華東交通大學(xué)本科畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)模版

1、本科畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）格式模板本彩頁(yè)封面僅為電子稿樣本，文本裝訂時(shí)請(qǐng)以班為單位到教材科領(lǐng)取紙質(zhì)封面及資料袋后再裝訂畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）誠(chéng)信聲明本人鄭重聲明：所呈交的畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）是我個(gè)人在導(dǎo)師指導(dǎo)下進(jìn)行的研究工作及取得的研究成果。就我所知，除了文中特別加以標(biāo)注和致謝的地方外，論文中不包含其他人已經(jīng)發(fā)表和撰寫的研究成果，也不包含為獲得華東交通大學(xué)或其他教育機(jī)構(gòu)的學(xué)位或證書所使用過的材料。如在文中涉及抄襲或剽竊行為，本人愿承擔(dān)由此而造成的一切后果及責(zé)任。本人簽名_ 導(dǎo)師簽名_年 月 日華東交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）任務(wù)書姓名學(xué)號(hào)畢業(yè)屆別專業(yè)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）題目指導(dǎo)教師學(xué) 歷職 稱具體要求：進(jìn)度安排： 指

2、導(dǎo)教師簽字： 年 月 日教研室意見： 教研室主任簽字： 年 月 日題目發(fā)出日期設(shè)計(jì)（論文）起止時(shí)間附注：華東交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）開題報(bào)告書課題名稱課題來源課題類型導(dǎo) 師學(xué)生姓名學(xué) 號(hào)專 業(yè)開題報(bào)告內(nèi)容： 方法及預(yù)期目的： 指導(dǎo)教師簽名： 日期：課題類型：（1）A工程設(shè)計(jì)；B技術(shù)開發(fā)；C軟件工程；D理論研究； （2）X真實(shí)課題；Y模擬課題；Z虛擬課題 （1）、（2）均要填，如AY、BX等。華東交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)評(píng)閱書(1)姓名學(xué)號(hào)專業(yè)畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)題目指導(dǎo)教師評(píng)語：得分指導(dǎo)教師簽字：年 月 日評(píng)閱人評(píng)語：得分評(píng)閱人簽字：年 月 日等級(jí)華東交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)評(píng)閱書(2)姓名學(xué)號(hào)專

3、業(yè)畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)題目答辯小組評(píng)語：等級(jí) 組長(zhǎng)簽字：年 月 日答辯委員會(huì)意見： 等級(jí) 答辯委員會(huì)主任簽字：年 月 日（學(xué)院公章）注：答辯小組根據(jù)評(píng)閱人的評(píng)閱簽署意見、初步評(píng)定成績(jī)，交答辯委員會(huì)審定，蓋學(xué)院公章。“等級(jí)”用優(yōu)、良、中、及、不及五級(jí)制（可按學(xué)院制定的畢業(yè)設(shè)計(jì)(論文)成績(jī)?cè)u(píng)定辦法評(píng)定最后成績(jī)）。華東交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）答辯記錄姓名學(xué)號(hào)畢業(yè)屆別專業(yè)題目答辯時(shí)間答辯組成員（簽字）：答辯記錄： 記錄人（簽字）： 年 月 日 答辯小組組長(zhǎng)（簽字）：年 月 日附注：摘要中文摘要：獨(dú)占一頁(yè)；論文題目用小2號(hào)黑體字、居中頁(yè)眉：中文宋體，小五號(hào)，居中III-族氮化物及其高亮度藍(lán)光宋體，5號(hào)，對(duì)齊

4、居中LED外延片的MOCVD生長(zhǎng)和性質(zhì)研究"摘要"用3號(hào)黑體字、居中專 業(yè)： 學(xué) 號(hào)：學(xué)生姓名： 指導(dǎo)教師： 摘要正文用小4號(hào)宋體字 寬禁帶III族氮化物半導(dǎo)體材料在短波長(zhǎng)高亮度發(fā)光器件、短波長(zhǎng)激光器、光探測(cè)器以及高頻和大功率電子器件等方面有著廣泛的應(yīng)用前景。自1994年日本日亞化學(xué)工業(yè)公司率先在國(guó)際上突破了GaN基藍(lán)光LED外延材料生長(zhǎng)技術(shù)以來，美、日等國(guó)十余家公司相繼報(bào)導(dǎo)掌握了這項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)，并分別實(shí)現(xiàn)了批量或小批量生產(chǎn)GaN基LED。盡管如此，這項(xiàng)高技術(shù)仍處于高度保密狀態(tài)，材料生長(zhǎng)的關(guān)鍵思想及核心技術(shù)仍未公開，還無法從參考文獻(xiàn)及專利公報(bào)中獲取最重要的材料生長(zhǎng)信息。本論文

