銅梁區(qū)IGBT項目立項申請報告【范文參考】

1、CMC泓域咨詢 /銅梁區(qū)IGBT項目立項申請報告銅梁區(qū)IGBT項目立項申請報告xxx有限公司報告說明電力電子器件是電力電子技術的核心。電力電子器件即功率半導體器件，也稱為功率電子器件，是進行功率處理的半導體器件。典型的功率處理功能包括變頻、變壓、變流、功率放大、功率管理等，是電力電子裝臵的心臟。雖然功率器件在整臺電力電子裝臵中的價值通常不會超過總價值的20%-30%，但對整機的總價值、尺寸、總量、動態(tài)性能、過載能力、耐用性和可靠性起著十分重要的作用。根據(jù)謹慎財務估算，項目總投資8135.79萬元，其中：建設投資6246.83萬元，占項目總投資的76.78%；建設期利息133.29萬元，占項目總

2、投資的1.64%；流動資金1755.67萬元，占項目總投資的21.58%。項目正常運營每年營業(yè)收入16000.00萬元，綜合總成本費用12479.32萬元，凈利潤2578.95萬元，財務內部收益率23.50%，財務凈現(xiàn)值4843.14萬元，全部投資回收期5.75年。本期項目具有較強的財務盈利能力，其財務凈現(xiàn)值良好，投資回收期合理。項目建設符合國家產業(yè)政策，具有前瞻性；項目產品技術及工藝成熟，達到大批量生產的條件，且項目產品性能優(yōu)越，是推廣型產品；項目產品采用了目前國內最先進的工藝技術方案；項目設施對環(huán)境的影響經評價分析是可行的；根據(jù)項目財務評價分析，經濟效益好，在財務方面是充分可行的。本期項目

3、是基于公開的產業(yè)信息、市場分析、技術方案等信息，并依托行業(yè)分析模型而進行的模板化設計，其數(shù)據(jù)參數(shù)符合行業(yè)基本情況。本報告僅作為投資參考或作為學習參考模板用途。IGBT是現(xiàn)代電力電子器件中的主導型器件，被譽為電力電子行業(yè)里的“CPU”。IGBT是InsulatedGateBipolarTransistor的縮寫，即絕緣柵雙極型晶體管，是國際上公認的電力電子技術第三次革命最具代表性的產品。IGBT作為工業(yè)控制及自動化領域的核心元器件，能夠根據(jù)信號指令來調節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實現(xiàn)精準調控的目的，被稱為現(xiàn)代電力電子行業(yè)里的“CPU”，廣泛應用于電機節(jié)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、

4、家用電器、汽車電子、新能源發(fā)電、新能源汽車等眾多領域。目錄第一章 市場預測10一、 制造工藝正從8英寸晶圓朝向12英寸升級迭代10二、 家電行業(yè)是IGBT器件的穩(wěn)定市場11第二章 項目背景分析13一、 模塊封裝為核心競爭力之一，適用于各種高電壓場景13二、 加快培育創(chuàng)新生態(tài)14三、 IGBT結構不斷升級，協(xié)同第三代半導體技術創(chuàng)新16四、 新能源汽車的電力系統(tǒng)中，功率IGBT價值占比達達52%20五、 項目實施的必要性22六、 IGBT基本情況23七、 晶圓產能持續(xù)緊缺，IGBT供不應求或延續(xù)較長時間25第三章 項目總論26一、 項目名稱及項目單位26二、 項目建設地點26三、 可行性研究范圍2

5、6四、 編制依據(jù)和技術原則26五、 建設背景、規(guī)模28六、 項目建設進度29七、 原輔材料及設備29八、 環(huán)境影響29九、 建設投資估算30十、 項目主要技術經濟指標30主要經濟指標一覽表30十一、 主要結論及建議32第四章 項目投資主體概況33一、 公司基本信息33二、 公司簡介33三、 公司競爭優(yōu)勢34四、 公司主要財務數(shù)據(jù)36公司合并資產負債表主要數(shù)據(jù)36公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)37五、 核心人員介紹37六、 經營宗旨38七、 公司發(fā)展規(guī)劃39第五章 建設內容與產品方案41一、 建設規(guī)模及主要建設內容41二、 產品規(guī)劃方案及生產綱領41產品規(guī)劃方案一覽表42第六章 建筑技術分析44一、 項

6、目工程設計總體要求44二、 建設方案44三、 建筑工程建設指標45建筑工程投資一覽表45第七章 法人治理結構47一、 股東權利及義務47二、 董事51三、 高級管理人員56四、 監(jiān)事59第八章 SWOT分析61一、 優(yōu)勢分析（S）61二、 劣勢分析（W）63三、 機會分析（O）63四、 威脅分析（T）65第九章 建設進度分析70一、 項目進度安排70項目實施進度計劃一覽表70二、 項目實施保障措施71第十章 勞動安全分析72一、 編制依據(jù)72二、 防范措施73三、 預期效果評價79第十一章 工藝技術說明80一、 企業(yè)技術研發(fā)分析80二、 項目技術工藝分析83三、 質量管理84四、 設備選型方案

7、85主要設備購置一覽表86第十二章 人力資源配置88一、 人力資源配置88勞動定員一覽表88二、 員工技能培訓88第十三章 項目投資計劃91一、 投資估算的依據(jù)和說明91二、 建設投資估算92建設投資估算表94三、 建設期利息94建設期利息估算表94四、 流動資金95流動資金估算表96五、 總投資97總投資及構成一覽表97六、 資金籌措與投資計劃98項目投資計劃與資金籌措一覽表98第十四章 經濟效益評價100一、 基本假設及基礎參數(shù)選取100二、 經濟評價財務測算100營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表100綜合總成本費用估算表102利潤及利潤分配表104三、 項目盈利能力分析104項目投資現(xiàn)

