第四章 濺射工藝

1、微電微電0801-0803 專業(yè)選修課專業(yè)選修課主要講授內(nèi)容第第2 2章章 真空技術(shù)基礎(chǔ)真空技術(shù)基礎(chǔ)第第3 3章章 薄膜生長與薄膜結(jié)構(gòu)薄膜生長與薄膜結(jié)構(gòu)第第4 4章章 薄膜制備的基本工藝薄膜制備的基本工藝 濺射鍍膜濺射鍍膜第第1 1章章 薄膜技術(shù)簡介薄膜技術(shù)簡介 離子束沉積離子束沉積 化學(xué)氣相沉積化學(xué)氣相沉積第第6 6章章 薄膜材料的應(yīng)用薄膜材料的應(yīng)用第第5 5章薄膜材料的評(píng)價(jià)表證及物性測(cè)量章薄膜材料的評(píng)價(jià)表證及物性測(cè)量表征、性質(zhì)表征、性質(zhì)和應(yīng)用和應(yīng)用 薄膜制備方法的原理介紹薄膜制備方法的原理介紹 ，典型薄膜材料的制備工藝介紹典型薄膜材料的制備工藝介紹 真空蒸鍍真空蒸鍍薄膜的形核、生長理論薄膜

2、的形核、生長理論 ，薄膜的形成與典型成長機(jī)制薄膜的形成與典型成長機(jī)制WhatWhats the thin films?s the thin films?真空的表征及獲得真空的表征及獲得4-2 濺射工藝 二、濺射的基本原理輝光放電、濺射特性、濺射鍍膜過程、濺射機(jī)理三、濺射鍍膜的類型二極濺射、偏壓濺射、三極或四極濺射、射頻濺射、磁控濺射、對(duì)向靶濺射、反應(yīng)濺射、離子束濺射一、濺射鍍膜的特點(diǎn) 濺射鍍膜是利用氣體放電產(chǎn)生的正離子在電場(chǎng)作用下高速轟擊陰極靶，使靶材中的原子（或分子）逸出而淀積到被鍍襯底（或工件）的表面，形成所需要的薄膜。概念： 濺射鍍膜廣泛用于制備金屬、合金、半導(dǎo)體、氧化物、絕緣介質(zhì)，以及

3、化合物半導(dǎo)體、碳化物、氮化物等薄膜。應(yīng)用：一、濺射鍍膜的特點(diǎn)一、濺射鍍膜的特點(diǎn)濺射鍍膜的特點(diǎn)：濺射鍍膜與真空鍍膜相比，有如下特點(diǎn)： 任何物質(zhì)都可以濺射，尤其是高熔點(diǎn)金屬、低蒸氣壓元素和化合物； 濺射薄膜與襯底的附著性好； 濺射鍍膜的密度高、針孔少，膜層純度高； 膜層厚度可控性和重復(fù)性好。濺射鍍膜的缺點(diǎn)： 濺射設(shè)備復(fù)雜，需要高壓裝置； 成膜速率較低（0.01-0.50.01-0.5mm）。一、濺射鍍膜的特點(diǎn)一、濺射鍍膜的特點(diǎn)輝光放電直流輝光放電輝光放電是在真空度約1010-1 -1PaPa的稀薄氣體中，兩個(gè)電極之間在一定電壓下產(chǎn)生的一種氣體放電現(xiàn)象。氣體放電時(shí)，兩電極之間的電壓和電流的關(guān)系復(fù)雜，

4、不能用歐姆定律描述。二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理輝光放電直流輝光放電二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理輝光放電無光放電由于宇宙射線產(chǎn)生的游離離子和電子在直流電壓作用下運(yùn)動(dòng)形成電流，1010-16-16-10-10-14-14A A。自然游離的離子和電子是有限的，所以隨電壓增加，電流變化很小。湯森放電區(qū)隨電壓升高，電子運(yùn)動(dòng)速度逐漸加快，由于碰撞使氣體分子開始產(chǎn)生電離。于是在伏- -安特性曲線出現(xiàn)湯森放電區(qū)。上述兩種情況都以自然電離源為前提，且導(dǎo)電而不發(fā)光。因此，稱為非自持放電。二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理輝光放電輝光放電當(dāng)放電容器兩端電壓進(jìn)一步增大時(shí)，進(jìn)

