分析化學(xué).DOC.

1、思考題：一、 選擇題1. 石墨爐原子吸收分析和分子熒光分析分別利用的是：C A）原子內(nèi)層電子和分子內(nèi)層電子躍遷 B）原子核和分子內(nèi)層電子躍遷C）原子外層電子和分子外層電子躍遷 C）原子外層電子和分子振動(dòng)躍遷2. 系數(shù)倍率法的原理可用下列公式表示(其中：K為常數(shù)，s和R分別表示待測(cè)物和參比)：CA）DA=(el2-el1)bC B) DA=K2AS-K1AR C) DA=K2Al2-K1Al1 D) DA= Al2+Al13. 下列有關(guān)雙波長(zhǎng)光度分析的哪種說法是不正確的？AA） 若合理選擇波長(zhǎng)對(duì)，可獲得待測(cè)組份和參比組份的凈吸光度DA，能有效地校正待測(cè)成份以外的背景吸收B） 可用于扣除混濁液背景

2、校正C） 由于記錄的是兩個(gè)波長(zhǎng)信號(hào)的信號(hào)差，因此不受光源電壓和外部電源變化的影響D） 可用于追蹤化學(xué)反應(yīng)。4. 下列哪種方法不屬于雙波長(zhǎng)光度分析 AA)零交截距法；B）等吸收法；C）系數(shù)倍率法；D）雙峰雙小波長(zhǎng)法8. GFAAS升溫過程中，通何種載氣最佳？ CA）O2； B）N2； C）Ar； D) CO210. 對(duì)于GFAAS中基體干擾消除方法，下列哪種說法不對(duì)？ CA) 化學(xué)預(yù)處理；B）基體改進(jìn)劑；C）降低升溫速率；D）石墨爐平臺(tái)原子化技術(shù)13. 與經(jīng)典AES相比，關(guān)于ICP-AES分析，下列哪種說法不對(duì)？ A A）ICP-AES的基體干擾效應(yīng)??；B）由于溫度高，因而電離干擾要嚴(yán)重些；C）

3、離子線比原子線強(qiáng)得多； D）更低的檢出限、更大的線性范圍14. ICP光源中，一旦ICP開始工作后，可以停止的是：BA） 外管氣；B）中間管氣；C）內(nèi)管氣；D）感應(yīng)線圈中的冷卻水二、判斷對(duì)錯(cuò)1. 熒光也叫二次光，都屬吸收光譜的范疇。F2. 凡是會(huì)發(fā)出熒光的物質(zhì)首先必須能吸收一定頻率的光；凡能吸收光的物質(zhì)不一定能發(fā)射熒光。因而熒光分析的應(yīng)用不如UV-vis法廣泛。T3. Stokes熒光波長(zhǎng)比激發(fā)光的波長(zhǎng)要長(zhǎng)；而反Stokes熒光波長(zhǎng)則相反。T4. 與AAS相比，GFAAS法的基體干擾較嚴(yán)重，測(cè)量的精度較差，但其絕對(duì)檢出限低。T5. 使用斜坡升溫方式可大大改善石墨爐原子化裝置的性能，如：防止干燥

4、期間樣品的濺射、有效地消除基體成份的影響、提高檢測(cè)能力等。T6. 與普通原子吸收法相比，Zeeman原子吸收將得到更高的靈敏度。F7. 將磁場(chǎng)置于光源使發(fā)射線發(fā)生Zeeman分裂的稱為直接Zeeman調(diào)制；將磁場(chǎng)置于原子化器上使吸收線產(chǎn)生Zeeman分裂的稱為反Zeeman調(diào)制。T8. ICP光源通常以感應(yīng)區(qū)作為光譜分析常用的區(qū)域。F四、簡(jiǎn)答題：1. 請(qǐng)畫出下列兩種譜線的Zeeman分裂圖，各產(chǎn)生幾條譜線？1P-1D和2S1/2-2P3/22. 簡(jiǎn)述ICP炬的形成過程并解釋ICP光源的電離干擾、化學(xué)干擾和基體干擾相對(duì)較小的原因。3. 選擇波長(zhǎng)對(duì)的原則是什么？選擇參比波長(zhǎng)為什么比選擇測(cè)量波長(zhǎng)更重