8、金流量表106四、 財務生存能力分析107五、 償債能力分析107借款還本付息計劃表109六、 經濟評價結論109第十五章 招標及投資方案110一、 項目招標依據(jù)110二、 項目招標范圍110三、 招標要求111四、 招標組織方式113五、 招標信息發(fā)布113第十六章 風險分析115一、 項目風險分析115二、 項目風險對策117第十七章 項目總結分析120第十八章 補充表格122建設投資估算表122建設期利息估算表122固定資產投資估算表123流動資金估算表124總投資及構成一覽表125項目投資計劃與資金籌措一覽表126營業(yè)收入、稅金及附加和增值稅估算表127綜合總成本費用估算表127固定資

9、產折舊費估算表128無形資產和其他資產攤銷估算表129利潤及利潤分配表129項目投資現(xiàn)金流量表130第一章 市場預測一、 制造工藝正從8英寸晶圓朝向12英寸升級迭代以特色工藝需要工藝與設計的積累，海外企業(yè)以MIDM為主。功率半導體主要以特色工藝為主，器件的技術迭代像邏輯、存儲芯片依靠尺寸的縮小，因此特色工藝的要求更多需要行業(yè)的積累與know-how，包括工藝、產品、服務、平臺等多個維度；功率器件產品性能與應用場景密切相關，導致平臺多、產品類型多，因此更注重工藝的成熟度和穩(wěn)定性，工藝平臺的多樣性。在這樣的背景下，由于IDM可以按需生產不同電性功能的功率器件，加速技術及應用積累，在深度及廣度上覆蓋

10、客戶不同的需求，因此IGBT海外的企業(yè)大多的生產模式以IDM為主，國內相比海外發(fā)展較晚，因此催生出Fabless找代工廠生產的模式，專業(yè)化分工加速對海外的追趕。代表IDM型IGBT廠商包括英飛凌、瑞薩、Vishay、羅姆、安森美、富士電機、士蘭微、華微電子等；Fabless型IGBT廠商包括斯達半導、新潔能、宏微科技等。IGBT代工廠則包括高塔、華虹、東部高科等廠商。IGBT主要采用成熟制程，目前生產大多以以88英寸晶圓為主。IGBT產品對產線工藝依賴性較強，目前國際IGBT大廠主要采用8英寸生產線。為進一步提升產品性能與可靠性，IGBT制造廠正積極布局可用于12英寸晶圓的相關工藝。英飛凌作為

11、IGBT龍頭企業(yè)，已于2018年推出以12英寸晶圓生產的IGBT器件。同時，斯達半導12英寸IGBT產能也已實現(xiàn)量產。未來，隨著各家IGBT廠商工藝的進步，IGBT產品也將轉向12英寸晶圓，并采用更先進的制程。IGBT需求增長擴廠計劃持續(xù)推進，朝向300mm（12英寸）晶圓發(fā)展。英飛凌2021年9月公告其位于奧地利菲拉赫的300毫米薄晶圓功率半導體芯片工廠正式啟動運營，隨著數(shù)字化和電氣化進程的加快，公司預計未來幾年全球對功率半導體器件的需求將持續(xù)增長，因此當前正是新增產能的最好時機。2021年3月東芝公告準備開工建設300mm晶圓制造廠，由于功率器件是控制和降低汽車、工業(yè)和其他電氣設備功耗的重

12、要部件，公司預計電動汽車、工廠自動化和可再生能源領域的增長將繼續(xù)推動功率器件的需求增長。2020年12月士蘭微12英寸芯片生產線項目由廈門士蘭集科微電子有限公司負責實施運營，第一條12英寸產線，總投資70億元，工藝線寬90納米，計劃月產8萬片。本次投產的產線就是其中的一期項目，總投資50億元，規(guī)劃月產能4萬片；項目二期將繼續(xù)投資20億元，規(guī)劃新增月產能4萬片。第二條12英寸生產線預計總投資100億元，將建設工藝線寬65納米至90納米的12英寸特色工藝芯片生產線。二、 家電行業(yè)是IGBT器件的穩(wěn)定市場變頻空調、冰箱、洗衣機的核心控制部件是變頻控制器，它承擔了電機驅動、PFC功率校正以及相關執(zhí)行器

13、件的變頻控制功能。而變頻控制器很重要的一環(huán)就是IPM模塊，IPM將功率器件芯片（IGBT+FRD或高壓MOSFET）、控制IC和無源元件等這些元器件高密度貼裝封裝在一起，通過IPM，MCU就能直接高效地控制驅動電機，配合白家電實現(xiàn)低能耗、小尺寸、輕重量及高可靠性的要求。中國作為全球最大的家電市場和生產基地，IPM的應用潛力十分強勁。以空調行業(yè)為例，根據(jù)產業(yè)在線的數(shù)據(jù)，2020年我國變頻空調銷量達7485萬臺，同比增長10.02%，并且未來變頻空調有望在空調市場進一步滲透，面向變頻空調應用的IGBT的市場空間將十分廣闊。同時，作為變頻白色家電的另外兩大市場，變頻冰箱和變頻洗衣機市場增速顯著。20

14、20年，中國變頻冰箱銷量為2507萬臺，同比增長26.38%，中國變頻洗衣機銷量為2627萬臺，同比增長0.91%。第二章 項目背景分析一、 模塊封裝為核心競爭力之一，適用于各種高電壓場景IGBT根據(jù)使用電壓范圍可分為低壓、中壓和高壓IGBT。按照使用電壓范圍，可以將IGBT分為低壓、中壓和高壓三大類產品，不同電壓范圍對應著不同的應用場景。低壓通常為1200V以下，主要用于低消耗的消費電子和太陽能逆變器領域；中壓通常為1200V2500V，主要用于新能源汽車、風力發(fā)電等領域；高壓通常為2500V以上，主要用于高壓大電流的高鐵、動車、智能電網(wǎng)、工業(yè)電機等領域。IGBT根據(jù)封裝形式可分為IGBT分

