電力電子題庫(kù)

1、電力電子技術(shù)機(jī)械工業(yè)出版社命題人王翠平第一章功率二極管和晶閘管知識(shí)點(diǎn)：功率二極管的符號(hào)，特性，參數(shù)晶閘管的符號(hào)、特性、參數(shù)、工作原理雙向晶閘管的符號(hào)、特性、參數(shù)、工作原理可關(guān)斷晶閘管的符號(hào)、特性、參數(shù)、工作原理一、填空題1、自從 _1956_ 年美國(guó)研制出第一只晶閘管。2、晶閘管具有 體積小、 重量輕、 損耗小、 控制特性好等特點(diǎn)。3、晶閘管的三個(gè)極分別為陽(yáng)極、陰極、 門極。4、晶閘管導(dǎo)通的條件： 在晶閘管的陽(yáng)極和 陰極間加正向電壓， 同時(shí)在它的 陰極和 門極間也加正向電壓，兩者缺一不可。5、晶閘管一旦導(dǎo)通， 門極即失去控制作用。6、晶閘管的關(guān)斷條件：使流過(guò)晶閘管的陽(yáng)極電流小于 維持電流。7、

2、雙向晶閘管的四種觸發(fā)方式：I +觸發(fā)方式 I- 觸發(fā)方式 +觸發(fā)方式 -觸發(fā)方式。8、 GTO 的開(kāi)通時(shí)間由延遲時(shí)間和上升時(shí)間組成。9、 GTO的關(guān)斷時(shí)間由存儲(chǔ)時(shí)間、 下降時(shí)間、和尾部時(shí)間。10、功率二極管的導(dǎo)通條件：加正向電壓導(dǎo)通，加反向電壓截止。11、對(duì)同一晶閘管，維持電流IH 與擎住電流IL在數(shù)值大小上有IL_ _>_IH。12、晶閘管斷態(tài)不重復(fù)電壓UDSM與轉(zhuǎn)折電壓UBO 數(shù)值大小上應(yīng)為，UDSM_ _<_UBO13、普通晶閘管內(nèi)部有 兩個(gè)PN 結(jié),，外部有三個(gè)電極，分別是陽(yáng)極 A極陰極 K極和門極 G極。14、晶閘管在其陽(yáng)極與陰極之間加上正向電壓的同時(shí)，門極上加上觸發(fā)電壓

3、，晶閘管就導(dǎo)通。15、晶閘管的工作狀態(tài)有正向阻斷狀態(tài)，正向 導(dǎo)通狀態(tài)和反向阻斷狀態(tài)。16、某半導(dǎo)體器件的型號(hào)為KP50 7 的，其中 KP 表示該器件的名稱為普通晶閘管，50 表示額定電流 50A，7 表示額定電壓 100V。17、只有當(dāng)陽(yáng)極電流小于維持電流電流時(shí)，晶閘管才會(huì)由導(dǎo)通轉(zhuǎn)為截止。18、當(dāng)增大晶閘管可控整流的控制角，負(fù)載上得到的直流電壓平均值會(huì)減小。二、判斷題1、第一只晶閘管是1960年誕生的。（錯(cuò) ）2、 1957年至 1980 年稱為現(xiàn)代電力電子技術(shù)階段。（ 錯(cuò) ）13、功率二極管加正向電壓導(dǎo)通，加反向電壓截止。（對(duì)）4、平板型元件的散熱器一般不應(yīng)自行拆裝。（對(duì)）5、晶閘管一旦導(dǎo)

4、通，門極沒(méi)有失去控制作用。（錯(cuò)）6、雙向晶閘管的四種觸發(fā)方式中靈敏度最低的是第三象限的負(fù)觸發(fā)。（ 錯(cuò) ）7、 GTO 的緩沖電路具有保護(hù)作用。 （ 對(duì)）8、在額定結(jié)溫條件， 取元件反向伏安特性不重復(fù)峰值電壓值的80%稱為反向重復(fù)峰值電壓。（ 對(duì)）9、陽(yáng)極尖峰電壓過(guò)高可能導(dǎo)致GTO 失效。（對(duì) ）10、 GTO 在整個(gè)關(guān)斷過(guò)程分為兩個(gè)時(shí)間段：存儲(chǔ)時(shí)間和下降時(shí)間。（錯(cuò)）11、普通晶閘管內(nèi)部有兩個(gè)PN 結(jié)。（錯(cuò)）12、普通晶閘管外部有三個(gè)電極，分別是基極、發(fā)射極和集電極。（錯(cuò)）13、型號(hào)為 KP50 7 的半導(dǎo)體器件，是一個(gè)額定電流為50A 的普通晶閘管。 （）14、只要讓加在晶閘管兩端的電壓減小為

5、零，晶閘管就會(huì)關(guān)斷。（錯(cuò)）15、只要給門極加上觸發(fā)電壓，晶閘管就導(dǎo)通。（錯(cuò)）16、晶閘管加上陽(yáng)極電壓后，不給門極加觸發(fā)電壓，晶閘管也會(huì)導(dǎo)通。（對(duì)）17、加在晶閘管門極上的觸發(fā)電壓，最高不得超過(guò)100V 。（錯(cuò)）18、單向半控橋可控整流電路中，兩只晶閘管采用的是“共陽(yáng)”接法。（錯(cuò)）19、晶閘管采用“共陰”接法或“共陽(yáng)”接法都一樣。（錯(cuò)）20、增大晶閘管整流裝置的控制角，輸出直流電壓的平均值會(huì)增大。（錯(cuò)）三、選擇題1、在晶閘管應(yīng)用電路中，為了防止誤觸發(fā)應(yīng)將幅值限制在不觸發(fā)區(qū)的信號(hào)是(A)A.干擾信號(hào)B. 觸發(fā)電壓信號(hào)C. 觸發(fā)電流信號(hào)D. 干擾信號(hào)和觸發(fā)信號(hào)2、當(dāng)晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，不論門極