5、就是在這種情況下立題的，旨在研究GaN基材料生長(zhǎng)中的物理及化學(xué)問題，為生長(zhǎng)可商品化的高亮度GaN基LED外延材料提供科學(xué)依據(jù)。本文在自制常壓MOCVD和英國(guó)進(jìn)口MOCVD系統(tǒng)上對(duì)III族氮化物的生長(zhǎng)機(jī)理進(jìn)行了研究，對(duì)材料的性能進(jìn)行了表征。通過設(shè)計(jì)并優(yōu)化外延片多層結(jié)構(gòu)，生長(zhǎng)的藍(lán)光LED外延片質(zhì)量達(dá)到了目前國(guó)際上商品化的中高檔水平。并獲得了如下有創(chuàng)新和有意義的研究結(jié)果：1首次提出了采用偏離化學(xué)計(jì)量比的緩沖層在大晶格失配的襯底上生長(zhǎng)單晶膜的思想，并在GaN外延生長(zhǎng)上得以實(shí)現(xiàn)。采用這種緩沖層，顯著改善了GaN外延膜的結(jié)晶性能，使GaN基藍(lán)光LED器件整體性能大幅度提高，大大降低了GaN基藍(lán)光LED的反

6、向漏電流，降低了正向工作電壓，提高了光輸出功率。本文得到了國(guó)家863計(jì)劃、國(guó)家自然科學(xué)基金以及教育部發(fā)光材料與器件工程研究中心項(xiàng)目的資助。關(guān)鍵詞用小4號(hào)黑體字、居左頂格、單獨(dú)占行，關(guān)鍵詞之間用分號(hào)間隔 關(guān)鍵詞：氮化物； MOCVD； LED；盧瑟福背散射溝道；光致發(fā)光；光透射譜 - 31 -Abstract頁(yè)眉：外文Times New Roman字體，五號(hào)，居中的居中英文摘要：獨(dú)占一頁(yè)；論文題目用Times New Roman字體小2號(hào)加粗、居中Study on MOCVD growth and properties of III-nitrides and high brightness bl

7、ue LED wafers" ABSTRACT"用Times New Roman字體3號(hào)加粗、居中Abstract正文用Times New Roman字體小4號(hào) GaN based - nitrides have potential applications on high brightness LEDs, short wavelength lasers, ultraviolet detectors, high temperature and high power electronic devices. Study on physics issues and technol

8、ogies of nitrides open a new area of 3th generation semiconductor.More than ten companies in America and Japan reported to have developed the nitrides growth technology since Nichia company in Japan first realized the commercialization of GaN based blue LED in 1994.In this thesis,GaN and its ternary

9、 were grown by a home-made atmosphere pressure metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD) and Thomas Swan 6×2” MOCVD systems. High bright blue LED wafers were obtained by optimizing the nitrides growth technology and wafer structure. Some encouraging results are following as:1. We present t

10、he idea of using a buffer layer of deviation from stoichiometry for materials growth on large lattice mismatch substrates. This idea was realized in nitrides growth in this thesis. The epilayer crystalline quality was improved and the dislocation density was decreased by using GaN low and high tempe

11、rature buffer layers of deviation from stoichiometry. The RBS/channeling spectra exhibited that the minimum yield min of GaN layers was just only 1.5%. The leak electric current of GaN based LED was obviously decreased and lower than 1A at 5 volt reverse voltage by using this new buffer technology.T

12、his work was supported by 863 program in China.關(guān)鍵詞用Times New Roman小4號(hào)加粗、居左頂格、單獨(dú)占行，關(guān)鍵詞之間用分號(hào)間隔 Keyword: Nitrides；MOCVD；LED；Photoluminescence；RBS/channeling；Optical absorption目錄頁(yè)眉：中文宋體，小五號(hào)，居中目錄"目錄"用小2號(hào)黑體字、居中摘要Abstract第一章 GaN基半導(dǎo)體材料及器件進(jìn)展（多數(shù)文章為“緒論”）11 .1 III族氮化物材料及其器件的進(jìn)展與應(yīng)用11. 2 III族氮化物的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì)4

13、1. 3 摻雜和雜質(zhì)特性121. 4 氮化物材料的制備131. 5 氮化物器件191. 6 GaN基材料與其它材料的比較22目錄內(nèi)容最少列出第一級(jí)標(biāo)題（章）和第二級(jí)標(biāo)題（節(jié)）；前者用4號(hào)黑體字，后者用4號(hào)宋體字，第三級(jí)標(biāo)題用4號(hào)楷體字，居左頂格、單獨(dú)占行，每一級(jí)標(biāo)題后應(yīng)標(biāo)明起始頁(yè)碼1. 7 本論文工作的內(nèi)容與安排24第二章 氮化物MOCVD生長(zhǎng)系統(tǒng)和生長(zhǎng)工藝31 2. 1 MOCVD材料生長(zhǎng)機(jī)理31 2. 2本論文氮化物生長(zhǎng)所用的MOCVD設(shè)備32結(jié)論136參考文獻(xiàn)（References）138致謝150頁(yè)眉：奇數(shù)頁(yè)書寫“華東交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）”，用宋體小五號(hào)書寫華東交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論