15、立器件、IGBT模塊以及IPM。從封裝形式上來看，IGBT可以分為IGBT分立器件、IGBT模塊和IPM三大類產品。IGBT分立器件指一個IGBT單管和一個反向并聯(lián)二極管組成的器件；IGBT模組指將多個（兩個及以上）IGBT芯片和二極管芯片以絕緣方式組裝到DBC基板上，并進行模塊化封裝；IPM則指將功率器件（主要為IGBT）和驅動電路、過壓和過流保護電流、溫度監(jiān)視和超溫保護電路等外圍電路集成再一起生產的一種組合型器件。IGBT。模塊的封裝工藝主要分為焊接式和壓接式。IGBT在工作過程中或產生一定的損耗，當每個IGBT芯片在工作過程中產生的損耗只集中在1平方厘米左右的面積向外傳播時，這樣的高熱流

16、密度對器件的安全有效工作而言則成為一個巨大的挑戰(zhàn)，所以，IGBT需要依靠一定的封裝形式以便進行散熱，從而保證產品可靠性。IGBT模塊的封裝工藝主要分為焊接式與壓接式。高壓IGBT模塊一般以標準焊接式封裝為主，中低壓IGBT模塊則多采用壓接式封裝工藝。壓接式IGBT結構與焊接式IGBT結構差別較大，且壓接式IGBT封裝結構還可細分為凸臺式和彈簧式，彈簧式壓接型封裝結構的專利由ABB公司持有，東芝、Westcode、Dynex等公司則采用凸臺式封裝結構。二、 加快培育創(chuàng)新生態(tài)深化科技創(chuàng)新體制機制改革，激發(fā)創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)主體積極性，營造理念先進、思維活躍、機制靈活，有利于寬容失敗、包容開放的創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)生態(tài)。

17、（一）深化科技管理體制機制改革改進科技項目組織管理方式，實行重點項目攻關“揭榜掛帥”，推動項目、基地、人才、資金一體化配置。深化科研經費管理改革，實行科研項目經費“包干制”。創(chuàng)新科技成果轉化機制，開展職務科技成果所有權或長期使用權等改革試點，完善科技成果使用、處置和收益管理制度。探索知識產權服務“一站通”，完善知識產權創(chuàng)造、運用、交易、保護制度規(guī)則，探索實施知識產權侵權懲罰性賠償制度，完善新領域新業(yè)態(tài)知識產權保護制度。（二）完善科技投融資體系健全多渠道投入機制，逐步提高全社會研發(fā)投入。完善科技投融資體系，通過政府引導、企業(yè)主導、市場化運營的模式，促進銀行業(yè)、證券業(yè)、保險業(yè)等金融機構及創(chuàng)業(yè)投資等

18、金融資源集聚科技創(chuàng)新，形成覆蓋種子期投資、天使投資、風險投資的金融支持創(chuàng)新體系。鼓勵通過科技股權投資、債權融資等方式，實現(xiàn)科技資源整合、技術成果交易以及科技金融服務無縫對接。深入推進知識價值信用貸款改革試點，提高輕資產科技企業(yè)融資比例。實施擬上市科技企業(yè)培育行動計劃。（三）營造協(xié)作開放的創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)氛圍健全協(xié)作開放的創(chuàng)新激勵政策體系，深化創(chuàng)新改革試驗，營造鼓勵創(chuàng)新的政策環(huán)境。主動融入全市“一帶一路”科技創(chuàng)新合作區(qū)和國際技術轉移中心建設，促進科技開放合作。引導企業(yè)匯聚各類高等院校、科研院所創(chuàng)新資源優(yōu)勢，深化與浙江大學、重慶大學、北京科技大學等校地合作、校企合作，積極搭建一批協(xié)同創(chuàng)新平臺。積極參與建設

19、成渝地區(qū)環(huán)大學創(chuàng)新生態(tài)圈、成渝地區(qū)高新區(qū)創(chuàng)新聯(lián)盟，支持科技型中小企業(yè)參與市級技術創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟。突破非物質文化遺產跨界創(chuàng)新，打造“銅梁龍”文化創(chuàng)意品牌，積極謀劃舉辦國家級龍文化非物質文化遺產創(chuàng)新大會和龍文化創(chuàng)新創(chuàng)業(yè)大賽。弘揚科學精神和工匠精神，加強科普工作，營造崇尚創(chuàng)新的社會氛圍。三、 IGBT結構不斷升級，協(xié)同第三代半導體技術創(chuàng)新IGBT是一個電路開關，透過開關控制改變電壓。IGBT（絕緣柵雙極型晶體管，InsulatedGateBipolarTransistor）是一個三端器件，也是重要的分立器件分支，屬于分立器件中的全控型器件，可以同時控制開通與關斷，具有自關斷的特征，即是一個非通即斷的開

20、關。IGBT擁有柵極G（Gate）、集電極C（Collector）和發(fā)射極E（Emitter），其開通和關斷由柵極和發(fā)射極間的電壓UGE決定；在IGBT的柵極和發(fā)射極之間加上驅動正電壓，PNP晶體管的集電極與基極之間成低阻狀態(tài)而使得晶體管導通。IGBT結合了TMOSFET與與TBJT的優(yōu)勢。IGBT結合了MOSFET與BJT的優(yōu)點，既有MOSFET的開關速度快，輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小的優(yōu)點，又有BJT導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點，此外為了提升IGBT耐壓，減小拖尾電流，結構相對復雜。IGBT被各類下游市場廣泛使用，是電力電子領域較為理想的開關器件。IGBT工藝

21、與設計難度高，產品生命周期長。IGBT芯片結構分為正面（Emitterside）和背面（Collectoerside）。從80年代初到現(xiàn)在，IGBT正面技術從平面柵（Planar）迭代至溝槽柵(Trench)，并演變?yōu)槲喜郏∕icroPatternTrench）；背面技術從穿通型（PT,PunchThrough）迭代至非穿通型（NPT,NonPunchThrough），再演變?yōu)閳鼋刂剐停‵S,FieldStop）。技術的迭代對改善IGBT的開關性能和提升通態(tài)降壓等性能上具有較大幫助，但是實現(xiàn)這些技術對于工藝有著相當高的要求，尤其是薄片工藝（8英寸以上的硅片當減薄至100200um后極易破碎）

