高電壓技術(shù)(第三版)課后習(xí)題答案_2_第1頁
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文檔簡(jiǎn)介

1、第一章作業(yè)1-1解釋以下術(shù)語1氣體中的自持放電;2電負(fù)性氣體;3放電時(shí)延;450%沖擊放電電壓;5爬電比距。答:1氣體中的自持放電:當(dāng)外加電場(chǎng)足夠強(qiáng)時(shí),即使除去外界電 離因子,氣體中的放電仍然能夠維持的現(xiàn)象;2 電負(fù)性氣體:電子與某些氣體分子碰撞時(shí)易于產(chǎn)生負(fù)離子,這樣 的氣體分子組成的氣體稱為電負(fù)性氣體;3放電時(shí)延:能引起電子崩并最終導(dǎo)致間隙擊穿的電子稱為有效 電子,從電壓上升到靜態(tài)擊穿電壓開始到出現(xiàn)第一個(gè)有效電子所需 的時(shí)間稱為統(tǒng)計(jì)時(shí)延,出現(xiàn)有效電子到間隙擊穿所需的時(shí)間稱為放 電形成時(shí)延,二者之和稱為放電時(shí)延;450%沖擊放電電壓:使間隙擊穿概率為 50%的沖擊電壓,也稱為 50%沖擊擊穿電

2、壓;5爬電比距:爬電距離指兩電極間的沿面最短距離,其與所加電壓的比值稱為爬電比距,表示外絕緣的絕緣水平,單位cm/kV。1-2湯遜理論與流注理論對(duì)氣體放電過程和自持放電條件的觀點(diǎn) 有何不同?這兩種理論各適用于何種場(chǎng)合?答:湯遜理論認(rèn)為電子碰撞電離是氣體放電的主要原因,二次電 子來源于正離子撞擊陰極使陰極外表逸出電子,逸出電子是維持 氣體放電的必要條件。所逸出的電子能否接替起始電子的作用是 自持放電的判據(jù)。流注理論認(rèn)為形成流注的必要條件是電子崩發(fā) 展到足夠的程度后,電子崩中的空間電荷足以使原電場(chǎng)明顯畸, 流注理論認(rèn)為二次電子的主要來源是空間的光電離。湯遜理論的適用范圍是短間隙、低氣壓氣隙的放電;

3、流注理論 適用于高氣壓、長(zhǎng)間隙電場(chǎng)氣隙放電。1-3在一極間距離為1cm的均勻電場(chǎng)電場(chǎng)氣隙中,電子碰撞電離 系數(shù)a =11cm-1。今有一初始電子從陰極外表出發(fā),求到達(dá)陽極 的電子崩中的電子數(shù)目。解:到達(dá)陽極的電子崩中的電子數(shù)目為na e d e11 159874答:到達(dá)陽極的電子崩中的電子數(shù)目為59874 個(gè)。1cm和1mm的光滑導(dǎo)1-5近似估算標(biāo)準(zhǔn)大氣條件下半徑分別為 線的電暈起始場(chǎng)強(qiáng)。解:對(duì)半徑為1cm的導(dǎo)線Ec 30m 3 (1 0.3 )vr 330 1 1 (139(kV/cm)對(duì)半徑為1mm的導(dǎo)線Ec 30 1 1 (1 0.3)58.5(kV/cm)21 1答:半徑1cm導(dǎo)線起暈

4、場(chǎng)強(qiáng)為39kV/cm,半徑1mm導(dǎo)線起暈場(chǎng)強(qiáng) 為58 5kV/cm1-10簡(jiǎn)述絕緣污閃的開展機(jī)理和防止對(duì)策。答:戶外絕緣子在污穢狀態(tài)下發(fā)生的沿面閃絡(luò)稱為絕緣子的污閃。 絕緣子的污閃是一個(gè)受到電、熱、化學(xué)、氣候等多方面因素影響的 復(fù)雜過程,通??煞譃榉e污、受潮、干區(qū)形成、局部電弧的出 現(xiàn)和 開展等四個(gè)階段。防止絕緣子發(fā)生污閃的措施主要有: 1調(diào)整爬 距增大泄露距離 2定期或不定期清掃; 3涂料; 4半 導(dǎo)體釉絕緣子; 5新型合成絕緣子。1-11試運(yùn)用所學(xué)的氣體放電理論,解釋以下物理現(xiàn)象:1大氣的濕度增大時(shí),空氣間隙的擊穿電壓增高,而絕緣子表 面的閃絡(luò)電壓下降;2壓縮氣體的電氣強(qiáng)度遠(yuǎn)較常壓下的氣體

