微機(jī)原理及接口技術(shù)第4章半導(dǎo)體存貯器

1、第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 4.1 概述概述 4.2 讀寫(xiě)存貯器讀寫(xiě)存貯器(RAM) 4.3 只讀存貯器只讀存貯器(ROM) 4.4 外存貯器簡(jiǎn)介外存貯器簡(jiǎn)介 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 4.1 概述概述 按照工作方式的不同，半導(dǎo)體存貯器分為讀寫(xiě)存貯器(RAM)和只讀存貯器(ROM)。 1. 讀寫(xiě)存貯器RAM (1) 雙極型RAM (2) 金屬氧化物(MOS)RAM 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 2. 只讀存貯器ROM (1) 掩模工藝ROM (2) 可一次編程ROM (3) 可擦去的PROM 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯

2、器 4.1.2 存貯器的主要性能指標(biāo) 1. 存貯容量 2. 存取時(shí)間 3. 可靠性 4. 功耗 5. 價(jià)格 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 4.2 讀寫(xiě)存貯器讀寫(xiě)存貯器(RAM) 4.2.1 靜態(tài)讀寫(xiě)存貯器( SRAM ) 1.概述 靜態(tài)讀寫(xiě)存貯器(SRAM)使用十分方便，在微型計(jì)算機(jī)領(lǐng)域獲得了極其廣泛的應(yīng)用?，F(xiàn)以一塊典型的SRAM芯片為例說(shuō)明其外部特性及工作過(guò)程。 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 (1) 8K8bit的CMOSRAM芯片 引線功能。6264(6164)有28條引出線，它們包括： A0A12為13條地址信號(hào)線。 D0D7為8條雙

3、向數(shù)據(jù)線。 CS1，CS2為兩條選片信號(hào)的引線。 OE為輸出允許信號(hào)。 WE是寫(xiě)允許信號(hào)。 NC為沒(méi)有使用的空腳。芯片上還有+5V電壓和接地線。 6264(6164)的工作過(guò)程。 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 表4.1 6264真值表 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.2 SRAM6264數(shù)據(jù)寫(xiě)入波形 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.3 SRAM6264數(shù)據(jù)讀出波形 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 2. 連接使用 (1) 全地址譯碼方式 從圖4.4可以看到，6264這一8KB的芯片唯一地占據(jù)從F0000H到F1FFFH這8KB內(nèi)存空間；芯片的每一個(gè)存貯單元唯

4、一地占據(jù)上述地址空間中的一個(gè)地址。該圖用在CPU最大模式下。 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.4 SRAM6264的全地址譯碼連接 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.5 另一種譯碼器 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 (2)部分地址譯碼方式 首先，讓我們看一下圖4.6所示的6264的連接圖。 分析圖4.6所示的連接圖，可以發(fā)現(xiàn)，此時(shí)的8KB芯片6264所占據(jù)的內(nèi)存地址空間為 DA000HDBFFFH DE000HDFFFFH FA000HFBFFFH FF000HFFFFFH 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.6 SRAM6264的部分地址譯碼連接 第第4章

5、章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 (3) 譯碼器電路 在工程上常用的譯碼電路還有如下幾種類(lèi)型： 利用廠家提供的現(xiàn)成的譯碼器芯片。 利用廠家提供的數(shù)字比較器芯片。 利用ROM做譯碼器。 利用PLD。 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 3. 靜態(tài)RAM連接舉例 圖4.8中，使用一塊3-8譯碼器芯片(74LS138或8205)，將 兩片6116所 占的內(nèi) 存地址范 圍安排在7C000H7CFFFH。 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.7 SRAM6116引線圖 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.8 兩片6116的連接圖 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.9 MSM825

