第四章 存儲器系統(tǒng)習(xí)題

1、4.2半導(dǎo)體存儲器填空題1 計算機中的存儲器是用來存放_的，隨機訪問存儲器的訪問速度與_無關(guān)。答案：程序和數(shù)據(jù) 存儲位置2 對存儲器的訪問包括_和_兩類。答案：讀 寫3 計算機系統(tǒng)中的存儲器分為_和_。在CPU執(zhí)行程序時，必須將指令存在_中。答案：內(nèi)存 外存 內(nèi)存4 主存儲器的性能指標(biāo)主要是、存儲周期和存儲器帶寬。答案：存儲容量 存取時間 5 存儲器中用來區(qū)分不同的存儲單元，1GB=KB。答案：地址 1024X1024(或2206 半導(dǎo)體存儲器分為、只讀存儲器(ROM和相聯(lián)存儲器等。答案：靜態(tài)存儲器(SRAM 動態(tài)存儲器(DRAM7 RAM的訪問時間與存儲單元的物理位置，任何存儲單元的內(nèi)容都能

2、被答案：無關(guān) 隨機訪問8 存儲揣芯片由、地址譯碼和控制電路等組成。答案：存儲體 讀寫電路9 地址譯碼分為方式和方式。答案：單譯碼 雙譯碼10雙譯碼方式采用個地址譯碼器，分別產(chǎn)生和信號。答案：兩 行選通 列選通11若RAM芯片內(nèi)有1024個單元，用單譯碼方式，地址譯碼器將有條輸出線；用雙譯碼方式，地址譯碼器有條輸出線。答案：1024 6412靜態(tài)存儲單元是由晶體管構(gòu)成的，保證記憶單元始終處于穩(wěn)定狀態(tài)，存儲的信息不需要。答案：雙穩(wěn)態(tài)電路 刷新(或恢復(fù)13 存儲器芯片并聯(lián)的目的是為了，串聯(lián)的目的是為了。答案：位擴展 字節(jié)單元擴展 14計算機的主存容量與有關(guān)，其容量為。答案：計算機地址總線的根數(shù) 2地

3、址線數(shù)15 要組成容量為4MX8位的存儲器，需要片4MXl位的存儲器芯片并聯(lián)，或者需要片1MX3的存儲器芯片串聯(lián)。答案：8 416內(nèi)存儲器容量為256K時，若首地址為00000H，那么末地址的十六進制表示是答案：3FFFFH17主存儲器一般采用存儲器件，它與外存比較存取速度、成本。答案：半導(dǎo)體 快 高18三級存儲器系統(tǒng)是指_這三級：答案：高緩、內(nèi)存、外存19表示存儲器容量時KB=_，MB=_；表示硬盤容量時，KB=，MB=。答案：1024字節(jié) t024x1024(或220字節(jié) 103字節(jié) 106字節(jié)20只讀存儲器ROM可分為、和四種。答案：ROM PROM EPROM E2PROM21SRAM

4、是；DRAM是；ROM是；EPROM是。答案：靜態(tài)存儲器 動態(tài)存儲器 只讀存儲器 可改寫只瀆存儲器22半導(dǎo)體SRAM靠存儲信息，半導(dǎo)體DRAM則是靠存儲信息。答案：觸發(fā)器 柵極電容23廣泛使用的和都是半導(dǎo)體存儲器。前者的速度比后者快，但不如后者高，它們的共同缺點是斷電后保存信息。答案：SRAM DRAM 隨機讀寫 集成度 不能24CPU是按_訪問存儲器中的數(shù)據(jù)。答案：地址24EPROM屬于的可編程ROM，擦除時一般使用，寫入時使用高壓脈沖。答案：可多次擦寫 紫外線照射25對存儲器的要求是，。為了解決這三個方面的矛盾，計算機采用多級存儲器體系結(jié)構(gòu)。答案：容量大 速度快 成本低26動態(tài)MOS型半導(dǎo)

5、體存儲單元是由一個和一個構(gòu)成的。答案：晶體管 電容器27動態(tài)半導(dǎo)體存儲器的刷新一般有、和三種方式。答案：集中式 分散式 異步式28動態(tài)存儲單元以電荷的形式將信息存儲在電容上，由于電路中存在，因此，需要不斷地進行。答案：泄漏電流 刷新29動態(tài)RAM控制器由和兩部分組成。答案：刷新控制電路 訪存裁決電路1計算機的存儲器系統(tǒng)是指_。ARAM BROMC主存儲器 Dcache，主存儲器和外存儲器答案：D2存儲器是計算機系統(tǒng)的記憶設(shè)備，它主要用來_。A存放數(shù)據(jù) B存放程序C存放數(shù)據(jù)和程序 D存放微程序答案：C3內(nèi)存若為16兆（MB），則表示其容量為_KB。A16 B16384C1024 D16000答案

