關(guān)于介質(zhì)損耗的一些基本概念

1、關(guān)于介質(zhì)損耗的一些基本概念（泛華電子）1、介質(zhì)損耗    什么是介質(zhì)損耗：絕緣材料在電場作用下，由于介質(zhì)電導(dǎo)和介質(zhì)極化的滯后效應(yīng)，在其內(nèi)部引起的能量損耗。也叫介質(zhì)損失，簡稱介損。2、介質(zhì)損耗角    在交變電場作用下，電介質(zhì)內(nèi)流過的電流相量和電壓相量之間的夾角(功率因數(shù)角)的余角()。 簡稱介損角。3、介質(zhì)損耗正切值tg    又稱介質(zhì)損耗因數(shù)，是指介質(zhì)損耗角正切值，簡稱介損角正切。介質(zhì)損耗因數(shù)的定義如下:    如果取得試品的電流相量

2、 和電壓相量 ，則可以得到如下相量圖：總電流可以分解為電容電流Ic和電阻電流IR合成，因此：這正是損失角=(90°-)的正切值。因此現(xiàn)在的數(shù)字化儀器從本質(zhì)上講，是通過測量或者得到介損因數(shù)。    測量介損對(duì)判斷電氣設(shè)備的絕緣狀況是一種傳統(tǒng)的、十分有效的方法。絕緣能力的下降直接反映為介損增大。進(jìn)一步就可以分析絕緣下降的原因，如：絕緣受潮、絕緣油受污染、老化變質(zhì)等等。測量介損的同時(shí)，也能得到試品的電容量。如果多個(gè)電容屏中的一個(gè)或幾個(gè)發(fā)生短路、斷路，電容量就有明顯的變化，因此電容量也是一個(gè)重要參數(shù)。4、功率因數(shù)cos &

3、#160;  功率因數(shù)是功率因數(shù)角的余弦值，意義為被測試品的總視在功率S中有功功率P所占的比重。功率因數(shù)的定義如下:    有的介損測試儀習(xí)慣顯示功率因數(shù)(PF:cos)，而不是介質(zhì)損耗因數(shù)(DF:tg)。一般cos<tg，在損耗很小時(shí)這兩個(gè)數(shù)值非常接近。5、高壓電容電橋    高壓電容電橋的標(biāo)準(zhǔn)通道輸入標(biāo)準(zhǔn)電容器的電流、試品通道輸入試品電流。通過比對(duì)電流相位差測量tg，通過出比電流幅值測量試品電容量。因此用電橋測量介損還需要攜帶標(biāo)準(zhǔn)電容器、升壓PT和調(diào)壓器。接線也十分煩瑣。  

4、  國內(nèi)常見高壓電容電橋有：型  號(hào)生產(chǎn)廠家性    能2801Haefely西林電橋，手動(dòng)調(diào)節(jié)，介損相對(duì)誤差0.5%，試驗(yàn)室使用。其改進(jìn)型為2809A。QS30上海滬光廠電流比較儀電橋，手動(dòng)調(diào)節(jié)，介損相對(duì)誤差0.5%±0.00005，試驗(yàn)室使用。QS1上海電表廠西林電橋，手動(dòng)調(diào)節(jié)，介損相對(duì)誤差10%±0.003，現(xiàn)場測量用。支持正反接線，移相或到相抗干擾。AI-6000分體型泛華電子自動(dòng)調(diào)節(jié)，紅外線遙控，介損相對(duì)誤差0.2%±0.00005，現(xiàn)場或試驗(yàn)室用。支持正反接線，移相或倒相抗

5、干擾。配合變頻電源可變頻抗干擾。 6、高壓介質(zhì)損耗測量儀    簡稱介損儀，是指采用電橋原理，應(yīng)用數(shù)字測量技術(shù)，對(duì)介質(zhì)損耗角正切值和電容量進(jìn)行自動(dòng)測量的一種新型儀器。一般包含高壓電橋、高壓試驗(yàn)電源和高壓標(biāo)準(zhǔn)電容器三部分。    AI-6000利用變頻抗干擾原理，采用傅立葉變化數(shù)字波形分析技術(shù)，對(duì)標(biāo)準(zhǔn)電流和試品電流進(jìn)行計(jì)算，抑制干擾能力強(qiáng)，測量結(jié)果準(zhǔn)確穩(wěn)定。    國內(nèi)常見高壓介質(zhì)損耗測量儀有：型  號(hào)生產(chǎn)廠家性   