5、入輝光放電區(qū)。 氣體擊穿 自持放電（電流密度范圍2-32-3個(gè)數(shù)量級(jí)） 電流與電壓無關(guān)（與輝光覆蓋面積有關(guān)） 電流密度恒定 電流密度與陰極材料、氣體壓強(qiáng)和種類有關(guān) 電流密度不高（濺射選擇非正常放電區(qū)）此稱為正常輝光放電二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理輝光放電非正常輝光放電區(qū)當(dāng)轟擊覆蓋住整個(gè)陰極表面之后，進(jìn)一步增加功率，放電電壓和電流同時(shí)增加，進(jìn)入非正常輝光放電。特點(diǎn)：電流增大時(shí)，放電電極間電壓升高，且陰極電壓降與電流密度和氣體壓強(qiáng)有關(guān)。 陰極表面情況：此時(shí)輝光布滿整個(gè)陰極，離子層已無法向四周擴(kuò)散，正離子層向陰極靠攏，距離縮短。 此時(shí)若想提高電流密度，必須增加陰極壓降，結(jié)果更多的正離

6、子轟擊陰極，更多的二次電子從陰極產(chǎn)生。二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理輝光放電弧光放電區(qū)異常輝光放電時(shí)，常有可能轉(zhuǎn)變?yōu)榛」夥烹姷奈ｋU(xiǎn)。 極間電壓陡降，電流突然增大，相當(dāng)于極間短路； 放電集中在陰極局部，常使陰極燒毀； 損害電源。二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理輝光放電正常輝光與異常輝光放電 在正常輝光放電區(qū)，陰極有效放電面積隨電流增加而增大，從而使有效區(qū)內(nèi)電流密度保持恒定。 當(dāng)整個(gè)陰極均成為有效放電區(qū)域后，只有增加陰極電流密度，才能增大電流，形成均勻而穩(wěn)定的“異常輝光放電”，并均勻覆蓋基片，這個(gè)放電區(qū)就是濺射區(qū)域?yàn)R射區(qū)域。在濺射區(qū)：濺射電壓V，電流密度j和氣體壓強(qiáng)p遵守

7、以下關(guān)系：式中， E和F是取決于電極材料、尺寸和氣體種類的常數(shù)。二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理輝光放電正常輝光與異常輝光放電進(jìn)入異常輝光放電區(qū)后，繼續(xù)增加電壓，有： 更多的正離子轟擊陰極產(chǎn)生大量的電子發(fā)射 陰極暗區(qū)收縮式中， d為暗區(qū)寬度， A、B為常數(shù)二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理輝光放電 阿斯頓暗區(qū) 冷陰極發(fā)射的電子約1eV1eV左右，很少發(fā)生電離，所以在陰極附近形成阿斯頓暗區(qū)。陰極輝光區(qū) 加速電子與氣體分子碰撞后，激發(fā)態(tài)分子衰變以及進(jìn)入該區(qū)的離子復(fù)合形成中性原子，形成陰極輝光。 穿過陰極輝光區(qū)的電子，不易與正離子復(fù)合，形成又一個(gè)暗區(qū)?？唆斂怂拱祬^(qū)二、濺射鍍膜的

8、基本原理二、濺射鍍膜的基本原理輝光放電負(fù)輝光區(qū) 電子在高濃度正離子積聚區(qū)經(jīng)過碰撞速度降低，復(fù)合幾率增加，形成明亮的負(fù)輝光區(qū)。 正離子移動(dòng)速度慢，產(chǎn)生積聚，電位升高；與陰極之間的電位差成為陰極壓降。 隨著電子速度增大，很快獲得了足以引起電離的能量，于是離開陰極暗區(qū)后使大量氣體電離，產(chǎn)生大量的正離子。二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理輝光放電法拉第暗區(qū) 此區(qū)域電壓降很小，類似一個(gè)良導(dǎo)體。 法拉第暗區(qū)過后，少數(shù)電子逐漸加速，并使氣體電離；由于電子較少，產(chǎn)生的正離子不會(huì)形成密集的空間電荷。 少數(shù)電子穿過負(fù)輝光區(qū)，形成暗區(qū)。正離子柱二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理輝光放電輝光放電陰