6、：B4下列說法正確的是_。A半導(dǎo)體RAM信息可讀可寫，且斷電后仍能保持記憶B半導(dǎo)體RAM屬揮發(fā)性存儲器，而靜態(tài)的RAM存儲信息是非揮發(fā)性的C靜態(tài)RAM、動態(tài)RAM都屬揮發(fā)性存儲器，斷電后存儲的信息將消失DROM不用刷新，且集成度比動態(tài)RAM高，斷電后存儲的信息將消失答案：C5可編程的只讀存儲器_。A不一定可以改寫 B一定可以改寫C一定不可以改寫 D以上都不對答案：A6組成2MX8bit的內(nèi)存，可以使用_。A1MX8bit進行并聯(lián) B1MX4bit進行串聯(lián)C2MX4bit進行并聯(lián) D2MX4bit進行串聯(lián)答案：C7若RAM芯片的容量是2MX8bit，則該芯片引腳中地址線和數(shù)據(jù)線的數(shù)目之和是_。A

7、21 B29 C18 D不可估計答案：B8若RAM中每個存儲單元為16位，則下面所述正確的是_。A地址線也是16位 B地址線與16無關(guān)C地址線與16有關(guān) D地址線不得少于16位答案：B9若存儲器中有IK個存儲單元，采用雙譯碼方式時要求譯碼輸出線為_。A1024 B10C32 D64答案：D10RAM芯片串聯(lián)時可以_。A增加存儲器字長 B增加存儲單元數(shù)量C提高存儲器的速度 D降低存儲器的平均價格答案：B11RAM芯片并聯(lián)時可以_。A增加存儲器字長 B增加存儲單元數(shù)量C提高存儲器的速度 D降低存儲器的平均價格答案：A12存儲周期是指_。A存儲器的讀出時間B存儲器進行連續(xù)讀和寫操作所允許的最短時間間

8、隔C存儲器的寫入時間D存儲器進行連續(xù)寫操作所允許的最短時間間隔答案：B13某微型計算機系統(tǒng)，若操作系統(tǒng)保存在軟盤上，其內(nèi)存儲器應(yīng)該采用_。ARAM BROMCRAM和ROM DCCP答案：C14下面所述不正確的是_。A隨機存儲器可隨時存取信息，掉電后信息丟失B在訪問隨機存儲器時；訪問時間與單元的物理位置無關(guān)C內(nèi)存儲器中存儲的信息均是不可改變的D隨機存儲器和只讀存儲器可以統(tǒng)一編址答案：C15和外存儲器相比，內(nèi)存儲器的特點是_。A容量大，速度快，成本低 B容量大，速度慢，成本高C容量小，速度快，成本高 D容量小，速度快，成本低答案：C16 640KB的內(nèi)存容量為_。A640000字節(jié) B64000

9、字節(jié)C655360字節(jié) D32000字節(jié)答案：C17 若一臺計算機的字長為4個字節(jié)，則表明該機器_。A 能處理的數(shù)值最大為4位十進制數(shù)B 能處理的數(shù)值最多為4位二進制數(shù)組成C 在CPU中能夠作為一個整體加以處理的二進制代碼為32位D 在CPU中運算的結(jié)果最大為2的32次方答案：C18下列元件中存取速度最快的是_。ACache B寄存器C內(nèi)存 D外存答案：B19與動態(tài)MOS存儲器相比，雙極型半導(dǎo)體存儲器的特點是_。A速度快 B集成度高C功耗大 D容量大答案：A，C20ROM與RAM的主要區(qū)別是_。A斷電后，ROM內(nèi)保存的信息會丟失，RAM則可長期保存而不會丟失B斷電后，RAM內(nèi)保存的信息會丟失，

10、ROM則可長期保存而不會丟失CROM是外存儲器，RAM是內(nèi)存儲器DROM是內(nèi)存儲器，RAM是外存儲器答案：B21機器字長32位，其存儲容量為4MB，若按字編址，它的尋址范圍是_。A0-1MW B01MBC0-4MW D0-4MB答案：A22某一SRAM芯片，其容量為512x8位，除電源端和接地端外，該芯片引出線的最小數(shù)目應(yīng)為_。A23 B25C50 D19答案：D23某一動態(tài)RAM芯片其容量為16KXl，除電源線、接地線和刷新線外，該芯片的最小引腳數(shù)目應(yīng)為_。A16 B12 C18答案：B24某計算機字長32位，存儲容量為1MB，若按字編址，它的尋址范圍是_。A0-1MW B0-512KBC0

11、-256KW D0-256KB答案：C 25某RAM芯片，其存儲容量為1024x16位，該芯片的地址線和數(shù)據(jù)線數(shù)目分別為_。A20，16 B20，4C1024，4 D1024，16答案：A26某計算機字長16位，其存儲容量為2MB，若按半字編址，它的尋址范圍是_。A0-8M B0-4MC0-2M D01M答案：C27某計算機字長32位，存儲容量為8MB，若按雙字編址，它的尋址范圍是_。A0-256K B0-512KC0-1M D02M答案：C28以下四種類型的半導(dǎo)體存儲器中，以傳輸同樣多的字為比較條件，則讀出數(shù)據(jù)傳輸率最高的是_。ADRAM BSRAMC閃速存儲器 DEPROM答案：C29對于