6、加何種極性觸發(fā)電壓，管子都將工作在(B )A. 導(dǎo)通狀態(tài)B. 關(guān)斷狀態(tài)C. 飽和狀態(tài)D. 不定3、逆導(dǎo)晶閘管是將大功率二極管與何種器件集成在一個(gè)管芯上而成(B)A.大功率三極管B. 逆阻型晶閘管C. 雙向晶閘管D. 可關(guān)斷晶閘管4、晶閘管的伏安特性是指(C)A.陽(yáng)極電壓與門極電流的關(guān)系B. 門極電壓與門極電流的關(guān)系C. 陽(yáng)極電壓與陽(yáng)極電流的關(guān)系D. 門極電壓與陽(yáng)極電流的關(guān)系5、晶閘管電流的波形系數(shù)定義為(B)A 、 Kf =ITAV/ITB 、 Kf = IT/ITAVC、 Kf = ITAV·ID 、 Kf = ITAV- ITT6、取斷態(tài)重復(fù)峰值電壓和反向重復(fù)峰值電壓中較小的一個(gè)

7、，并規(guī)化為標(biāo)準(zhǔn)電壓等級(jí)后，定為該晶閘管的( D)A.轉(zhuǎn)折電壓B. 反向擊穿電壓C.閾值電壓D. 額定電壓7.具有自關(guān)斷能力的電力半導(dǎo)體器件稱為( A)A.全控型器件B. 半控型器件C. 不控型器件D. 觸發(fā)型器件8、處于阻斷狀態(tài)的晶閘管，只有在陽(yáng)極與陰極間加正向電壓，且在門極與陰極間作何處理才能使其開(kāi)通 （ C）A.并聯(lián)一電容B. 串聯(lián)一電感2C.加正向觸發(fā)電壓D. 加反向觸發(fā)電壓9.晶閘管工作過(guò)程中，管子本身產(chǎn)生的管耗等于管子兩端電壓乘以（A）A.陽(yáng)極電流B. 門極電流C. 陽(yáng)極電流與門極電流之差D. 陽(yáng)極電流與門極電流之和10、在 IVEAR 定義條件下的波形系數(shù)kfe為 (C)A.B.

8、2/ C. /2D.211.晶閘管的額定電壓是這樣規(guī)定的，即取斷態(tài)重復(fù)峰值電壓和反向重復(fù)峰值電壓中較小的一個(gè)，并經(jīng)如下處理( D)A. 乘以 1.5 倍B. 乘以2 倍C. 加 100D. 規(guī)化為標(biāo)準(zhǔn)電壓等級(jí)12.晶閘管不具有自關(guān)斷能力，常稱為( B)A.全控型器件B. 半控型器件C. 觸發(fā)型器件D. 自然型器件13、 晶閘管內(nèi)部有（C ）PN結(jié)。A 一個(gè)，B二個(gè)，C三個(gè)，D四個(gè)14、 單結(jié)晶體管內(nèi)部有（A）個(gè) PN結(jié)。A 一個(gè)，B二個(gè)，C三個(gè)，D四個(gè)三、簡(jiǎn)答題1、晶閘管的導(dǎo)通條件是什么？晶閘管導(dǎo)通的條件：在晶閘管的陽(yáng)極和陰極之間加正向電壓，同時(shí)在它的門極和陰極之間也加正向電壓，兩者缺一不可。

9、2、晶閘管的關(guān)斷條件是什么？晶閘管的關(guān)斷條件：使流過(guò)晶閘管的陽(yáng)極電流小于維持電流。3、說(shuō)明晶閘管型號(hào)規(guī)格KP200-8E 代表的意思？K ：表示晶閘管P：表示普通200：表示晶閘管的額定電流是200A8：表示晶閘管的額定電壓的級(jí)別E：表示晶閘管正向通態(tài)平均電壓的組別4、雙向晶閘管的觸發(fā)方式有哪些？四種觸發(fā)方式：I + 觸發(fā)方式I- 觸發(fā)方式 +觸發(fā)方式 - 觸發(fā)方式5、對(duì)晶閘管的觸發(fā)電路有哪些要求？答：為了讓晶閘管變流器準(zhǔn)確無(wú)誤地工作要求觸發(fā)電路送出的觸發(fā)信號(hào)應(yīng)有足夠大的電壓和功率； 門極正向偏壓愈小愈好； 觸發(fā)脈沖的前沿要陡、寬度應(yīng)滿足要求；要能滿足主電路移相范圍的要求；觸發(fā)脈沖必須與晶閘管