5、高;3沿面閃絡(luò)電壓顯著地低于純氣隙的擊穿電壓。答:1 大氣濕度增大時(shí),大氣中的水分子增多,自由電子易 于被水分子俘獲形成負(fù)離子,從而使放電過程受到抑制,所以擊 穿電壓增高;而大氣濕度增大時(shí),絕緣子外表容易形成水膜,使 絕緣子外表積污層受潮,泄漏電流增大,容易造成濕閃或污閃,絕 緣子外表閃絡(luò)電壓下降;2氣壓很大時(shí)電子的自由行程變小,兩次碰撞之間從電場(chǎng)獲 得的動(dòng)能減小,電子的碰撞電離過程減弱,所以擊穿電壓升高,氣 體的電氣強(qiáng)度也高;3沿面閃絡(luò)電壓顯著地低于純氣隙的擊穿電壓是因?yàn)檠毓腆w介 質(zhì)外表的電場(chǎng)與純氣隙間的電場(chǎng)相比發(fā)生了畸變,造成電場(chǎng)畸變的原因有:1.固體介質(zhì)與電極外表接觸不良,存在小縫隙;2

6、.固體介質(zhì)外表由于潮氣形成水膜,水膜中的正負(fù)離子在電場(chǎng)作用下積聚在沿面靠近電極的兩端; 平。3.固體介質(zhì)外表電阻不均勻和外表的粗糙不第二章作業(yè)2-1試用經(jīng)驗(yàn)公式估算極間距離 d=2cm的均勻電場(chǎng)氣隙在標(biāo)準(zhǔn)大 氣條件下的平均擊穿場(chǎng)強(qiáng)Eb。 P32解:d=2cm的均勻電場(chǎng)氣隙平均擊穿場(chǎng)強(qiáng)為E 24.556.66j / d 24.55 1 6.66 J/ 2 29.26(kV/cm )答:標(biāo)準(zhǔn)大氣條件下的平均擊穿場(chǎng)強(qiáng)為29.26kV/cm2-3在線路設(shè)計(jì)時(shí)已確定某線路的相鄰導(dǎo)線間氣隙應(yīng)能耐受峰值 為士 1800kV的雷電沖擊電壓,試?yán)媒?jīng)驗(yàn)公式近似估計(jì)線間距 離至少應(yīng)為假設(shè)干? P36解:導(dǎo)線間的氣

7、隙可以用棒-棒氣隙近似表 示對(duì)正極性雷電沖擊:U 50%75 56d對(duì)負(fù)極性雷電沖擊:U 50% 110 6d取兩者中較大者308cm(1800 75) / 5.6 308(cm)(1800 110) / 6282(cm)答:線間距離至少應(yīng)為308cm o精選2-4在p=755mmHg , t=33的條件下測(cè)得一氣隙的擊穿電壓峰值 為108kV,試近似求取該氣隙在標(biāo)準(zhǔn)大氣條件下的擊穿電壓值。P38解:在p=755mmHg,t=33條件下的空氣相對(duì)密度為:2.9 p2.9101.3175510.954t760273 33由于3處于0.951.05之間U UUU108113.2(kV)000.95

8、4答:該氣隙在標(biāo)準(zhǔn)大氣條件下的擊穿電壓值為1132kVP3913000 10 42-5某110kV電氣設(shè)備的外絕緣應(yīng)有的工頻耐壓水平有效值 為260kV,如該設(shè)備將安裝到海拔 3000m的地方運(yùn)行,問出廠時(shí)工廠位于平原地區(qū)的試驗(yàn)電壓影增大到多少? 解:出廠時(shí)的試驗(yàn)電壓值:U KaU p 14 260 1.1 H 10 41.1325(kV)答:出廠試驗(yàn)電壓值應(yīng)增大到325kV94.2cmD 2R 2U2-6為防止額定電壓有效值為 1000kV的試驗(yàn)變壓器的高壓引出端發(fā) 生電暈放電,在套管上部安裝一球形屏蔽極。設(shè)空氣的電氣強(qiáng) 度E0=30kV/cm,試決定該球形電極應(yīng)有的直徑。 P40 解:球形