5、要？五、簡(jiǎn)答題(共20分)1、 為什么要以峰值吸收代替積分吸收進(jìn)行原子吸收分析？峰值吸收的測(cè)定，對(duì)光源發(fā)出的譜線有何要求？為什么空心陰極燈能滿足這些要求。(15分)因?yàn)樵幼V線半寬很小，現(xiàn)在還沒有一種極高分辨率的光柵可以分辨該半寬的譜線，并對(duì)此峰面積進(jìn)行積分，因此須以峰值吸收代替積分吸收。對(duì)光源要求（Walsh兩假設(shè)）：當(dāng)光源發(fā)射線半寬比吸收線半寬小得多（銳線），且二者中心頻率一致時(shí)，可以用峰值吸收代替積分吸收。空心陰極燈的燈電流小-熱變寬（Doppler）??；燈內(nèi)充低壓惰性氣體壓變寬小。由于使用待測(cè)元素制作元素?zé)簦l(fā)出的譜線是待測(cè)元素的共振吸收線，即二者中心頻率一致，故。2、 實(shí)際上的紅外吸

6、收譜帶(吸收峰)數(shù)目與理論計(jì)算的振動(dòng)數(shù)目要少。解釋原因。(5分)1）對(duì)稱振動(dòng)分子的偶極矩不為零；2）能量簡(jiǎn)并（振動(dòng)形式不同，但振動(dòng)能級(jí)一樣）；3）儀器分辨率不高或靈敏度不夠。六、計(jì)算題(列出計(jì)算步驟，共20分)1、有一寬度為50mm，光柵刻線為1200條/mm的垂直對(duì)稱式光柵光譜儀，其閃耀角b為20o (已知sin20o=0.34; cos20o=0.94), 試計(jì)算：1) 在第一級(jí)光譜中，該光柵的理論分辨率R；(5分)n=1; 光柵總刻線數(shù)N=50´1200=60000條光柵分辨率R=nN=1´600002) 若照相物鏡焦距f1000mm，試求一級(jí)光譜的倒線色散率dl/d

7、l。(5分)n=1, 閃耀角b為20o, 物鏡焦距f1000mm， 光柵常數(shù)d=1/1200據(jù)倒線色散率公式：得倒線色散率=(1/1200)´cos20/(1´1000)=。2、在高溫光源中，Na原子發(fā)射或吸收平均波長(zhǎng)為1139 nm的雙重線。相應(yīng)的能級(jí)躍遷發(fā)生基態(tài)42S1/2和激發(fā)態(tài)(32P1/2+32P3/2)之間。1) 請(qǐng)根據(jù)Boltzmann分布公式，計(jì)算處于溫度分別為2500K和2550K光源中Na原子在激發(fā)態(tài)和基態(tài)的原子數(shù)目的比值 (Planck常數(shù)h為6.63´10-34Js；Boltzmann常數(shù)k為1.38´10-23J/K；光速c為3

8、.0´1010Cm/s)。(5分)2) 據(jù)上述所求比值，比較AES分析中光源溫度以及AAS分析中原子化溫度對(duì)測(cè)量的影響(5分)提示：基態(tài)或者激發(fā)態(tài)的統(tǒng)計(jì)權(quán)重計(jì)算式為g=2J+1(J為內(nèi)量子數(shù)，光譜支項(xiàng)通常以n2s+1LJ表示)；對(duì)于有兩個(gè)或多個(gè)光譜支項(xiàng)的激發(fā)態(tài)，其統(tǒng)計(jì)權(quán)重為各光譜支項(xiàng)統(tǒng)計(jì)權(quán)重的總和解：1）基態(tài)和激發(fā)態(tài)的統(tǒng)計(jì)權(quán)重分別為g0=(2´1/2+1)=2 和gi=(2´1/2+1)+(2´3/2+1)=6由Boltzmann公式：因?yàn)?DE=hn=hc/l=(6.63´10-34Js´3.0´1010cm/s)/(11