12、沒有外存儲器的計算機來說，監(jiān)控程序可以存放在_。ARAM BROMCRAM和ROM DCPU答案：B 30。在某CPU中，設(shè)立了一條等待(WAIT信號線，CPU在存儲器周期中T的下降沿采樣WAIT線，則下面的敘述中正確的是_。A如WAIT線為高電平，則在T2周期后不進入T3周期，而插入一個Tw周期BTw周期結(jié)束后，不管WAIT線狀態(tài)如何，一定轉(zhuǎn)入T3周期CTw周期結(jié)束后，只要WAIT線為低，則繼續(xù)插入一個Tw周期，直到WAIT線變高，才轉(zhuǎn)入T3周期D有了WAIT線，就可使CPU與任何速度的存儲器相連接，保證CPU與存儲器連接時的時序配合答案：C，D31下面是有關(guān)存儲保護的描述。請從題后列出的選

13、項中選擇正確答案：為了保護系統(tǒng)軟件不被破壞，以及在多道程序環(huán)境下防止一個用戶破壞另一用戶的程序，而采取下列措施：(1不準(zhǔn)在用戶程序中使用“設(shè)置系統(tǒng)狀態(tài)”等指令。此類指令是_指令。(2在段式管理存儲器中設(shè)置_寄存器，防止用戶訪問不是分配給這個用用戶的存儲區(qū)域。(3在環(huán)保護的主存中，把系統(tǒng)程序和用戶程序按其允許訪問存儲區(qū)的范圍分層；假如規(guī)定內(nèi)層級別高，那么系統(tǒng)程序應(yīng)在_，用戶程序應(yīng)在_。內(nèi)層_訪問外層的存儲區(qū)。(4為了保護數(shù)據(jù)及程序不被破壞，在頁式管理存儲器中，可在頁表內(nèi)設(shè)置R(讀、W(寫及_位，_位為1，表示該頁內(nèi)存放的是程序代碼。供選擇的項：，A：特權(quán) B：特殊 C：上 、下界 D：系統(tǒng)，A：

14、內(nèi)層 B：外層 C：內(nèi)層或外層 A：允許 B：不允許 A：M(標(biāo)志 B：P（保護） C：E（執(zhí)行） D：E（有效）答案：A C A B A C1 動態(tài)RAM和靜態(tài)RAM都是易失性半導(dǎo)體存儲器。答案：對。2 計算機的內(nèi)存由RAM和ROM兩種半導(dǎo)體存儲器組成。答案：對。3個人微機使用過程中，突然RAM中保存的信息全部丟失，而ROM中保存的信息不受影響。答案：錯。RAM中保存的信息在斷電后會丟失，而ROM中保存的信息在斷電后不受影響。4CPU訪問存儲器的時間是由存儲器的容量決定的，存儲器容量越大，訪問存儲器所需的時間越長。答案：錯。CPU訪問存儲器的時間與容量無關(guān)，而是由存儲器元的材料決定的。5因為

15、半導(dǎo)體存儲器加電后才能存儲數(shù)據(jù)，斷電后數(shù)據(jù)就丟失了，因此EPROM做成的存儲器，加電后必須重寫原來的內(nèi)容。答案：錯。半導(dǎo)體存儲器加電后才能存儲數(shù)據(jù)，斷電后數(shù)據(jù)丟失，這是指RAM。EPROM是只讀存儲器，斷電后數(shù)據(jù)不會丟失，因此，加電后不必重寫原來的內(nèi)容。6大多數(shù)個人計算機中可配置的內(nèi)存容量受地址總線位數(shù)限制。答案：錯。內(nèi)存容量不僅受地址總線位數(shù)限制，還受尋址方式、操作系統(tǒng)的存儲管理方式等限制。 7因為動態(tài)存儲器是破壞性讀出，所以必須不斷地刷新。答案：錯。刷新不僅僅因為存儲器是破壞性讀出，還在于動態(tài)存儲器在存儲數(shù)據(jù)時，若存儲器不做任何操作，電荷也會泄漏，為保證數(shù)據(jù)的正確性，必須使數(shù)據(jù)周期性地再生