9、電極應(yīng)有的直徑為:答:該球形電極應(yīng)有的直徑為第三章作業(yè)3-1某雙層介質(zhì)絕緣結(jié)構(gòu),第一、二層的電容和電阻分別為:C1=4200pF,R1=1400MQ ; C2=3000pF、R2=2100MQ。當(dāng)加上40kV直流電壓時(shí),試求:(1 )當(dāng)t=0合閘初瞬,C1、C2上各有多少電荷?(2)到達(dá)穩(wěn)態(tài)后,C1、C2上各有多少電荷?絕緣的電導(dǎo)電流為多 大?解:(1)絕緣結(jié)構(gòu)的等值電路如下圖:t=0合閘初瞬時(shí),電壓按電容反比分配U 1 C2即C_,可得2 1C2300040U U 101 C C420030001 250 / 3 16.67(kV )R1 ci-pIR2C2:IU1U2C1上的電荷123Q1

10、 C1U14200 10 1250 / 3 10370( C)C2上的電荷Q2 C2U2 C2(U U1 ) 3000 10 12 (40 50 / 3) 103 70( C)(2)穩(wěn)態(tài)時(shí),因?yàn)樽饔秒妷?U為直流,所以C1和C2可視為開 路,流過絕緣的電導(dǎo)電流由總電阻決定,即IUR R1 240 10 380 10 6 11.43( A)(14002100) 1067此時(shí)C1上的電壓與R1上的電壓相等,即U R I 1400 106 (80 / 7) 10 6 16(kV)C1 上的電荷Q C U 4200 10 12 16 10 3 67.2( C) 1 1 1C2 上的電荷Q2 C2U2

11、3000 10 12 (40 16) 103 72( C)3-3某設(shè)備對(duì)地電容 C=3200pF,工頻下的tg 3 =0.01 ,如果所施加 的工頻電壓等于 32kV,求:(1) 該設(shè)備絕緣所吸收的無功功率和所消耗的有功功率各為多少?(2) 如果該設(shè)備的絕緣用并聯(lián)等值電路來表示,那么其中電阻值R為假設(shè) 干?(3) 如果用串聯(lián)等值電路表示,那么其中的電容值Cs和電阻值r各 位假設(shè)干?解: ( 1)該設(shè)備所吸收的有功功率為P U 2 Ctg (32 103)2 314 3200 10 12 0.0110.3(W)所吸收的無功功率為P 10 3Q1030Var 1.03kVartg 0.01(2)在

12、絕緣的并聯(lián)等值電路中,有tg上U二RIc U C R CCtg112314 3200 100.0199.5(M )(3)在絕緣的串聯(lián)等值電路和并聯(lián)等值電路中,等值電容近似相等,即 Cs=Cp=C=3200pF因此,對(duì)串聯(lián)等值電路,由tgCs r可得串聯(lián)等值電阻tg0.01Cs314 3200 10129.95(k )3-6 一充油的均勻電場(chǎng)間隙距離為30mm ,極間施加工頻電壓 300kV。假設(shè)在極間放置一個(gè)屏障,其厚度分別為 3mm和10mm,求油 中的電場(chǎng)強(qiáng)度各比沒有屏障時(shí)提高多少倍?設(shè)油的 e r1 =2,屏障的 e r2=4解:沒有屏障時(shí)油中的電場(chǎng)強(qiáng)度為300100(kV/cm )13

13、0 10d放置厚度為d1的屏障時(shí)令d為未放屏障時(shí)的間隙距離,E1為油中的電場(chǎng)強(qiáng)度,E2為屏障中的電場(chǎng)強(qiáng)度Er 2 Er1 1r 2U E d d 1 1聯(lián)立解得油中的電場(chǎng)強(qiáng)度為E d2Eir1300d1=3mm 時(shí),E 2 0.3 / 4 (3d1r1A3)/ 2105.26(kV/cm )此時(shí)油中電場(chǎng)強(qiáng)度提高的倍數(shù)為0.0526Ei Eo5.26E 1000d仁10mm時(shí),E 1 2 1/ 4300(3 1) / 2120(kV/cm )E E1 0E0120此時(shí)油中電場(chǎng)強(qiáng)度提高的倍數(shù)為100 0.2 1004-1測(cè)量絕緣電阻能發(fā)現(xiàn)那些絕緣缺陷?試比擬它與測(cè)量泄漏電流實(shí) 驗(yàn)工程的異同。答:測(cè)