22、以及背面工藝（因正面金屬熔點的限制，所以背面退火激活的難度大），這也是導致IGBT迭代速度較慢。此外，IGBT產品具有生命周期長的特點，以英飛凌IGBT產品為例，該產品已迭代至第七代，但其發(fā)布于2000年代初的第三代IGBT芯片技術在3300V、4500V、6500V等高壓應用領域依舊占據(jù)主導地位，其發(fā)布于2007年的第四代IGBT則依舊為目前使用最廣泛的IGBT芯片技術，其IGBT4產品的收入增長趨勢甚至持續(xù)到了第15年。高密度、高可靠性、更好的集成散熱功能是IGBT未來發(fā)展趨勢。英飛凌作為全球IGBT龍頭企業(yè)，產品技術已成為本土廠商的對標。截至2021年，英飛凌產品已迭代至第七代。其中，第

23、五代與第六代均屬于第四代的優(yōu)化版（第五代屬于大功率版第四代，第六代屬于高頻版第四代）。IGBT器件需要承受高電壓和大電流，對于穩(wěn)定性、可靠性要求較高。未來，IGBT會朝著更小尺寸、更大晶圓、更薄厚度發(fā)展，并通過成本、功率密度、結溫、可靠性等方面的提升來實現(xiàn)整個芯片結束的進步。此外，IGBT模塊的未來趨勢也將朝著更高的熱導率材料、更厚的覆銅層、更好的集成散熱功能和更高的可靠性發(fā)展。第三代半導體物理特性相較于iSi在工作頻率、抗高溫和抗高壓具備較強的優(yōu)勢。半導體材料領域至今經歷了多個發(fā)展階段，相較而言，第三代半導體在工作頻率、抗高溫和抗高壓等方面更具優(yōu)勢。第一代半導體材料主要包括硅（Si）和鍺（G

24、e），于20世紀40年代開始登上舞臺，目前主要應用于大規(guī)模集成電路中。但硅材料的禁帶寬度窄、電子遷移率低，且屬于間接帶隙結構，在光電子器件和高頻高功率器件的應用上存在較大瓶頸，因此其性能已難以滿足高功率和高頻器件的需求。新材料推進新產品發(fā)展，高壓高頻領域適用SiC。碳化硅在絕緣破壞電場界強度為硅的10倍，因此SiC可以以低電阻、薄膜厚的漂移層實現(xiàn)高耐壓，意味著相同的耐壓產品SiC的面積會比Si還要小，比如900VSiC-MOSFET的面積是Si-MOSFET的1/35。因此，硅基的SJ-MOSFET只有900V左右的產品，SiC可以做到1700V以上且低導通電阻。Si為了改善高耐壓化所帶來的導

25、通電阻增大主要采用IGBT結構，但由于其存在開關損耗大產生發(fā)熱、高頻驅動受到限制等問題，所以需借由改變材料提升產品性能。SiC在MOSFET的結構就可實現(xiàn)高耐壓，因此可同時實現(xiàn)高耐壓、低導通電阻、高速，即使在1200V或更高的擊穿電壓下也可以制造高速MOSFET結構。SiCMTOSFET具備一定優(yōu)勢，但成本較高。就器件類型而言，SiCMOSFET與SiMOSFET相似。但是，SiC是一種寬帶隙（WBG）材料，其特性允許這些器件在與IGBT相同的高功率水平下運行，同時仍然能夠以高頻率進行開關。這些特性可轉化為系統(tǒng)優(yōu)勢，包括更高的功率密度、更高的效率和更低的熱耗散。然而，受制于制造成本和產品良率影

26、響，SiC產品價格較高。由于Si越是高耐壓的組件、每單位面積的導通電阻變高(以耐壓的約22.5倍增加)，因此600V以上的電壓則主要使用IGBT。但是IGBT是藉由注入少數(shù)載子之正孔于漂移層內，比MOSFET可降低導通電阻，另一方面由于少數(shù)載子的累積，斷開時產生尾電流、造成開關的損耗。SiC由于漂移層的電阻比Si組件低，不須使用傳導度調變，可用高速組件構造之MOSFET以兼顧高耐壓與低電阻，可實現(xiàn)開關損耗的大幅削減與冷卻器的小型化。SiC在制造和應用方面又面臨很高的技術要求，因此SiCMosfet價格較SiIGBT高。根據(jù)功率器件的特性，不同功率器件的應用領域各有不同。雖然IGBT結合了MOS

27、FET與BJT的優(yōu)勢，但三者根據(jù)各自的器件性能優(yōu)勢，都有適合的應用領域。BJT更強調工作功率，MOSFET更強調工作頻率，IGBT則是工作功率與頻率兼具。BJT因其成本優(yōu)勢，常被用于低功率低頻率應用市場，MOSFET適用于中功率高頻率應用市場，IGBT適用于高功率中頻率應用市場。高功率密度的IGBT在性能、可靠性等方面將繼續(xù)發(fā)展，因此在較長一段時間內仍會是汽車電動化的主流器件。SiC組件具有高壓、高頻和高效率的優(yōu)勢，在縮小體積的同時提高了效率，相關產品則主要用于高壓高頻領域。部分IGBT廠商已開始布局SiC產業(yè)。SiC具有較大發(fā)展?jié)摿?，已吸引多家功率器件廠商進行布局。英飛凌于2018年收購德國

28、廠商Siltectra，彌補自身晶體切割工藝，又于2018年12月與Cree簽署長期協(xié)議，保證自身光伏逆變器和新能源汽車領域的產品供應，旗下CoolSiC系列產品已走入量產。2019年，意法半導體與Cree簽署價值2.5億美元的長單協(xié)議，且收購了瑞典SiC晶圓廠商NorstelAB，以滿足汽車和工業(yè)客戶對MOSFET與二極管的需求。2021年，意法半導體宣布造出8英寸SiC晶圓。此外，斯達半導、華潤微、等本土廠商也已在SiC領域布局。四、 新能源汽車的電力系統(tǒng)中，功率IGBT價值占比達達52%新能源汽車核心三電系統(tǒng)（電池、電機、電控）。1）電池是新能源汽車的能量來源，替換傳統(tǒng)燃油汽車的油箱；動

