加反向偏壓時(shí)， 暗電流隨反向偏壓的增加有所增大， 最后趨近于反向飽和電流。 （對(duì)）3. 自偏壓是指光伏探測(cè)器的輸出電流流過(guò)外電路負(fù)載電阻產(chǎn)生的壓降就是他自身的正向偏 壓。（對(duì)）4. 光電池的主要用途為太陽(yáng)能光電池和測(cè)量光電池。 （對(duì)）5. 雪崩光電二極管的最佳工作點(diǎn)在接近雪崩擊穿點(diǎn)附近。 （對(duì)）6. 硅光電池需要加偏壓才能把光能轉(zhuǎn)換成電能。 （錯(cuò)）7. 光電池通常工作在自

20、偏置狀態(tài)，用作弱光信號(hào)的線性測(cè)量或強(qiáng)光信號(hào)的存在探測(cè)。 （對(duì)）8. 光伏效應(yīng)對(duì)光的吸收主要為非本征吸收。 （錯(cuò)）9. 用雙結(jié)光電二極管作顏色測(cè)量時(shí)， 可以測(cè)出其中兩個(gè)硅光電二極管的短路電流比的對(duì)數(shù)值 與入射光波長(zhǎng)的關(guān)系。 （對(duì)） 是利用位置離子注入技術(shù)制成的一種對(duì)入射到光敏面上的光點(diǎn)位置敏感的光電器件。 （對(duì)）第五部分 光電子發(fā)射探測(cè)器一、多項(xiàng)選擇題1. 下面選項(xiàng)中屬于光電倍增管產(chǎn)生暗電流的原因有 （ ABCD ） 。A 歐姆漏電 B. 熱發(fā)射 C. 殘余氣體放電 D 場(chǎng)致發(fā)射2. 光電倍增管的短波限和長(zhǎng)波限的決定因素有（BC）A. 光電陽(yáng)極材料 B. 光電陰極材料C. 窗口材料 D. 倍增級(jí)

21、材料3. 常規(guī)光電陰極材料有（ ABCD）A. 銀氧銫 B. 單堿銻化物 C. 多堿銻化物 D. 碲化銫 E 負(fù)電子親和勢(shì)4. 光電倍增管的時(shí)間特性主要有（ ABC ）參數(shù)A. 響應(yīng)時(shí)間B. 渡越時(shí)間 C. 渡越時(shí)間分散 D. 擴(kuò)散時(shí)間5. 下列信號(hào)中，可以使用光電倍增管進(jìn)行探測(cè)的有（AD）。A. 微弱可見(jiàn)光信號(hào) B. 強(qiáng)紫外光信號(hào)C. 正午太陽(yáng)光信號(hào)D. 快速脈沖弱光信號(hào)6. 下列選項(xiàng)中，符合光電倍增管電子光學(xué)系統(tǒng)作用的選項(xiàng)有（AB）。A. 將光電陰極發(fā)射的光電子盡可能多的匯聚到第一倍增級(jí)B. 使光電陰極發(fā)射的光電子到達(dá)第一倍增級(jí)的渡越時(shí)間零散最小C. 使達(dá)到第一倍增級(jí)的光電子能多于光電陰極

22、的發(fā)射光電子量D. 使進(jìn)入光電倍增管的光子數(shù)增加、單項(xiàng)選擇題1. 光電子發(fā)射探測(cè)器是基于（B）的光電探測(cè)器。A 內(nèi)光電效應(yīng) B. 外光電效應(yīng) C. 光生伏特效應(yīng) D. 光熱效應(yīng)2. 已知某光電倍增關(guān)的陽(yáng)極靈敏度為100A/lm，陰極靈敏度為2卩A/lm，要求陽(yáng)極輸出電流限制在100 H 范圍內(nèi)，則允許的最大入射光通量為（A）。A. 10 6lmB. 5 10 6lm C. 10 7lm D. 5 10 7lm3. 真空光電器件的響應(yīng)速度可以達(dá)到（ C量級(jí)。4. 在光電倍增管中，吸收光子能量發(fā)射光電子的部件是（B）。A.光入射窗B.光電陰極 C.光電倍增級(jí) D.光電陽(yáng)極5. 在較強(qiáng)輻射作用下倍增

23、管靈敏度下降的現(xiàn)象稱(chēng)為（D）。A. 失效B. 衰老C. 失誤D. 疲勞 三、判斷題1. 負(fù)電子親和勢(shì)光電陰極是真空能級(jí)在導(dǎo)帶之下，從而使有效的電子親和勢(shì)為負(fù)值。（對(duì)）材料的量子效率比常規(guī)光電子陰極材料高很多。 （對(duì)）3. 光電倍增極在使用過(guò)程中隊(duì)入射光沒(méi)有特殊要求。 （錯(cuò)）4. 測(cè)量陽(yáng)極靈敏度時(shí)，入射到陰極上的光通量大約在10-510-2lm。（錯(cuò)）5. 光電倍增管分壓電阻通常要求流過(guò)電阻鏈的電流比陽(yáng)極最大電流大10倍以上。（對(duì)）6. 光電倍增管的電流增益通常不超過(guò)105。（錯(cuò)）7. 光電倍增管增益定義為陽(yáng)極電流與陰極電流之比， 或陽(yáng)極靈敏度與陰極靈敏度之比。 （對(duì)）8. 光電倍增管的倍增極通常是大于12。 （錯(cuò)）9. 光電倍增管的噪聲主要是散粒噪聲。 （對(duì)）10. 光電倍增管分壓電阻鏈上的電流值通常要比陽(yáng)極最大平均電流大10倍以上。（對(duì)）第六部分 熱探測(cè)器、多項(xiàng)選擇題1. 常用的熱輻射探測(cè)器主要有 （ ABC ） 。A 熱電偶B.測(cè)輻射熱計(jì)C.熱釋電探測(cè)器 D紅外焦平面陣列2. 光電倍增管的短波限和長(zhǎng)波限的決定因素有（BC）A. 光電陽(yáng)極材料 B. 光電陰極材料C. 窗口材料D. 倍增級(jí)材料3. 常規(guī)光電陰極材料