16、即刷新。8固定存儲器(ROM中的任何一個單元不能隨機訪問。答案：錯。ROM只是把信息固定地存放在存儲器中，而訪問存儲器仍然是隨機的。9一般情況下，ROM和RAM在存儲體中是統(tǒng)一編址的。 答案：對。在計算機設(shè)計中，往往把RAM和ROM的整體作主存，因此，RAM和ROM一般是統(tǒng)編址的。1存儲元、存儲單元、存儲體、存儲單元地址這幾個術(shù)語有何聯(lián)系和區(qū)別?答：計算機在存取數(shù)據(jù)時，以存儲單元為單位進行存取。機器的所有存儲單元長度相同，一般由8的整數(shù)倍個存儲元構(gòu)成。同一單元的存儲元必須并行工作，同時讀出、寫入，由許多存儲單元構(gòu)成一臺機器的存儲體。由于每個存儲單元在存儲體中的地位平等，為區(qū)別不同單元，給每個存

17、儲單元賦予地址，都有一條惟一的地址線與存儲單元地址編碼對應(yīng)。2簡述存儲器芯片中地址譯碼的方式。答：地址譯碼的方式有兩種：單譯碼方式和雙譯碼方式。單譯碼方式只用一個譯碼電路，將所有的地址信號轉(zhuǎn)換成字選通信號，每個字選通信號用于選擇一個對應(yīng)的存儲單元。雙譯碼方式采用兩個地址譯碼器，分別產(chǎn)生行選通信號和列選通信號，行選通和列選通信號同時有效的單元被選中。存儲器一般采用雙譯碼方式，目的是減少存儲單元選通線的數(shù)量。3針對寄存器組、主存、cache、光盤存儲器、軟盤、硬盤、磁帶，回答以下問題：(1按存儲容量排出順序(從小到大：(2按讀寫時間排出順序(從快到慢。答：(1寄存器組一cache一軟盤一主存一光盤

18、存儲器一硬盤一磁帶。(2寄存器組一cache一主存一硬盤一軟盤一光盤存儲器一磁帶。4說明SRAM的組成結(jié)構(gòu)；與SRAM相比，DRAM在電路組成上有什么不同之處?答：SRAM由存儲體、讀寫電路、地址譯碼電路、控制電路組成，DRAM還需要有動態(tài)刷新電路。與SRAM相比，DRAM在電路組成上有以下不同之處：(1地址線的引腳一般只有一半，因此，增加了兩根控制線、，分別控制接受行地址和列地址。(2沒有引腳，在存儲器擴展時用來代替。5DRAM存儲器為什么要刷新?DRAM存儲器采用何種方式刷新?有哪幾種常用的刷新方式?答：DRAM存儲元是通過柵極電容存儲電荷來暫存信息。由于存儲的信息電荷終究會泄漏，電荷又不

19、能像SRAM存儲元那樣由電源經(jīng)負載管來補充，時間一長，信息就會丟失。為此，必須設(shè)法由外界按一定規(guī)律給柵極充電，按需要補給柵極電容的信息電荷。此過程叫“刷新”。DRAM是逐行進行刷新，刷新周期數(shù)與DRAM的擴展無關(guān)，只與單個存儲器芯片的內(nèi)部結(jié)構(gòu)有關(guān)，對于一個128X128矩陣結(jié)構(gòu)的DRAM芯片，只需128個刷新周期數(shù)。常用的刷新方式有三種：集中式、分散式、異步式。6靜態(tài)MOS存儲元、動態(tài)MOS存儲元、雙極型存儲元各有什么特點?答：靜態(tài)MOS存儲元V1、V2、V3、V4組成的雙穩(wěn)態(tài)觸發(fā)器能長期保持信息的狀態(tài)不變，是因為電源通過V3、V4不斷供給V1或V2電流。動態(tài)MOS存儲元是為了提高芯片的集成度

20、而設(shè)計的。它利用MOS管柵極電容上電荷的狀態(tài)來存儲信息。時間長了，柵極電容上的電荷會泄漏，而存儲元本身又不能補充電荷，因此，需要外加電路給存儲元充電，這就是所謂刷新。刷新是動態(tài)存儲器所特有的。雙極型存儲元由兩個雙發(fā)射極晶體管組成。它也是由雙穩(wěn)電路保存信息，其特點是工作速度比MOS存儲元要高。以上三種存儲元的共同特點是當(dāng)供電電源切斷時，原存的信息會消失。7ROM與RAM兩者的差別是什么?指出下列存儲器哪些是易失性的?哪些是非易失性的?哪些是讀出破壞性的?哪些是非讀出破壞性的?動態(tài)RAM，靜態(tài)RAM，ROM，Cache，磁盤，光盤答：ROM、RAM都是主存儲器的一部分，但它們有很多差別：(1RAM

21、是隨機存取存儲器，ROM是只讀存取存儲器。(2RAM是易失性的，一旦掉電，所有信息全部丟失。ROM是非易失性的，其信息可以長期保存，常用于存放一些固定的數(shù)據(jù)和程序，比如計算機的自檢程序、BIOS、BASIC解釋程序、游戲卡中的游戲等。(2動態(tài)RAM、靜態(tài)RAM、Cache是易失性的，ROM、磁盤、光盤是非易失性的。動態(tài)RAM是瀆出破壞性的，其余均為非讀出破壞性的。8下列各種存儲器中，哪些是揮發(fā)性存儲器?哪些是非揮發(fā)性存儲器？磁盤，DRAM，ROM，磁帶，光盤，SRAM，EPROM，PROM，EEPROM答：揮發(fā)性存儲器有DRAM、SRAM。非揮發(fā)性存儲器有磁盤、ROM、磁帶、光盤、EPROM、