29、力電池系統(tǒng)主要由電芯、電池管理系統(tǒng)等組成。2）電機負責將電能轉換為機械能，包含定子、轉子等；3）電控如同汽車的大腦，用來控制電機的啟動、暫停、轉速、扭矩等各項“動作”。三電系統(tǒng)需要大量的半導體產品包括功率半導體、模擬芯片、控制芯片等；隨著電動汽車的發(fā)展與普及，汽車半導體迎來快速發(fā)展期。電力系統(tǒng)主要分為四大類：DC/DC轉換器、電池管理系統(tǒng)(BMS)、逆變器、車載充電器。逆變器是汽車的關鍵部件，主要用到的半導體芯片為為IGBT。逆變器類似于燃油車的發(fā)動機管理系統(tǒng)EMS，決定著駕駛行為。無論電機是同步、異步還是無刷直流電機，逆變器始終以類似的方式運行，其設計應最大限度地減少開關損耗并最大限度地提高

30、熱效率。IGBT是電動汽車逆變器的核心電子器件，重要性類似電腦里的CPU。DC-DC。轉換器供電給汽車低壓電子系統(tǒng)。DC/DC變換器是新能源汽車必須配置的功能，類似燃油汽車中配置的低電壓發(fā)電機總成，其功能是給車載12V或24V低壓電池充電，并為整車提供全部的低壓供電。在新能源汽車中會配置一個DC/DC變換器作為能量傳遞部件，從車載動力電池取電，提高能源的利用率，給車載12V或24V低壓電池充電，并為整車提供全部的低壓電子系統(tǒng)供電。BMS電池管理系統(tǒng)是電動汽車中電池組的大腦。BMS可根據(jù)起動能力對充電狀態(tài)、健康狀態(tài)和功能狀態(tài)進行快速、可靠的監(jiān)測，以提供必要的信息。因此，BMS能夠最大限度地降低因

31、為電池意外失效而導致的汽車故障次數(shù)，從而盡可能地提升電池使用壽命和電池效率，并實現(xiàn)二氧化碳減排功能。OBC車載充電器主要功能是為電池充電。OBC的核心功能是整流電源輸入，并將其轉換為適合電池的充電電壓可能是400V或越來越多的800V。一個典型的OBC由多個級聯(lián)級組成，包括功率因數(shù)校正（PFC）、DC/DC轉換器、次級整流、輔助電源、控制及驅動電路。OBC具有多種功率等級，功率等級越高，充電時間就越短。最流行的OBC功率等級是3.3kW、6.6kW、11kW和22kW。新能源汽車動力系統(tǒng)中，器逆變器IGBT價值量比占比52%。在電動傳統(tǒng)系統(tǒng)中，主逆變器負責控制電動機，是汽車中的一個關鍵元器件，

32、決定了駕駛行為和車輛的能源效率。并且，主逆變器還用于捕獲再生制動釋放的能量并將此能量回饋給電池，所以，車輛的最大行程與主逆變器的效率直接相關。五、 項目實施的必要性（一）提升公司核心競爭力項目的投資，引入資金的到位將改善公司的資產負債結構，補充流動資金將提高公司應對短期流動性壓力的能力，降低公司財務費用水平，提升公司盈利能力，促進公司的進一步發(fā)展。同時資金補充流動資金將為公司未來成為國際領先的產業(yè)服務商發(fā)展戰(zhàn)略提供堅實支持，提高公司核心競爭力。六、 IGBT基本情況電力電子技術是以電子（弱電）為手段去控制電力（強電）的技術，使電網(wǎng)的工頻電能最終轉換成不同性質、不同用途的電能，以適應不同用電裝臵

33、的不同需求。電力電子技術以電子學、電力學和控制論相互交叉結合為基礎，研究電能的變換和利用，廣泛應用于高壓直流輸電、電力機車牽引、交直流轉換、電加熱、電解等各種領域中。電力電子器件是電力電子技術的核心。電力電子器件即功率半導體器件，也稱為功率電子器件，是進行功率處理的半導體器件。典型的功率處理功能包括變頻、變壓、變流、功率放大、功率管理等，是電力電子裝臵的心臟。雖然功率器件在整臺電力電子裝臵中的價值通常不會超過總價值的20%-30%，但對整機的總價值、尺寸、總量、動態(tài)性能、過載能力、耐用性和可靠性起著十分重要的作用。IGBT是現(xiàn)代電力電子器件中的主導型器件，被譽為電力電子行業(yè)里的“CPU”。IG

34、BT是InsulatedGateBipolarTransistor的縮寫，即絕緣柵雙極型晶體管，是國際上公認的電力電子技術第三次革命最具代表性的產品。IGBT作為工業(yè)控制及自動化領域的核心元器件，能夠根據(jù)信號指令來調節(jié)電路中的電壓、電流、頻率、相位等，以實現(xiàn)精準調控的目的，被稱為現(xiàn)代電力電子行業(yè)里的“CPU”，廣泛應用于電機節(jié)能、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天、家用電器、汽車電子、新能源發(fā)電、新能源汽車等眾多領域。IGBT既有MOSFET的開關速度高、輸入阻抗高、控制功率小、驅動電路簡單、開關損耗小的優(yōu)點，又有BJT導通電壓低、通態(tài)電流大、損耗小的優(yōu)點，是電力電子領域較為理想的開關器件。IGBT

35、可以看做由BJT（雙極型晶體管）和MOSFET（金屬氧化物半導體場效應管）組成的復合功率半導體器件。BJT即三極管，是電流驅動器件，基本結構是兩個背靠背的PN結，基極和發(fā)射極之間的PN結稱為發(fā)射結，基極和集電極之間的PN結稱為集電結，通過控制輸入電壓和基極電流可以使三極管出現(xiàn)電流放大或開關效應。MOSFET是電壓型驅動器件，以常用的N溝道MOS管為例，通過在P型半導體上方加入金屬板和絕緣板，即柵極，在使用中保持源級和漏級電壓不變，柵極加正電壓，MOS管呈導通狀態(tài)，降低柵極電壓，MOS管呈關閉狀態(tài)。由于柵極所帶來的電容效應，使得MOS管只需要很小的驅動功率即可實現(xiàn)高速的開關作用。BJT通態(tài)壓降小

