南昌大學(xué)論文資料格式樣板

1、附件7:南昌大學(xué)本科生畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）書寫式樣一、 頁面設(shè)置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm,頁眉1.5cm,頁腳1.75cm，行間距1.35倍。二、 目錄：“目錄”兩字小三號(hào)宋體加粗，目錄內(nèi)容小四號(hào)宋體，頁碼數(shù)字對(duì)齊。三、 頁眉和頁碼：頁眉和頁碼從中文摘要開始，頁眉為相應(yīng)內(nèi)容的標(biāo)題，頁碼從 中文摘要、Abstract、目錄用羅馬數(shù)字（I，II，III ）編排，從正文第一章開 始按照阿拉伯?dāng)?shù)字（1，2，3）編排。四、 摘要1.中文摘要： 標(biāo)題小二號(hào)宋體加粗，“專業(yè)、學(xué)號(hào)、姓名、指導(dǎo)教師”五 號(hào)宋體，“摘要”兩字四號(hào)宋體，摘要內(nèi)容小四號(hào)宋體，“關(guān)鍵詞”三字小四號(hào)宋

2、體加粗，2.英文摘要：標(biāo)題小二號(hào)TimesNew Roman體加粗，“Abstract” 四 號(hào)Times New Roman體；“Abstract” 內(nèi)容小四號(hào)Times New Roman體，“Keyword” 小四號(hào)Times New Roman體加粗。五、 正文：標(biāo)題四號(hào)宋體，正文內(nèi)容小四號(hào)宋體。六、 圖表：圖表內(nèi)容五號(hào)宋體。七、 參考文獻(xiàn)：“參考文獻(xiàn)”四字四號(hào)宋體，參考文獻(xiàn)內(nèi)容小四號(hào)宋體，其中英文用小四號(hào)Times New Roman體。八、 致謝：“致謝”兩字四號(hào)宋體，致謝內(nèi)容小四號(hào)宋體。具體書寫式樣如下:密級(jí):NANCHANGUNIVERSITYTHESIS OFBACHELOR

3、題 目_頁面設(shè)置：上2.54cm,下2.54cm,左3.67cm,右2.67cm，頁眉1.5cm,頁腳1.75cm ,1.35倍行距，應(yīng)用于整篇文檔校名外文（大寫）Times New Roman，四號(hào)，居中校名標(biāo)識(shí)宋體）四號(hào)，居右1.88X6.59，居中學(xué)士學(xué)位論文宋體，30磅，居中Times New Roman,四號(hào)，居中(2020年)中文：宋體；數(shù)字：Times NewRoman四號(hào)，居中學(xué) 院:_ 系_專業(yè)班級(jí)：_學(xué)生姓名：_學(xué)號(hào)：_指導(dǎo)教師：_職稱：_起訖日期：_此頁可直接下（請(qǐng)?jiān)谝陨舷鄳?yīng)方框內(nèi)打“V”)南昌大學(xué)學(xué)士學(xué)位論文原創(chuàng)性申明本人鄭重申明：所呈交的論文是本人在導(dǎo)師的指導(dǎo)下獨(dú)立進(jìn)

4、行研究所取得的研究成果。除了文中特別加以標(biāo)注引用的內(nèi)容外， 本論文不包含任何其他個(gè)人或 集體已經(jīng)發(fā)表或撰寫的成果。對(duì)本文的研究作出重要貢獻(xiàn)的個(gè)人和集體，均已在 文中以明確方式表明。本人完全意識(shí)到本申明的法律后果由本人承擔(dān)。作者簽名:學(xué)位論文版權(quán)使用授權(quán)書本學(xué)位論文作者完全了解學(xué)校有關(guān)保留、 使用學(xué)位論文的規(guī)定，同意學(xué)校保 留并向國家有關(guān)部門或機(jī)構(gòu)送交論文的復(fù)印件和電子版，允許論文被查閱和借 閱。本人授權(quán)南昌大學(xué)可以將本論文的全部或部分內(nèi)容編入有關(guān)數(shù)據(jù)庫進(jìn)行檢 索，可以采用影印、縮印或掃描等復(fù)制手段保存和匯編本學(xué)位論文。保密，在 年解密后適用本授權(quán)書。本學(xué)位論文屬于不保密口。日期:作者簽名:日期