6、6引線圖 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 4.等待的實(shí)現(xiàn) 在存貯器芯片的連接使用中，由于采用了要求的定時(shí)時(shí)間比較長(zhǎng)的芯片或由于總線的時(shí)間延遲過(guò)大等原因，CPU提供的定時(shí)時(shí)間不能滿(mǎn)足存貯器芯片的要求，使CPU無(wú)法正確地讀寫(xiě)存貯器。這就要求電路的設(shè)計(jì)者采取適當(dāng)?shù)拇胧﹣?lái)解決這一問(wèn)題。 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 4.2.2 動(dòng)態(tài)讀寫(xiě)存貯器(DRAM) 1.概述 動(dòng)態(tài)讀寫(xiě)存貯器(DRAM)，以其速度快、集成度高、功耗小、價(jià)格低在微型計(jì)算機(jī)中得到極其廣泛地使用。 (1) 動(dòng)態(tài)存貯器芯片2164A的引線 A0A7為地址輸入端。 DIN和 DOUT是芯片上的數(shù)據(jù)線。 RAS為行地址鎖存信號(hào)。

7、 CAS為列地址鎖存信號(hào)。 WE為寫(xiě)允許信號(hào)。 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.10 DRAM2164引線圖 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 (2) DRAM的工作過(guò)程 讀出數(shù)據(jù)。 寫(xiě)入數(shù)據(jù)。 刷新。 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.11 DRAM2164的讀出過(guò)程 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.12 DRAM2164的寫(xiě)入過(guò)程 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.13 DRAM2164的刷新過(guò)程 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 2. 實(shí)現(xiàn)DRAM的刷新 (1) 行列控制信號(hào)的形成 (2) DRAM的讀寫(xiě) (3) 刷新 第第4章章 半導(dǎo)

8、體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.14 PC/XT微型機(jī)DRAM行( ) RAS 列( )CAS形成電路 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.15 DRAM讀寫(xiě)簡(jiǎn)化電路 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 4.3 只讀存貯器只讀存貯器(ROM) 1. 2764的引線 A0A12為13條地址信號(hào)輸入線，說(shuō)明芯片的容量為8K個(gè)單元。 D0D7為8條數(shù)據(jù)，表明芯片的每個(gè)存貯單元存放一個(gè)字節(jié)(8位二進(jìn)制數(shù))。 CE為輸入信號(hào)。 OE是輸出允許信號(hào)。 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 PGM為編程脈沖輸入端。 圖4.16 EPROM2764引線圖 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 2. 27

9、64的連接使用 3. EPROM的編程 (1) 擦除 (2) 編程 對(duì)EPROM的編程通常有兩種方式，即標(biāo)準(zhǔn)編程和快速編程兩種方式。 標(biāo)準(zhǔn)編程。 快速編程。 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.17 EPROM的讀出過(guò)程 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.18 EPROM2764的連接圖 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.19 EPROM27C040引線圖 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 27C040的編程時(shí)序如圖4.20所示。 由圖4.20可以看到，27C040所用的編程脈沖只有100 s。因此，只用很短的編程時(shí)間便可以對(duì)它的整個(gè)512KB實(shí)現(xiàn)編程。 27C

10、040的生產(chǎn)廠家為我們提供的編程過(guò)程如圖4.21所示。 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.20 EPROM27C040的編程時(shí)序圖 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.21 27C040快速編程流程圖 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 4.3.2 EEPROM(E2PROM) 1. 典型EEPROM芯片介紹 EEPROM以其制造工藝及芯片容量的不同而有多種型號(hào)。有的與相同容量的EPROM完全兼容. (1)現(xiàn)在以8K8bit的EEROMNMC98C64A為例來(lái)加以說(shuō)明。 D0D7為8條數(shù)據(jù)線，表明每個(gè)存貯單元存貯一個(gè)字節(jié)的信息。 CE為選片信號(hào)。 OE為輸出允許信號(hào)。 第第

