電子元器件失效性分析

1、v1.0可編輯可修改電子元器件失效分析技術(shù)v1.0可編輯可修改第一講失效物理的概念v1.0可編輯可修改失效的概念口口 <55 效：v1.0可編輯可修改失效物理的概念定義：研究電子元器件失效機(jī)理的學(xué)科 失效物理與器件物理的區(qū)別失效物理的用途v1.0可編輯可修改失效物理的定義定義：研究電子元器件失效機(jī)理的學(xué)科 失效機(jī)理：失效的物理化學(xué)根源 舉例：金屬電遷移v1.0可編輯可修改金屬電遷移失效模式：金屬互連線電阻值增大或開路v1.0可編輯可修改失效物理與器件物理的區(qū)別撤銷應(yīng)力后電特性的可恢復(fù)性 時(shí)間性v1.0可編輯可修改失效物理的用途v1.0可編輯可修改可靠性評(píng)價(jià)的主要內(nèi)容產(chǎn)品抗各種應(yīng)力的能力

2、產(chǎn)品平均壽命v1.0可編輯可修改失效物理模型10特性變化超差ESD、v1.0可編輯可修改11應(yīng)力一強(qiáng)度模型的應(yīng)用器件抗靜電放電（ESD能力的測(cè)試v1.0可編輯可修改溫度應(yīng)力一時(shí)間模型dMtAe -點(diǎn)T高，反應(yīng)速率大，壽命短 E大，反應(yīng)速率小，壽命長(zhǎng)12v1.0可編輯可修改M M。EAe.紅(-t )溫度應(yīng)力的時(shí)間累積效應(yīng)13力的時(shí)間累積效v1.0可編輯可修改dMEAe - kTdv出與力學(xué)公式類比M-M05(4mv - mv 丘-1 0)14v1.0可編輯可修改15失效物理模型小結(jié)v1.0可編輯可修改應(yīng)力-時(shí)間僻圖理預(yù)計(jì)元器1求激活能E16InInInLiA exp(kTkTE kTiE kT

3、Ln L2v1.0可編輯可修改預(yù)計(jì)平均壽命的方法2求加速系數(shù)FEexp( la&xp()L2 A)-kT TEL Aexp() kTE-L Aexp( l )1Fexp(E(1- 1)kTL k TT1exp(L2 L117v1.0可編輯可修改(T1-T1i)設(shè)定高溫為T1,低溫為T2,可求出F18v1.0可編輯可修改預(yù)計(jì)平均壽命的方法蚯駢卒命L1推算常溫壽命L2 罹而迎伍入失效率失效率=試驗(yàn)時(shí)間內(nèi)失效的元件數(shù)初始時(shí)間未失效元件數(shù) 試驗(yàn)時(shí)間1920溫度應(yīng)力一口寸間髻部的簡(jiǎn)化：I度v1.0可編輯可修改21小結(jié)嘯麻！的定義：研究電子元器件失效機(jī)理v1.0可編輯可修改22第二講阻容元件失效機(jī)

4、理v1.0可編輯可修改電容器的失效機(jī)理電解電容 包電容 陶瓷電容 薄膜電容23v1.0可編輯可修改電解電容的概況24優(yōu)點(diǎn)：電容量大，價(jià)桁低 贏:置：壽命短，漏危流失，易燃降溫使用，選用標(biāo)稱溫v1.0可編輯可修改電解電容的標(biāo)稱溫度與壽命的關(guān)系標(biāo)稱溫度（c）85105標(biāo)稱溫度專命（h） 10001000工作溫度（C）3535工作溫度專命（h）1000X2E51000X2E7320001251000351000X2E9128000912000年年25v1.0可編輯可修改26流增大鉆唇枇由 人由濡，康玩山知歌容的陽極彳矍Al+OHv1.0可編輯可修改d with p df改進(jìn)措 施窗I借用，不做短 國

5、源徵裝，經(jīng)常通Ki27P DFc re atev1.0可編輯可修改28PDF created wit trial versionh抵前燒毀正負(fù)極反接固體鋰電容29T/etXv一可編輯可修改n筏電般跳起芯片斷PDF create d with pdfFac tory Pro trial versiov1.0可編輯可修改PDF creat ed with pdfFa ctory Protrialversi30pDFcreated-withpdf! factory 摩 上睥 verson 口口 悻失致混電子而v1.0可編輯可修改PDF created with漏電和短路的可能失效3132PDF cr