6、 能2816Haefely高壓輸出12kV/200mA,介損誤差1±0.0001(抗干擾方式、指標(biāo)不祥，估計(jì)是移相),正反接線方式，C / L / R測量，總重量104kg。M4000DOBLE高壓輸出10kV/300mA,介損誤差1±0.0004(變頻抗干擾，20倍）,正反接線方式，C / L / R測量，筆記本W(wǎng)INDOWS，4570Hz，重量66kg。AI-6000泛華電子10kV/200mA，介損誤差1±0.0004，變頻法4565Hz，抗干擾2：1，正、反（含高、低壓側(cè)屏蔽）接線方式，CVT自激法，C / L / R測量，模擬西林電橋和電流比較

7、儀電橋，試驗(yàn)室介損精度達(dá)到精密電橋標(biāo)準(zhǔn)，29kg。7、外施   使用外部高壓試驗(yàn)電源和標(biāo)準(zhǔn)電容器進(jìn)行試驗(yàn)，對(duì)介損儀的示值按一定的比例關(guān)系進(jìn)行計(jì)算得到測量結(jié)果的方法。8、內(nèi)施   使用介損儀內(nèi)附高壓電源和標(biāo)準(zhǔn)器進(jìn)行試驗(yàn)，直接得到測量結(jié)果的方法。9、正接線   用于測量不接地試品的方法，測量時(shí)介損儀測量回路處于地電位。10、反接線   用于測量接地試品的方法，測量時(shí)介損儀測量回路處于高電位，他與外殼之間承受全部試驗(yàn)電壓。11、常用介損儀的分類   現(xiàn)常用介損儀有西林型和M型兩種，QS1和A

8、I-6000為西林型。12、常用抗干擾方法   在介質(zhì)損耗測量中常見抗干擾方法有三種： 倒相法、移相法和變頻法。AI-6000采用變頻法抗干擾，同時(shí)支持倒相法測量。13、準(zhǔn)確度的表示方法   tg：±（1%D+0.0004）   Cx： ±（1%C+1pF）   +前表示為相對(duì)誤差，+后表示為絕對(duì)誤差。相對(duì)誤差小表示儀器的量程線性度好，絕對(duì)誤差小表示儀器的誤差起點(diǎn)低。校驗(yàn)時(shí)讀數(shù)與標(biāo)準(zhǔn)值的差應(yīng)小于以上準(zhǔn)確度，否則就是超差。14、抗干擾指標(biāo)   抗干擾指標(biāo)為滿

9、足儀器準(zhǔn)確度的前提下，干擾電流與試驗(yàn)電流的最大比例，比例越大，抗干擾性能越好。AI-6000在200%干擾（即I干擾 / I試品2）下仍能達(dá)到上述準(zhǔn)確度。介損與頻率的關(guān)系及變頻測量原理（泛華電子）1、變頻測量原理干擾十分嚴(yán)重時(shí)，變頻測量能得到準(zhǔn)確可靠的結(jié)果。例如用55Hz測量時(shí)，測量系統(tǒng)只允許55Hz信號(hào)通過，50Hz干擾信號(hào)被有效抑制，原因在于測量系統(tǒng)很容易區(qū)別不同頻率，由下述簡單計(jì)算可以說明選頻測量的效果：兩個(gè)頻率相差1倍的正弦波疊加到一起，高頻的是干擾，幅度為低頻的10倍：Y=1.234sin(x+5.678°)+12.34sin(2x+87.65°)在x=0/90/

10、180/270°得到4個(gè)測量值Y0=12.4517，Y1= -11.1017，Y2=12.2075，Y3= -13.5576，計(jì)算A=Y1 - Y3=2.4559，B=Y0 - Y2=0.2442，則：這剛好是低頻部分的相位和幅度，干擾被抑制。實(shí)際波形的測量點(diǎn)多達(dá)數(shù)萬，計(jì)算量很大，結(jié)果反映了波形的整體特征。2、頻率和介損的關(guān)系    任何有介損的電容器都可以模擬成RC串聯(lián)和并聯(lián)兩種理想模型：(1) 并聯(lián)模型    認(rèn)為損耗是與電容并連的電阻產(chǎn)生的。這種情況RC兩端電壓相等： 