9、39nm´10-7cm)當(dāng)T=2500K時(shí)，kT=1.38´10-23J/K´2500K代入上式得到。2）從計(jì)算可以看出：當(dāng)溫度相差50C時(shí)，a) 不同溫度下的比值相差很大，即溫度對(duì)處于激發(fā)態(tài)的原子數(shù)影響很大。由于AES中譜線強(qiáng)度是由激發(fā)態(tài)原子數(shù)決定的，因此溫度對(duì)AES的測(cè)定影響很大；而在AAS分析中，測(cè)定的是基態(tài)原子數(shù)，盡管激發(fā)態(tài)原子數(shù)目在不同溫度下相差很大，但與基態(tài)原子數(shù)目相比仍很小，或者說，溫度對(duì)AAS測(cè)定的影響不十分明顯。五、 選擇題1. 光譜項(xiàng)3D的多重性、可取的內(nèi)量子數(shù)個(gè)數(shù)及其統(tǒng)計(jì)權(quán)重分別是：C A）11（3） B）12（3，5） C）33（3，5，7

10、） D）35（3，5，7，9，11）2. 價(jià)電子數(shù)為3的原子，其可能的光譜多重性為：CA）雙線； B）單線，三重線；C）雙線，四重線； D）單線，雙重線，五重線3. 使用經(jīng)典發(fā)射光譜光源分析某稀土礦物時(shí)，檢測(cè)限從低到高的大致順序是：AA）直流電弧、低壓交流電弧、高壓火花；B）直流電弧、高壓火花、低壓交流電?。籆）高壓火花、低壓交流電弧、直流電??；D）高壓火花、直流電弧、低壓交流電弧。4. 一般來說，使用相板為檢測(cè)器，對(duì)某一礦物樣品進(jìn)行定性全分析的最佳步驟是D：A）高電流起弧，一直曝光至樣品燒盡；B）低電流起弧-曝光-停弧-板移；重裝樣品-中電流起弧-曝光-?；?板移；再裝填樣品，高電流起弧-曝

11、光-至樣品燒盡C）低電流起弧-曝光-板移-中電流再起弧-曝光-板移-高電流再起弧-曝光-至樣品燒盡D）低電流起弧-曝光-板移并同時(shí)增至中電流-曝光-再板移并增至高電流-曝光-至樣品燒盡5. 在恒電流電解分析中，為了防止干擾，可向被測(cè)液加入D：A）支持電解質(zhì); B）惰性電解質(zhì)C）電中性物質(zhì) D）陽(yáng)極去極劑或陰極去極劑六、判斷對(duì)錯(cuò)1. 發(fā)射光譜分析中，光源溫度越高，產(chǎn)生的原子光譜線強(qiáng)度越大。F2. 原子光譜背景干擾包括分子輻射、譜線擴(kuò)散、固體連續(xù)輻射、軔致輻射、離子和電子的復(fù)合等，但與狹縫寬度無關(guān)。F3. 與光柵分光相比，棱鏡分光不足之處在于色散光譜排列的非均勻性。然而，對(duì)某一棱鏡分光儀而言，其色

12、散率和分辨率仍為常數(shù)。T4. 發(fā)射光譜定量分析中常使用的內(nèi)標(biāo)法。具體步驟是：在試樣中加入已知的、不同含量的待測(cè)組分，配成系列。以此繪制標(biāo)準(zhǔn)曲線并外推至與橫軸的交點(diǎn)，便可求出試樣中待測(cè)物含量。F5. AAS分析中，如果可以獲得積分吸收值，則可進(jìn)行所謂的絕對(duì)分析。T6. 據(jù)Boltzman分布公式，溫度是影響處于激發(fā)態(tài)和基態(tài)原子數(shù)比值的重要因素。但溫度對(duì)AAS分析結(jié)果的影響比對(duì)AES分析結(jié)果的影響要小得多。T7. Doppler譜線變寬亦稱碰撞變寬(熱變寬），它是因原子的無規(guī)則熱運(yùn)動(dòng)并碰撞引起的。F8. 火花光源最適于含量較高、熔點(diǎn)較低、易揮發(fā)試樣中難激發(fā)元素的定量分析。T八、簡(jiǎn)答題1. 試述IC

