第一階段 專題六 物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)——立體化

1、備考策略指導(dǎo)知識(shí)升級(jí)知識(shí)點(diǎn)一知識(shí)點(diǎn)二知識(shí)點(diǎn)三難點(diǎn)速通課時(shí)檢測(cè)高考前沿快訊考什么考點(diǎn)鎖定怎么考課堂課堂強(qiáng)化落實(shí)第一階段專題六課下課下達(dá)標(biāo)檢測(cè) 縱觀近年的高考試題，除個(gè)別省份外，本專題的內(nèi)容屬于縱觀近年的高考試題，除個(gè)別省份外，本專題的內(nèi)容屬于高考選考內(nèi)容，命題較為獨(dú)立，試題的綜合性較強(qiáng)，但是難度并高考選考內(nèi)容，命題較為獨(dú)立，試題的綜合性較強(qiáng)，但是難度并不大。選考模塊中物質(zhì)結(jié)構(gòu)一般是一個(gè)大題，主要以填空和簡(jiǎn)答不大。選考模塊中物質(zhì)結(jié)構(gòu)一般是一個(gè)大題，主要以填空和簡(jiǎn)答題的形式出現(xiàn)，主要題型為有關(guān)原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)型、有關(guān)分子結(jié)題的形式出現(xiàn)，主要題型為有關(guān)原子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)型、有關(guān)分子結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的應(yīng)用型、有關(guān)晶

2、體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的應(yīng)用型、有關(guān)物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的應(yīng)用型、有關(guān)晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的應(yīng)用型、有關(guān)物質(zhì)結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的綜合應(yīng)用型。構(gòu)與性質(zhì)的綜合應(yīng)用型。 此類型題目往往通過(guò)元素推斷入手，考查原子結(jié)構(gòu)的知識(shí)，此類型題目往往通過(guò)元素推斷入手，考查原子結(jié)構(gòu)的知識(shí)，結(jié)合推斷出的元素考查元素周期表中元素性質(zhì)的遞變規(guī)律，對(duì)電結(jié)合推斷出的元素考查元素周期表中元素性質(zhì)的遞變規(guī)律，對(duì)電負(fù)性和電離能的考查是元素性質(zhì)考查的重點(diǎn)。以推斷得到的重要負(fù)性和電離能的考查是元素性質(zhì)考查的重點(diǎn)。以推斷得到的重要元素為載體，考查原子或離子的電子排布式；以推斷出的元素形元素為載體，考查原子或離子的電子排布式；以推斷出的元素形成的化合物為載體考查化學(xué)鍵

3、、分子結(jié)構(gòu)及晶體知識(shí)。成的化合物為載體考查化學(xué)鍵、分子結(jié)構(gòu)及晶體知識(shí)。 在備考過(guò)程中，熟記在備考過(guò)程中，熟記136號(hào)元素的符號(hào)、名稱及電子號(hào)元素的符號(hào)、名稱及電子排布式，延伸記憶其主要離子的電子排布式，能夠較好地理排布式，延伸記憶其主要離子的電子排布式，能夠較好地理解其電子排布圖解其電子排布圖(軌道表示式軌道表示式)。熟練掌握電負(fù)性、電離能的。熟練掌握電負(fù)性、電離能的概念及其變化規(guī)律，并能用于常見(jiàn)元素的比較，解釋某些元概念及其變化規(guī)律，并能用于常見(jiàn)元素的比較，解釋某些元素的性質(zhì)，注意規(guī)律之外的某些特殊性質(zhì)的解釋。素的性質(zhì)，注意規(guī)律之外的某些特殊性質(zhì)的解釋。 分子的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)涉及分子構(gòu)型與結(jié)構(gòu)的