22、PROM、EEPROM。1欲設(shè)計具有64Kx2位存儲容量的芯片，問如何安排地址線和數(shù)據(jù)線引腳的數(shù)目，才能使兩者之和最小。請說明有幾種解答。解：設(shè)地址線x根，數(shù)據(jù)線y根，則若 y=1 x=17y=2 x=16y=4 x=15y=8 x=14因此，當(dāng)數(shù)據(jù)線為1或2時，引腳之和為18，共有2種解答。2表41給出的各存儲器方案中，哪些是合理的?哪些不合理?對那些不合理的可以怎樣修改?表4.1存儲器 MAR的位數(shù)(存儲9S地址寄存器 存儲器的單元數(shù) 每個存儲單元的位數(shù)(存儲器數(shù)據(jù)寄存器（1） 10 1024 8（2） 10 1024 12（3） 8 1024 8（4） 12 1024 16（5） 8 8

23、 1024（6） 1024 10 8解：(1合理。(2不合理。因為存儲單元的位數(shù)應(yīng)為字節(jié)的整數(shù)倍，所以將存儲單元的位數(shù)改為16較合理。(3不合理。因為MAR的位數(shù)為8，存儲器的單元數(shù)最多為256個，不可能達到1024 個，所以將存儲器的單元數(shù)改為256較合理。(4不合理。因為MAR的位數(shù)為12，存儲器的單元數(shù)應(yīng)為4K個，不可能只有1024個，所以將存儲器的單元數(shù)改為4096才合理。(5不合理。因為MAR的位數(shù)為8，存儲器的單元數(shù)應(yīng)為256個，不可能只有8個，所以將存儲器的單元數(shù)改為256才合理：另外，存儲單元的位數(shù)為1024太長，改為8、16、32、64均可。(6不合理。因為MAR的位數(shù)為10

24、24，太長，而存儲單元數(shù)為10，太短，所以將MAR的位數(shù)與存儲單元數(shù)對調(diào)一下，即MAR的位數(shù)為10，存儲器的單元數(shù)正好為1024，合理。3某存儲器容量為4KB，其中：ROM 2KB，選用EPROM 2KX8：RAM 2KB，選用RAM 1KX8；地址線A15A0。寫出全部片選信號的邏輯式。解：ROM的容量為2KB，故只需l片EPROM；而RAM的容量為2KB，故需RAM芯片2片。ROM片內(nèi)地址為11位，用了地址線的A10-A0這11根地址線；RAM片內(nèi)地址為10位，用了地址線的A9 A0這10根地址線?？?cè)萘啃枰?2根地址線?？梢钥紤]用1根地址線A11作為區(qū)別EPROM和RAM的片選信號，對于

25、2片RAM芯片可利用A10來區(qū)別其片選信號。由此，可得到如下的邏輯式： 4圖4.4(a是某SRAM的寫入時序圖，其中R/W是讀寫命令控制線，當(dāng)RW線為低電平時，存儲器按當(dāng)時地址2450H把數(shù)據(jù)線上的數(shù)據(jù)寫入存儲器。請指出圖中的錯誤，并畫出正確的寫入時序圖。解：在R/W線為低電平時，地址、數(shù)據(jù)都不能再變化，正確的寫入時序圖如圖4.4(b。5沒有一個IMB容量的存儲器，字長為32位，問：(1按字節(jié)編址，地址寄存器、數(shù)據(jù)寄存器各為幾位?編址范圍為多大?(2按半字編址，地址寄存器、數(shù)據(jù)寄存器各為幾位?編址范圍為多大?(3按字編址，地址寄存器、數(shù)據(jù)寄存器各為幾位?編址范圍為多大?解：(1按字節(jié)編址，1M

26、B=，地址寄存器為20位，數(shù)據(jù)寄存器為8位，編址范圍為00000HFFFFFH。(2按半字編址，IMB=，地址寄存器為19位，數(shù)據(jù)寄存器為16位，編址范圍為00000H-7FFFFH。(3按字編址，1MB=，地址寄存器為18位，數(shù)據(jù)寄存器為32位，編址范圍為00000H3FFFFH。6用16KX8位的SRAM芯片構(gòu)成64KXl6位的存儲器，試畫出該存儲器的組成邏輯框圖。解：存儲器容量為64KXl6位，其地址線為16位(，數(shù)據(jù)線也是16位(；SRAM芯片容量為16KX8位，其地址線為14位，數(shù)據(jù)線為8位。因此組成存儲器時需字位同時擴展，字?jǐn)U展采用2：4譯碼器，以16K為一個模塊，共4個模塊。位擴