11、4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 WE是寫(xiě)允許信號(hào)。 READY/ BUSY是漏極開(kāi)路輸出端，當(dāng)寫(xiě)入數(shù)據(jù)時(shí)該信號(hào)變低，數(shù)據(jù)寫(xiě)完后，該信號(hào)變高。 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.22 EEPROM98C64引線圖 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 (2) 98C64A的工作過(guò)程 EEPROM98C64A工作過(guò)程如下所述： 讀出數(shù)據(jù)。 寫(xiě)入數(shù)據(jù)。 (3) 連接使用 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 在圖4.24中，對(duì)EEPROM編程時(shí)可以利用 BUSY 狀態(tài)產(chǎn)生中斷，利用接口查詢(xún)其狀態(tài)(見(jiàn)后面章節(jié))，也可以采用延時(shí)的方法。只要延時(shí)時(shí)間能保證

12、芯片寫(xiě)入即可。例如下面的程序可將55H寫(xiě)滿(mǎn)98C64. START：MOV AX,1E00H MOV DS,AX MOV SI,0000H MOV CX,2000H 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 GOON: MOV AL,55H MOV SI,AL CALL T20MS;延時(shí)20ms INC SI LOOP GOON HLT 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 除上面并行EEPROM外(其數(shù)據(jù)并行讀寫(xiě))，尚有串行EEPROM。串行EEPROM由于其讀寫(xiě)是串行的，無(wú)法用作內(nèi)存。只用來(lái)當(dāng)作外存使用。但在簡(jiǎn)單的IC卡中應(yīng)用十分廣泛。由于篇幅限制，在此不做介紹。 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)

13、體存貯器 圖4.24 EEPROM98C64A的連接使用 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.25 閃速EEPROM28F040引線圖 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 2. 閃速(FLASH)EEPROM (1)28F040的引線 閃速28F040的引線如圖4.25所示。 由圖4.25可以看到，28F040與27C040的引線是相互兼容的。但前者可以做到在線編程，而后者是無(wú)法做到的。 28F040是一塊512KB的閃速EEPROM芯片，其內(nèi)部可分成16個(gè)32KB的塊(或一頁(yè))。每一塊可獨(dú)立進(jìn)行擦除。 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 (2)工作過(guò)程 工作類(lèi)型。28F040主要

14、有如下幾種工作類(lèi)型： 讀出類(lèi)型。 寫(xiě)入編程類(lèi)型。 擦除類(lèi)型。 命令和狀態(tài)。 外部條件。 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 表4.2 28F040的命令 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 表4.3 狀態(tài)寄存器各位含義 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 表4.4 28F040工作條件 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 (3) 主要功能的實(shí)現(xiàn) 只讀存貯單元。 編程寫(xiě)入。 擦除。 整片擦除。 塊擦除。 整片擦除及塊擦除流程圖分別如圖4.27中的(a)和(b)所示。 很顯然，擦除一塊只用更少的時(shí)間，最快為100ms。 其他。 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.26 28F040

15、的字節(jié)編程過(guò)程 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.27 28F040 (a)整片擦除過(guò)程；(b)塊擦除過(guò)程 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 (4) 應(yīng)用 用作外存貯器。 用于內(nèi)存。 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 4.4.1 磁盤(pán) 4.4 外存貯器簡(jiǎn)介外存貯器簡(jiǎn)介 1.軟磁盤(pán) 在微型機(jī)上大都配有軟盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，用軟磁盤(pán)來(lái)存放各種信息。 (1)軟盤(pán)分類(lèi) 目前使用的軟盤(pán)按其直徑分為： 5.25英寸 1英寸=2.54cm。 (2)軟盤(pán)驅(qū)動(dòng)器與系統(tǒng)的連接 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 驅(qū)動(dòng)器自成體系，是相對(duì)獨(dú)立的部件，通過(guò)總線電纜與適配器相連接。驅(qū)動(dòng)器主要由3大功能系統(tǒng)組成：