6、eated withpdfFactoryprbirialI屬電遷移、輻射損傷v1.0可編輯可修改PDF created with計(jì)、SSKX：.v1.0可編輯可修改天系電參數(shù)漂移外引線腐蝕金屬化腐蝕金屬半導(dǎo)體接觸退化3334電壓減小毀、v1.0可編輯可修改金庸化燒擊票互片嘴糊炳p嗡悻臼小QS件氧化層、Al-Si:程屬虎遷移、歐W：芯片斷裂、:%片斷裂-+-心rm猾舒嚼、v1.0可編輯可修改35失效分析技術(shù)PDF created withpdfFactoryprial-j-p1kv1.0可編輯可修改PDFcTeated with pdfFactory Pro trial version用失效分析

7、的作I起失效的責(zé)任方（用應(yīng)力一強(qiáng)度模確定失效原因36為實(shí)施整改措施提供確鑿的證據(jù)v1.0可編輯可修改pDFreoJed *-000 trial version舉例說明：失效分析的某EPRO雌用后無讀寫功能失效模式：電源對(duì)地的待機(jī)電流下降失效部位：部分電源內(nèi)引線熔斷失效機(jī)理：閂鎖效應(yīng)確定失效責(zé)任方：模擬試驗(yàn)37攻改進(jìn)措施建議：改善供電電網(wǎng)，加保護(hù)電v1.0可編輯可修改PDEreatedwjth pdfFactory Pro trial version失效分析的受元器件廠：獲得改進(jìn)產(chǎn)品設(shè)計(jì)和工藝的依據(jù)整機(jī)用戶：獲得改進(jìn)操作環(huán)境和操作規(guī)程的依據(jù) 料需用田品率和可靠性，樹立企業(yè)形象，提高38PDF c

8、reated with pdfFactory Pro trial version失效分析技術(shù)的39pdfFactory Pro trial versionv1.0可編輯可修改失效分析的一般v1.0可編輯可修改pdfFactory Pro trial version收集失效現(xiàn)場(chǎng)土破壞檢查部位進(jìn)行物播化學(xué)分析，確定失效機(jī)綜合分析，確定失效原因，提出糾正措施據(jù)失效現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)估計(jì)失效原因和失Ute根據(jù)失效環(huán)境：潮濕、輻射麻煤效應(yīng)力：過電、靜電、高溫、低溫、 啜陋效發(fā)生期：早期、隨機(jī)、磨損失效現(xiàn)場(chǎng)數(shù)據(jù)的內(nèi)容40v1.0可編輯可修改的影響ctory Pro trial version水汽對(duì)電子元器件電參數(shù)漂

9、移外引線腐蝕金屬化腐蝕金屬半導(dǎo)體接觸退化4142的影響ctory Pro trial versionversion輻射對(duì)電子元器閾值電壓減小必可編輯可修改失效應(yīng)力與失效模式v1.0可編輯可修改同金懦鼠結(jié)燒毀、電源內(nèi)引線燒毀、電源，印溫年糕nn ： 心尸*然氧化層擊穿、輸入保護(hù)電文、心ha掘吉漏電、/公理的關(guān)系。trialversi0n失效發(fā)生期與失效機(jī)陷¥檻探充嗥計(jì)失誤、工藝缺陷、材料缺43隨機(jī)失效：靜電損傷、過電損傷 磨損失效：元器件老化 隨機(jī)失效有突發(fā)性和明顯性己期失效、磨損失效有時(shí)間性和隱蔽性v1.0可編輯可修改PDEfcreated-with pdfFactory Pro trial version效率失效發(fā)生期與失失效率=試驗(yàn)時(shí)間內(nèi)失效的元件數(shù)試驗(yàn)初始的元件數(shù) 試驗(yàn)時(shí)間早期隨機(jī)磨損44v1.0可編輯可修改時(shí)間45PDFIe飄wthpdFacoyPr。電測(cè)在失效分析中的作用燃峰懿粼箍凄小電測(cè)的種類和相關(guān)性連接機(jī)失效、電參數(shù)失效和功能失效v1.0可編輯可修改以失效分析為目的的電子元器件失效分析的46v1.0可編輯可修改47BBSmi猿第B«n 囂匕sm或1源、n a SI' 、v - yrA - >IIBRIdiM 1500rsion電子元器件失效分析的芯技杰仁 %偃蕨岫蒲電流測(cè)試（或I特性異常與否