13、P光源的形成過程并解釋：與經(jīng)典光源相比，為什么ICP光源具有高的穩(wěn)定性以及低的檢測(cè)限？2. 為什么空心陰極燈發(fā)射的譜線具有強(qiáng)度較高、半峰寬小且光譜背景小的特點(diǎn)？綜合練習(xí)：一. 以下各題中只有一個(gè)答案是正確的, 請(qǐng)選擇正確答案填在各題前面的括號(hào)中。1. 光學(xué)分析法中, 使用到電磁波譜, 其中可見光的波長(zhǎng)范圍為_B_。 A. 10400nm; B. 400750nm; C. 0.752.5mm; D. 0.1100cm.3. 輻射能作用于粒子(原子、分子或離子)后, 粒子選擇性地吸收某些頻率的輻射能, 并從低能態(tài)(基態(tài))躍遷至高能態(tài)(激發(fā)態(tài)), 這種現(xiàn)象稱為_C_。 A. 折射; B. 發(fā)射; C

14、. 吸收; D. 散射.4. 共振線是具有_B_的譜線。 A. 激發(fā)電位; B. 最低激發(fā)電位; C. 最高激發(fā)電位; D. 最高激發(fā)能量.5. 當(dāng)物質(zhì)在光源中蒸發(fā)形成氣體時(shí), 由于運(yùn)動(dòng)粒子的相互碰撞和激發(fā), 使氣體中產(chǎn)生大量的分子、原子、離子、電子等粒子; 這種電離的氣體在宏觀上中性, 稱為_A_。 A. 等離子體; B. 等原子體; C. 等分子體; D. 等電子體.6. 棱鏡或光柵可作為_C_。 A. 濾光元件; B. 聚焦元件; C. 分光元件; D. 感光元件.7. 在AES中, 設(shè)I為某分析元素的譜線強(qiáng)度, c為該元素的含量, 在大多數(shù)的情況下, I與c具有_D_的函數(shù)關(guān)系(以下各

15、式中a、b在一定條件下為常數(shù))。 A. c = abI; B. c = bIa ; C. I = ac/b; D. I = bca.8. 原子吸收光譜法是基于光的吸收符合_B_, 即吸光度與待測(cè)元素的含量成正比而進(jìn)行分析檢測(cè)的。 A. 多普勒效應(yīng); B. 朗伯-比爾定律; C. 光電效應(yīng); D.乳劑特性曲線.9. 原子吸收分光光度計(jì)由光源、 _C_、 單色器、 檢測(cè)器等主要部件組成。 A. 電感耦合等離子體; B. 空心陰極燈; C. 原子化器; D. 輻射源.10. 為了減少試液與標(biāo)準(zhǔn)溶液之間的差異(如基體、粘度等)引起的誤差, 可以采用_B_進(jìn)行定量分析。 A. 標(biāo)準(zhǔn)曲線法; B. 標(biāo)準(zhǔn)加

16、入法; C. 導(dǎo)數(shù)分光光度法; D. 補(bǔ)償法.11. 原子發(fā)射光譜法是一種成分分析方法, 可對(duì)約70種元素(包括金屬及非金屬元素)進(jìn)行分析, 這種方法常用于_D_。 A. 定性; B. 半定量; C. 定量; D. 定性、半定量及定量.12. 原子吸收光譜法是一種成分分析方法, 可對(duì)六十多種金屬和某些非金屬元素進(jìn)行定量測(cè)定, 它廣泛用于_D_的定量測(cè)定。 A. 低含量元素; B. 元素定性; C. 高含量元素; D.極微量元素.13. 指出下列哪種因素對(duì)朗伯-比爾定律不產(chǎn)生偏差？ ( D )A）溶質(zhì)的離解作用； B）雜散光進(jìn)入檢測(cè)器C）溶液的折射指數(shù)增加； D）改變吸收光程長(zhǎng)度14. 在原子吸

