磁控濺射 氣敏性質(zhì) 光電性質(zhì)論文

1、磁控濺射論文：磁控濺射法制備幾種金屬、金屬氧化物薄膜及其性質(zhì)研究【中文摘要】金屬與金屬氧化物在氣敏、光催化與太陽(yáng)能電池等方面有著極為重要的應(yīng)用,通過(guò)磁控濺射法制備的金屬氧化物薄膜,具有純度高、致密性好、可控性強(qiáng)、與基底附著性好等優(yōu)點(diǎn),因此磁控濺射技術(shù)被廣泛應(yīng)用于工業(yè)化生產(chǎn)制備大面積、高質(zhì)量的薄膜。我們通過(guò)磁控濺射法制備了氧化銅納米線陣列薄膜,并研究了其氣敏性質(zhì);除此之外,我們還通過(guò)磁控濺射法制備了TiO_2/WO_3復(fù)合薄膜,研究了兩者之間的電荷傳輸性質(zhì):基于磁控濺射法,我們主要開展了以下三個(gè)方面的工作:(1)采用磁控濺射法在摻氟二氧化錫導(dǎo)電玻璃(FTO)襯底上濺射金屬銅薄膜,所制備的Cu薄膜

2、通過(guò)在管式爐中退火氧化生長(zhǎng),可得到CuO納米線陣列薄膜。用X射線衍射儀(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)、高分辨透射電子顯微鏡(HRTEM)對(duì)其形貌和結(jié)構(gòu)進(jìn)行了表征,并研究了這種通過(guò)磁控濺射法得到的CuO納米線陣列薄膜對(duì)CO和H_2S的氣敏性質(zhì),研究結(jié)果表明:CuO納米線陣列薄膜在250時(shí)對(duì)CO氣體具有最強(qiáng)的氣敏響應(yīng),并且當(dāng)CO濃度增大時(shí)其氣敏響應(yīng)明顯增強(qiáng);而對(duì)于H_2S氣體,在常溫下CuO納米線陣列薄膜能夠?qū)Φ蜐舛鹊腍_2S氣體響應(yīng),說(shuō)明這種CuO納米線陣列薄膜可以在常溫、低濃度下.【英文摘要】Metal and metal oxide have important application

3、s in gas-sensing, photocatalyst and photovoltaics, etc. The metal oxide film prepared by magnetron sputtering technique possesses good qualities, such as high purity, good compactness, controllability and excellent adhesion. Therefore magnetron sputtering technique is widely used to prepare large ar

4、ea and high quality films in industrial production. In our work, CuO nanowires (NWs) array films were synthesized by magnetron sputtering. Their gas-sensing propert.【關(guān)鍵詞】磁控濺射 氣敏性質(zhì) 光電性質(zhì)【英文關(guān)鍵詞】Magnetron Sputtering Photo-electric Properties Gas-sensing Properties【目錄】磁控濺射法制備幾種金屬、金屬氧化物薄膜及其性質(zhì)研究中文摘要4-5Abst

5、ract5-6第一章：緒論9-251.1 引言91.2 納米材料的基本效應(yīng)9-111.3 金屬氧化物納米材料的制備方法11-121.4 金屬氧化物納米材料的研究現(xiàn)狀及應(yīng)用12-191.5 功能性薄膜目前存在的主要問(wèn)題19-201.6 論文的研究思路及主要內(nèi)容20-21參考文獻(xiàn)21-25第二章 氧化銅納米線陣列薄膜的制備及其氣敏性質(zhì)25-392.1 引言25-262.2 磁控濺射法制備薄膜的原理及操作規(guī)程26-292.3 實(shí)驗(yàn)部分29-30 材料制備29 材料表征29 氣敏特性測(cè)試結(jié)構(gòu)29-302.4 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論30-36 形貌與結(jié)構(gòu)30-33 氣敏性質(zhì)表征33-362.5 本章小結(jié)36-37參考文獻(xiàn)37-39第三章 Ti0_2/W0_3復(fù)合薄膜的動(dòng)態(tài)電荷傳輸特性39-493.1 引言393.2 實(shí)驗(yàn)部分39-40 材料制備39-40 材料表征403.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論40-46 形貌、結(jié)構(gòu)與I-V 特性40-42 紫外-可見(jiàn)吸收光譜42 Ti0_2/W0_3 復(fù)合薄膜的動(dòng)態(tài)電荷分離與傳輸42-463.4 本章小結(jié)46-47參考文獻(xiàn)47-49第四章 金屬與金屬氧化物超薄膜的制備49-594.1 引言494.2 實(shí)驗(yàn)部分49-50 材料制備49-50 材料表征504.3 實(shí)驗(yàn)結(jié)果與討論50-56 薄膜的形成過(guò)程50-52 薄膜粗糙度的研究52-53 電壓對(duì)粒徑大小的影響53-5