16、 讀寫(xiě)系統(tǒng)，用于將數(shù)據(jù)寫(xiě)在盤(pán)片上或從盤(pán)片上讀出數(shù)據(jù)，主要由電子線路實(shí)現(xiàn)。 磁頭定位系統(tǒng)，用于實(shí)現(xiàn)磁頭對(duì)磁道的尋找和定位，由電子線路和機(jī)械部件混合組成。其尋道時(shí)間及定位精度是十分重要的。 主軸驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)，用來(lái)保證磁盤(pán)片以一定的速度穩(wěn)定地旋轉(zhuǎn)。 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.28 軟盤(pán)驅(qū)動(dòng)器與系統(tǒng)的連接 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 2. 硬磁盤(pán) 同軟盤(pán)相比，硬盤(pán)的存貯容量大且存取速度高。它是目前微型機(jī)(PC)系統(tǒng)配置中必不 可少的外存。在軟盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中，讀寫(xiě)磁頭與盤(pán)片接觸在一起，以便讀寫(xiě)數(shù)據(jù)。在硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器中，磁頭和盤(pán)片是非接觸式的。主軸驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)使盤(pán)片高速旋轉(zhuǎn)，通常達(dá)3600r/

17、min，從而在盤(pán)片表面產(chǎn)生一層氣墊，磁頭便浮在這層氣墊上。磁頭與盤(pán)片間具有m級(jí)的空隙。 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 4.4.2 光盤(pán)技術(shù) 1. CD家族的發(fā)展 激光通過(guò)聚焦，可獲得直徑為1 m的光束。經(jīng)技術(shù)人員研究發(fā)現(xiàn)，可以利用這種光束來(lái)記錄和重放信息。為此，從70年代初不少?lài)?guó)家就致力于這方面的研究工作。到1972年已在實(shí)驗(yàn)室研制成功并于1978年將LV激光視盤(pán)正式投入市場(chǎng)。從那之后，這方面的研究成果陸續(xù)出現(xiàn)，其發(fā)展過(guò)程如圖4.29所示。 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.29 光盤(pán)的發(fā)展概況 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 為了使大家了解目前書(shū)刊上經(jīng)常出現(xiàn)的有關(guān)光盤(pán)

18、的產(chǎn)品，下面對(duì)它們進(jìn)行簡(jiǎn)要介紹。 (1) LV(Laser Vision)激光視盤(pán) (2) 音頻CD和MD (3)CD-G(Compact Disc Graphic) (4)CD-V(Compact Disc Video) (5)CDDA(Compact Disc Digital Audio)激光唱盤(pán) (6)CDROM(Compact Disc Read Only Memory)光盤(pán)只讀存貯器 (7)CDI(Compact Disc Interactive)交互式光盤(pán) 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 (8)CD-ROMXA(CD-RO Me Xtended Architecture) (

19、9) Photo CD (10)CDR(Compact Disc Recordable)可記錄光盤(pán) (11)VCD(Video Compact Disc) (12)DVD(Digital Video Disc)數(shù)字視盤(pán) (13)MO(Magneto Optical)磁光盤(pán) (14)PCD (Phase Change Disc)變相光盤(pán) (15)FD( Floptical Disk)光軟盤(pán) 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 2. 主要技術(shù)指標(biāo) (1)尺寸 標(biāo)準(zhǔn)的CDROM和CDDA盤(pán)片的直徑均為120mm,中心裝卡孔為15mm，厚度為1.2mm。 (2) 存貯容量 (3) 數(shù)據(jù)傳輸速率 (4

20、) 緩沖器的大小 (5) 平均存取時(shí)間 (6) 接口類(lèi)型 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 SCSI(Small Computer System Interface)小型計(jì)算機(jī)系統(tǒng)接口總線，用于計(jì)算機(jī)與光盤(pán)、磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器及打印機(jī)等外設(shè)的連接。 ATAPI(AT Attachment Packet Interface)標(biāo)準(zhǔn)。 IDE(Integrated Drive Electronics Interface)標(biāo)準(zhǔn)。 (7) 支持軟件 (8) 其他 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 2. CDROM簡(jiǎn)介 CDROM在CDDA的基礎(chǔ)上，應(yīng)重新考慮盤(pán)上的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)，以便能以最快的速度從幾百兆字節(jié)

