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1、第第5 5講原子結(jié)構(gòu)講原子結(jié)構(gòu)-2-3-基礎(chǔ)梳理感悟選考對(duì)點(diǎn)訓(xùn)練1.原子結(jié)構(gòu)模型的演變?cè)訉W(xué)說希臘哲學(xué)家德謨克利特近代原子學(xué)說英國(guó)科學(xué)家道爾頓分子概念意大利的科學(xué)家阿伏加德羅原子結(jié)構(gòu)模型英國(guó)科學(xué)家湯姆生帶核原子模型英國(guó)物理學(xué)家盧瑟福新的原子結(jié)構(gòu)模型丹麥物理學(xué)家玻爾口訣:道湯盧玻(倒了湯在爐上,爐破了) -4-基礎(chǔ)梳理感悟選考對(duì)點(diǎn)訓(xùn)練2.原子的構(gòu)成 -5-基礎(chǔ)梳理感悟選考對(duì)點(diǎn)訓(xùn)練(1)構(gòu)成原子的三種粒子的比較: -6-基礎(chǔ)梳理感悟選考對(duì)點(diǎn)訓(xùn)練(2)核電荷數(shù)=質(zhì)子數(shù)=核外電子數(shù)(適用于原子);質(zhì)量數(shù)=質(zhì)子數(shù)+中子數(shù)(原子、離子都適用)。(3)核外電子排布:-7-基礎(chǔ)梳理感悟選考對(duì)點(diǎn)訓(xùn)練-8-基礎(chǔ)梳
2、理感悟選考對(duì)點(diǎn)訓(xùn)練注意:最外層電子數(shù)等于次外層電子數(shù)的元素有Be、Ar,最外層電子數(shù)等于電子層數(shù)的有H、Be、Al、Ge等。最外層電子數(shù)是次外層電子數(shù)的1倍以上的元素必在第2周期。次外層電子數(shù)為2的元素必在第2周期,次外層電子數(shù)為8的元素可在第3周期,也可在第4、5、6、7周期的A族、A族。最外層電子數(shù)為2的元素可在A族,也可以為He,還可存在于過渡元素中,過渡元素原子最外層電子數(shù)為1個(gè)或2個(gè)。-9-基礎(chǔ)梳理感悟選考對(duì)點(diǎn)訓(xùn)練3.元素、同位素、核素 注意:元素是同一類原子的總稱,屬于宏觀概念,核素是某一種特定的原子,屬于微觀概念。元素只論種類,不論個(gè)數(shù)。難點(diǎn)釋疑如何判斷兩種微粒是否互為同位素?提
3、示:同位素必須同時(shí)滿足下列兩點(diǎn)要求:質(zhì)子數(shù)必須相同,中子數(shù)必須不同。-10-基礎(chǔ)梳理感悟選考對(duì)點(diǎn)訓(xùn)練 答案 答案關(guān)閉C-11-基礎(chǔ)梳理感悟選考對(duì)點(diǎn)訓(xùn)練 答案 答案關(guān)閉A-12-基礎(chǔ)梳理感悟選考對(duì)點(diǎn)訓(xùn)練3.(20164浙江選考)下列表示正確的是() 答案 答案關(guān)閉C-13-基礎(chǔ)梳理感悟選考對(duì)點(diǎn)訓(xùn)練4.(201610浙江選考)下列表示正確的是() 答案 答案關(guān)閉D-14-基礎(chǔ)梳理感悟選考對(duì)點(diǎn)訓(xùn)練1.(2018浙江教育綠色聯(lián)盟適應(yīng)性考試)下列表示不正確的是() 答案 答案關(guān)閉C-15-基礎(chǔ)梳理感悟選考對(duì)點(diǎn)訓(xùn)練2.下列敘述錯(cuò)誤的是()A.13C和14C屬于同一種元素,它們互為同位素B.1H和2H是不同
4、的核素,它們的質(zhì)子數(shù)相等C.14C和14N的質(zhì)量數(shù)相等,它們的中子數(shù)不等D.6Li和7Li的電子數(shù)相等,中子數(shù)也相等 答案解析解析關(guān)閉 答案解析關(guān)閉-16-基礎(chǔ)梳理感悟選考對(duì)點(diǎn)訓(xùn)練 答案解析解析關(guān)閉 答案解析關(guān)閉-17-一二一、忽視核外電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)【易錯(cuò)題1】 癌癥已經(jīng)成為人類的“殺手”,較難醫(yī)治。目前,北京、上海的醫(yī)院正在研究用 治療腫瘤。下列有關(guān)敘述正確的是()A.該原子核外有53個(gè)電子,在不同的電子層上繞原子核做高速圓周運(yùn)動(dòng)B.電子的運(yùn)動(dòng)速率接近光速,53個(gè)電子在狹小的空間高速運(yùn)動(dòng),不斷發(fā)生碰撞產(chǎn)生化學(xué)變化C.質(zhì)子數(shù)和中子數(shù)之和遠(yuǎn)大于電子數(shù),質(zhì)子和中子的質(zhì)量之和遠(yuǎn)大于電子的質(zhì)量,原子核