17、收法中, 能夠?qū)е伦V線峰值產(chǎn)生位移和輪廓不對(duì)稱的變寬( B )A）熱變寬； B）壓力變寬； C）自吸變寬； D）場(chǎng)致變寬15. 熒光分光光度計(jì)與紫外-可見分光光度計(jì)的主要區(qū)別在于( A )A）光路； B）光源； C）單色器； D）光電倍增管16. 欲分析165360 nm的波譜區(qū)的原子吸收光譜, 應(yīng)選用的光源為 ( C )A）鎢燈； B）能斯特?zé)簦?C）空心陰極燈； D）氘燈17 關(guān)于空心陰極燈特點(diǎn)，哪種說法是正確的：CA）產(chǎn)生高強(qiáng)度銳線且不需預(yù)熱；B）產(chǎn)生穩(wěn)定的、高強(qiáng)度的單一銳線且光譜背景??；C）產(chǎn)生穩(wěn)定的、高強(qiáng)度的銳線且光譜干擾??；D）產(chǎn)生穩(wěn)定的銳線、無光譜干擾且可通過使用較大燈電流來提高

18、譜線強(qiáng)度；18發(fā)射光譜定量分析選用的“分析線對(duì)”應(yīng)該是：CA）波長(zhǎng)不一定接近，但激發(fā)電位應(yīng)接近；B）波長(zhǎng)要接近，但激發(fā)電位不一定要接近；C）波長(zhǎng)和激發(fā)電位均要接近；D）波長(zhǎng)和激發(fā)電位都不一定要接近19. 光柵方程 nl=b (sina+sinb)中的b值與下列哪種因素有關(guān)？DA）閃耀角；B）衍射角；C）光譜級(jí)次；D）光柵刻痕數(shù)20. 由原子無規(guī)則熱運(yùn)動(dòng)所引起的譜線變寬是：BA）自然變寬；B）多普勒變寬；C）斯塔克變寬；D）勞倫茲變寬21. 在原子吸收光譜分析中，應(yīng)用調(diào)制的空心陰極燈主要是為了： ( D )A. 延長(zhǎng)燈壽命 B. 克服火焰中的干擾譜線C. 防止光源譜線變寬 D. 扣除背景吸收三.

19、 請(qǐng)判斷下列敘述對(duì)與錯(cuò), 對(duì)的在括號(hào)內(nèi)打“Ö”, 錯(cuò)的打“´” ( T ) 1. 對(duì)于原子吸收分光光度法來說, 可以認(rèn)為處于基態(tài)的原子數(shù)近似地等于所生成的總原子數(shù)。( F ) 2. 原子光譜通常以帶光譜形式出現(xiàn), 而分子光譜則多為線光譜。( F ) 3. 原子發(fā)射光譜法是基于粒子的光發(fā)射現(xiàn)象而建立的分析方法, 原子吸收光譜法則是基于光的吸收原理建立的分析方法。簡(jiǎn)答：1.什么是吸收光譜曲線？什么是標(biāo)準(zhǔn)曲線？它們有何實(shí)際意義？利用標(biāo)準(zhǔn)曲線定量分析時(shí)可否使用透光度T和濃度c為坐標(biāo)？2.摩爾吸光系數(shù)的物理意義是什么？其大小和哪些因素有關(guān)？在吸光光度法中摩爾吸光系數(shù)有何意義？3. 請(qǐng)