27、展采用兩片串接：存儲器的組成邏輯框圖如圖4.5所示。圖 4.57己知某8位機的主存采用半導(dǎo)體存儲器，地址碼為18位，芯片組成該機所允許的最大主存空間，并選用模塊條的形式，問：(1若每個模塊條為32KX8位，共需幾個模塊條?(2每個模塊內(nèi)共有多少片RAM芯片?(3主存共需多少RAM芯片?CPU如何選擇各模塊條?解：若使用4K4位RAM(1由于主存地址碼給定18位，所以最大存儲空間為，主存的最大容量為256KB。現(xiàn)每個模塊條約存儲容量為32KB，所以主存共需256KB32KB=8塊扳。(2每個模塊條的存儲容量為32KB，現(xiàn)使用4K4位的RAM芯片拼成4K8位(共8組，用地址碼的低12位(直接接到芯

28、片地址輸入端，然后用地址的高3位(通過3：8譯碼器輸出分別接到8組芯片的選片端。共有82=16個RAM。(3根據(jù)前面所得，共需8個模塊條，用通過3：8譯碼器來選擇模塊條，如圖4.6所示。8用8K8位的ROM芯片和8K4位的RAM芯片組成存儲器，按字節(jié)編址，其中RAM的地址為0000H5FFFH，ROM的地址為60009FFFH，畫出此存儲器組成結(jié)構(gòu)圖及與CPU的連接圖。從0000H1FFFH，容量為：8K，高位地址，從000-010，所以RAM的容量為8K3=24K。RAM用8K4的芯片組成，需8K4的芯片6片。ROM的末地址-首地址=9FFFH-6000H=3FFFH，所以ROM蛇容量為21

29、4=16K。ROM用8K8的芯片組成，需8K8的芯片2片。圖 4.6RAM的地址范圍展開為0110 0000 0000 00001001 1111 1111 1111，高位地址從011100。存儲器的組成結(jié)構(gòu)圖及與CPU的連接如圖4.7所示。圖4.77FFFH9 存儲器分布圖如下面所示（按字節(jié)編址），現(xiàn)有芯片 ROM 4K 8 和 RAM 8K 4 ，設(shè)計此存儲器系統(tǒng)，將 RAM 和 ROM 用 CPU 連接。 RAM1RAM2空ROMROM解： RAM1 區(qū)域是 8K 8 ，需 2 片 8K 4 的芯片； RAM2 區(qū)域也是 8K 8 ，需 2 片 8K 4 的芯片； ROM 區(qū)域是 8K

30、8 ，需 2 片 4K 8 的芯片。地址分析如下： 000 0 0000 0000 0000000 1 1111 1111 1111001 0 0000 0000 0000001 1 1111 1111 1111011 0 0000 0000 0000011 1 1111 1111 1111（1）方法一以內(nèi)部地址多的為主，地址譯碼方案為：用作譯碼器輸入，則選RAM1，選RAM2，選ROM，當(dāng)時選ROM1，當(dāng)時選ROM2，擴展圖與連接圖如圖4.8所示。圖4.8（2）方法二以內(nèi)部地址少的為主，地址譯碼方案為：用作譯碼器輸入，則和選RAM1，和選RAM2，選ROM1，選ROM2，擴展圖和連接圖如圖4

31、.9所示。圖 4.910用8K8的RAM芯片和2K8的ROM芯片設(shè)計一個10K8的存儲器，ROM和RAM的容量分別為2K和8K，ROM的首地址為0000H，RAM的末地址為3FFFH。(1ROM存儲器區(qū)域和RAM存儲器區(qū)域的地址范圍分別為多少?(2畫出存儲器控制圖及與CPU的連接圖。解：（1）ROM的首地址為0000H，ROM的總?cè)萘繛?K8，RAM的末地址為3FFFH，RAM的總?cè)萘繛?K8，所以地址為：2000H。（2）設(shè)計方案ROM的地址范圍為 000 000 0000 0000000 111 1111 1111RAM的地址范圍為 100 000 0000 0000 111 111 11

32、11 1111（3）方法一 以內(nèi)部地址多的為主，地址譯碼方案為：用來選擇，當(dāng)=1時選RAM，當(dāng)=000時選ROM，如圖4.10所示。圖 4.10（4）方法二以內(nèi)部地址少的為主，地址譯碼方案為：用作譯碼器輸入，則選ROM，、均選RAM，如圖4.11所示。圖4.1111某機字長8位，試用如下所給芯片設(shè)計一個存儲器，容量為10KW，其中RAM為高8KW，ROM為低2KW，最低地址為0（RAM芯片類型有為：4K8，ROM芯片有：2K4）。地址線、數(shù)據(jù)線各為多少根?RAM和ROM的地址范圍分別為多少?每種芯片各需要多少片。畫出存儲器結(jié)構(gòu)圖及與CPU連接的示意圖。解：地址線為14根，數(shù)據(jù)線為8根。ROM的