14、量絕緣電阻能有效地發(fā)現(xiàn)以下缺陷:絕緣總體狀態(tài)不佳;絕緣 體受潮或局部嚴(yán)重受潮;兩極間有貫穿性的缺陷等。測(cè)量絕緣電阻和測(cè) 量泄露電流試驗(yàn)工程的相同點(diǎn):兩者的原理和適用范圍是一樣的,不同 的是測(cè)量泄漏電流可使用較高的電壓10kV及以上,并且可一觀察泄漏 電流隨時(shí)間的變化情況,因此能比測(cè)量絕緣電阻更有效地發(fā)現(xiàn)一些尚未 完全貫穿的集中性缺陷。4-4根據(jù)絕緣預(yù)防性試驗(yàn)的結(jié)果來判斷電氣設(shè)備絕緣狀態(tài)時(shí),除了要重視每一項(xiàng)試驗(yàn) 的結(jié)果外為什么還要進(jìn)行綜臺(tái)分析判斷?當(dāng)其中個(gè)別試驗(yàn)工程不臺(tái)格寧達(dá)不到規(guī)程的有關(guān) 要求時(shí),應(yīng)如何處理刊答:P89.51怎樣選擇試驗(yàn)變壓器的額定電壓和額定容量?設(shè)一被試品的電容量為4000p

15、F.所加的試驗(yàn)電壓有效值為400kV,試求進(jìn)行這一工頻耐壓試驗(yàn)時(shí)流過試品的電流和該試驗(yàn)變壓器的輸出功率解:進(jìn)行工頻耐壓試驗(yàn)時(shí)流過試品的電流為I 2 fCU 10 3250 4 10 3 400 10 30.5(A)該試驗(yàn)變壓器的輸出功率為P 2 fCU 2 10 3250 4 10 3 400 2 10 3200(kVA)5-2當(dāng)習(xí)圖-4中的球隙F擊穿時(shí),試驗(yàn)變壓器 T的初級(jí)繞組所接的 電壓表PV的讀數(shù)為假設(shè)干? 答:查附錄球隙放電電壓表 可知圖中球隙F放電電壓峰 值為79.5kV,此電壓為變壓 器高壓側(cè)交流電壓峰值, 所以變壓器初級(jí)繞組電壓 表讀數(shù)T 凡fii79.5 h 2 400100習(xí)

16、圖-4題5-2團(tuán)圖中】AVt 380V/0-400V; T: 400V/100kV5F:帳 25cm,224.9(V)5-6為什么選用球隙而不是其他形狀的間隙特別是消除了邊緣效應(yīng) 的平板電極?答: P1086-1條電容為60077知F戀叫 電感為0. 933mlT/km的架空線路和一根電容為0. 187pF/km.電廡為的電纜相連當(dāng)峰值 50kV的電斥波沿假設(shè)電纜傳播 到架空線上去,求節(jié)點(diǎn)上的電莊峰值竹解:架空線路的波阻抗Z1L1 IC1電纜線路的波阻抗 Z2為0.933 10 3346()0.00778 10ZL0.15510 322V6 0.1871029()節(jié)點(diǎn)上的電壓峰值為2Z12 3

17、46U1uiZ1 Z2346 295092.27(kV)精選習(xí)圖-5 聽6-?圖母線上的電壓幅值U 2U 0 IZ 2 600400 2.92U0ZZZZZ Zz 40(kV)6*2試求習(xí)圖5所示變電所母線上的電壓幅值.其中Z為架空出線的波阻抗(約4000),才為電纜出線的波阻抗(約32n)c從一條架空線上人侵的過電壓波幅値5 0 600kVo解:根據(jù)彼得遜法那么可得等值電路如 圖所示,回路總電流I2U 2 600Z (Z / 4)/(Z / 2) 400 100 162.9(kA)6 - 3 一幅值等于1000A的沖擊電流波從一條波阻抗Z】=5000的架空線路流人一根波 阻抗乙=501的電纜

18、線路,在二者連接的節(jié)點(diǎn)A上并聯(lián)有_只閥式避雷器的工作電阻尺= 100Q 習(xí)圖-6兒試求:1進(jìn)入電纜的電壓波與電流波的幅值;2架空線上的電壓反射波與電流反射波的幅值;3流過避雷器的電流幅值解:根據(jù)彼得遜法那么可得等值電路如 圖所示,回路總電流I21 Z2 1000 500i iZR / Z500 100 / 501 21.875kA1 進(jìn)入電纜的電流波幅值I22 I 1.25kA31.25 5062.5(kV)進(jìn)入電纜的電壓波幅值U 21 2Z2(2)架空線上的電壓反射波幅值U U I Z 62.5 500437.5(kV)1 2 1 1架空線上的電流反射波幅值II0.875(kA)U43751