9、極附近的分子狀態(tài)二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理輝光放電與濺射現(xiàn)象有關(guān)的重要問題： 在克魯克斯暗區(qū)周圍形成的正離子沖擊陰極； 電壓不變而改變電極間距時(shí)，主要發(fā)生變化的是陽極光柱的長度，而從陰極到負(fù)輝光區(qū)的距離幾乎不變。 濺射鍍膜裝置中，陰極和陽極之間距離至少要大于陰極于負(fù)輝光區(qū)的距離。二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理輝光放電低頻輝光放電 在低于50kHz50kHz的交流電壓條件下，離子有足夠的時(shí)間在每個(gè)半周期內(nèi)，在各個(gè)電極上建立直流輝光放電，稱為低頻直流輝光放電?；驹砼c特性與直流輝光放電相同。二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理輝光放電射頻輝光放電 電壓變化

10、周期小于電離或消電離所需時(shí)間。離子濃度來不及變化，電子在場(chǎng)內(nèi)作振蕩運(yùn)動(dòng)。特點(diǎn)： 在輝光放電空間產(chǎn)生的電子可以獲得足夠的能量，足以產(chǎn)生碰撞電離； 由于減少了放電對(duì)二次電子的依賴，降低了擊穿電壓； 射頻電壓可以通過各種阻抗偶合，所以電極可以是非金屬材料。二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理輝光放電耦合特性：電極表面電位自動(dòng)偏置為負(fù)極性二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理輝光放電輝光放電二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理輝光放電輝光放電二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理輝光放電 輝光放電空間與靶和接地電極之間的電壓存在如下關(guān)系： 式中， Ac和Ad 分別為容性耦合

11、電極（靶）和直接耦合電極（接地電極）的面積。 由于Ad Ac ，所以Vc Vd 。在射頻輝光放電時(shí)，等離子體對(duì)接地的基片（襯底）只有極微小的轟擊，而對(duì)濺射靶進(jìn)行強(qiáng)烈轟擊使之產(chǎn)生濺射。二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理濺射特性濺射閾值 所謂濺射閾值是指使靶材原子發(fā)生濺射的入射離子所必須具有的最小能量。 濺射閾值的測(cè)定非常困難，目前已能測(cè)出低于10-5原子/離子的濺射率。二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理濺射特性濺射閾值對(duì)絕大多數(shù)金屬來說，濺射閾值為1030eV二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理濺射特性濺射閾值二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理濺射特性 濺射

12、率 濺射率是指正離子轟擊陰極靶時(shí)，平均每個(gè)正離子能從陰極上打出的原子數(shù)。又稱濺射產(chǎn)額或?yàn)R射系數(shù)：S 。濺射率與入射離子種類、能量、角度及靶材的類型、晶格結(jié)構(gòu)、表面狀態(tài)、升華熱大小等因素有關(guān)。二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理濺射特性濺射率1. 1. 靶材料濺射率與靶材料種類的關(guān)系可用周期律來說明。二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理濺射特性濺射率2.2.入射離子能量二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理濺射特性濺射率3.3.入射離子種類二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理濺射特性濺射率4.4.入射離子的入射角 入射離子的入射角是指離子入射方向與濺射靶材表面法線之