14、文）節(jié)標(biāo)題：中文宋體，英文Times New Roman，四號(hào)居左第一章 GaN基半導(dǎo)體材料及器件進(jìn)展1 .1 III族氮化物材料及其器件的進(jìn)展與應(yīng)用正文文字：中文宋體，英文Times New Roman，小四，兩端對(duì)齊，段落首行左縮進(jìn)2個(gè)漢字符。章標(biāo)題：中文宋體，英文Times New Roman，四號(hào)居中 在科學(xué)技術(shù)的發(fā)展進(jìn)程中，材料永遠(yuǎn)扮演著重要角色。在與現(xiàn)代科技成就息息相關(guān)的千萬種材料中，半導(dǎo)體材料的作用尤其如此。以Si為代表的第一代半導(dǎo)體誕生于20世紀(jì)40年代末，它們促成了晶體管、集成電路和計(jì)算機(jī)的發(fā)明。以GaAs為代表的第二代半導(dǎo)體誕生于20世紀(jì)60年代，它們成為制作光電子器件的基

15、礎(chǔ)。III族氮化物半導(dǎo)體材料及器件研究歷時(shí)30余年，前20年進(jìn)展緩慢，后10年發(fā)展迅猛。由于III族氮化物特有的帶隙范圍，優(yōu)良的光、電性質(zhì)，優(yōu)異的材料機(jī)械和化學(xué)性能，使得它在短波長(zhǎng)光電子器件方面有著廣泛的應(yīng)用前景；并且非常適合制作抗輻射、高頻、大功率和高密度集成的電子器件。III族氮化物半導(dǎo)體材料已引起了國(guó)內(nèi)外眾多研究者的興趣。 表標(biāo)題置于表的上方，中文宋體，英文Times New Roman ，五號(hào)加粗居中，表序與表名文字之間空一個(gè)漢字符寬度；內(nèi)容：中文宋體，英文Times New Roman，五號(hào)。12 III族氮化物的基本結(jié)構(gòu)和性質(zhì) 表1-1 用不同技術(shù)得到的帶隙溫度系數(shù)、Eg0、ac和

16、T0的值樣品類型實(shí)驗(yàn)方法帶隙溫度系數(shù)dEg/dT(eV/K)T=300KEg0(eV)ac (eV/K)T0 (K)參考文獻(xiàn)GaN/Al2O3光致發(fā)光-5.32´10-43.5035.08´10-4-99661GaN/Al2O3光致發(fā)光¾3.4897.32´10-470059GaN/Al2O3光致發(fā)光-4.0´10-4¾-7.2´10-460062GaN/Al2O3光吸收-4.5´10-43.471-9.3´10-477263偶數(shù)頁(yè)書寫“學(xué)生姓名：畢業(yè)（論文）論文的題目”，用宋體小五號(hào)書寫，居中張三：II

17、I-族氮化物及其高亮度藍(lán)光LED外延片的MOCVD生長(zhǎng)和性質(zhì)研究加熱電阻氣流測(cè)溫元件測(cè)溫元件圖1-1 熱風(fēng)速計(jì)原理圖標(biāo)題置于圖的下方，中文宋體，英文Times New Roman ，五號(hào)加粗居中，圖序與圖名文字之間空一個(gè)漢字符寬度；內(nèi)容：中文宋體，英文Times New Roman，五號(hào)。華東交通大學(xué)畢業(yè)設(shè)計(jì)（論文）第二章 氮化物MOCVD生長(zhǎng)系統(tǒng)和生長(zhǎng)工藝2.1 MOCVD材料生長(zhǎng)機(jī)理轉(zhuǎn)換控制頻率信 號(hào) 源頻率控 制 器地址發(fā)生 器波形存儲(chǔ) 器轉(zhuǎn)換器濾波器頻率設(shè)置波形數(shù)據(jù)設(shè)置圖2-1 DDS方式AWG的工作流程張三：III-族氮化物及其高亮度藍(lán)光LED外延片的MOCVD生長(zhǎng)和性質(zhì)研究標(biāo)題：中

18、文宋體，4號(hào)，居中；英文Times New Roman，4號(hào)，居中。參考文獻(xiàn)1 WellMultiple-modulator fraction-n dividerPUS Patent，50381171986-02-02參考文獻(xiàn)正文用5號(hào)宋體字，英文Times New Roman，5號(hào)2 Brian MillerA multiple modulator fractionl dividerJIEEE Transaction on instrumentation and Measurement，1991，40(2)：578-5833 萬心平，張厥盛集成鎖相環(huán)路原理、特性、應(yīng)用M北京：人民郵電出版社，1990302-3074 MilerFrequency synthesizersPUS Patent，46098811991-08-065 Candy J CA use of double-integretion in sigma-delta modulationJIEEE Trans Commun，1985，3