5、:導(dǎo)師簽名:日期:頁眉：中文宋體，五號(hào)，居中III-V族氮化物及其高亮度藍(lán)光宋體，小二號(hào)，居中LED外延片的MOCVD生長和性質(zhì)研究宋體，五號(hào)，對(duì)齊居中專 業(yè)：學(xué)號(hào)：指導(dǎo)教師:年日本日亞化學(xué)工業(yè)公司率先在國際上突破了GaN基藍(lán)光LED外延材料生長技術(shù)以來， 美、 日等國十余家公司相繼報(bào)導(dǎo)掌握了這項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)， 并分別實(shí)現(xiàn)了批 量或小批量生產(chǎn)GaN基LED。盡管如此，這項(xiàng)高技術(shù)仍處于高度保密狀態(tài)，材 料生長的關(guān)鍵思想及核心技術(shù)仍未公開，還無法從參考文獻(xiàn)及專利公報(bào)中獲取最 重要的材料生長信息。本論文就是在這種情況下立題的，旨在研究GaN基材料生長中的物理及化學(xué)問題，為生長可商品化的高亮度GaN基LE

6、D外延材料提供 科學(xué)依據(jù)。本文在自制常壓MOCVD和英國進(jìn)口MOCVD系統(tǒng)上對(duì)III-V族氮化物的生長機(jī)理進(jìn)行了研究，對(duì)材料的性能進(jìn)行了表征。通過設(shè)計(jì)并優(yōu)化外延片多層結(jié)構(gòu)，生長的藍(lán)光LED外延片質(zhì)量達(dá)到了目前國際上商品化的中高檔水平。并獲得了如下有創(chuàng)新和有意義的研究結(jié)果：1首次提出了采用偏離化學(xué)計(jì)量比的緩沖層在大晶格失配的襯底上生長單 晶膜的思想，并在GaN外延生長上得以實(shí)現(xiàn)。采用這種緩沖層，顯著改善了GaN外延膜的結(jié)晶性能，使GaN基藍(lán)光LED器件整體性能大幅度提高，大大降低了GaN基藍(lán)光LED的反向漏電流，降低了正向工作電壓，提高了光輸出功率。本文得到了國家863計(jì)劃、國家自然科學(xué)基金以及

7、教育部發(fā)光材料與器件工程研究中心項(xiàng)目的資助。學(xué)生姓名:摘要寬禁帶III-V族氮化物半導(dǎo)體材料在短波長高亮標(biāo)題：宋體，四號(hào)，兩端對(duì)齊，1.35倍行距 內(nèi)容：中文宋體，外文字符Times NewRoman小四, 鍵、短波加粗激光鍵詞用“；”分隔度發(fā)光探測(cè)器以及高頻和大功率電子器件等方面有著前景。1994關(guān)鍵詞：氮化物；MOCVD;LED;盧瑟福背散射溝道；光致發(fā)光；光透射譜頁眉：外文Times New Roman,五號(hào)，居中Study on MOCVD growth and properties ofIII-Vnitrides and high brightness blue LEDwafersA

8、bstractGaN based川-Vnitrideshave potentialapplicationson highatmosphere pressure metalorga nic chemical vapor depositi on (MOCVD) and ThomasSwan 6X2”MOCVD systems. High bright blue LED waferswere obta ined by optimiz ing the n itrides growth tech no logy and wafer structure. Someen couragi ng results

9、 are followi ng as:1. We present the idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry formaterials growth on large lattice mismatch substrates.This idea was realized in nitrides growth in this thesis. The epilayerdevelopedthe nitridesgrowth tech no logysince Nichia company inJapan firstr

10、ealized thecommercializati onof GaNbased blue LED in1994.In thisthesis,GaNand itsternary were grownby a home-madeMore than ten companiesin America and Japan reported to haveTimes NewRoman小二號(hào)，居中bright ness LEDs, short wavele ngth lasers,temperature and high power electro nic devices. Stultravioletdet

11、ectors, high標(biāo)題：Times New Roman，四號(hào)，兩端對(duì)齊,關(guān)鍵詞：“1.35倍行距1.35倍行距分隔and tech no logiessemic on ductor.of nitridesopen a new area ofgen erati oncrystalli ne quality was improved and the dislocati onden sitywasdecreased by using GaN low and high temperature buffer layers of deviati on fromstoichiometry. The R

12、BS/cha nn eli ng spectra exhibited thatthe minimum yieldxminof GaN layers was just only 1.5%. The leak electric current of GaNbased LED was obviously decreased and lower than 1識(shí)at 5 volt reverse voltage byusing this new buffertech no logy.This work was supported by 863 program in China.Keyword: Nitr