33、地址范圍為0000H07FFH、RAM的地址范圍為0800H27FFH。RAM芯片共2片，ROM芯片共2片。存儲器結(jié)構(gòu)圖及與CPU連接的示意圖如圖4.12所示。圖4.1212用8K8位的ROM芯片和8K4位的RAM芯片組成存儲器，按字節(jié)編址，其中RAM的地址為2000H7FFFH，ROM的地址為9000HBFFFH，畫出此存儲器組成結(jié)構(gòu)圖及與CPU的連接圖。從0000H1FFFH，容量為8K，高位地址從001011，所以RAM的容量為8K3=24K。RAM用8K4的芯片組成，需8K4的芯片共6片。從000HFFFH，容量為4K，高位地址從10011011，所以ROM的容量為4K3=12K。RO

34、M用4K8的芯片組成，需4K8的芯片3片。地址分析如下：ROM001 0 0000 0000 0000 011 1 1111 1111 11111001 0000 0000 00001011 1111 1111 1111地址譯碼方案：用作譯碼器輸入，則和選RAM1，和選RAM2，和選RAM3，選ROM1，選ROM3。存儲器的組成結(jié)構(gòu)圖及與CPU的連接圖如圖4.13所示。13CPU的地址總線16根（，是低位），雙向數(shù)據(jù)總線8根（），控制總線中與主存有關(guān)的信號有（允許訪存，低電平有效），（高電平讀命令，低電平寫命令）。主存地址空間分配如下：08191為系統(tǒng)程序區(qū)，由EPROM芯片組成，從81923

35、2767為用戶程序區(qū)，最后（最大地址）2K地址空間為系統(tǒng)程序工作區(qū)。上述地址為十進制，按字節(jié)編址?，F(xiàn)有如下芯片：EPROM 8K8位(控制端僅有SRAM 16K8位，2K8位，4K8位，8K8位請從上述芯片中選擇芯片來設(shè)計該計算機的主存儲器，畫出主存邏輯框圖，注意畫選片邏輯（可選用門電路及譯碼器）。解：(8191-0+1/1024=8，所以EPROM的容量為8K8十六進制地址范圍為0000H1FFFH (32767-8192+1/1024=24，所以SRAM1的容量為24K8十六進制地址范圍為2000H-7FFFH(63487-32768+1/1024=30，所以空容量為30K8(65535-

36、63488+11024=2，所以SRAM2的容量為2K8十六進制地址范圍為F800H-FFFFH08191819232767327686348763488655358K（EPROM）24K（SRAM1）30K（空）2K（SRAM2）根據(jù)以上分析設(shè)計如下：EPROM 8K8芯片1片SRAM 8K8位芯片3片，2K8位芯片1片，3：8譯碼器1片地址分析如下：SRAM2000 00000 0000 0000 000 11111 1111 1111001 00000 0000 0000011 11111 1111 111111111 000 0000 000011111 111 1111 1111地址

37、譯碼方案：用作譯碼器輸入，則選EPROM，、選SRAM1，選SRAM2，但=11。存儲器的組成結(jié)構(gòu)圖及與CPU的連接圖如圖4.14所示。14要求用128K16位的SRAM芯片設(shè)計512K16位的存儲器，用64K16位的EPROM芯片組成128K16位的只讀存儲器。試問：（1）數(shù)據(jù)寄存器多少位？（2）地址寄存器多少位？（3）兩種芯片各需多少位？（4）EPROM的地址從00000H開始，RAM的地址從60000H開始，畫出此存儲器組成框圖。圖4.14解：（1）存儲器的總?cè)萘繛?12K16位（SRAM）+128K16位（EPROM）=640K16位。數(shù)據(jù)寄存器16位。（2）因為=1024K>6

38、40K，所以地址寄存器20位。（3）所需SRAM芯片數(shù)為（512K2B）/（128K2B）=4（片），所需EPROM芯片數(shù)為（128K2B）/（64K2B）=2（片）。（4）EPROM的地址從00000H開始，末地址1FFFFH；SRAM的地址從60000H開始，末地址為DFFFFH。SRAM的芯片為128K2B，內(nèi)部地址線17根；EPROM的芯片為64K2B，內(nèi)部地址線16根。地址展開如下：SRAM0000 0000 0000 0000 0000 0001 1111 1111 1111 11110110 0000 0000 0000 00001101 1111 1111 1111 1111以