4、關(guān)系、價(jià)層電分子的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)涉及分子構(gòu)型與結(jié)構(gòu)的關(guān)系、價(jià)層電子對(duì)互斥理論、雜化軌道理論、預(yù)測(cè)簡(jiǎn)單分子的結(jié)構(gòu)、分子子對(duì)互斥理論、雜化軌道理論、預(yù)測(cè)簡(jiǎn)單分子的結(jié)構(gòu)、分子的極性、分子間作用力對(duì)分子性質(zhì)的影響等，內(nèi)容難懂難記，的極性、分子間作用力對(duì)分子性質(zhì)的影響等，內(nèi)容難懂難記，且易混淆的內(nèi)容較多。在復(fù)習(xí)過(guò)程中，建議牢記各種規(guī)則的且易混淆的內(nèi)容較多。在復(fù)習(xí)過(guò)程中，建議牢記各種規(guī)則的具體內(nèi)容，在實(shí)際運(yùn)用中逐漸培養(yǎng)思維理解能力和空間想象具體內(nèi)容，在實(shí)際運(yùn)用中逐漸培養(yǎng)思維理解能力和空間想象能力。能力。 對(duì)于晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)，應(yīng)該重點(diǎn)掌握四類晶體的構(gòu)對(duì)于晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)，應(yīng)該重點(diǎn)掌握四類晶體的構(gòu)成微粒、微粒間

5、的作用力、影響晶體性質(zhì)的結(jié)構(gòu)因素成微粒、微粒間的作用力、影響晶體性質(zhì)的結(jié)構(gòu)因素(如影如影響熔點(diǎn)高低的微粒間作用力的種類、晶體中各種幾何關(guān)系、響熔點(diǎn)高低的微粒間作用力的種類、晶體中各種幾何關(guān)系、晶體密度或相對(duì)分子質(zhì)量的計(jì)算等晶體密度或相對(duì)分子質(zhì)量的計(jì)算等)、晶胞、晶胞(晶體結(jié)構(gòu)單元晶體結(jié)構(gòu)單元)的的基本知識(shí)。在復(fù)習(xí)過(guò)程中熟記幾類典型晶體的空間結(jié)構(gòu)，牢基本知識(shí)。在復(fù)習(xí)過(guò)程中熟記幾類典型晶體的空間結(jié)構(gòu)，牢記其空間中微粒的排列方式。記其空間中微粒的排列方式。 1原子結(jié)構(gòu)與元素的性質(zhì)原子結(jié)構(gòu)與元素的性質(zhì) (1)了解原子核外電子的能級(jí)分布，能用電子排布式表示了解原子核外電子的能級(jí)分布，能用電子排布式表示常

6、見(jiàn)元素常見(jiàn)元素(136號(hào)號(hào))原子核外電子的排布，了解原子核外電子原子核外電子的排布，了解原子核外電子運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。運(yùn)動(dòng)狀態(tài)。 (2)了解元素電離能的含義，并能用以說(shuō)明元素的某些了解元素電離能的含義，并能用以說(shuō)明元素的某些性質(zhì)。性質(zhì)。 (3)了解原子核外電子在一定條件下會(huì)發(fā)生躍遷，了解其了解原子核外電子在一定條件下會(huì)發(fā)生躍遷，了解其簡(jiǎn)單應(yīng)用。簡(jiǎn)單應(yīng)用。 (4)了解電負(fù)性的概念，知道元素的性質(zhì)與電負(fù)性的關(guān)系。了解電負(fù)性的概念，知道元素的性質(zhì)與電負(fù)性的關(guān)系。 2化學(xué)鍵與物質(zhì)的性質(zhì)化學(xué)鍵與物質(zhì)的性質(zhì) (1)理解離子鍵的形成，能根據(jù)離子化合物的結(jié)構(gòu)特征解釋其理解離子鍵的形成，能根據(jù)離子化合物的結(jié)構(gòu)特征解釋其

7、物理性質(zhì)。物理性質(zhì)。 (2)了解共價(jià)鍵的主要類型了解共價(jià)鍵的主要類型鍵和鍵和鍵，能用鍵能、鍵長(zhǎng)、鍵角鍵，能用鍵能、鍵長(zhǎng)、鍵角等說(shuō)明簡(jiǎn)單分子的某些性質(zhì)。等說(shuō)明簡(jiǎn)單分子的某些性質(zhì)。 (3)了解簡(jiǎn)單配合物的成鍵情況。了解簡(jiǎn)單配合物的成鍵情況。 (4)了解原子晶體的特征，能描述金剛石、二氧化硅等原子晶了解原子晶體的特征，能描述金剛石、二氧化硅等原子晶體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系。體的結(jié)構(gòu)與性質(zhì)的關(guān)系。 (5)理解金屬鍵的含義，能用金屬鍵理論解釋金屬的一些物理理解金屬鍵的含義，能用金屬鍵理論解釋金屬的一些物理性質(zhì)。性質(zhì)。 (6)了解雜化軌道理論及常見(jiàn)的雜化軌道類型了解雜化軌道理論及常見(jiàn)的雜化軌道類型(sp，sp