19、500(3 )流過避雷器的電流幅值I0.625(kA)6-5 一條波阻抗等于500U的架空線經(jīng)一串聯(lián)電阻R與一根波阻抗等于son的電纜相連(習(xí)圖8兒 設(shè)原始波.幾為舟從架空線傳入電纜,而電阻R之值對(duì)應(yīng)于所吸收的功率為最大時(shí)*試求:(1)(2)流入電纜的電壓折射波與電流折射波; 節(jié)點(diǎn)A處的電壓反射波與電流反射波:Zj-soonA ftZj-5OQ(3)因反射而返回架空線的功率和串聯(lián)電阻所吸收的功率。Hr解:根據(jù)彼得遜法那么,畫出其等值電路如下圖 電阻吸收功率最大時(shí),其值為R Zi Z250050550()在一簧扛梨空輸電線披鞏抗與-座變電所之間接右 段1km, 波蛆按為800的電纜段,設(shè)變電聽中

20、各種設(shè)備的影響相卅于一只10000的電配在架空線 上出現(xiàn)個(gè)幅值為90kV的電壓波并傳人電纜和變電所.波在該電纜中的傳播速度約為 lkrn/s.間在設(shè)備節(jié)點(diǎn)B 為習(xí)圖 上出現(xiàn)第二次電壓升高時(shí).該竝:電應(yīng)為假設(shè)于?又出 現(xiàn)這一現(xiàn)象與原始波匸“到達(dá)無空線和電纜間節(jié)點(diǎn)A的瞬間.相隔多少時(shí)間節(jié)解:波從Z1進(jìn)入Z2時(shí)的折射系 數(shù)2Z 22 80A Z Z 2 400 80 波從Z2進(jìn)入Z1時(shí)的反射系 數(shù)乙 Z2400 80奸90昨一十AZi80QB17*=4oon 匚1km J3ft-1 oown Q24380400Z aZ1 2B點(diǎn)的折、反射系數(shù)2R210000RB1.98BR Z210000 80Z2

21、B點(diǎn)電壓出現(xiàn)第二次電壓升高時(shí)的電壓精選Z2R10000 800.9880 10000A B(1 A B)UO3 1.98 (10.98) 9098.21kV距離原始波到達(dá)A點(diǎn)的時(shí)間為t& f100030us如 10kV習(xí)圖70 26-8圖6-8 一條架空線與一根末端開路、長(zhǎng) 1km的電纜相連,架空線電容為11.4pF/m、 感為0.978uH/M ;電纜具有電容 136pF/m、電感 0.75uH/m。一幅值為10kV的無限長(zhǎng)直角波沿架空線傳入電纜, 試計(jì)算在原始A以后38us時(shí),0.978 10 611.4 10 12電纜中點(diǎn)M處的電壓值292.9()波抵達(dá)電纜與架空線連接點(diǎn)解:架空線的波阻

22、抗Z1電纜線的波速電纜線的波阻抗0.75 10 6136 10 1274.3()v100m/us2Z2Z1 Z22 74.3292.9 74.30.39波從Z1進(jìn)入Z2時(shí)在A點(diǎn)的折射 系數(shù)波從Z2進(jìn)入Z1時(shí)在A點(diǎn)的反射 系數(shù)Z Z 2 292.9 74.3 0.6A Z Z 292.9 74.31 2電纜在B點(diǎn)開路所以折、反射系數(shù)B波從A點(diǎn)到達(dá)B點(diǎn)所需要的時(shí) 間38us時(shí)B點(diǎn)經(jīng)過兩次電壓升高且UMA B (1 A B )U0B 1b 100010usv 100B點(diǎn)電壓已到達(dá)M點(diǎn),故M點(diǎn)電壓0.39 2(1 0.6 1) 10 12.48kV7-1為了保護(hù)煙囪及附近的構(gòu)筑物,在一高 73m的煙囪