11、   有功功率  ，    無功功率  ，    因此      并聯(lián)模型    其中2f，f為電源頻率?？梢姡绻谜嬲靡粋€(gè)純電阻和一個(gè)純電容模擬介損的話，它與頻率成反比。當(dāng)R=時(shí)，沒有有功功率，介損為0。    這種方法常用于試驗(yàn)室模擬10以上的大介損，或用于制做標(biāo)準(zhǔn)介損器。(2) 串聯(lián)模型    認(rèn)為

12、損耗是與電容串連的電阻產(chǎn)生的。這種情況電路的電流相等：   有功功率  ，    無功功率  ，    因此      串聯(lián)模型   由上分析可知，串聯(lián)模型tg=2fRC，并聯(lián)模型tg=1/(2fRC)，R和C基本不變，f是變化量。把45Hz、50Hz、55Hz分別代入公式，可看到tg分別隨頻率f成正比和反比。如下圖所示，f對(duì)完全正比和完全反比兩種模型影響較大。但實(shí)際電容器是多種模型交織的混合模型

13、，此時(shí)f的影響就小。3. 實(shí)際電容試品：(1) 固定頻率下測量    實(shí)際電容試品在一個(gè)固定頻率下，即可以用串連模型也可以用并聯(lián)模型表示。例如50Hz下，下面兩個(gè)電路對(duì)外呈現(xiàn)的特性完全一樣：    不同的電橋測量這兩個(gè)試品，其介損都是31.4，但西林電橋（2801或QS1）測量的電容量是10000pF，電流比較儀電橋（如QS30）測量的電容量是9101.7pF。這是因?yàn)?801電橋認(rèn)為試品損耗是串連模型，QS30認(rèn)為試品是并聯(lián)模型。    通常認(rèn)為并聯(lián)模型更接近實(shí)際情況，這是

14、因?yàn)橛泄﹄娏鞔┻^電極之間的絕緣層，更象是損耗電阻并聯(lián)在電極之間，而電極本身電阻為零，沒有損耗。    實(shí)際上當(dāng)介損在10以下時(shí)，這種電容量的差別是很小的。(2) 變頻測量    從事現(xiàn)場試驗(yàn)的專家都有這樣的經(jīng)驗(yàn)：使用傳統(tǒng)儀器，如QS1，在干擾嚴(yán)重的現(xiàn)場環(huán)境下測量介損，采用移相、倒相方法反復(fù)測量，仍無法使電橋平衡。    隨著電壓等級(jí)提高，干擾越來越嚴(yán)重。這種情況下變頻測量是一個(gè)很好的、甚至是唯一的選擇。變頻測量的抗干擾能力比移相、倒相法提高一個(gè)數(shù)量級(jí)以上。這好比兩個(gè)

15、電臺(tái)在同一個(gè)頻率上，很難將另一個(gè)信號(hào)抑制掉，但如果兩個(gè)電臺(tái)的頻率不同，則很容易區(qū)分。4、自動(dòng)變頻與50Hz等效    變頻測量受到的唯一懷疑是頻率的等效性。按上述模型，介損是隨頻率變化的。例如50Hz下1的介損，采用55Hz測量。串聯(lián)模型的測量結(jié)果變成1.1(正比)，并聯(lián)模型測量結(jié)果變成0.91%（反比）。雖然這樣的誤差可能滿足現(xiàn)場測量的要求，但誤差還是偏大。    為了解決這個(gè)問題，我們首先提出了雙變頻測量原理：在50Hz對(duì)稱位置45Hz和55Hz各測量一次，然后將測量數(shù)據(jù)平均，使誤差大大減小。理論分析結(jié)果如下表