13、間的夾角。 0-600-60之間服從1/ cos規(guī)律 60-8060-80時(shí)，濺射率最大 9090時(shí)，濺射率為零二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理濺射特性濺射率4.4.入射離子的入射角二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理濺射特性濺射率4.4.入射離子的入射角S() 和S(0)對(duì)于不同靶材和入射離子種類有如下規(guī)律：對(duì)于輕元素靶材， 的比值變化顯著對(duì)于重離子入射時(shí)， 的比值變化顯著；隨著入射離子能量的增加， 呈最大值的度逐漸增大， 的最大值在入射離子能量超過2keV2keV時(shí)，急劇減小。二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理濺射特性濺射率5.5.靶材溫度靶材存在與升華相關(guān)的

14、某一溫度。低于此溫度時(shí)， 濺射率幾乎不變； 高于此溫度時(shí)， 濺射率急劇增加。二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理濺射特性 濺射原子的能量和速度 濺射原子的能量（ 5 - 1 0 5 - 1 0 eVeV） 比熱蒸發(fā)原子能量（0.1eV0.1eV）大1-21-2個(gè)數(shù)量級(jí)。 濺射原子的能量與靶材、入射離子種類和能量、濺射原子的方向等有關(guān)。幾組實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)曲線:二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理濺射特性- 濺射原子的能量和速度二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理濺射特性 濺射原子的能量和速度 重元素靶材濺射出來的原子有較高的能量；而輕元素靶材則有較高的速度； 不同靶材具有不同的

15、原子逸出能量，而濺射率高的靶材，通常具有較低的平均逸出能量； 在入射離子能量相同時(shí)，原子逸出能量隨入射離子質(zhì)量線性增加；入射離子質(zhì)量小，原子逸出能量低；反之亦然。 平均逸出能量隨入射離子能量增加而增大，當(dāng)入射離子能量超過1keV1keV時(shí)，平均逸出能量趨于恒定； 傾斜方向逸出的原子具有較高的逸出能量（守恒定律)濺射原子的能量與速度有如下特點(diǎn)：二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理濺射特性 濺射原子的角度分布l 早期的熱蒸發(fā)理論濺射原子的角度分布符合KnudsenKnudsen余弦定律，并且與入射離子的方向無關(guān)（局部高溫蒸發(fā)）。 實(shí)際逸出原子分布并不遵從余弦定律。二、濺射鍍膜的基本原理二、

16、濺射鍍膜的基本原理濺射特性 濺射原子的角度分布l 實(shí)際分布在垂直于靶面方向明顯少于余弦分布時(shí)應(yīng)有的逸出原子數(shù)。二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理濺射特性 濺射原子的角度分布l與晶體結(jié)構(gòu)方向的關(guān)系 逸出原子與原子排列密度有關(guān)。主要逸出方向?yàn)?10110，其次為100100、111111。二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理濺射特性 濺射原子的角度分布l 與靶材結(jié)構(gòu)（晶態(tài)和非晶態(tài)）的關(guān)系 單晶靶可觀察到濺射原子明顯的擇優(yōu)取向；多晶靶濺射原子近似余弦分布。二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理濺射特性 濺射率的表達(dá)式 通過離子與固體相互作用的物理過程，可以得到如下表達(dá)式：（1

17、 1）離子能量小于1keV1keV，在垂直入射時(shí)，濺射率為式中， Tm為最大傳遞能量， V0靶材元素的勢(shì)壘高度， a是與靶材原子質(zhì)量和入射離子質(zhì)量之比相關(guān)的常數(shù)。二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理濺射特性 濺射率的表達(dá)式 通過離子與固體相互作用的物理過程，可以得到如下表達(dá)式：（2 2）離子能量大于1keV1keV，在垂直入射時(shí)，濺射率為（3 3）一般情況下，濺射率的計(jì)算可由下式處理式中， W為靶材的損失量， m原子量， I為離子電流， t為濺射時(shí)間。二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理濺射鍍膜過程靶材濺射過程二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理濺射鍍膜過程靶材濺射過程

