離子注入機(jī)簡介ppt課件

1、離子注入機(jī)簡介離子注入機(jī)簡介 離子注入機(jī)的種類離子注入機(jī)的種類中束流中束流A350DNV6200A大束流大束流mANV10-80NV10-160NV10-160SDNV10-1806200、NV10160、10180、10160SD簡介簡介離子注入機(jī)按照真空系統(tǒng)分為三個部分離子注入機(jī)按照真空系統(tǒng)分為三個部分SOURCEBEAM LINEEND STATIONSOURCEBEAM LINEEND STATION6200FILAMENT ARC EXTRACTION ACCEL / DECELSUPPRESSIONANALYZER SUPPRESSIONACCELERATIONQ-LENSX 、Y

2、 SCANFARADAY SYSTEMEND STATION CONTROLNV10160NV10180NV10160SDFILAMENT ARC VAPORIZER SOURCE MAGNET SUPPRESSIONEXTRACTION (HV)ANALYZERACCELERATION FLAG FARADAYDISK FARADAY 各部分包括的控制器各部分包括的控制器 離子注入的原理離子注入的原理 離子源產(chǎn)生的離子在吸極電壓的作用離子源產(chǎn)生的離子在吸極電壓的作用下構(gòu)成束流，以一定的速度進(jìn)入分析器磁下構(gòu)成束流，以一定的速度進(jìn)入分析器磁場后遭到洛侖磁力發(fā)生偏轉(zhuǎn)，選出我們所場后遭到洛侖磁力發(fā)生

3、偏轉(zhuǎn)，選出我們所需的離子，經(jīng)過加速高壓的作用獲得一定需的離子，經(jīng)過加速高壓的作用獲得一定的能量，離子經(jīng)過透鏡的聚焦后，以一定的能量，離子經(jīng)過透鏡的聚焦后，以一定的掃描方式打入硅片。的掃描方式打入硅片。 離子源的任務(wù)原理離子源的任務(wù)原理 當(dāng)離子源的燈絲經(jīng)過足夠大的直流電當(dāng)離子源的燈絲經(jīng)過足夠大的直流電流時，燈絲受熱后發(fā)射的熱電子在流時，燈絲受熱后發(fā)射的熱電子在ARC 電電壓、源磁場的共同作用下做螺旋狀運動與壓、源磁場的共同作用下做螺旋狀運動與工藝氣體碰撞后，工藝氣體發(fā)生電離產(chǎn)生工藝氣體碰撞后，工藝氣體發(fā)生電離產(chǎn)生離子。離子。 質(zhì)量分析器質(zhì)量分析器洛侖磁力：洛侖磁力： F=qvB R=mv/qB

4、F=qvB R=mv/qB帶電粒子進(jìn)入磁場遭到力的作用后發(fā)生偏帶電粒子進(jìn)入磁場遭到力的作用后發(fā)生偏轉(zhuǎn)。轉(zhuǎn)。 11B+11B+、 31P+ 31P+、 40Ar+ 40Ar+、 75As+ 75As+、 121Sb+121Sb+350D350D：先分析后加速。：先分析后加速。NV1080NV1080：先加速后分析。：先加速后分析。 Q-LENS 靜電四極透鏡靜電四極透鏡靜電四極透鏡：對離子進(jìn)展聚焦作用。靜電四極透鏡：對離子進(jìn)展聚焦作用。加速后的離子在加速后的離子在Q-LENS靜電四極透鏡的作靜電四極透鏡的作用下被聚焦成較小的束斑。用下被聚焦成較小的束斑。 FARADAY SYSTEMFARADAY的作用是丈量束流，經(jīng)過的作用是丈量束流，經(jīng)過DOSE控制器準(zhǔn)確地計量注入到硅片上的劑量?？刂破鳒?zhǔn)確地計量注入到硅片上的劑量。BEAM SETUP：束流打在：束流打在FLAG FARAD