16、所示：模型50Hz真實(shí)介損45Hz測量介損55Hz測量介損平均串連109111并聯(lián)1111109091010可見最大誤差發(fā)生在并聯(lián)模型，相對(duì)誤差1。    以上分析表明，采用雙變頻測量，即發(fā)揮了變頻測量的高抗干擾能力，理論上的最大相對(duì)誤差也小于1，可以滿足現(xiàn)場測量需要。也可以采用47.5Hz、52.5Hz雙變頻測量，理論誤差將減少到0.25，但這時(shí)的抗干擾能力肯定不如45Hz、55Hz好。    實(shí)際測量顯示，變頻測量的數(shù)據(jù)十分穩(wěn)定，重復(fù)性特別好。試驗(yàn)室校驗(yàn)也顯示了很好的精度指標(biāo)。目前變頻測量的原理已經(jīng)得到普遍認(rèn)可

17、。高壓電容電橋的基本工作原理（泛華電子）（1）西林電橋調(diào)節(jié)R3、C4使電橋平衡，此時(shí)a、b兩點(diǎn)電壓相等，即R3、C4兩端電壓相等。因?yàn)榻涣麟娐分须娙葑杩篂?。電路中R4、C4的并聯(lián)阻抗為兩者倒數(shù)和的倒數(shù)按阻抗元件分壓原理，不難得到：兩邊取倒數(shù)得：按復(fù)數(shù)相等實(shí)部、虛部分別相等的規(guī)定得到按串連模型介損定義：,由于R4是固定的可以從C4刻度盤上讀出介損，通過R3、R4、Cn可以計(jì)算Cx。   采用這個(gè)原理的儀器有現(xiàn)場用的QS1、試驗(yàn)室用的2801等。 （2）M型電橋    將試品改為并聯(lián)模型。注意到Ir與Icx、Icn差90度：調(diào)節(jié)

18、R4使Uw最小。這時(shí)IcnR4=IcxR3, Uw=IrR3，因此：    由于a、b間電壓沒有完全抵消，因此M型電橋也稱為不平衡電橋。Uw測量的是絕對(duì)值，小介損時(shí)電壓很低，難以保證測量精度。 （3）數(shù)字電橋    數(shù)字電橋的測量回路還是一個(gè)橋。R3、R4兩端的電壓經(jīng)過A/D采樣送到計(jì)算機(jī)，求得:進(jìn)一步可求得試品介損和電容量。    數(shù)字電橋的最大優(yōu)勢在于：可以實(shí)現(xiàn)自動(dòng)測量，可以補(bǔ)償所有原理性誤差，沒有復(fù)雜的機(jī)械調(diào)節(jié)部件，測量以軟件為主，性能十分穩(wěn)定。測量介損時(shí)常用的抗干擾方法（泛華電子）1、干

19、擾源       介損測量受到的主要干擾是感應(yīng)電場產(chǎn)生的工頻電流。無論何種測量方式，它都會(huì)進(jìn)入橋體：       一般介損儀都能抗磁場干擾，因?yàn)閮?nèi)部的升壓變壓器就是一個(gè)強(qiáng)烈的磁場干擾源。2、倒相法       測量一次介損，然后將試驗(yàn)電源倒相180度再測量一次，然后取平均值。       倒相法是抗干擾最簡單的方法，也

20、是效果最差的方法。因?yàn)閮纱螠y量之間干擾電流或試品電流的幅度會(huì)發(fā)生波動(dòng)，會(huì)引起明顯誤差。       一般干擾電流不超過試驗(yàn)電流2時(shí)，這種方法是很有效的。 3、移相法       一種方法是采用大功率移相電源，調(diào)整試驗(yàn)高壓的相位，使試品電流與干擾電流方向相同或相反，這樣干擾電流影響減小，再配合倒相測量，能大大提高測量精度。另一種方法是采用小功率移相電源，從R3橋臂上抵消干擾電流，再配合倒相測量，能大大提高測量精度。   

21、;    通常在升壓之前先檢測干擾電流的大小和方向，然后調(diào)整移相電源。由于測量過程中無法再了解干擾的信息，因此測量過程中干擾或電源發(fā)生相位波動(dòng)，仍會(huì)引起明顯誤差。       一般干擾電流不超過試驗(yàn)電流20時(shí)，這種方法是很有效的。4、變頻法干擾十分嚴(yán)重時(shí)，變頻測量能得到準(zhǔn)確可靠的結(jié)果。例如用55Hz測量時(shí)，測量系統(tǒng)只允許55Hz信號(hào)通過，50Hz干擾信號(hào)被有效抑制，原因在于測量系統(tǒng)很容易區(qū)別不同頻率，由下述簡單計(jì)算可以說明變頻測量的效果：兩個(gè)頻率相差1倍的正弦波疊加到一起，高頻的是干擾

