矽力杰筆試題精編版_第1頁
矽力杰筆試題精編版_第2頁
矽力杰筆試題精編版_第3頁
全文預覽已結(jié)束

下載本文檔

版權(quán)說明：本文檔由用戶提供并上傳，收益歸屬內(nèi)容提供方，若內(nèi)容存在侵權(quán)，請進行舉報或認領(lǐng)

文檔簡介

前三題為必做題，全為英文描述題干1、寫出電阻R、電容 C、電感 L 的 V/I 關(guān)系式；2、給出 VB 的電壓值求NPN 型三極管的 VC 、 VE (晶體管的開啟電壓為0.7v)VbVeVc010.7v20.7v3.在滿足深度負反饋的條件下，求出以下放大電路的VO .整份試卷包含所有面試方向的題，最后一部分是IC layout 方向的筆試題：11.簡述 CMOS 的工藝流程2.給出 nand2 的管級圖畫出其layout 。3.下圖電路圖中有兩個 MOSFET （ MA and MB) 假設(shè)每個 MOSFET 有兩個 gate finger ，右下版圖應如何連接，才能使 MA and MB 匹配。4.畫出不同的電流鏡圖，并簡述各自特點。面試時問到的問題技術(shù)部：1.晶體管的工作原理2.你在青軟實訓學到了什么3.你覺得怎樣布局、布線，該注意哪些方面4.Latch-up 的原理，形成示意圖并提取其電路圖5.ESD 的工作原理，做ESD 時你覺得應該注意哪些方面。負責人：一直不停地從你回答的話中找問題，問問題，1. 自對準工藝（ SALICIDE）原理，后做柵會出現(xiàn)什么后果2.CMOS的工藝流程23.Latch-up的原理以及防止措施，Guard ring的作用，保護作用具體是怎樣做

溫馨提示

  • 1. 本站所有資源如無特殊說明，都需要本地電腦安裝OFFICE2007和PDF閱讀器。圖紙軟件為CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.壓縮文件請下載最新的WinRAR軟件解壓。
  • 2. 本站的文檔不包含任何第三方提供的附件圖紙等，如果需要附件，請聯(lián)系上傳者。文件的所有權(quán)益歸上傳用戶所有。
  • 3. 本站RAR壓縮包中若帶圖紙，網(wǎng)頁內(nèi)容里面會有圖紙預覽，若沒有圖紙預覽就沒有圖紙。
  • 4. 未經(jīng)權(quán)益所有人同意不得將文件中的內(nèi)容挪作商業(yè)或盈利用途。
  • 5. 人人文庫網(wǎng)僅提供信息存儲空間，僅對用戶上傳內(nèi)容的表現(xiàn)方式做保護處理，對用戶上傳分享的文檔內(nèi)容本身不做任何修改或編輯，并不能對任何下載內(nèi)容負責。
  • 6. 下載文件中如有侵權(quán)或不適當內(nèi)容，請與我們聯(lián)系，我們立即糾正。
  • 7. 本站不保證下載資源的準確性、安全性和完整性, 同時也不承擔用戶因使用這些下載資源對自己和他人造成任何形式的傷害或損失。

評論

0/150

提交評論