10、的陽(yáng)極電壓取得同步。四、繪圖1、畫(huà)出晶閘管、雙向晶閘管、可關(guān)斷晶閘管的符號(hào)？3五、計(jì)算題1、一晶閘管接在 220V 交流回路中，通過(guò)器件的電流有效值為 100A ，問(wèn)應(yīng)選擇什么型號(hào)的晶閘管？解：晶閘管的額定電壓：Utn=(23)Utn= （ 23）2 *220=622933V按晶閘管參數(shù)系列取800V ，即 8 級(jí)晶閘管的額定電流I T(AV) =(1.52)*IT=(1.52)*100/1.57=95128A1.57按晶閘管參數(shù)系列取100A ，所以選取晶閘管型號(hào) KP100-8E 。2、型號(hào)為KP100-3，維持電流I H =4mA 的晶閘管，使用在圖1-1 所示電路中是否合理，為什么？（

11、不考慮電流的裕量）不合理不合理4合理3、如圖所示，試畫(huà)出負(fù)載Rd 上的電壓波形(不考慮管子的導(dǎo)通壓降)。答案：解：由上述電路圖和 U2，Ug 的波形圖可知，因 T 是一個(gè)半控型器件晶閘管，當(dāng) Ug 是高電平時(shí)晶閘管 T 導(dǎo)通，一直到 U2 變?yōu)樨?fù)電平時(shí)晶閘管截止， 與二極管類似， Rd電壓波形圖如下：第二章電力晶體管知識(shí)點(diǎn)：電力晶體管的符號(hào)、特性曲線、主要參數(shù)電力晶體管的工作原理5一、填空題：1、目前常用的電力晶體管有: 單管 GTR、 達(dá)林頓管、 GTR 模塊。2、電力晶體管的三個(gè)極分別為：發(fā)射極、集電極、基極。3、放大區(qū)的特點(diǎn)是發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。4、截止區(qū)的特點(diǎn)是發(fā)射結(jié)反偏，集電結(jié)反

12、偏。5、可關(guān)斷晶閘管 （ GTO ）的電流關(guān)斷增益 off的定義式為 off =_I TAO/|IgM_|_6、晶閘管反向重復(fù)峰值電壓等于反向不重復(fù)峰值電壓的_ 80%_7、功率晶體管緩沖保護(hù)電路中的二極管要求采用_快速恢復(fù) _ 型二極管，以便與功率晶體管的開(kāi)關(guān)時(shí)間相配合。8、動(dòng)態(tài)特性描述 GTR的開(kāi)關(guān)過(guò)程的瞬態(tài)性能，又稱開(kāi)關(guān)特性。9、 GTR能夠安全運(yùn)行的范圍稱為安全工作區(qū)。10、 I CBO隨溫度升高而 增大，對(duì)于硅管，為當(dāng)溫度生升高8時(shí)， I CBO增加 一 倍 左右二、判斷題1、I CBO隨溫度升高而減小，對(duì)于硅管，為當(dāng)溫度生升高8時(shí)， I CBO減小一 倍 左右。（錯(cuò)）2、一次擊穿具

13、有可逆性，一般不會(huì)引起晶體管的特性變壞。（對(duì)）3、集電極電壓上升率是動(dòng)態(tài)過(guò)程中的一個(gè)重要參數(shù)。（對(duì)）4、電力晶體管是具有自關(guān)斷能力的全控型器件。（對(duì)）三、簡(jiǎn)答題1、達(dá)林頓GTR管和單管GTR的主要區(qū)別是什么？單管 GTR的電流增益低；達(dá)林頓GTR管是有兩個(gè)或多個(gè)晶體管復(fù)合而成，電流增益高2、電力晶體管有幾個(gè)區(qū)？各有什么特點(diǎn)？放大區(qū)：放大區(qū)的特點(diǎn)是發(fā)射結(jié)正偏，集電結(jié)反偏。截止區(qū)：截止區(qū)的特點(diǎn)是發(fā)射結(jié)，集電結(jié)反偏 。飽和區(qū)：飽和區(qū)的特點(diǎn)是發(fā)射結(jié)，集電結(jié)正偏3、 GTO和普通晶閘管同為 PNPN結(jié)構(gòu)，為什么GTO能夠自關(guān)斷，而普通晶閘管不能？答： GTO能夠自動(dòng)關(guān)斷，而普通晶閘管不能自動(dòng)關(guān)斷的原因是

14、：GTO的導(dǎo)通過(guò)程與普通的晶閘管是一樣的，有同樣的正反饋過(guò)程，只不過(guò)導(dǎo)通時(shí)飽和程度不深。其中不同的是，在關(guān)斷時(shí)，給門極加負(fù)脈沖，即從門極抽出電流，則晶體管V2 的濟(jì)濟(jì)電流 Ib2 減小，使 Ik和 IC2 減小， IC2 減小又使 IA 和 IC1 減小，又進(jìn)一步減小V2 的基極電流，如此形成強(qiáng)烈的正反饋。當(dāng)兩個(gè)晶體管發(fā)射極電流IA 和 IK 的減小使 a1+a2<1 時(shí)，器件退出飽和而關(guān)斷。第三章 功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管知識(shí)點(diǎn)：功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的符號(hào)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的應(yīng)用電路一、填空題1、功率集成電路PIC 分為二大類，一類是高壓集成電路，另一類是智能功率集成電路2