22、，幅度為低頻的10倍：Y=1.234sin(x+5.678°)+12.34sin(2x+87.65°)在x=0/90/180/270°得到4個(gè)測量值Y0=12.4517，Y1= -11.1017，Y2=12.2075，Y3= -13.5576，計(jì)算A=Y1 - Y3=2.4559，B=Y0 - Y2=0.2442，則：這剛好是低頻部分的相位和幅度，干擾被完全抑制。    變頻測量時(shí)，儀器需要知道的唯一信息是干擾頻率。因?yàn)閮x器供電頻率就是干擾頻率，整個(gè)電網(wǎng)的頻率是一樣的。儀器在測量中可以動(dòng)態(tài)實(shí)時(shí)跟蹤干擾頻率，將數(shù)字濾

23、波器的吸收點(diǎn)時(shí)刻調(diào)整到干擾頻率上。而干擾信號(hào)的幅值和相位變化對(duì)這種測量是沒有影響的。 表面泄漏或屏蔽不良引起正接線測量介質(zhì)損耗減小的分析（泛華電子）    用末端屏蔽法測量電磁式PT、正接線測量CT或變壓器套管，有時(shí)會(huì)出現(xiàn)介損極小或負(fù)值的現(xiàn)象，這主要是絕緣受潮、表面泄漏或屏蔽不良引起的，可分析如下：示意圖 等效電路圖      CX：試品      C1：高壓端對(duì)瓷套的雜散電容    &

24、#160; C2：低壓端對(duì)瓷套的雜散電容      R：瓷套表面泄漏對(duì)地電阻      1：為試驗(yàn)電壓      2：為儀器輸入     這樣，C1、C2、R形成T形網(wǎng)絡(luò)，由于C1和R微分移相作用，使通過C2的電流超前，而使介損減小。設(shè)1為外加電壓U、2接地電位，流過2的電流為：      介質(zhì)損耗因數(shù)為實(shí)部電流與虛部電流之比，由于第一項(xiàng)

25、為負(fù)值，故介損因數(shù)減小。    以CX=120pF，C1=1pF，C2=0.1pF，R=1000M，CX無介損，按上式計(jì)算，T形網(wǎng)絡(luò)引起的附加介損為：-0.025%    同理， 檢修用腳手架及包裝箱引起正接線測量介質(zhì)損耗減?。涸嚻穼?duì)包裝箱形成雜散電容，也形成T型網(wǎng)絡(luò)干擾。    解決方法：        1、擦干凈瓷套表面的臟污。       &

26、#160;2、在陽光下曝曬試品或加熱烤干瓷套 ，變壓器套管吹干中間三裙。        3、高壓線盡量水平拉遠(yuǎn)，不要貼近瓷套表面 。        4、改用末端加壓法或常規(guī)法測量電磁式PT。        5、新設(shè)備吊裝前試驗(yàn)時(shí)，一定要拆掉包裝箱和腳手架，移開木梯，解開繩套。做變壓器套管時(shí)一定要放在套管架上試驗(yàn)，不能斜靠在墻上或躺放在地上。為什么升壓顯示不到10kV-

27、儀器防"容升效應(yīng)"電壓自校正技術(shù)的介紹（泛華電子）    AI-6000介損測試儀在升壓測量時(shí)，尤其是測量大容量試品（>1000P，如變壓器試品），用戶有時(shí)看到升不到10kV（如9.8kV、9.5kV）的現(xiàn)象，而測量結(jié)束后打印的測量電壓已到10kV，這就是儀器啟動(dòng)了防“容升”電壓自校正技術(shù)。    儀器內(nèi)部升壓變壓器(L)和試品電容(C)，形成了一個(gè)LC回路，回路內(nèi)電壓會(huì)抬高，這就是“容升效應(yīng)”。由于“容升效應(yīng)”造成回路電壓抬高，就使試品和儀器的工作電壓>10kV，易造成絕緣擊穿或參數(shù)變化，造