36、、載流能力大，但驅動電流小，MOSFET驅動功率小、快關速度快，但導通壓降大、載流密度小。IGBT可以等效為MOS管和BJT管的復合器件，在保留MOS管優(yōu)點的同時增加了載流能力和抗壓能力，自20世紀80年代末開始工業(yè)化應用以來發(fā)展迅速，成為電力電子領域中最重要的功率開關器件之一，在6500V以下的大功率高頻領域逐漸取代了晶閘管和功率MOSFET器件。七、 晶圓產能持續(xù)緊缺，IGBT供不應求或延續(xù)較長時間晶圓供應維持緊張，代工廠產能利用率不斷攀升。隨著下游需求持續(xù)向上，帶動功率器件、模擬芯片、MCU等產品需求的增長，該類產品多在8英寸晶圓廠生產，導致8英寸晶圓需求一直保持高位。同時，疫情催生需求

37、增長，導致晶圓供應緊張華虹等代工廠產能利用率持續(xù)保持增長態(tài)勢；世界先進晶圓出貨量也持續(xù)增長。全球主要功率器件制造商投入擴產，目標提升IGBT產品供應能力。去年年底以來，全球芯片短缺不斷加劇，并蔓延至汽車、手機、家電等多個領域。由于晶圓制造產能不足，功率半導體市場出現(xiàn)供不應求的現(xiàn)象。為滿足下游需求并提升自身供應能力，國內外諸多功率半導體廠商紛紛宣布擴產。東芝、英飛凌、士蘭微、華潤微、賽晶科技等國內外廠商均加大了對于功率半導體產品的產能投入。第三章 項目總論一、 項目名稱及項目單位項目名稱：銅梁區(qū)IGBT項目項目單位：xxx有限公司二、 項目建設地點本期項目選址位于xxx（以選址意見書為準），占地

38、面積約20.00畝。項目擬定建設區(qū)域地理位置優(yōu)越，交通便利，規(guī)劃電力、給排水、通訊等公用設施條件完備，非常適宜本期項目建設。三、 可行性研究范圍1、確定生產規(guī)模、產品方案；2、調研產品市場；3、確定工程技術方案；4、估算項目總投資，提出資金籌措方式及來源；5、測算項目投資效益，分析項目的抗風險能力。四、 編制依據(jù)和技術原則（一）編制依據(jù)1、中華人民共和國國民經濟和社會發(fā)展第十三個五年規(guī)劃綱要；2、中國制造2025；3、建設項目經濟評價方法與參數(shù)及使用手冊（第三版）；4、項目公司提供的發(fā)展規(guī)劃、有關資料及相關數(shù)據(jù)等。（二）技術原則本項目從節(jié)約資源、保護環(huán)境的角度出發(fā)，遵循創(chuàng)新、先進、可靠、實用、

39、效益的指導方針。保證本項目技術先進、質量優(yōu)良、保證進度、節(jié)省投資、提高效益，充分利用成熟、先進經驗，實現(xiàn)降低成本、提高經濟效益的目標。1、力求全面、客觀地反映實際情況，采用先進適用的技術，以經濟效益為中心，節(jié)約資源，提高資源利用率，做好節(jié)能減排，在采用先進適用技術的同時，做好投資費用的控制。2、根據(jù)市場和所在地區(qū)的實際情況，合理制定產品方案及工藝路線，設計上充分體現(xiàn)設備的技術先進，操作安全穩(wěn)妥，投資經濟適度的原則。3、認真貫徹國家產業(yè)政策和企業(yè)節(jié)能設計規(guī)范，努力做到合理利用能源和節(jié)約能源。采用先進工藝和高效設備，加強計量管理，提高裝置自動化控制水平。4、根據(jù)擬建區(qū)域的地理位置、地形、地勢、氣象

40、、交通運輸?shù)葪l件及安全，保護環(huán)境、節(jié)約用地原則進行布置；同時遵循國家安全、消防等有關規(guī)范。5、在環(huán)境保護、安全生產及消防等方面，本著“三同時”原則，設計上充分考慮裝置在上述各方面投資，使得環(huán)境保護、安全生產及消防貫穿工程的全過程。做到以新代勞，統(tǒng)一治理，安全生產，文明管理。五、 建設背景、規(guī)模（一）項目背景IGBT應用于新能源的電壓轉換，例如：汽車動力系統(tǒng)、光伏逆變器等，IGBT功率模塊均是逆變器的核心功率器件，在電動車動力系統(tǒng)半導體價值量中占比52%。IGBT透過控制開關控制改變電壓具備耐壓的特性被各類下游市場廣泛使用，此外由于IGBT工藝與設計難度高，海外企業(yè)憑借多年的積累占據(jù)較大的市場份

41、額；國內廠商近年來通過積極投入研發(fā)成功在國內新能源汽車用IGBT模塊市場中占取到了一定份額，但仍有很大的替代空間。（二）建設規(guī)模及產品方案該項目總占地面積13333.00（折合約20.00畝），預計場區(qū)規(guī)劃總建筑面積25097.16。其中：生產工程17956.34，倉儲工程3827.10，行政辦公及生活服務設施1734.56，公共工程1579.16。項目建成后，形成年產xxx個IGBT的生產能力。六、 項目建設進度結合該項目建設的實際工作情況，xxx有限公司將項目工程的建設周期確定為24個月，其工作內容包括：項目前期準備、工程勘察與設計、土建工程施工、設備采購、設備安裝調試、試車投產等。七、

42、原輔材料及設備（一）項目主要原輔材料該項目主要原輔材料包括xx、xx、xxx等。（二）主要設備主要設備包括xx、xx、xxx等。八、 環(huán)境影響該項目投入運營后產生廢氣、廢水、噪聲和固體廢物等污染物，對周圍環(huán)境空氣的影響較小。各類污染物均得到了有效的處理和處置。該項目的生產工藝、產品、污染物產生、治理及排放情況符合國家關于清潔生產的要求，所采取的污染防治措施從經濟及技術上可行。九、 建設投資估算（一）項目總投資構成分析本期項目總投資包括建設投資、建設期利息和流動資金。根據(jù)謹慎財務估算，項目總投資8135.79萬元，其中：建設投資6246.83萬元，占項目總投資的76.78%；建設期利息133.2