15、、功率晶體管緩沖保護(hù)電路中的二極管要求采用_快速恢復(fù) _ 型二極管， 以便與功3、率晶體管的開(kāi)關(guān)時(shí)間相配合。4、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)極分別為柵極、源極、漏極5、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的導(dǎo)電溝道分為N 溝道和 P溝道。6、轉(zhuǎn)移特性是指功率場(chǎng)效應(yīng)管的輸入柵極電壓 與輸出 漏極電流 之間的關(guān)系。67、應(yīng)用 SSOA 的條件是：結(jié)溫小于150， 器件的開(kāi)通和關(guān)斷時(shí)間均小于1US8、功率 MOSFET 的保護(hù)分為 靜電保護(hù) 和工作保護(hù)9、功率 MOSFET 的安全工作區(qū)分為三種情況：正向偏置安全工作區(qū)、開(kāi)關(guān)安全工作區(qū)換向安全工作區(qū)。10、功率 MOSFET 參數(shù)主要有： 電壓額定值、漏極連續(xù)電流、漏極峰值電

16、流等11、功率 MOSFET 的保護(hù) ： 靜電保護(hù)、 工作保護(hù)。二、判斷題1、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的三個(gè)極分別為C 極、 E 極、 B 極 .(錯(cuò) )2、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管具有驅(qū)動(dòng)功率小，控制線路簡(jiǎn)單、工作頻率高的特點(diǎn)。（對(duì)）3、功率 MOSFET 無(wú)反向阻斷能力。 （對(duì)）4、換向安全工作區(qū)是功率 MOSFET 寄生二極管或集成二極管反向恢復(fù)性能所決定的極限工作范圍。（對(duì)）5、功率 MOSFET 的柵極是絕緣的，不屬于電壓控制器件，屬于開(kāi)關(guān)器件。（錯(cuò)）6、為防止功率MOSFET 誤導(dǎo)通，截止時(shí)最好對(duì)其提供負(fù)的柵偏壓。（對(duì)）7、安裝時(shí)，工作臺(tái)和電烙鐵不需要接地。（錯(cuò)）8、測(cè)試時(shí)，測(cè)量?jī)x器和工作臺(tái)要良好

17、接地，器件的三個(gè)極必修都接入測(cè)試儀器或電路，才能施加電壓。改換測(cè)試時(shí)，電壓和電流要恢復(fù)到零。（對(duì)）三、簡(jiǎn)答題1、什么是轉(zhuǎn)移特性？轉(zhuǎn)移特性是指功率場(chǎng)效應(yīng)管的輸入柵極電壓與輸出漏極電流之間的關(guān)系。2、功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管的主要參數(shù)？漏極擊穿電壓漏極連續(xù)電流和漏極峰值電流柵極擊穿電壓開(kāi)啟電壓極間電容3、簡(jiǎn)述 N 溝道增強(qiáng)型功率MOSFET 的工作原理？當(dāng)漏極接電源正極，源極接電源負(fù)極，柵極之間電壓為零或?yàn)樨?fù)時(shí)，漏極之間無(wú)電流流過(guò)。當(dāng) UGS 為正且大于開(kāi)啟電壓時(shí)，出現(xiàn)漏極電流。4、功率 MOSFET 的保護(hù)有幾種？?jī)煞N：靜電保護(hù)工作保護(hù)5、功率 MOSFET 并聯(lián)使用時(shí)應(yīng)注意什么問(wèn)題？（ 1）在每個(gè)柵極

18、上串聯(lián)一個(gè)小電阻、（ 2）在每一個(gè)柵極導(dǎo)線上套一個(gè)小磁環(huán)（ 3）必要時(shí)在漏極和源極之間接入數(shù)百皮法的小電容（ 4）盡可能降低驅(qū)動(dòng)信號(hào)源的內(nèi)阻。四、畫(huà)圖1、繪制功率MOSFET 晶體管的符號(hào)？7第四章 絕緣柵雙極晶體管知識(shí)點(diǎn)：絕緣柵雙極晶體管的工作原理絕緣柵雙極晶體管的主要參數(shù)絕緣柵雙極晶體管的安全工作區(qū)一、填空題1、 絕緣柵雙極晶體管稱為IGBT。2、 IGBT的靜態(tài)傳輸特性描述集電極電流 和柵射電壓 之間的互相關(guān)系。3、 IGBT的輸出特性描述以柵射電壓 為控制變量時(shí)，集電極電流與射極間電壓之間的互相關(guān)系。4、 IGBT的輸出特性分為 正向阻斷區(qū) 、有源區(qū) 、飽和區(qū)。5、關(guān)斷時(shí)間包括 關(guān)斷延

19、時(shí) 和電流下降時(shí)間 兩部分。6、安全工作區(qū)可分為正向偏置安全工作區(qū)和反向偏置安全工作區(qū)。7、射極電壓在 1015V 之間工作時(shí)， 集電極電流可在 510US 以內(nèi)超過(guò)額定電流的410 倍。8、過(guò)電壓保護(hù)措施主要是利用緩沖電路 抑制過(guò)電壓的產(chǎn)生。9、 IGBT緩沖電路，也稱為吸收電路 。10、緩沖電容的計(jì)算公式CS =LI 2 /(U CEP-U CC)緩沖電路電阻 RS 的選擇公式R <=1/2*3CSf 。S11、 IGBT 的最高允許結(jié)溫為150二、判斷題1、過(guò)電壓保護(hù)措施主要是利用驅(qū)動(dòng)電路抑制過(guò)電壓的產(chǎn)生。（錯(cuò)）2、 IGBT 的安全工作區(qū)較小。 （錯(cuò)）3、 IGBT的驅(qū)動(dòng)電路小。

