半導(dǎo)體物理第四章20題試證明鍺的電導(dǎo)有效質(zhì)量_第1頁(yè)
半導(dǎo)體物理第四章20題試證明鍺的電導(dǎo)有效質(zhì)量_第2頁(yè)
半導(dǎo)體物理第四章20題試證明鍺的電導(dǎo)有效質(zhì)量_第3頁(yè)
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精選課件1420試證Ge的電導(dǎo)有效質(zhì)量也為：tlcmmm21311證明：001001010010100100110110 1 11 11 1 1 11 10 0 0 00 01 1 1 12 23 3精選課件2Ge的導(dǎo)帶極小值在方向，共八個(gè)半橢圓，即四個(gè)橢球。假設(shè)：電子均等的分布在這些橢球中。若電子濃度為n，則 單位體積中每個(gè)橢球有電子數(shù)為 4n外加電場(chǎng)沿001方向，記為z方向。和 z可分解為沿橢球縱軸及橫軸二個(gè)分量 lt如前圖， 相應(yīng)方向上的電流密度為 lJ和 tJ，則z方向上的電流密度，其大小為 tlzJJJsincostlzJJJz方向電流密度還可寫(xiě)作精選課件344zztltlnJqvnq vvJJ其中ttttJnqvnq ，其數(shù)值 sinttzJnq llllJnqvnq ，其數(shù)值 cosllzJnq 代入得： 22sincosztzlznqnqJ由圖中可得： 代入上式3131cos22， 32sin2精選課件4則有 1233zltzJnq寫(xiě)成一般形式： zzcJnq 得到 1233clt，式中 lnlmq， tntmq并把 也寫(xiě)成一般式，即 ccncmq，則有tnlncn

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