43、9萬元，占項目總投資的1.64%；流動資金1755.67萬元，占項目總投資的21.58%。（二）建設投資構成本期項目建設投資6246.83萬元，包括工程費用、工程建設其他費用和預備費，其中：工程費用5554.05萬元，工程建設其他費用519.20萬元，預備費173.58萬元。十、 項目主要技術經濟指標（一）財務效益分析根據(jù)謹慎財務測算，項目達產后每年營業(yè)收入16000.00萬元，綜合總成本費用12479.32萬元，納稅總額1625.66萬元，凈利潤2578.95萬元，財務內部收益率23.50%，財務凈現(xiàn)值4843.14萬元，全部投資回收期5.75年。（二）主要數(shù)據(jù)及技術指標表主要經濟指標一覽表

44、序號項目單位指標備注1占地面積13333.00約20.00畝1.1總建筑面積25097.161.2基底面積7999.801.3投資強度萬元/畝307.722總投資萬元8135.792.1建設投資萬元6246.832.1.1工程費用萬元5554.052.1.2其他費用萬元519.202.1.3預備費萬元173.582.2建設期利息萬元133.292.3流動資金萬元1755.673資金籌措萬元8135.793.1自籌資金萬元5415.553.2銀行貸款萬元2720.244營業(yè)收入萬元16000.00正常運營年份5總成本費用萬元12479.326利潤總額萬元3438.607凈利潤萬元2578.958

45、所得稅萬元859.659增值稅萬元683.9310稅金及附加萬元82.0811納稅總額萬元1625.6612工業(yè)增加值萬元5305.2813盈虧平衡點萬元5609.99產值14回收期年5.7515內部收益率23.50%所得稅后16財務凈現(xiàn)值萬元4843.14所得稅后十一、 主要結論及建議本項目符合國家產業(yè)發(fā)展政策和行業(yè)技術進步要求，符合市場要求，受到國家技術經濟政策的保護和扶持，適應本地區(qū)及臨近地區(qū)的相關產品日益發(fā)展的要求。項目的各項外部條件齊備，交通運輸及水電供應均有充分保證，有優(yōu)越的建設條件。，企業(yè)經濟和社會效益較好，能實現(xiàn)技術進步，產業(yè)結構調整，提高經濟效益的目的。項目建設所采用的技術裝

46、備先進，成熟可靠，可以確保最終產品的質量要求。第四章 項目投資主體概況一、 公司基本信息1、公司名稱：xxx有限公司2、法定代表人：付xx3、注冊資本：1400萬元4、統(tǒng)一社會信用代碼：xxxxxxxxxxxxx5、登記機關：xxx市場監(jiān)督管理局6、成立日期：2012-4-267、營業(yè)期限：2012-4-26至無固定期限8、注冊地址：xx市xx區(qū)xx9、經營范圍：從事IGBT相關業(yè)務（企業(yè)依法自主選擇經營項目，開展經營活動；依法須經批準的項目，經相關部門批準后依批準的內容開展經營活動；不得從事本市產業(yè)政策禁止和限制類項目的經營活動。）二、 公司簡介公司注重發(fā)揮員工民主管理、民主參與、民主監(jiān)督的

47、作用，建立了工會組織，并通過明確職工代表大會各項職權、組織制度、工作制度，進一步規(guī)范廠務公開的內容、程序、形式，企業(yè)民主管理水平進一步提升。圍繞公司戰(zhàn)略和高質量發(fā)展，以提高全員思想政治素質、業(yè)務素質和履職能力為核心，堅持戰(zhàn)略導向、問題導向和需求導向，持續(xù)深化教育培訓改革，精準實施培訓，努力實現(xiàn)員工成長與公司發(fā)展的良性互動。公司將依法合規(guī)作為新形勢下實現(xiàn)高質量發(fā)展的基本保障，堅持合規(guī)是底線、合規(guī)高于經濟利益的理念，確立了合規(guī)管理的戰(zhàn)略定位，進一步明確了全面合規(guī)管理責任。公司不斷強化重大決策、重大事項的合規(guī)論證審查，加強合規(guī)風險防控，確保依法管理、合規(guī)經營。嚴格貫徹落實國家法律法規(guī)和政府監(jiān)管要求，

48、重點領域合規(guī)管理不斷強化，各部門分工負責、齊抓共管、協(xié)同聯(lián)動的大合規(guī)管理格局逐步建立，廣大員工合規(guī)意識普遍增強，合規(guī)文化氛圍更加濃厚。三、 公司競爭優(yōu)勢（一）自主研發(fā)優(yōu)勢公司在各個細分領域深入研究的同時，通過整合各平臺優(yōu)勢，構建全產品系列，并不斷進行產品結構升級，順應行業(yè)一體化、集成創(chuàng)新的發(fā)展趨勢。通過多年積累，公司產品性能處于國內領先水平。公司多年來堅持技術創(chuàng)新，不斷改進和優(yōu)化產品性能，實現(xiàn)產品結構升級。公司結合國內市場客戶的個性化需求，不斷升級技術，充分體現(xiàn)了公司的持續(xù)創(chuàng)新能力。在不斷開發(fā)新產品的過程中，公司已有多項產品均為國內領先水平。在注重新產品、新技術研發(fā)的同時，公司還十分重視自主知