18、10-100eV10-100eV能量的ArAr+ +離子對(duì)某些金屬表面進(jìn)行轟擊時(shí)，平均每個(gè)入射離子所產(chǎn)生的各種效應(yīng)及其發(fā)生幾率。二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理濺射鍍膜過程濺射粒子的遷移過程濺射粒子： 正離子：不能到達(dá)基片 中性原子或分子 其余粒子均能向基片遷移中性粒子的平均自由程可以用下式表示：式中， C1是濺射粒子的平均速度， V11是濺射粒子相互作用的平均碰撞次數(shù)， V12是濺射粒子與工作氣體分子的平均碰撞次數(shù)。二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理濺射鍍膜過程濺射粒子的遷移過程一般情況下，濺射粒子密度遠(yuǎn)小于工作氣體的分子密度，則:V11M1）或0時(shí)（M2 M1時(shí)，有電

19、子不能產(chǎn)生濺射。當(dāng)M2 M1時(shí)，有二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理濺射特性雙體彈性模型：根據(jù)能量轉(zhuǎn)移關(guān)系，可以得出濺射產(chǎn)額正比于核阻止截面。式中， 是核阻止截面， E0入射離子能量， a是原子相互作用屏蔽半徑， U0是表面勢(shì)能。二、濺射鍍膜的基本原理二、濺射鍍膜的基本原理二極直流濺射系統(tǒng)結(jié)構(gòu)：基片三、濺射鍍膜的類型三、濺射鍍膜的類型二極直流濺射特點(diǎn)：結(jié)構(gòu)簡單，可以獲得大面積均勻薄膜?？刂茀?shù)：功率、電壓、壓力、電極間距等。 缺點(diǎn)a. a. 濺射參數(shù)不易獨(dú)立控制，放電電流隨電壓和氣 壓變化，工藝重復(fù)性差；b. b. 真空系統(tǒng)多采用擴(kuò)散泵，殘留氣體對(duì)膜層污染較嚴(yán)重，純度較差；c. c.

20、 基片溫度升高，淀積速率低；d. d. 靶材必須是良導(dǎo)體。三、濺射鍍膜的類型三、濺射鍍膜的類型偏壓濺射模型： 結(jié)構(gòu)：基片施加負(fù)偏壓。 特點(diǎn)： 1. 1. 提高薄膜純度； 2. 2. 提高附著力。三、濺射鍍膜的類型三、濺射鍍膜的類型三級(jí)或四級(jí)濺射 二極直流濺射只能在高氣壓下進(jìn)行，因?yàn)樗且蕾囯x子轟擊陰極所發(fā)射的次級(jí)電子來維持輝光放電。 當(dāng)氣壓下降（ 1 . 3 -2.7Pa1 . 3 -2.7Pa） 時(shí)， 陰極暗區(qū)擴(kuò)大，電子自由程增加，等離子體密度下降，輝光放電將無法維持。負(fù)電位三、濺射鍍膜的類型三、濺射鍍膜的類型三級(jí)或四級(jí)濺射穩(wěn)定電極電位三、濺射鍍膜的類型三、濺射鍍膜的類型三級(jí)或四級(jí)濺射 特點(diǎn)

21、： 缺點(diǎn)：1. 1. 靶電流和靶電壓可獨(dú)立調(diào)節(jié)，克服了二極濺射的缺點(diǎn)；2. 2. 靶電壓低（幾百伏），濺射損傷小；3. 3. 濺射過程不依賴二次電子，由熱陰極發(fā)射電流控制，提高了濺射參數(shù)的可控性和工藝重復(fù)性； 不能抑制電子轟擊對(duì)基片的影響（溫度升高）；燈絲污染問題；不適合反應(yīng)濺射等。三、濺射鍍膜的類型三、濺射鍍膜的類型射頻濺射三、濺射鍍膜的類型三、濺射鍍膜的類型射頻濺射三、濺射鍍膜的類型三、濺射鍍膜的類型射頻濺射 特點(diǎn)： 缺點(diǎn)：1. 1. 電子與工作氣體分子碰撞電離幾率非常大，擊穿電壓和放電電壓顯著降低，比直流濺射小一個(gè)數(shù)量級(jí)；2. 2. 能淀積包括導(dǎo)體、半導(dǎo)體、絕緣體在內(nèi)的幾乎所有材料；3.