20、 （對(duì)）4、過(guò)電流保護(hù)措施措施主要通過(guò)檢出過(guò)電流信號(hào)后切斷柵極控制信號(hào)的辦法來(lái)實(shí)現(xiàn)。（對(duì)）5、 IGBT 的通態(tài)壓降 UCES 基本穩(wěn)定，不隨溫度而變。 （對(duì)）6、驅(qū)動(dòng)電路與整個(gè)控制電路在電位上應(yīng)嚴(yán)格隔離，具有對(duì)IGBT 的自保護(hù)功能，并有較高的抗干擾能力。 （對(duì)）7、 IGBT的關(guān)斷過(guò)程是從正向?qū)顟B(tài)轉(zhuǎn)換到反向阻斷狀態(tài)的過(guò)程。（錯(cuò)）8、當(dāng) IGBT集電極通態(tài)電流的連續(xù)值超過(guò)臨界值ICM 時(shí)產(chǎn)生的擎住效應(yīng)稱為靜態(tài)擎住效應(yīng)（對(duì)）三、簡(jiǎn)答題1、什么是擎住效應(yīng)？當(dāng) IGBT集電極通態(tài)電流的連續(xù)值超過(guò)臨界值ICM 時(shí)產(chǎn)生的擎住效應(yīng)稱為靜態(tài)擎住效應(yīng)2、什么是過(guò)電流保護(hù)？過(guò)電流保護(hù)措施措施主要通過(guò)檢出過(guò)

21、電流信號(hào)后切斷柵極控制信號(hào)的辦法來(lái)實(shí)現(xiàn)83、什么是過(guò)電壓保護(hù)？過(guò)電壓保護(hù)措施主要是利用緩沖電路抑制過(guò)電壓的產(chǎn)生。四、繪圖題1、繪制絕緣柵雙極晶體管的符號(hào)。第五章其他新型電力電子器件MOS 控制晶閘管的符號(hào)，特性SIT 的主要參數(shù)靜電感應(yīng)晶閘管的符號(hào)、特性靜電感應(yīng)晶體管的符號(hào)、特性一、填空題1、 MOS 控制晶閘管是一種單極型 和雙極型 組合而成的復(fù)合器件。2、 MCT 的三個(gè)極分別為：陽(yáng)極、陰極、門極3、一般使 MCT 導(dǎo)通的負(fù)脈沖電壓為-5V-15V ，使 MCT 關(guān)斷的正脈沖電壓為 +1020V 。4、 MCT 驅(qū)動(dòng)電路的特點(diǎn)是當(dāng)溫度超過(guò)150時(shí)，會(huì)自動(dòng)降低輸出。5、伏安特性是指SIT 的

22、漏極電壓 與漏極電流 之間的關(guān)系。6、靜電感應(yīng)晶體管SIT 也是采用 垂直導(dǎo)電型式 的多胞集成結(jié)構(gòu)7、 SIT 器件不僅可以工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài) ，而且還可以工作在放大狀態(tài)。8、 PIC 按結(jié)構(gòu)型式可分為兩類：一類：智能功率集成電路，另一類 是高壓集成電路9、當(dāng)測(cè)試條件為陽(yáng)極電壓1250V ，陽(yáng)極電流 1000A ，結(jié)溫為 25時(shí)，開(kāi)通時(shí)間為2 微秒，關(guān)斷時(shí)間為 3.1 微秒。10、電壓監(jiān)視電路使 IC 和電動(dòng)機(jī)在 UCC 大于 18V時(shí)不工作， 推薦的正常使用電壓在17.4V一下。二、判斷題1、 SIT 器件不僅可以工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)，而且還可以工作在放大狀態(tài)。（對(duì)）2、伏安特性是指SIT 的漏極電壓

23、與漏極電流之間的關(guān)系。(對(duì))3、功率 MOSFET 的柵極是絕緣的，不屬于電壓控制器件，屬于開(kāi)關(guān)器件。（錯(cuò)）4、在 SIT 的驅(qū)動(dòng)電路中，負(fù)柵偏電壓的大小決定了漏源阻斷電壓的高低。(對(duì) )5、高壓集成電路是由縱向功率器件與邏輯或模擬控制電路以及傳感器、保護(hù)電路等集成。（錯(cuò)）6、智能功率集成電路是由橫向高壓器件與邏輯或模擬控制電路所集成。（錯(cuò)）7、電壓監(jiān)視電路使IC 和電動(dòng)機(jī)在UCC 大于 18V 時(shí)工作。（錯(cuò)）8、 MOS 控制晶閘管是一種雙極型器件。（錯(cuò)）9、 MOS 控制晶閘管是一種單極型和雙極型組合而成的復(fù)合器件。（對(duì)）10、 MCT 的門極是由MOSFET 管引出，屬于電壓控制器件。(