28、成儀器損壞或測量結(jié)果誤差。儀器自動(dòng)跟蹤輸出電壓和回路電壓，進(jìn)行準(zhǔn)確升壓控制，對(duì)試品和儀器起到了有效的保護(hù)作用。    在CVT自激法做介損試驗(yàn)時(shí)“容升”現(xiàn)象更明顯，由于CVT下節(jié)耦合電容的容量很大（>4萬P），在二次側(cè)升幾伏電壓，一次側(cè)就能達(dá)到上千伏。一定要嚴(yán)格監(jiān)測一次側(cè)（A點(diǎn)）電壓小于3kV，二次側(cè)電流小于6A。所以AI-6000C、D兩個(gè)型號(hào)在CVT測量時(shí)提供了高壓電壓、高壓電流、低壓電壓和低壓電流四個(gè)保護(hù)限制，根據(jù)這四個(gè)保護(hù)限制，AI-6000準(zhǔn)確調(diào)制電壓，確保試驗(yàn)儀器和設(shè)備的安全。用AI-6000D做不拆高壓引線的CVT自激法測量試驗(yàn)及電位

29、（泛華電子）用AI-6000D做CVT自激法測量非常方便，可按下圖接線。如果C1是單節(jié)電容，母線不能接地；如果C1是多節(jié)電容，高壓引線可不拆，母線也可接地，C11和C12可用常規(guī)正反接線測量，C13和C2用自激法測量。一、接線方法如下圖： 二、測量過程及電位    CVT自激法測量中，儀器先測量C13，然后自動(dòng)倒線測量C2，并自動(dòng)校準(zhǔn)分壓影響。    測C13時(shí)，高壓線芯線和屏蔽帶高壓，CX線芯線和屏蔽都是低壓。測C2時(shí)，高壓線芯線和屏蔽、CX線芯線和屏蔽都是低壓。三、為什么先測量C13，再測量C2

30、60;      大家知道，C13電容量較小，約2萬pF；c2電容量較大，至少4萬pF；CN為50pF標(biāo)準(zhǔn)電容器。測量C13時(shí)，C2和內(nèi)CN串連當(dāng)作標(biāo)準(zhǔn)電容器，根據(jù)電容串聯(lián)公式C串=(C2CN)/(C2+CN)，由于C2>>CN，C串CN，這樣C2對(duì)測量結(jié)果影響較小，可忽略不計(jì)。反之，如果先測C13，因C13容量較小，和內(nèi)CN串連后，會(huì)把C13的介損加進(jìn)去，造成標(biāo)準(zhǔn)臂介損增大，引起C2介損減小，造成測量誤差。四、自激法時(shí)高壓線拖地會(huì)引起介損增大    自激法時(shí)高壓線應(yīng)懸空不能接觸地面

31、，否則其對(duì)地附加介損會(huì)引起介損增大，可用細(xì)電纜連接高壓插座與CVT試品并吊起。         上圖藍(lán)色框內(nèi)為電纜拖地時(shí)附加雜散電容的RC串聯(lián)模型，使點(diǎn)的電壓UN超前變成UN'，相應(yīng)的IN變成IN'，Ix相位不變，造成角增大，既介質(zhì)損耗增大。感興趣的用戶也可用公式推導(dǎo)出來。用AI-6000C、D型介損測試儀做CVT自激磁測量（泛華電子）一、CVT測量的基本原理    電容式電壓互感器（CVT）為疊裝式結(jié)構(gòu)，由于現(xiàn)場試驗(yàn)時(shí)疊裝式CVT的電容分壓器和電磁

32、單元不能分開，給電容分壓器的電容及介損測量造成了一定的困難。CVT生產(chǎn)制造廠在CVT疊裝前對(duì)電容分壓器的電容及介損進(jìn)行分體測量。而對(duì)組裝好的，將中壓端子(A點(diǎn))引出的CVT，可采用正接線直接測量，對(duì)沒有抽頭的CVT只能采用自激法測量。500kV CVT示意圖二、CVT自激法測量時(shí)需要采取的保護(hù)措施    在CVT自激法做介損試驗(yàn)時(shí)，由于“回路諧振”和“容升效應(yīng)”， 絕對(duì)不能簡單的用變比衡量一次側(cè)電壓。CVT分壓電容的容量很大（>4萬P），在二次側(cè)升幾伏電壓，一次側(cè)就能達(dá)到上千伏。一定要嚴(yán)格監(jiān)測一次側(cè)（A點(diǎn)）電壓小于3kV，二次側(cè)電流小于6A。所以A