22、 3. 濺射過程不需要次級(jí)電子來維持放電。 當(dāng)離子能量高時(shí)，次級(jí)電子數(shù)量增大，有可能成為高能電子轟擊基片，導(dǎo)致發(fā)熱，影響薄膜質(zhì)量。三、濺射鍍膜的類型三、濺射鍍膜的類型磁控濺射磁控濺射是7070年代發(fā)展起來的一種高速濺射技術(shù)。磁控濺射可以使淀積速率提高。氣體電離從0.3-0.5%0.3-0.5%提高到5-6%5-6%。三、濺射鍍膜的類型三、濺射鍍膜的類型磁控濺射工作原理磁控濺射技術(shù)中使用了磁控靶磁控靶三、濺射鍍膜的類型三、濺射鍍膜的類型磁控濺射在陰極靶的表面上形成一個(gè)正交的電磁場(chǎng)。濺射產(chǎn)生的二次電子在陰極位降區(qū)內(nèi)被加速成為高能電子，但是它并不直接飛向陽極，而在電場(chǎng)和磁場(chǎng)的作用下作擺線運(yùn)動(dòng)。高能電

23、子束縛在陰極表面與工作氣體分子發(fā)生碰撞，傳遞能量，并成為低能電子。三、濺射鍍膜的類型三、濺射鍍膜的類型磁控濺射E = 0B along y-axisv0 along z-axisE = 0B along y-axisv0 along yz-plane三、濺射鍍膜的類型三、濺射鍍膜的類型磁控濺射E along x-axisB along y-axisv0 along yz-planeE along x-axisB along y-axisv0 in z-directionE/B=0.02三、濺射鍍膜的類型三、濺射鍍膜的類型磁控濺射E along x-axisB along y-axisv0 in

24、 z-directionE/B=0.1三、濺射鍍膜的類型三、濺射鍍膜的類型磁控濺射三、濺射鍍膜的類型三、濺射鍍膜的類型磁控濺射特點(diǎn)：1. 1. 在陰極靶的表面形成一個(gè)正交的電磁場(chǎng)；2. 2. 電離效率高（電子一般經(jīng)過大約上百米的飛行才能到達(dá)陽極，碰撞頻率約為10-7 s-1 10-7 s-1 ）；3. 3. 可以在低真空（10-1Pa10-1Pa，濺射電壓數(shù)百伏，靶流可達(dá)到幾十毫安/m2/m2）實(shí)現(xiàn)高速濺射；4. 4. 低溫、高速。三、濺射鍍膜的類型三、濺射鍍膜的類型磁控濺射源類型 圓柱狀磁控濺射源 平面磁控濺射源 S S 槍（ 錐型磁控濺射源）三、濺射鍍膜的類型三、濺射鍍膜的類型平面磁控濺射源三、濺射鍍膜的類型三、濺射鍍膜的類型磁控濺射磁控濺射靶的最基本要求是：在陰極表面形成環(huán)形磁場(chǎng)，對(duì)靶面發(fā)射的二次電子進(jìn)行有效控制。環(huán)行磁場(chǎng)區(qū)域一般稱為跑道，磁力線從跑道外環(huán)指向內(nèi)環(huán)（或由內(nèi)環(huán)指向外環(huán)），橫貫跑道。二次電子在跑道內(nèi)作擺線運(yùn)動(dòng)。由于磁場(chǎng)強(qiáng)度分布不均勻造成了離子密度的不均勻，進(jìn)而形成靶面不均勻?yàn)R射。三、濺射鍍膜的類型三、濺射鍍膜的類型磁控濺射三、濺射鍍膜的類型三、濺射鍍膜的類型磁控濺射三、濺射鍍膜的類型三、濺射鍍膜的類型對(duì)向靶濺射對(duì)于磁性材料，要實(shí)現(xiàn)低溫、高速濺射鍍膜，由于靶的磁阻很低，磁場(chǎng)幾乎完全