24、對(duì) )三、問(wèn)答題91、 MCT 管有什么特點(diǎn)？1）、阻斷電壓高，峰值電流大。2）、通態(tài)壓降小。3）、工作溫度高。4）、開(kāi)關(guān)速度快，開(kāi)關(guān)損耗小，工作頻率高。5）、門極驅(qū)動(dòng)電路簡(jiǎn)單。6）、即使關(guān)斷失敗，MCT 也不會(huì)損壞。2、 SIT 有哪些參數(shù)？1）、柵源擊穿電壓2）、柵漏擊穿電壓3）、最大漏極電流4）、允許功耗四、繪圖1、繪制 MOS 控制晶閘管的符號(hào)？2、繪制靜電感應(yīng)晶體管的符號(hào)？3、靜電感應(yīng)晶閘管的符號(hào)？10第六章可控整流電路知識(shí)點(diǎn)：整流的定義單相半波可控整流電路的工作原理單相橋式全控整流電路的工作原理.三相半波可控整流電路的工作原理.三相橋式全控整流電路的工作原理輸出電壓晶閘管的電流一、

25、填空題1、可控整流電路是應(yīng)用廣泛的電能變換電路，它的作用是將 交流電 變換成大小可以調(diào)節(jié)的直流電 。2、電阻負(fù)載的特點(diǎn)是負(fù)載兩端電壓波形和流過(guò)的電流波形相似，電流、 電壓均允許突變。 在單相半波可控整流電阻性負(fù)載電路中，晶閘管控制角 的最大移相范圍是0。3、在單相半波可控整流電阻性負(fù)載電路中，移相角的控制范圍為 0 ，對(duì)應(yīng)的導(dǎo)通角 的可變范圍是 0，兩者關(guān)系為 +=。4 、在單相半波可控整流帶阻感負(fù)載并聯(lián)續(xù)流二極管的電路中，晶閘管控制角 的最大移相范圍是 _180_度 _，其承受的最大正反向電壓均為_(kāi)2 U2_ _，續(xù)流二極管承受的最大反向電壓為_(kāi) 2 U2_（設(shè) U2 為相電壓有效值） 。5

26、、單相橋式全控整流電路中，帶純電阻負(fù)載時(shí)，角移相范圍為 _180 度 _ _ ，單個(gè)晶閘管所承受的最大正向電壓和反向電壓分別為_(kāi)2 /2U2_ _ 和_ 2 U2_ ；帶阻感負(fù)載時(shí)， 角移相范圍為 _90_度 _ ，單個(gè)晶閘管所承受的最大正向電壓和反向電壓分別為_(kāi)2 U2_ _和 _2 U2_ _ 。6、可從各角度對(duì)整流電路進(jìn)行分類，主要分類方法有：按組成的器件可分為：不可控、半控、全控 ；按電路結(jié)構(gòu)可分為橋式 和零式 電路；按交流輸入相數(shù)分為 單相電路 和多相電路 ；按變壓器一次測(cè)電流的方向是單向或雙向 ，又分為 單拍電路 和雙拍電路 。7、 . 三相半波可控整流電路中的三個(gè)晶閘管的觸發(fā)脈沖

27、相位按相序依次互差120 度 _，當(dāng)它帶阻感負(fù)載時(shí)，的移相范圍為 _90度_ 。8、電阻性負(fù)載的三相半波可控整流電路中，晶閘管所承受的最大正向電壓UFm 等于 _ 2 U2_，晶閘管控制角 的最大移相范圍是_150 度_，使負(fù)載電流連續(xù)的條件為 _度_ _(U2 為相電壓有效值 ) 。9、三相零式可控整流電路帶電阻性負(fù)載工作時(shí)，在控制角 >30°時(shí)，負(fù)載電流出現(xiàn) _斷續(xù) _。晶閘管所承受的最大反向電壓為_(kāi)2 U2_。10、三相零式可控整流電路，在電阻性負(fù)載時(shí)，當(dāng)控制角30°，每個(gè)晶閘管的導(dǎo)通11角 =_120 度 _。此電路的移相范圍為_(kāi)150 度_ 。11、晶閘管的

28、保護(hù)有：過(guò)電壓保護(hù)、過(guò)電流保護(hù) 。12、三相全控橋電路的等效內(nèi)阻和晶閘管導(dǎo)通時(shí)的管壓降均是三相半波電路的兩倍13、三相全控橋可控整流，其輸出電壓的脈動(dòng)頻率為_(kāi)6f_三相半波可控整流，其輸出電壓的脈動(dòng)頻率為_(kāi)3f_ _ 。二、判斷題1、在三相半波可控整流電路中，電路輸出電壓波形的脈動(dòng)頻率為300Hz 。(錯(cuò) )2、三相半波可控整流電路，不需要用大于60o 小于 120o 的寬脈沖觸發(fā)，也不需要相隔60o的雙脈沖觸發(fā)，只用符合要求的相隔120o的三組脈沖觸發(fā)就能正常工作。3、三相橋式半控整流電路，帶大電感性負(fù)載，有續(xù)流二極管時(shí)，當(dāng)電路出故障時(shí)會(huì)發(fā)生失控現(xiàn)象。 對(duì)4、三相橋式全控整流電路，輸出電壓波