21、容量的光盤(pán)上找到所需數(shù)據(jù)，同時(shí)，又必須使誤碼率降到10-12以下，使CDROM真正成為計(jì)算機(jī)的外部存貯器。 (1) CDROM盤(pán)片的構(gòu)造 (2) CDROM的光道結(jié)構(gòu) 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.30 CDROM光盤(pán)盤(pán)片的構(gòu)造 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 光盤(pán)上記錄信息的凹坑是沿一定軌跡構(gòu)成的。記錄信息的軌跡稱(chēng)為光道，它就是聚焦的激光束讀出數(shù)據(jù)時(shí)應(yīng)走的道路。信息光道的形式有以下兩種： CLV形式：它又叫做恒線速盤(pán)。 CAV形式：這又叫做恒角速度盤(pán)。 3.CDROM信息的記錄 CDROM盤(pán)是用反射層上的凹坑和非凹坑來(lái)存放信息的。下面將具體加以說(shuō)明。 (1)信息的形成 第

22、第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 2. EFM編碼 正如前面提到的，要在CDROM光盤(pán)上記錄數(shù)據(jù)，還必須將數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成適于那種介質(zhì)存貯的形式才行。也就是說(shuō)要將欲記錄的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換成便于記錄的代碼，這種代碼通常叫做通道碼。 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 (1) CD-ROM盤(pán)片的構(gòu)造 (2) CD-ROM的光道結(jié)構(gòu) CLV形式：它又叫做恒線速盤(pán)。 CAV形式：這又叫做恒角速度盤(pán)。 3.CDROM信息的記錄 CDROM盤(pán)是用反射層上的凹坑和非凹坑來(lái)存放信息的。下面將具體加以說(shuō)明。 (1) 信息的形成 2. EFM編碼 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.31 CDROM上信息的形成 第

23、第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 8位數(shù)據(jù) 1 1 1 0 1 0 0 0 1 1 1 0 0 0 1 0 14位通道 00010010000010 10010001000010 加合并碼 00010010000010 00010010001000010 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 4. CDROM驅(qū)動(dòng)器 (1) 驅(qū)動(dòng)單元 驅(qū)動(dòng)單元中包括以下部分： 光頭及其控制電路：光頭激光器需要進(jìn)行控制，以保證激光輸出功率的穩(wěn)定。 光盤(pán)CLV伺服：光盤(pán)需要用馬達(dá)驅(qū)動(dòng)其旋轉(zhuǎn)，而且CDROM采用的是CLV恒定線速度旋轉(zhuǎn)。 EFM解調(diào)：在利用光盤(pán)驅(qū)動(dòng)器讀出數(shù)據(jù)時(shí)，驅(qū)動(dòng)單元中的電路實(shí)現(xiàn)EFM解調(diào)，將包括

24、合并碼及14位數(shù)碼的編碼恢復(fù)為原始的8位數(shù)據(jù)，還原為原始的幀數(shù)據(jù)。 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 (2) CDROM控制單元 檢錯(cuò)與糾錯(cuò) 方式控制 緩沖功能 SCSI接口 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.32 CDROM驅(qū)動(dòng)器的構(gòu)成框圖 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 4.4.3 存貯卡 1. EEPROM卡 (1)簡(jiǎn)單IC卡 簡(jiǎn)單IC卡通常采用異步串行通信中的半雙工方式，常采用的接口總線協(xié)議有如下兩種： I2C總線接口。 I2C總線是諸多串行總線中的一種。由于篇幅所限，無(wú)法詳細(xì)進(jìn)行介紹。其基本概念框圖如圖4.33所示。 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.33 IC卡利用接口總線通信 第第4章章 半導(dǎo)體存貯器半導(dǎo)體存貯器 圖4.33中，IC卡與其讀寫(xiě)設(shè)備之間通過(guò)接口總線相連接。其中常用的有I2C總線。該總線由4個(gè)信號(hào)線組成： SDA：串行數(shù)據(jù)線，通過(guò)SDA可以串行地寫(xiě)入命令或數(shù)據(jù)。 SCL：串行時(shí)鐘線，在此線上的