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文檔簡介

前三題為必做題，全為英文描述題干1、寫出電阻R、電容 C、電感 L 的 V/I 關(guān)系式；2、給出 VB 的電壓值求NPN 型三極管的 VC 、 VE (晶體管的開啟電壓為0.7v)VbVeVc010.7v20.7v3.在滿足深度負(fù)反饋的條件下，求出以下放大電路的VO .整份試卷包含所有面試方向的題，最后一部分是IC layout 方向的筆試題：11.簡述 CMOS 的工藝流程2.給出 nand2 的管級(jí)圖畫出其layout 。3.下圖電路圖中有兩個(gè) MOSFET （ MA and MB) 假設(shè)每個(gè) MOSFET 有兩個(gè) gate finger ，右下版圖應(yīng)如何連接，才能使 MA and MB 匹配。4.畫出不同的電流鏡圖，并簡述各自特點(diǎn)。面試時(shí)問到的問題技術(shù)部：1.晶體管的工作原理2.你在青軟實(shí)訓(xùn)學(xué)到了什么3.你覺得怎樣布局、布線，該注意哪些方面4.Latch-up 的原理，形成示意圖并提取其電路圖5.ESD 的工作原理，做ESD 時(shí)你覺得應(yīng)該注意哪些方面。負(fù)責(zé)人：一直不停地從你回答的話中找問題，問問題，1. 自對(duì)準(zhǔn)工藝（ SALICIDE）原理，后做柵會(huì)出現(xiàn)什么后果2.CMOS的工藝流程23.Latch-up的原理以及防止措施，Guard ring的作用，保護(hù)作用具體是怎樣做

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