29、形的脈動(dòng)頻率是150HZ錯(cuò)。5、三相半波可控整流電路中，如果三個(gè)晶閘管采用同一組觸發(fā)裝置，則的移相范圍只有120o。錯(cuò)6、在三相橋式全控整流電路中，采用雙窄脈沖觸發(fā)晶閘管元件時(shí)，電源相序還要滿足觸發(fā)電路相序要求時(shí)才能正常工作。（錯(cuò)）7、在單相全控橋電路中，晶閘管的額定電壓應(yīng)取U2 。（ 錯(cuò) ）8、在橋式半控整流電路中，帶大電感負(fù)載，不帶續(xù)流二極管時(shí)，輸出電壓波形中沒(méi)有負(fù)面積。 錯(cuò)9、在半控橋整流帶大電感負(fù)載不加續(xù)流二極管電路中，電路出故障時(shí)會(huì)出現(xiàn)失控現(xiàn)象。（對(duì)）10、在用兩組反并聯(lián)晶閘管的可逆系統(tǒng)，使直流電動(dòng)機(jī)實(shí)現(xiàn)四象限運(yùn)行時(shí)，其中一組逆變器工作在整流狀態(tài)，那么另一組就工作在逆變狀態(tài)。（ 錯(cuò)）

30、11、 晶閘管串聯(lián)使用時(shí)，必須注意均流問(wèn)題。（錯(cuò)）12、 逆變角太大會(huì)造成逆變失敗。（錯(cuò)）13、 并聯(lián)諧振逆變器必須是略呈電容性電路。（對(duì)14、 給晶閘管加上正向陽(yáng)極電壓它就會(huì)導(dǎo)通。（錯(cuò)15、 有源逆變指的是把直流電能轉(zhuǎn)變成交流電能送給負(fù)載。（錯(cuò)）16、 在單相全控橋整流電路中，晶閘管的額定電壓應(yīng)取U2。（ 錯(cuò)）三、選擇題1、單相半控橋整流電路的兩只晶閘管的觸發(fā)脈沖依次應(yīng)相差A(yù)度。A 、 180 °， B 、 60°， c、 360 °， D 、 120 °2、 為 C度時(shí)，三相半波可控整流電路，電阻性負(fù)載輸出的電壓波形，處于連續(xù)和斷續(xù)的臨界狀態(tài)。A，0

31、 度， B，60 度，C，30 度，D，120 度，3、可實(shí)現(xiàn)有源逆變的電路為A。A 、三相半波可控整流電路，B、三相半控橋整流橋電路，C、單相全控橋接續(xù)流二極管電路，D 、單相半控橋整流電路。4、單相半波可控整流電阻性負(fù)載電路中，控制角 的最大移相范圍是 ( D)A 、0o-90°B、0o-120°C、0o-150°D、 0o-180°5、= C度時(shí)，三相全控橋式整流電路帶電阻負(fù)載電路，輸出負(fù)載電壓波形處于連續(xù)和斷續(xù)的臨界狀態(tài)。A、0 度；B、60 度；12C、30 度；D、120 度；6、如某晶閘管的正向阻斷重復(fù)峰值電壓為745V，反向重復(fù)峰值電壓為

32、825V，則該晶閘管的額定電壓應(yīng)為（A）A 、700VB、750VC、800VD、850V7、單相半波可控整流電阻性負(fù)載電路中，控制角 的最大移相范圍是 ( D)A 、0o-90°B、0o-120°C、0o-150°D、 0o-180°8、在單相全控橋整流電路中， 兩對(duì)晶閘管的觸發(fā)脈沖， 應(yīng)依次相差A(yù)度。A 、180 度；B、60 度；C、360 度；D、120 度；9、三相半波可控整流電路在換相時(shí)，換相重疊角 的大小與哪幾個(gè)參數(shù)有關(guān)B。A、 I d、 X L、U2；B 、 I d；C、 U2；D、 U2、 X L；10、單相半波可控整流電路，阻性負(fù)載，

33、導(dǎo)通角的最大變化范圍是0°( D)A、90°B、 120°C、 150°D、 180°11、單相全波可控整流電路，電感性負(fù)載，控制角°，每個(gè)周期內(nèi)輸出電壓的平均值為(B)A 、 Ud=0.45U2cos B、 Ud=0.9 2cosC、 Ud=1.17 2cosD、 Ud=2.34 2cos12、三相半波可控整流電路，阻性負(fù)載，導(dǎo)通角的最大變化范圍是0° (B)A、90°B、 120°C、 150°D、 180°13、三相全控橋式整流電路，阻性負(fù)載，控制角的最大移相范圍是0°

34、 (A)A、90°B、 120°C、 150°D、 180°14、三相半波可控整流電路電源電壓波形的自然換向點(diǎn)比單相半波可控整流電路的自然換向點(diǎn)()A 、超前 30°B、滯后 30°C、超前 60°D、滯后 60°15、 .三相全控橋式整流電路，電感性負(fù)載，控制角>30 °，負(fù)載電流連續(xù)，整流輸出電流的平均值為I d，流過(guò)每只晶閘管的平均值電流為()A、I /2B、 I/3ddC、 2Id/3D、 I d1316、單相全控橋式有源逆變電路最小逆變角為()A 、°°B、°

35、°C、°°D、°°18、三相全控橋整流裝置中一共用了（B ）晶閘管。A三只，B 六只，C 九只。19、雙向晶閘管是用于交流電路中的，其外部有（C）電極。A一個(gè)，B 兩個(gè)，C 三個(gè)，D 四個(gè)。20、若可控整流電路的功率大于4kW ，宜采用（ C ）整流電路。A單相半波可控B 單相全波可控C三相可控21、三相可控整流與單相可控整流相比較，輸出直流電壓的紋波系數(shù)（B ）。A三相的大，B 單相的大，C 一樣大。四、計(jì)算題1、 單相半波可控整流電路，電阻性負(fù)載。要求輸出的直流平均電壓為5092V 之間連續(xù)可調(diào)，最大輸出直流電流為30A，由交流 220V