49、識產權的保護。（二）工藝和質量控制優(yōu)勢公司進口大量設備和檢測設備，有效提高了精度、生產效率，為產品研發(fā)與確保產品質量奠定了堅實的基礎。此外，公司是行業(yè)內較早通過ISO9001質量體系認證的企業(yè)之一，公司產品根據(jù)市場及客戶需要通過了產品認證，表明公司產品不僅滿足國內高端客戶的要求，而且部分產品能夠與國際標準接軌，能夠躋身于國際市場競爭中。在日常生產中，公司嚴格按照質量體系管理要求，不斷完善產品的研發(fā)、生產、檢驗、客戶服務等流程，保證公司產品質量的穩(wěn)定性。（三）產品種類齊全優(yōu)勢公司不僅能滿足客戶對標準化產品的需求，而且能根據(jù)客戶的個性化要求，定制生產規(guī)格、型號不同的產品。公司齊全的產品系列，完備的

50、產品結構，能夠為客戶提供一站式服務。對公司來說，實現(xiàn)了對具有多種產品需求客戶的資源共享，拓展了銷售渠道，增加了客戶粘性。公司產品價格與國外同類產品相比有較強性價比優(yōu)勢，在國內市場起到了逐步替代進口產品的作用。（四）營銷網(wǎng)絡及服務優(yōu)勢根據(jù)公司產品服務的特點、客戶分布的地域特點，公司營銷覆蓋了華南、華東、華北及東北等下游客戶較為集中的區(qū)域，并在歐美、日本、東南亞等國家和地區(qū)初步建立經銷商網(wǎng)絡，及時了解客戶需求，為客戶提供貼身服務，達到快速響應的效果。公司擁有一支行業(yè)經驗豐富的銷售團隊，在各區(qū)域配備銷售人員，建立從市場調研、產品推廣、客戶管理、銷售管理到客戶服務的多維度銷售網(wǎng)絡體系。公司的服務覆蓋產

51、品服務整個生命周期，公司多名銷售人員具有研發(fā)背景，可引導客戶的技術需求并為其提供解決方案，為客戶提供及時、深入的專業(yè)技術服務與支持。公司與經銷商互利共贏，結成了長期戰(zhàn)略合作伙伴關系，公司經銷網(wǎng)絡較為穩(wěn)定，有利于深耕行業(yè)和區(qū)域市場，帶動經銷商共同成長。四、 公司主要財務數(shù)據(jù)公司合并資產負債表主要數(shù)據(jù)項目2020年12月2019年12月2018年12月資產總額2970.282376.222227.71負債總額1185.85948.68889.39股東權益合計1784.431427.541338.32公司合并利潤表主要數(shù)據(jù)項目2020年度2019年度2018年度營業(yè)收入10920.018736.01

52、8190.01營業(yè)利潤2564.262051.411923.20利潤總額2311.541849.231733.65凈利潤1733.651352.251248.23歸屬于母公司所有者的凈利潤1733.651352.251248.23五、 核心人員介紹1、付xx，中國國籍，1978年出生，本科學歷，中國注冊會計師。2015年9月至今任xxx有限公司董事、2015年9月至今任xxx有限公司董事。2019年1月至今任公司獨立董事。2、莫xx，中國國籍，1976年出生，本科學歷。2003年5月至2011年9月任xxx有限責任公司執(zhí)行董事、總經理；2003年11月至2011年3月任xxx有限責任公司執(zhí)行董

53、事、總經理；2004年4月至2011年9月任xxx有限責任公司執(zhí)行董事、總經理。2018年3月起至今任公司董事長、總經理。3、杜xx，中國國籍，無永久境外居留權，1959年出生，大專學歷，高級工程師職稱。2003年2月至2004年7月在xxx股份有限公司兼任技術顧問；2004年8月至2011年3月任xxx有限責任公司總工程師。2018年3月至今任公司董事、副總經理、總工程師。4、金xx，中國國籍，無永久境外居留權，1970年出生，碩士研究生學歷。2012年4月至今任xxx有限公司監(jiān)事。2018年8月至今任公司獨立董事。5、湯xx，中國國籍，無永久境外居留權，1971年出生，本科學歷，中級會計師

54、職稱。2002年6月至2011年4月任xxx有限責任公司董事。2003年11月至2011年3月任xxx有限責任公司財務經理。2017年3月至今任公司董事、副總經理、財務總監(jiān)。6、薛xx，中國國籍，無永久境外居留權，1961年出生，本科學歷，高級工程師。2002年11月至今任xxx總經理。2017年8月至今任公司獨立董事。7、馬xx，1974年出生，研究生學歷。2002年6月至2006年8月就職于xxx有限責任公司；2006年8月至2011年3月，任xxx有限責任公司銷售部副經理。2011年3月至今歷任公司監(jiān)事、銷售部副部長、部長；2019年8月至今任公司監(jiān)事會主席。8、孔xx，中國國籍，197

55、7年出生，本科學歷。2018年9月至今歷任公司辦公室主任，2017年8月至今任公司監(jiān)事。六、 經營宗旨根據(jù)國家法律、法規(guī)及其他有關規(guī)定，依照誠實信用、勤勉盡責的原則，充分運用經濟組織形式的優(yōu)良運行機制，為公司股東謀求最大利益，取得更好的社會效益和經濟效益。七、 公司發(fā)展規(guī)劃（一）戰(zhàn)略目標與發(fā)展規(guī)劃公司致力于為多產業(yè)的多領域客戶提供高質量產品、技術服務與整體解決方案，為成為百億級產業(yè)領軍企業(yè)而努力奮斗。（二）措施及實施效果公司立足于本行業(yè)，以先進的技術和高品質的產品滿足產品日益提升的質量標準和技術進步要求，為國內外生產商率先提供多種產品，為提升轉換率和品質保證以及成本降低持續(xù)做出貢獻，同時通過與產業(yè)鏈優(yōu)質客戶緊密合作，為公司帶來穩(wěn)定的業(yè)務增長和持續(xù)的收益。公司通過產品和商業(yè)模式的不斷創(chuàng)新以及與產業(yè)鏈企業(yè)深度融合，建立創(chuàng)新引領、合作共贏的模式，再造行業(yè)新格局。（三）未來規(guī)劃采取的措施公司始終秉持提供性價比最優(yōu)的產品和技術服務的理念，充分發(fā)揮公司在技術以及膜工藝技術的扎實基礎及創(chuàng)新能力，為成為百億級產業(yè)領軍企業(yè)而努力奮