8、2，sp3)，能用價(jià)層電子對(duì)互斥理論或者雜化軌道理論推測(cè)常見(jiàn)的簡(jiǎn)單分子能用價(jià)層電子對(duì)互斥理論或者雜化軌道理論推測(cè)常見(jiàn)的簡(jiǎn)單分子或者離子的空間結(jié)構(gòu)?；蛘唠x子的空間結(jié)構(gòu)。 3分子間作用力與物質(zhì)的性質(zhì)分子間作用力與物質(zhì)的性質(zhì) (1)了解化學(xué)鍵和分子間作用力的區(qū)別。了解化學(xué)鍵和分子間作用力的區(qū)別。 (2)了解氫鍵的存在對(duì)物質(zhì)的影響，能列舉含有氫鍵的了解氫鍵的存在對(duì)物質(zhì)的影響，能列舉含有氫鍵的物質(zhì)。物質(zhì)。 (3)了解分子晶體與原子晶體、離子晶體、金屬晶體的了解分子晶體與原子晶體、離子晶體、金屬晶體的結(jié)構(gòu)粒子及粒子間作用力的區(qū)別。結(jié)構(gòu)粒子及粒子間作用力的區(qū)別。 本專題在高考中屬于選考內(nèi)容，在新課標(biāo)的高考試

9、題中，本專題在高考中屬于選考內(nèi)容，在新課標(biāo)的高考試題中，以填空題的形式命題，題目?jī)?nèi)容主要是以元素周期表為依據(jù)，以填空題的形式命題，題目?jī)?nèi)容主要是以元素周期表為依據(jù)，將原子結(jié)構(gòu)、分子結(jié)構(gòu)、晶體結(jié)構(gòu)融為一體進(jìn)行考查，題目將原子結(jié)構(gòu)、分子結(jié)構(gòu)、晶體結(jié)構(gòu)融為一體進(jìn)行考查，題目中等難度，考生的得分率較高，主要考點(diǎn)有電子排布式，軌中等難度，考生的得分率較高，主要考點(diǎn)有電子排布式，軌道表達(dá)式，判斷成鍵類型，分子構(gòu)型，晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)，分道表達(dá)式，判斷成鍵類型，分子構(gòu)型，晶體結(jié)構(gòu)與性質(zhì)，分子極性，軌道的雜化方式，氫鍵對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響，物質(zhì)熔子極性，軌道的雜化方式，氫鍵對(duì)物質(zhì)性質(zhì)的影響，物質(zhì)熔沸點(diǎn)高低的比較等內(nèi)容

10、。沸點(diǎn)高低的比較等內(nèi)容。1.基態(tài)原子的核外電子排布基態(tài)原子的核外電子排布(1)排布規(guī)律：排布規(guī)律：能量最能量最低原理低原理原子核外電子總是先占有能量最低的原子軌道原子核外電子總是先占有能量最低的原子軌道泡利原理泡利原理 每個(gè)原子軌道上最多只容納每個(gè)原子軌道上最多只容納2個(gè)自旋方向相反的電子個(gè)自旋方向相反的電子洪特規(guī)則洪特規(guī)則當(dāng)電子排布在能量相同的不同軌道時(shí)，基態(tài)原子中當(dāng)電子排布在能量相同的不同軌道時(shí)，基態(tài)原子中的電子總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道，而且自旋狀態(tài)的電子總是優(yōu)先單獨(dú)占據(jù)一個(gè)軌道，而且自旋狀態(tài)相同相同 (2)表示形式：表示形式： 電子排布式：用數(shù)字在能級(jí)符號(hào)右上角標(biāo)明該能級(jí)上電子排布式：用