5、占據(jù)著原子的廣大空間D.核外電子占據(jù)著原子內(nèi)的廣闊空間,但原子的質(zhì)量卻主要集中在原子核上-18-一二錯(cuò)因剖析:本題極易受原子結(jié)構(gòu)示意圖的影響,認(rèn)為電子在原子核外不同的軌道上做高速圓周運(yùn)動(dòng),于是容易錯(cuò)選A。正確解答:由于電子的能量不同,所以在原子核外不同區(qū)域運(yùn)動(dòng),沒有確定的軌道,電子在原子核外廣大的空間運(yùn)動(dòng)。原子的質(zhì)量主要集中在原子核上,原子核所占的空間很小。答案:D 糾錯(cuò)筆記原子結(jié)構(gòu)示意圖只是人們形象表示核外電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)的一種方法,不能完全代表電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。電子在核外空間的不同軌道上做高速運(yùn)動(dòng),因電性相同不發(fā)生碰撞,即使發(fā)生碰撞,也不會(huì)引起化學(xué)變化。電子的高速運(yùn)動(dòng)不是圓周運(yùn)動(dòng),電子運(yùn)動(dòng)的方向
6、具有不確定性,不像行星繞恒星一樣做有確定軌道的運(yùn)動(dòng)。-19-一二二、忽視電子的排布原則【易錯(cuò)題2】 下列原子結(jié)構(gòu)示意圖正確的是 ()-20-一二錯(cuò)因剖析:本題易受電子層最多可容納電子數(shù)的影響,認(rèn)為M層最多可容納18個(gè)電子,9個(gè)電子完全可進(jìn)入M層,于是容易錯(cuò)選D。正確解答:對(duì)于原子,核外電子數(shù)應(yīng)與核電荷數(shù)相同,C項(xiàng)錯(cuò)誤。K層為最外層時(shí),電子數(shù)不超過2個(gè);其他電子層為最外層時(shí),電子數(shù)不超過8。A、D錯(cuò)誤。答案:B糾錯(cuò)筆記原子核外電子排布規(guī)律,當(dāng)M層電子超過8個(gè),電子就開始進(jìn)入N層。當(dāng)N層排布2個(gè)電子后,電子再次進(jìn)入M層。只有當(dāng)M層排滿18個(gè)電子后,電子才會(huì)再次進(jìn)入N層。-21-2 3 416 7
7、8591.(2018嘉興一中高三上學(xué)期期末考試)下列表示不正確的是()A.二氧化硅的分子式為SiO2B.HBr的結(jié)構(gòu)式為HBr 答案 答案關(guān)閉A-22-2 3 416 7 8592.(2018魯迅中學(xué)月考)下列有關(guān)化學(xué)用語表示正確的是 () 答案 答案關(guān)閉C-23-2 3 416 7 8593.(2018衢州二中檢測(cè))下列有關(guān)化學(xué)用語的應(yīng)用正確的是() 答案 答案關(guān)閉A-24-2 3 416 7 8594.(2018杭州學(xué)軍中學(xué)選考模擬考試)下列化學(xué)用語表示不正確的是() 答案 答案關(guān)閉C-25-2 3 416 7 8595.(2017杭州余杭模擬)下列有關(guān)化學(xué)用語表示正確的是() 答案解析解
8、析關(guān)閉 答案解析關(guān)閉-26-2 3 416 7 859 答案解析解析關(guān)閉 答案解析關(guān)閉-27-2 3 416 7 859 答案解析解析關(guān)閉 答案解析關(guān)閉7.已知陰離子R2-的原子核內(nèi)有n個(gè)中子,R原子的質(zhì)量數(shù)為m,則w g R2-含有電子的物質(zhì)的量是()-28-2 3 416 7 8598.主族元素M、R形成的簡(jiǎn)單離子M2-與R+的核外電子數(shù)之和為20,下列說法正確的是()A.M原子的質(zhì)子數(shù)一定大于R原子的質(zhì)子數(shù)B.M可能存在16M、18M兩種核素C.M2-與R+的電子層結(jié)構(gòu)不可能相同D.兩種離子結(jié)合形成的化合物中可能含有共價(jià)鍵 答案解析解析關(guān)閉兩種離子的核外電子數(shù)之和為20,若均為10,則M為O,R為Na,若不均為10,則M為S,R為L(zhǎng)i。A項(xiàng),質(zhì)子數(shù):ONa,錯(cuò)誤;B項(xiàng),O存在16O、18O兩種核素,正確;C項(xiàng),O2-和Na+的電子層結(jié)構(gòu)相同,錯(cuò)誤;D項(xiàng),Na+和O2-之間為離子鍵,S2-和Li+之間也為離子鍵,錯(cuò)誤。 答案解析關(guān)閉B-29-2 3 416 7 8599.填寫恰當(dāng)?shù)姆?hào):(1)A是原子,核內(nèi)有12個(gè)中子,核外M電子
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