13、ides；MOCVD；LED；Photoluminescenee；RBS/channeling；Optical absorpti on_ -I宋體，小三號(hào)，居中150Abstract第一章GaN基半導(dǎo)體材料及器件進(jìn)展(多數(shù)文章為“緒論” ).11 .1 III族氮化物材料及其器件的進(jìn)展與應(yīng)用1.2 III族氮化物的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì) .1.3摻雜和雜質(zhì)特性.121.4氮化物材料的制備.131.5氮化物器件.191.6 GaN基材料與其它材料的比較 .221. 7本論文工作的內(nèi)容與安排 .24第二章氮化物MOCVD生長系統(tǒng)和生長工藝 .312. 1 MOCVD材料生長機(jī)理摘要目錄2. 2本論文氮化物

14、生長所用的MOCVD設(shè)備32結(jié)論.參考文獻(xiàn)(References)致謝.目錄內(nèi)容：中文宋體,英文和數(shù)字Times NewRomarj-小四頁碼編號(hào)：摘要，Abstragt.使用頁碼“1,11.,.”.正.文開始使用頁碼“1,2,3,小節(jié)標(biāo)題左側(cè)縮進(jìn)1字符；頁碼數(shù)字居中對(duì)齊136 -138 -31n1 .1 III族氮化物材料及其器件的進(jìn)展與應(yīng)用在科學(xué)技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程中，材料永遠(yuǎn)扮演著重要角色。在與現(xiàn)代科技成就息息相關(guān)的千萬種材料中，半導(dǎo)體材料的作用尤其如此。以Si為代表的第一代半導(dǎo)體誕生于20世紀(jì)40年代末，它們促成了晶體管、集成電路和計(jì)算機(jī)的發(fā)明。應(yīng)用前景；并且非常適合制作抗輻射、高頻、大功率

15、和高密度集成的電子器件。III-V族氮化物半導(dǎo)體材料已引起了國內(nèi)外眾多研究者的興趣。1.2 III族氮化物的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì) _表標(biāo)題置于表的上方，中文宋體，英文TimesNew Roman，五號(hào)加粗居中，表序與表名文字 之間空一個(gè)漢字符寬度；內(nèi)容：中文宋體，英文Times New Roman，五號(hào)，行距1.35。表1-1用不同技術(shù)得到的帶隙溫度系數(shù)、Ego、c和To的值樣品類型實(shí)驗(yàn)方法帶隙溫度系數(shù)dEg/dT(eV/K)T=300KEg0(eV)c(eV/K)T0(K)參考文獻(xiàn)GaN/Al203光致發(fā)光-5.3210-43.5035.08 10-99661正文文字：中文宋體，英文Times N

16、ew Roman，小四，兩端對(duì)齊,段落首行左縮進(jìn)八2個(gè)漢字符，行距1.35倍牛研究歷有數(shù)學(xué)公式寸余根據(jù)表達(dá)需要設(shè)年該段的行距），段前0行，段后0行。展緩慢，后10年發(fā)展迅猛。由于III族氮化物特以GaAs為代表的第二代半導(dǎo)體誕生于20世紀(jì)60,年代,它們成為制作光電子器件的基礎(chǔ)。IIIV族氮化物半導(dǎo)體材料及器,勺帶隙范圍一，優(yōu)良的光、電性質(zhì)，優(yōu)異的材料機(jī)械和化學(xué)性能，使得它在短波長光電子器件方面有著廣泛的4GaN/Al2O3光致發(fā)光3.4897.32 10470059GaN/Al2O3光致發(fā)光-4.0 10-4-7.210460062GaN/Al2O3光吸收-4.5 10-43.471-9.3

17、 10477263圖標(biāo)題置于圖的下方，中文宋體，英文TimesNew Roman，五號(hào)加粗居中，圖序與圖名文字 之間空一個(gè)漢字符寬度；內(nèi)容：中文宋體，英 文Times New Roman，五號(hào)，行距1.35。加熱電阻圖1-1熱風(fēng)速計(jì)原理第二章 氮化物MOCVD生長系統(tǒng)和生長工藝2.1 MOCVD材料生長機(jī)理轉(zhuǎn)換控制頻率信號(hào)源d b頻率設(shè)置波形數(shù)據(jù)設(shè)置圖2-1 DDS方式AWG的工作流程標(biāo)題：中文宋體，四號(hào)，居中5038117.1986-02-024Miler.Freque ncy syn thesizersP.US Pate nt , 4609881.1991-08-065Candy J C.A use of double-integretionin sigma-deltamodulatio nJ.IEEE Trans Com mun,1985,33(COM):249-258.丁孝永.調(diào)制式小數(shù)分頻鎖相研究D.北京：航天部第二研究院，1997.常見參考文獻(xiàn)格式：1科技書籍和專著：編著者.譯者.書名M（文集用C）.版本.岀版地：岀版者， 岀版年.頁碼.2科技論文：作者.