單片晶體濾波器

1、單片晶體濾波器（單片晶體濾波器的）專業(yè)術(shù)語標(biāo)稱頻率：通常是指Fig.1中中間頻率的標(biāo)準(zhǔn)值，用于頻率參考的標(biāo)準(zhǔn)。Nom (IjAdB: AleenuatiHi whKh spocilkf lhe pau band width< .2 dB: AttewAUon * Iik1)spe<i.iLhrElUJEkM) tUJld、 idtllTS jvim I沖gt.iilHl«l«Ci114*1Hwanifilir the通帶寬度：這是一個(gè)頻率間隔，這時(shí)的相對衰耗等于或低于指定的衰耗值 帶內(nèi)波動(dòng)：這是通帶內(nèi)中達(dá)到最高衰耗時(shí)，最大和最小損耗之間的最大差 值插入損耗：這是

2、區(qū)分濾波器插入和未插入時(shí)的衰耗值的，它可分為最小損 耗和恒定損耗。最小損耗是指插入損耗的最小值，恒定損耗是指在標(biāo)稱頻 率時(shí)的損耗。兩者都可作為衰耗的參考標(biāo)準(zhǔn)，通常將最小損耗作為標(biāo)準(zhǔn)。 阻帶寬度：指相對衰耗等于或高于指定值時(shí)，此時(shí)的頻率間隔值。固定衰耗和帶寬：這是指在衰耗帶寬中一定會(huì)存在的相對損耗和頻率間 隔。終端阻抗：這是電源阻抗或負(fù)載阻抗對濾波器自身在造成的阻抗值，它通 常被指定為電阻和等效電阻。耦合電容：為4極濾波器原理前后連接的電容。平衡型和不平衡型：平衡型是指一對終端的任何一個(gè)都不會(huì)連接到容器中；不平衡型則是指一對終端中的其中一個(gè)會(huì)連接到容器上。衰減曲線：盡管根據(jù)濾波器設(shè)計(jì)因數(shù)不同有很

3、多衰減曲線，這些因數(shù)如： 特殊功能，位置，衰減電極數(shù)量?；镜乃p特性已在Fig.3中被做為典型例子表現(xiàn)了出來，此時(shí)帶寬特性表現(xiàn)為統(tǒng)一帶內(nèi)波動(dòng)和電極衰減而引起的相同特性。這里以3dB通帶寬度作為標(biāo)準(zhǔn)并且得出了下面的公式。左右兩邊的衰減特性將會(huì)邊的相等，當(dāng) Q = O (ce nter freque ncy).Q =仆fo)/(BW/2)fo:濾波器的中間頻率f：衰減特性頻率BW: 3 dB時(shí)的通帶寬度相位曲線：與衰減特性曲線相似，相位曲線也將因?yàn)V波器的特性功能設(shè)計(jì) 不同而不同。Fig.4顯示了相位曲線統(tǒng)一帶內(nèi)波動(dòng)和電極衰減而引起的相 同特性。線性相位濾波器根據(jù)以上要求而設(shè)計(jì)。但是，制作的范圍將

4、被限 制于如Fig.2所示。（單片晶體濾波器的）一般特性探一只石英晶體濾波器所呈現(xiàn)的最顯著的特性是通帶濾波器還是間歇濾 波器，取決于晶體諧振器所用的相關(guān)部件。晶體濾波器中最常用的通帶濾波器的一般特性我們將在這里做以下解釋：適用范圍：通帶濾波器根據(jù)外表基本結(jié)構(gòu)不同可以分為2類：探窄通帶濾波器”，其元件只由共鳴器和電容組成，并且設(shè)計(jì)的通帶寬度 為中心頻率的0.005%0.6% 。最大帶寬取決于晶體諧振器的電容比， 精密的限定主要取決于諧振器的 Q值和頻率的穩(wěn)定性。線圈和電容以串聯(lián)或并聯(lián)的形式與諧振器的各元件相連接，帶寬的最底限度取決于線圈Q值的穩(wěn)定性。另一方面，諧振器的電容比和表象特性易在 最高限度時(shí)出現(xiàn)問題，它取決于線圈或變壓器的穩(wěn)定性。探中等通帶濾波器”是由很大部分的中間范圍帶寬的濾波器人工改造而 成，或是由部分上述的窄通帶濾波器組成的。線圈在這些濾波器中被要求來抵消電路中諧振器和電容的作用。帶寬的最大限度值與晶體的電容比和線圈的Q值相關(guān)。最低限度的決定條件與窄通帶濾波器的相同。Fig.2顯示了帶通濾波器在通帶卡和標(biāo)稱頻率相關(guān)的一般結(jié)構(gòu)范圍。 嚴(yán)格來說，可實(shí)行的范圍將會(huì)由幾個(gè)條件的變化而不同，如特殊的要求，探測量電路下面的圖表顯示了對晶體濾波器的特性的測試電路圖。測試電路 圖分為電容性類和感應(yīng)性類。電容性類里，濾