11、數(shù)字在能級(jí)符號(hào)右上角標(biāo)明該能級(jí)上排布的電子數(shù)。如排布的電子數(shù)。如K：1s22s22p63s23p64s1或或Ar4s1。 電子排布圖電子排布圖(軌道表示式軌道表示式)：每個(gè)小框：每個(gè)小框(或圓圈或圓圈)代表一代表一個(gè)原子軌道，每個(gè)箭頭代表一個(gè)電子，如碳原子的電子排布個(gè)原子軌道，每個(gè)箭頭代表一個(gè)電子，如碳原子的電子排布圖為圖為 特別提醒特別提醒 洪特通過(guò)光譜實(shí)驗(yàn)得出：能量相近的原子軌道在全充滿、洪特通過(guò)光譜實(shí)驗(yàn)得出：能量相近的原子軌道在全充滿、半充滿和全空時(shí)體系能量較低，原子較穩(wěn)定。如半充滿和全空時(shí)體系能量較低，原子較穩(wěn)定。如Cr原子的電子原子的電子排布式為排布式為Ar3d54s1，Cu原子的電

12、子排布式為原子的電子排布式為Ar3d104s1。 2元素電離能、電負(fù)性的變化規(guī)律元素電離能、電負(fù)性的變化規(guī)律 (1)電離能的變化規(guī)律：電離能的變化規(guī)律： 同一元素：同一元素：I1I2SSe。 (3)Se位于第四周期，與位于第四周期，與S的原子序數(shù)相差的原子序數(shù)相差18，故其原子序，故其原子序數(shù)為數(shù)為34。由于其核外。由于其核外M層有層有18個(gè)電子，故個(gè)電子，故M層的電子排布式層的電子排布式為為3s23p63d10。 答題與審題中的常見(jiàn)錯(cuò)誤答題與審題中的常見(jiàn)錯(cuò)誤 (1)在寫(xiě)基態(tài)原子的電子排布圖在寫(xiě)基態(tài)原子的電子排布圖(軌道表示式軌道表示式)時(shí)，常出現(xiàn)時(shí)，常出現(xiàn)以下錯(cuò)誤：以下錯(cuò)誤： (2)當(dāng)出現(xiàn)當(dāng)

13、出現(xiàn)d軌道時(shí)，雖然電子按軌道時(shí)，雖然電子按ns，(n1)d, np順序填充，順序填充，但在書(shū)寫(xiě)電子排布式時(shí)，仍把但在書(shū)寫(xiě)電子排布式時(shí)，仍把(n1)d放在放在ns前，如前，如Fe：1s22s22p63s23p63d64s2正確；正確；Fe：1s22s22p63s23p64s23d6錯(cuò)誤。錯(cuò)誤。 (3)極性分子中也可能含有非極性鍵，如極性分子中也可能含有非極性鍵，如H2O2的分子結(jié)構(gòu)并不的分子結(jié)構(gòu)并不是直線型的，其中兩個(gè)氫原子就像在展開(kāi)的書(shū)本的兩頁(yè)紙上，氧是直線型的，其中兩個(gè)氫原子就像在展開(kāi)的書(shū)本的兩頁(yè)紙上，氧原子在書(shū)的夾縫上，為極性分子，但原子在書(shū)的夾縫上，為極性分子，但OO鍵屬于非極性共鍵屬于

14、非極性共價(jià)鍵。價(jià)鍵。 (4)比較物質(zhì)熔、沸點(diǎn)高低時(shí)誤認(rèn)為：原子晶體離子晶體比較物質(zhì)熔、沸點(diǎn)高低時(shí)誤認(rèn)為：原子晶體離子晶體金屬晶體分子晶體總是成立的。金屬晶體分子晶體總是成立的。 離子晶體的熔點(diǎn)不一定低于原子晶體，如熔點(diǎn)：離子晶體的熔點(diǎn)不一定低于原子晶體，如熔點(diǎn)：MgOSiO2。 金屬晶體的熔點(diǎn)不一定高于分子晶體，如熔點(diǎn)：金屬晶體的熔點(diǎn)不一定高于分子晶體，如熔點(diǎn)：SHg(Hg常常溫下為液體溫下為液體)。 (5)認(rèn)為形成氫鍵，物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)一定升高。分子間認(rèn)為形成氫鍵，物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)一定升高。分子間氫鍵的存在使物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)升高，但當(dāng)形成分子內(nèi)氫鍵時(shí)，氫鍵的存在使物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)升高，但當(dāng)形成分子內(nèi)