36、供電，求晶閘管控制角應(yīng)有的調(diào)整范圍為多少？選擇晶閘管的型號(hào)規(guī)格（安全余量取I2 倍，T=1.66）。解：?jiǎn)蜗虬氩煽卣麟娐返?COSUL=0.45U22當(dāng) UL=50V時(shí)COS = 2U L 1=250 10045U 2045220則 =90°當(dāng) UL=92V時(shí)COS = 2U L 1=292 1=0.87045U 2045220則 =30°控制角的調(diào)整范圍應(yīng)為0 90°由 I T =1.66 知I dI=1.66Id=1.66× 30=50A為最大值 IT(AV)=2 × I TM=2× 50 =64A取 100A1.571.57

37、又 Uyn=2UTM=2× 2 ×220=624V取 700V晶閘管的型號(hào)為： KP100-7 。142、單相半波可控整流電路中，已知變壓器次級(jí)U2 =220V，晶閘管控制角=45°，負(fù)載 RL=10。計(jì)算負(fù)載兩端的直流電壓平均值、負(fù)載中電流平均值和每只晶閘管流過(guò)的電流平均值。 (P91)解： UL=0.45U2 1COS2IL=UL/RLITV=IT3、 單相全控橋式整流電路帶大電感負(fù)載時(shí)，若已知 U2=220V。負(fù)載電阻Rd=10， 求=60°時(shí)，電源供給的有功功率、視在功率以及功率因數(shù)為多少？（P=980.1W,S=2.178VA,cos =0.4

38、5 ）（ P97）解：第七章晶閘管的觸發(fā)電路知識(shí)點(diǎn)：晶閘管的觸發(fā)電路的結(jié)構(gòu)電路圖晶閘管的觸發(fā)電路的工作原理一、填空題1、晶體管觸發(fā)電路的同步電壓一般有正弦波同步電壓和鋸齒波電壓。2、晶閘管整流裝置的功率因數(shù)定義為、交流側(cè)有功功率與視在功率之比。3、正弦波觸發(fā)電路的同步移相一般都是采用正弦波同步電壓與一個(gè)或幾個(gè) 控制電壓的疊加，利用改變、控制電壓的大小，來(lái)實(shí)現(xiàn)移相控制。4、晶閘管裝置的容量越大，則高次諧波越大，對(duì)電網(wǎng)的影響越大。5、在裝置容量大的場(chǎng)合，為了保證電網(wǎng)電壓穩(wěn)定，需要有 無(wú)功功率 補(bǔ)償，最常用的方法是在負(fù)載側(cè)并聯(lián)電容。6、整流是把交流電變換為直流電的過(guò)程；逆變是把直流電變換為交流電的過(guò)

39、程。二、判斷題1、 只要給門極加上觸發(fā)電壓，晶閘管就導(dǎo)通。（錯(cuò)）2、 晶閘管加上陽(yáng)極電壓后，不給門極加觸發(fā)電壓，晶閘管也會(huì)導(dǎo)通。（對(duì)）3、 加在晶閘管門極上的觸發(fā)電壓，最高不得超過(guò)100V。（錯(cuò)4、 單向半控橋可控整流電路中，兩只晶閘管采用的是“共陽(yáng)”接法。（錯(cuò)）5、 晶閘管采用“共陰”接法或“共陽(yáng)”接法都一樣。（錯(cuò)）6、 增大晶閘管整流裝置的控制角，輸出直流電壓的平均值會(huì)增大。（錯(cuò)）7、在觸發(fā)電路中采用脈沖變壓器可保障人員和設(shè)備的安全。（對(duì)）8、為防止“關(guān)斷過(guò)電壓”損壞晶閘管，可在管子兩端并接壓敏電阻。（錯(cuò)）9、雷擊過(guò)電壓可以用RC吸收回路來(lái)抑制。（錯(cuò)）10、硒堆發(fā)生過(guò)電壓擊穿后就不能再使用

40、了。（錯(cuò)）1511、晶閘管串聯(lián)使用須采取“均壓措施”。（對(duì)）三、選擇題1、晶閘管變流裝置的功率因數(shù)比較（B ）。A高，B低，C好。2、晶閘管變流器接直流電動(dòng)機(jī)的拖動(dòng)系統(tǒng)中，當(dāng)電動(dòng)機(jī)在輕載狀況下，電樞電流較小時(shí)，變流器輸出電流是（ B）的。A連續(xù)，B斷續(xù)，C不變。3、普通晶閘管的通態(tài)電流（額定電流）是用電流的（C）來(lái)表示的。A有效值B最大賽值C平均值4、普通的單相半控橋可整流裝置中一共用了（A）晶閘管。A一只，B二只，C三只，D四只。5、晶閘管在電路中的門極正向偏壓（B）愈好。A愈大，B愈小，C不變6、晶閘管兩端并聯(lián)一個(gè)RC電路的作用是（C ）。A分流，B降壓，C過(guò)電壓保護(hù)，D過(guò)電流保護(hù)。7、壓敏電阻在晶閘管整流電路中主要是用來(lái)（C ）。A分流，B降壓，C過(guò)電壓保護(hù)，D過(guò)電流保護(hù)。第八章、交流電力控制電路一、填空題1、由普通晶閘管組成的直流斬波器通常有定頻調(diào)寬式，定