33、I-6000C、D兩個(gè)型號(hào)在CVT測量時(shí)提供了高壓電壓、高壓電流、低壓電壓和低壓電流四個(gè)保護(hù)限制，根據(jù)這四個(gè)保護(hù)限制，AI-6000準(zhǔn)確調(diào)制電壓，確保試驗(yàn)儀器和設(shè)備的安全。三、CVT自激法介紹1、傳統(tǒng)CVT自激法：    需外接標(biāo)準(zhǔn)電容、低壓激勵(lì)電源和監(jiān)控用電壓電流表，具體接線參見高壓試驗(yàn)規(guī)程。2、用AI-6000C型做母線不接地CVT自激法測量    測量C1              

34、;                         測量C2 應(yīng)注意，高壓線應(yīng)懸空不能接觸地面，否則其對(duì)地附加介損會(huì)引起誤差，可用細(xì)電纜連接高壓插座與CVT試品并吊起。另外，考慮C2或C1與內(nèi)Cn串聯(lián)分壓效應(yīng)，其電容量可按下式校準(zhǔn)：  其中Cc為校準(zhǔn)經(jīng)驗(yàn)值，包含了Cn及高壓線對(duì)地電容的影響，其值可取110pF。3.母線接地CVT

35、自激法測量如果母線接地，建議采用如下方法測量：       第一步，按圖3.10.11.1接線，用“內(nèi)Cn”方式測量C13：測量C13接線                        用C13作標(biāo)準(zhǔn)電容測量C2應(yīng)注意，高壓線應(yīng)懸空不能接觸地面，否則其對(duì)地附加介損會(huì)引起一些誤差（表現(xiàn)為C13介損增加

36、）?？捎眉?xì)電纜連接高壓插座與CVT試品并吊起。    為進(jìn)一步補(bǔ)償C2串入標(biāo)準(zhǔn)回路對(duì)C13影響，可按下式校準(zhǔn)C13電容：    其中Cc為校準(zhǔn)經(jīng)驗(yàn)值，包含了Cn及高壓線對(duì)地電容的影響，其值可取110pF。    第二步，按圖3.10.11.2接線，用C13作標(biāo)準(zhǔn)電容器測量C2，測量前將C13的電容和介損置入儀器的外標(biāo)準(zhǔn)電容項(xiàng)中（參見3.3），并選擇“外Cn”方式。       母線不接地時(shí)，也可以用這種接線方式測量。

37、4、用AI-6000D做CVT自激法測量    如果C1是單節(jié)電容，母線不能接地；如果C1是多節(jié)電容，高壓引線可不拆，母線也可接地，C11和C12可用常規(guī)正反接線測量，C13和C2用自激法測量。    CVT自激法測量中，儀器先測量C1，然后自動(dòng)倒線測量C2，并自動(dòng)校準(zhǔn)分壓影響。    測C13時(shí)，高壓線芯線和屏蔽帶高壓，CX線芯線和屏蔽都是低壓。測C2時(shí)，高壓線芯線和屏蔽、CX線芯線和屏蔽都是低壓。應(yīng)注意，高壓線應(yīng)懸空不能接觸地面，否則其對(duì)地附加介損會(huì)引起誤差，可用細(xì)電纜連

38、接高壓插座與CVT試品并吊起。四、正接線直接測量C1C2的串，介質(zhì)損耗為負(fù)值或很小。反接線直接測量C1C2的串，介質(zhì)損耗為一大數(shù)    用正接線直接測量C1C2的串，電容量可以測出來， 但電磁單元的雜散阻抗可以模擬成一個(gè)RC串聯(lián)模型，使A點(diǎn)電壓超前，也造成Ix超前向第二象限偏轉(zhuǎn)，造成角減小變成'，如果偏過90°就造成負(fù)值。同理，用反接線直接測量C1C2的串，在端反接線<3kV，介質(zhì)損耗為一大數(shù)。正接線直接測量C1C2的串的等效電路Ix被移相變成Ix'       注意：有些