15、氫鍵時(shí)，物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)并不升高。物質(zhì)的熔、沸點(diǎn)并不升高。 (6)中心原子采取中心原子采取sp3雜化軌道成鍵的分子，其幾何構(gòu)型雜化軌道成鍵的分子，其幾何構(gòu)型不一定都是正四面體。凡中心原子采取不一定都是正四面體。凡中心原子采取sp3雜化的軌道構(gòu)型都雜化的軌道構(gòu)型都是正四面體形，但是根據(jù)孤對(duì)電子占據(jù)雜化軌道數(shù)目的多少，是正四面體形，但是根據(jù)孤對(duì)電子占據(jù)雜化軌道數(shù)目的多少，造成了其分子幾何構(gòu)型可以呈現(xiàn)造成了其分子幾何構(gòu)型可以呈現(xiàn)V形形(如水分子如水分子)、三角錐形、三角錐形(如氨分子如氨分子)。典例示法典例示法(2012浙江高考浙江高考)請(qǐng)?jiān)跇?biāo)有序號(hào)的空白處填空。請(qǐng)?jiān)跇?biāo)有序號(hào)的空白處填空。(1)可正確

16、表示原子軌道的是可正確表示原子軌道的是 。A2sB2dC3pz D3f(2)寫(xiě)出基態(tài)鎵寫(xiě)出基態(tài)鎵(Ga)原子的電子排布式：原子的電子排布式： 。 (4)下列物質(zhì)中，只含有極性鍵的分子是下列物質(zhì)中，只含有極性鍵的分子是 ，既含離子，既含離子鍵又含共價(jià)鍵的化合物是鍵又含共價(jià)鍵的化合物是 ；只存在；只存在鍵的分子是鍵的分子是 ，同時(shí)存在同時(shí)存在鍵和鍵和鍵的分子是鍵的分子是 。 AN2 BCO2 CCH2Cl2 DC2H4 EC2H6 FCaCl2 GNH4Cl (5)用用“”、“”或或“”填空：填空： 第一電離能的大小：第一電離能的大?。篗g Al；熔點(diǎn)的高低：；熔點(diǎn)的高低：KClMgO。 解析解析

17、(1)L層無(wú)層無(wú)2d軌道，軌道，M層無(wú)層無(wú)3f軌道。軌道。 (2)Ga的原子序數(shù)為的原子序數(shù)為31，基態(tài)，基態(tài)Ga原子的電子排布式為原子的電子排布式為Ar3d104s24p1。 (3)A、E兩項(xiàng)只與范德華力有關(guān)，兩項(xiàng)只與范德華力有關(guān)，B、C、D三項(xiàng)還與氫三項(xiàng)還與氫鍵有關(guān)；鍵有關(guān)；F項(xiàng)破壞了共價(jià)鍵。項(xiàng)破壞了共價(jià)鍵。 (4)AG的結(jié)構(gòu)式或電子式分別為的結(jié)構(gòu)式或電子式分別為 單鍵都是單鍵都是鍵，鍵，鍵存在于雙鍵和叁鍵中。鍵存在于雙鍵和叁鍵中。 (5)同周期中同周期中A、A元素的第一電離能反常，故第一元素的第一電離能反常，故第一電離能電離能MgAl；熔點(diǎn)；熔點(diǎn)KClMgO，因?yàn)槎呔鶠殡x子晶體，因?yàn)槎?/p>

18、者均為離子晶體，但但MgO晶格能大。晶格能大。 答案答案A、C1s22s22p63s23p63d104s24p1 AEBCGCEABD即時(shí)應(yīng)用即時(shí)應(yīng)用由氧化物經(jīng)氯化作用生成氯化物是工業(yè)生產(chǎn)氯化物的常用方法，由氧化物經(jīng)氯化作用生成氯化物是工業(yè)生產(chǎn)氯化物的常用方法，Cl2、CCl4是常用的氯化劑。如：是常用的氯化劑。如：2Na2O 2Cl2=4NaClO2、2CaO2Cl2=2CaCl2O2、SiO22CCl4=SiCl42COCl2、Cr2O33CCl4=2CrCl33COCl2。請(qǐng)回答下列問(wèn)題：請(qǐng)回答下列問(wèn)題：(1)Cr2O3、CrCl3中中Cr均為均為3價(jià)，寫(xiě)出價(jià)，寫(xiě)出Cr3的基態(tài)電子排布的基態(tài)電子排布式式_。 (2)CCl4分子中分子中C原子采取原子采取_雜化成鍵，雜化成鍵，屬于屬于_(填填“極性極性”或或“非極性