20、談?wù)勀銓?duì)分析的靈敏度和檢出限的理解。4. 原子發(fā)射光譜分析（AES）和原子吸收光譜分析（AAS）理論中均涉及玻爾茲曼（Boltzmann）分布公式。請(qǐng)寫出該公式，并解釋為什么AAS分析受溫度的影響較AES的要小。1. 為什么在UV-Vis分光光度計(jì)中，單色儀置于吸收池的前面？而在AAS分析中則置于原子化器的后面？1.摩爾吸光系數(shù)：在吸光分析中，是吸光物質(zhì)在特定波長(zhǎng)和溶劑的情況下的一個(gè)特定常數(shù)，在數(shù)值上等于1mo·L-1吸光物質(zhì)在1cm光程中的吸光度。其單位為L(zhǎng)·mo-1·cm-1。 2.發(fā)色團(tuán)：凡是能導(dǎo)致化合物在紫外及可見光區(qū)產(chǎn)生吸收的基團(tuán)，主要是具有不

21、飽和或未成對(duì)電子的基團(tuán)。  6.共振線：在AAs法中，由基態(tài)電子從基態(tài)能級(jí)躍遷至第一激發(fā)態(tài)所產(chǎn)生的吸收譜線稱為共振線，是特征線。 7.激發(fā)電位和電離電位：將原子中的一個(gè)外層電子從基態(tài)躍遷至激發(fā)態(tài)所需的能量稱為激發(fā)電位，通常以ev為單位。 使原子電離所需要的最小能量稱為電離電位（U），也用ev為單位。 8.原子線和離子線： 原子線：原子的外層電子躍遷時(shí)發(fā)射的譜線叫原子線。 離子線：原子最外層電子激發(fā)到無窮遠(yuǎn)處，剩下的離子的外層電子躍遷時(shí)發(fā)射的譜線叫離子線。ICP環(huán)狀結(jié)構(gòu): 在高頻感應(yīng)電場(chǎng)或磁場(chǎng)下開成的等離子體渦流具有“趨膚效應(yīng)

22、”，此效應(yīng)使得等離子體渦電流集中于等離子體表面，形成一環(huán)形加熱通道，即ICP環(huán)狀結(jié)構(gòu)。AES基本原理：待測(cè)原子的外層電子在外來能量的作用下，電子由低能態(tài)躍遷到高能態(tài)，在高能態(tài)不穩(wěn)定，迅速返回到低能態(tài)，并輻射出具有特征波長(zhǎng)或頻率的譜線。通過測(cè)定特征譜線的波長(zhǎng)或頻率進(jìn)行定性分析；通過測(cè)定譜線的強(qiáng)度進(jìn)行定量分析。軔致輻射：電子通過荷電粒子(主要是重粒子)形成的電場(chǎng)（或庫(kù)侖場(chǎng)）時(shí)，受到加速或減速引起的連續(xù)輻射。自吸效應(yīng)：激發(fā)態(tài)原子發(fā)出的輻射被其基態(tài)原子所吸收，從而使譜線強(qiáng)度下降的效應(yīng)。最后線：當(dāng)漸漸減小待測(cè)元素的含量時(shí)，該元素產(chǎn)生所有特征譜線中最后消失的譜線。它一般是元素的最靈敏線或共振線。八、簡(jiǎn)答題

23、3. 試述ICP光源的形成過程并解釋：與經(jīng)典光源相比，為什么ICP光源具有高的穩(wěn)定性以及低的檢測(cè)限？4. 為什么空心陰極燈發(fā)射的譜線具有強(qiáng)度較高、半峰寬小且光譜背景小的特點(diǎn)？4 AAS與UV-VIS的主要區(qū)別有哪些？ 區(qū)別：（1）吸收機(jī)理不同：AAS法原子吸收線狀光譜                         4. UV-VIS法分

24、子吸收帶狀光譜 （2）光源：AAS法，銳線光源（空心陰極燈）           UV-VIS法連續(xù)光源（鎢燈  氘燈） （3）儀器排列順序不同： AAS法，銳線光源原子化器單色器檢測(cè)器 UV-VIS法，光源單色器吸收池檢測(cè)器 六、判斷對(duì)錯(cuò)9. 發(fā)射光譜分析中，光源溫度越高，產(chǎn)生的原子光譜線強(qiáng)度越大。F10. 原子光譜背景干擾包括分子輻射、譜線擴(kuò)散、固體連續(xù)輻射、軔致輻射、離子和電子的復(fù)合等，但與狹縫寬度無關(guān)。F11