39、CVT銘牌標(biāo)的電容量為C1、C2；而有些為C1、C1C2的串，可計(jì)算出：C串=(C1C2)/(C1+C2)。用AI-6000D做不拆高壓引線的CVT自激法測量試驗(yàn)及電位（泛華電子）用AI-6000D做CVT自激法測量非常方便，可按下圖接線。如果C1是單節(jié)電容，母線不能接地；如果C1是多節(jié)電容，高壓引線可不拆，母線也可接地，C11和C12可用常規(guī)正反接線測量，C13和C2用自激法測量。一、接線方法如下圖： 二、測量過程及電位    CVT自激法測量中，儀器先測量C13，然后自動(dòng)倒線測量C2，并自動(dòng)校準(zhǔn)分壓影響。   

40、 測C13時(shí)，高壓線芯線和屏蔽帶高壓，CX線芯線和屏蔽都是低壓。測C2時(shí)，高壓線芯線和屏蔽、CX線芯線和屏蔽都是低壓。三、為什么先測量C13，再測量C2       大家知道，C13電容量較小，約2萬pF；c2電容量較大，至少4萬pF；CN為50pF標(biāo)準(zhǔn)電容器。測量C13時(shí)，C2和內(nèi)CN串連當(dāng)作標(biāo)準(zhǔn)電容器，根據(jù)電容串聯(lián)公式C串=(C2CN)/(C2+CN)，由于C2>>CN，C串CN，這樣C2對(duì)測量結(jié)果影響較小，可忽略不計(jì)。反之，如果先測C13，因C13容量較小，和內(nèi)CN串連后，會(huì)把C13的介損加進(jìn)去，

41、造成標(biāo)準(zhǔn)臂介損增大，引起C2介損減小，造成測量誤差。四、自激法時(shí)高壓線拖地會(huì)引起介損增大    自激法時(shí)高壓線應(yīng)懸空不能接觸地面，否則其對(duì)地附加介損會(huì)引起介損增大，可用細(xì)電纜連接高壓插座與CVT試品并吊起。         上圖藍(lán)色框內(nèi)為電纜拖地時(shí)附加雜散電容的RC串聯(lián)模型，使點(diǎn)的電壓UN超前變成UN'，相應(yīng)的IN變成IN'，Ix相位不變，造成角增大，既介質(zhì)損耗增大。感興趣的用戶也可用公式推導(dǎo)出來。正接線測量時(shí)高壓輸出線用"皮兒"

42、還是"芯兒"?（泛華電子）用AI-6000做正接線測量時(shí)，一般用高壓輸出線的屏蔽端輸出高壓，即用"皮兒"。高壓線的屏蔽端是從儀器內(nèi)部試驗(yàn)變壓器高壓端直接引出，沒有阻抗。而高壓線的芯線在儀器內(nèi)部串聯(lián)了一個(gè)<2的采樣電阻，輸出高壓時(shí)會(huì)有分壓影響，在測量大容量試品時(shí)，如40000P，介損會(huì)增大<0.005%。所以說在現(xiàn)場正接線測量時(shí)的高壓線，最好是單接屏蔽、也可芯線和屏蔽一塊接，只接芯線稍微有些誤差但也完全可以接受。在試驗(yàn)室內(nèi)校驗(yàn)時(shí)，最好用高壓線的屏蔽端接試品高壓端。AI-6103型氧化鋅避雷器帶電測試儀用諧波含量分析氧化鋅避雷器的好壞（泛華電子）    氧化鋅避雷器在劣化的初期其內(nèi)部會(huì)產(chǎn)生局部放電，泄漏電流中會(huì)產(chǎn)生高頻分量。AI-6103型氧化鋅避雷器 帶電測試儀內(nèi)置了諧波分析功能，采用快速傅立葉變換把高次諧波定量的分離出來，得到1399次諧波信息，并分組顯示結(jié)果，就可以檢查局部放電的嚴(yán)重程度。可以在同類型MOA之間作橫向比較，數(shù)值異常增加的可用其它方法綜合檢測。儀器推薦以下三個(gè)主要數(shù)據(jù)：1、總電流IxMOA受潮劣化會(huì)引起總電流的增加，雖然總電流的增加不如基波阻性電流靈敏，但仍能反映