23、上裝一根長(zhǎng)2m的避雷針,煙囪附近構(gòu)筑物的高度及相對(duì)位置如圖,試計(jì)算各構(gòu)筑物是否處于該避雷針的保護(hù)范圍之內(nèi)解:避雷針高度h=73+2=75m所以高度修正系數(shù)5.55.5J h J 750.635對(duì)左側(cè)構(gòu)筑物,其高度所對(duì)應(yīng)水平 面上的保護(hù)半徑rxL58.7375m 50m(1.5h 2hx)P (1.5 752 10) 0.635所以左側(cè)構(gòu)筑物在該避雷針保護(hù)范圍之內(nèi)對(duì)右側(cè)構(gòu)筑物,其高度所對(duì)應(yīng)水平面上的保護(hù)半徑rxR(h hx)P (75 38) 0.635 23.495m 40m所以右側(cè)構(gòu)筑物不在該避雷針保護(hù)范圍之內(nèi)7-2校驗(yàn)習(xí)題圖-14所示鐵塔結(jié)構(gòu)是否能保證各相導(dǎo)線都受到避雷線 的有效保護(hù)。解:

24、因?yàn)楸芾拙€高度h30m,所以高度修正系數(shù)P=1邊相導(dǎo)線高度:hx=28.4-2.15-3 18=23.07m弟在此高度的水平面上,避雷線側(cè)面保護(hù)寬 度為:rx0.47(h hx)P 0.47 (28.4 23.07) 1 2.505m因?yàn)閞 1.8m所以邊相導(dǎo)線可以受到保護(hù)x兩根避雷線內(nèi)側(cè)保護(hù)范圍圓弧的低點(diǎn)高點(diǎn)h0 h _D 28.47.57.524.65m4P4大于中相導(dǎo)線高度23.07m所以也能受到有效保護(hù)綜上可知,各相導(dǎo)線均能受到有效保護(hù)8-1某平原地區(qū)220kV架空線路所采用的桿塔形勢(shì)及尺寸如下圖 各有關(guān)數(shù)據(jù)如下:避雷線半徑rg=5.5mm,其懸點(diǎn)高度hg=32.7m;上相導(dǎo)線懸點(diǎn)咼度

25、 hw(U)=25.7m; 下相導(dǎo)線懸點(diǎn)咼度hw(L) =20.2m;避 雷線在15C時(shí)的弧垂fg=6.0m;導(dǎo)線在15C時(shí)的弧垂fw=10.0m;線路長(zhǎng)度 L=120km;絕緣子串:13X X-4.5型盤型絕緣子,其沖擊放電電壓U50%=1245kV;每片絕緣子的高度 H=0.146m; 桿塔的沖擊接地電阻Ri=10 Q;線路所在地區(qū)的雷暴日數(shù)Td=50。求這條線路的耐雷水平、雷擊跳閘率及實(shí)際年累計(jì)跳閘 次數(shù)。解:(1)年總落雷次數(shù)該線路只有一條避雷線,故等效受雷寬度2cB 4h 4(ht 3 f )4 (32.70.667 6) 114.8m可圖768 - 1圖精選精選該線路的年總落雷次數(shù)

26、N B l T 1148 120 0.071000 d 1000(2)繞擊導(dǎo)線時(shí)的耐雷水平及跳閘次數(shù) 避雷線對(duì)邊相導(dǎo)線的保護(hù)角注 27.4725.727.4739繞擊率 lg p5048.216arctg 32.73.92.078610 2.070.0085186繞擊時(shí)線路的耐雷水平I 2U 50%100124512.45kA雷電流大于I2的概率 P 10 12.45/ 882建弧率 (0.45E .75 14) 10 210072.19%0.45( _U)0.75 14 1020.450.913220)0-75 14 10 21.732 0.146 13(3)還擊導(dǎo)線時(shí)的耐雷水平及跳閘次數(shù)0

27、.27513.6gw60 Ind gWpid gw兩者之間的幾何耦合系數(shù)60 ln 45.12973.313.3Z gw 73.3k0g_0.143Zg 513.6y繞擊跳閘次數(shù)n N P P 48.216 0.00851 0.7219 0.9132 2避雷線自波阻Z 60 In 2hg 60 In 2 (32.72 / 3 6)grg5.5 10 3離避雷線最遠(yuǎn)的一相導(dǎo)線的和避雷線間的互波阻考慮電暈影響后的耦合系數(shù)k k1k0 1.3 0.143 0.186塔身電感LtL0(t ) hg0.5 32.7 16.35uH該導(dǎo)線橫擔(dān)處的高度ha 20.20.146 1322.098m分流系數(shù)0.92該導(dǎo)線平均對(duì)地高度h 20.2c還擊時(shí)的耐雷水平IiU 50%L10 13.5mhg卄 0

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