25、. 與光柵分光相比，棱鏡分光不足之處在于色散光譜排列的非均勻性。然而，對(duì)某一棱鏡分光儀而言，其色散率和分辨率仍為常數(shù)。T12. 發(fā)射光譜定量分析中常使用的內(nèi)標(biāo)法。具體步驟是：在試樣中加入已知的、不同含量的待測(cè)組分，配成系列。以此繪制標(biāo)準(zhǔn)曲線并外推至與橫軸的交點(diǎn)，便可求出試樣中待測(cè)物含量。F13. AAS分析中，如果可以獲得積分吸收值，則可進(jìn)行所謂的絕對(duì)分析。T14. 據(jù)Boltzman分布公式，溫度是影響處于激發(fā)態(tài)和基態(tài)原子數(shù)比值的重要因素。但溫度對(duì)AAS分析結(jié)果的影響比對(duì)AES分析結(jié)果的影響要小得多。T15. Doppler譜線變寬亦稱碰撞變寬。它是因原子的無規(guī)則熱運(yùn)動(dòng)并碰撞引起的。F16.

26、 火花光源最適于含量較高、熔點(diǎn)較低、易揮發(fā)試樣中難激發(fā)元素的定量分析。T一、選擇題11. 與火焰原子吸收法相比，石墨爐原子吸收法有以下特點(diǎn)： D A. 靈敏度低但重現(xiàn)性好 B. 基體效應(yīng)大但重現(xiàn)性好 C. 所需樣品量大但檢出限低 D. 物理干擾少且原子化效率高二、判斷正誤1. 電子能級(jí)間隔越小，躍遷時(shí)吸收光子的頻率越大。F2. 在AAS分析中，如果有足夠高分辨能力的光柵，則我們就能得到積分吸收值，并進(jìn)行所謂的絕對(duì)分析。T3. 當(dāng)空心陰極燈的燈電流增加時(shí)，發(fā)射強(qiáng)度增加，分析靈敏度亦將提高，因此增加燈電流是提高靈敏度的有效途徑。T(增加燈電流不能提高靈敏度）4. 直流電弧具有較高的蒸發(fā)溫度，因而該

27、光源適合于難熔氧化物元素定性定量分析。T5. 外管切向通入Ar的目的是為了保護(hù)石英管不被高溫等離子體燒壞。T6. AES中，分析線就是共振線。因?yàn)楣舱窬€譜線最強(qiáng)，因而分析的靈敏度最高。F7. 在火焰AAS中，需要在原子化器和分光器之間加一個(gè)切光器對(duì)光源進(jìn)行調(diào)制，以消除火焰中分子輻射所帶來的干擾。F8. AAS和AFS的儀器構(gòu)成相當(dāng)，都屬原子光譜，但后者必須將光源或檢測(cè)器置于與主光路垂直的位置。F9. Zeeman AAS與AAS有不同的靈敏度，但Zeeman AAS可以較好地扣除背景干擾。T一、選擇題4. 用AES法測(cè)定水中的痕量鉛時(shí)，最好選鉛的哪個(gè)波長(zhǎng)(單位,埃)為測(cè)量波長(zhǎng)： D A. 26

28、63.17 B. 2802.00 C. 2833.07 D. 2873.325. Na原子下列光譜線間哪個(gè)能發(fā)生躍遷？ D A. 32S1/243S1/2 B. 32P1/242D5/2 C. 32S1/232D5/2 D. 32S1/232P1/27. 將下列四種光源的蒸發(fā)溫度由低到高排序，哪種排序是正確的？ C A. 直流電弧-低壓交流電弧-火花-ICP B. ICP-火花-低壓交流電弧-直流電弧C. 火花-低壓交流電弧-直流電弧-ICP D. 低壓交流電弧-火花-直流電弧-ICP10. 在經(jīng)典AES分析中，激發(fā)溫度最高的光源是：CA) 直流電弧 B) 交流電弧 C) 火花 D) 火焰11