39、內(nèi)部地址多的為主，存儲器組成結(jié)構(gòu)框圖如圖4.15所示。15某機訪問空間64KB，I/O空間與主存統(tǒng)一編址，I/O空間占用2K，范圍為FC00HFFFFH?，F(xiàn)用8KB8和2KB8兩種靜態(tài)RAM芯片構(gòu)成主存儲器，、分別為系統(tǒng)提供的讀寫信號線，IO/M為高是I/O操作，為低是內(nèi)存操作。請畫出該存儲器邏輯圖，并標(biāo)明每塊芯片的地址范圍。解：存儲器邏輯圖如圖4.16所示。圖4.16RAM（1）芯片的地址范圍是 0000H1FFFH；RAM（2）芯片的地址范圍是 2000H3FFFH；RAM（3）芯片的地址范圍是 4000H5FFFH；RAM（4）芯片的地址范圍是 6000H7FFFH；RAM（5）芯片的地

40、址范圍是 8000H9FFFH；RAM（6）芯片的地址范圍是 A000HBFFFH；RAM（7）芯片的地址范圍是 C000HDFFFH；RAM（8）芯片的地址范圍是 E000HE3FFH；RAM（9）芯片的地址范圍是 E400HE7FFH；RAM（10）芯片的地址范圍是 E800HEBFFH；RAM（11）芯片的地址范圍是 EC00HEFFFH；RAM（12）芯片的地址范圍是 F000HF3FFH；RAM（13）芯片的地址范圍是 F400HF7FFH；RAM（14）芯片的地址范圍是 F800HFBFFH；I/O空間的地址范圍是 FC00HFFFFH16用2K8的芯片設(shè)計一個8Kl6的存儲器：當(dāng)

41、B=0時訪問16位數(shù)；當(dāng)B=1時訪問8位數(shù)。解：由于要求存儲器能按字節(jié)訪問，即8Kl6=16K8=2148，所以地址線需14根，數(shù)據(jù)線為16根。先設(shè)計一個模塊將2K8擴展成2Kl6，內(nèi)部地址為。設(shè)計方案如下：地址分析如下：B 1 訪問2號單元的16位數(shù)訪問偶存儲體的2號單元的8位數(shù)不訪問(即16位數(shù)的地址必須為偶數(shù)訪問奇存儲體3號單元的8位數(shù)0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 00 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 11 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 10 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 01 0

42、0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 00 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 11 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1 18Kl6的存儲器需要四個模塊，因此需用2：4譯碼器，譯碼器的輸出一般是低電平有效，設(shè)經(jīng)反相后的輸出分別為、，則、的表達式分別為： 存儲器結(jié)構(gòu)圖及與CPU連接的示意圖如圖4.17所示。圖 4.1717用2K8的芯片設(shè)計一個8K32的存儲器；當(dāng)時訪問32位數(shù)；當(dāng)時訪問16位數(shù)；當(dāng)時訪問8位數(shù)。解：由于要求存儲器能按字節(jié)訪問，即8K32=32K8=2158，所以地址線需15根，數(shù)據(jù)線需要32根。先設(shè)計一個模塊將2K8擴展成2K32，內(nèi)部地址為，擴展圖如下：設(shè)計

43、方案如下：說明0 0 0 01 1 1 1訪問32位0 0 0 10 0 0 0不訪問0 0 1 00 0 0 0不訪問0 0 1 10 0 0 0不訪問0 1 0 01 1 0 0訪問16位0 1 0 10 0 0 0不訪問0 1 1 00 0 1 1訪問16位0 1 1 10 0 0 0不訪問1 0 0 01 0 0 0訪問存儲體11 0 0 10 1 0 0訪問存儲體21 0 1 00 0 1 0訪問存儲體31 0 1 10 0 0 1訪問存儲體4由此真值表可得：8K32的存儲器需要四個模塊，因此需要2：4譯碼器。譯碼器的輸出一般是低電平有效，設(shè)經(jīng)反相后的輸出分別為、，則、的表達式分別為

44、：存儲器的結(jié)構(gòu)圖及與CPU的連接圖如圖4.18所示。圖 4.1818用16Kl位的DRAM芯片(由128128矩陣存儲元構(gòu)成構(gòu)成64K8位的存儲器，要求：（1）畫出該寄存器組成的邏輯框圖。（2）設(shè)存儲器讀寫周期均為0.51s，CPU在1s內(nèi)至少要訪存一次。試問采用哪種刷新方式比較合理?兩次刷新的最大時間間隔是多少?對全部存儲單元刷新一遍，所需實際刷新時間是多少?解： （1）根據(jù)題意，存儲器總?cè)萘繛?4KB，故地址線共需16位。現(xiàn)使用16Kl位的動態(tài)RAM，共需32片。芯片本身地址線占14位，其組成邏輯框圖如圖4.19所示，其中使用一片2：4譯碼器。（2）根據(jù)已知條件，CPU在1s內(nèi)至少需要訪存一次，采用異步刷新比較合理。對動態(tài)MOS存儲器來講，兩次刷新的最大時間間隔是2s。RAM芯片讀/寫周期為0.5s，由于16K1位的RAM芯片由128128矩陣存儲單