29、. 與火焰原子吸收法相比，石墨爐原子吸收法有以下特點(diǎn)：D A. 靈敏度低但重現(xiàn)性好 B. 基體效應(yīng)大但重現(xiàn)性好 C. 所需樣品量大但檢出限低 D. 物理干擾少且原子化效率高16. 高純Y2O3中稀土雜質(zhì)元素和鐵礦石定量分析分別使用下列何種光源為佳？D A. 火花及直流電弧 B. 低壓交流電弧和火花 C. 直流電弧和火花 D. 直流電弧和低壓交流電弧 17. 有一個(gè)基體性質(zhì)不明但可能對(duì)待測(cè)物產(chǎn)生較大基體效應(yīng)影響的樣品，采用下列何種分析方法為佳？DA. 標(biāo)準(zhǔn)對(duì)比法； B. 標(biāo)準(zhǔn)曲線法； C.內(nèi)標(biāo)法； D. 標(biāo)準(zhǔn)加入法18. 屬于禁戒躍遷的譜項(xiàng)是：BA) 32S1/2-32P3/2 B)31S0-3

30、1D1 C) 31S1-31P1 D) 32S0-42P119.價(jià)電子數(shù)為3的原子，可能產(chǎn)生的譜線多重性是： ( ) A.雙線 B. 雙線和四重線 C. 單線和三重線 D. 單線、三重線和五重線21.GFAAS分析中，石墨爐升溫順序是：C(A) 灰化-干燥-凈化-原子化 (B) 干燥-灰化-凈化-原子化(C) 干燥-灰化-原子化-凈化 (D) 灰化-干燥-原子化-凈化22.C2H2-Air火焰原子吸收法測(cè)定較易氧化但其氧化物又難分解的元素(如Cr)時(shí)，最適宜的火焰是性質(zhì)：(A)化學(xué)計(jì)量型 (B)貧燃型 (C)富燃型 (D)明亮的火焰23. 為提高分析方法的檢出能力，可采取的措施是：BA) 提高

31、方法靈敏度 B) 考慮A)的同時(shí)，降低儀器噪聲 C) 擴(kuò)大讀數(shù)標(biāo)尺 D) 降低儀器噪聲二、判斷正誤1. 電子能級(jí)間隔越小，躍遷時(shí)吸收光子的頻率越大。F2. 棱鏡分光產(chǎn)生“非勻排光譜”，而光柵分光則產(chǎn)生“勻排光譜”。T3. AAS分析中，如果有足夠高分辨率的光柵，則就能得到積分吸收值，并進(jìn)行所謂的絕對(duì)分析。T4. 當(dāng)空心陰極燈的燈電流增加時(shí)，發(fā)射強(qiáng)度增加，分析靈敏度亦將提高，因此增加燈電流是提高靈敏度十分有效的途徑。F5. 經(jīng)典光源中，直流電弧有最高的蒸發(fā)溫度，因而該光源適合于難熔氧化物元素的分析。T6. 從外管切向通入氬氣的目的是為了保護(hù)石英管不被高溫等離子體燒壞T。7. AAS與Zeeman AAS有相同的靈敏度，但Zeeman AAS可以較好地扣除背景干擾。F8. AES中，分析線就是共振線。因?yàn)楣舱窬€譜線最強(qiáng)，因而分析的靈敏度最高。F9. 從公式I=acb可以看出，由于決定譜線強(qiáng)度的兩個(gè)系數(shù)a和b隨被測(cè)元素的含量和實(shí)驗(yàn)條件(如蒸發(fā)、激發(fā)條件、試樣組成、感光板特性和顯影條件等)的改變而變化，而這種變化很難避免，因此需采用內(nèi)標(biāo)法來補(bǔ)償因這些變化對(duì)測(cè)定的影響。T10. 在火焰AAS中，需