寄生電容寄生電容精編版

1、2 3.1 概述概述 3.2 電學基礎電學基礎電容專題電容專題電容器的發(fā)展電容器的發(fā)展_儲能器件儲能器件電容器的應用示例電容器的應用示例_觸摸屏觸摸屏 寄生電容寄生電容 (本節(jié)內(nèi)容本節(jié)內(nèi)容)3o 問：在交變電流中，從信號的角度考慮，電問：在交變電流中，從信號的角度考慮，電容對信號的傳輸有影響么？容對信號的傳輸有影響么？o 視頻：視頻：3_11 電容對交變電流的影響電容對交變電流的影響4o 問：互感電容？寄生電容？問：互感電容？寄生電容？o 同樣的，電路組件間也存在互感電容，例如一條導線的同樣的，電路組件間也存在互感電容，例如一條導線的電荷所形成的電場會吸引或排斥另一條導線的電荷，而電荷所形成的

2、電場會吸引或排斥另一條導線的電荷，而造成其電場的變化。造成其電場的變化。o （兩個電感線圈相互靠近時，一個電感線圈的磁場變（兩個電感線圈相互靠近時，一個電感線圈的磁場變化將影響另一個電感線圈，這種影響就是互感。）化將影響另一個電感線圈，這種影響就是互感。）o 在多層結(jié)構的封裝中，寄生電容是無法避免的（為什在多層結(jié)構的封裝中，寄生電容是無法避免的（為什么？）么？）n上下兩條導線中間隔著電介質(zhì)，就形成標準的平行板電容器上下兩條導線中間隔著電介質(zhì)，就形成標準的平行板電容器n寄生電容：系統(tǒng)中任何兩塊導體之間固有的電容寄生電容：系統(tǒng)中任何兩塊導體之間固有的電容5oIBM CPU的截面圖，綠色的部分即為電

3、介質(zhì)的截面圖，綠色的部分即為電介質(zhì)亮色的是銅導線亮色的是銅導線 o問：有寄生電容么？存在哪里？問：有寄生電容么？存在哪里？6o 寄生電容，在集成電路內(nèi)部，由于寄生電容，在集成電路內(nèi)部，由于ILD(Inter Layer Dielectrics，層間電介質(zhì)，層間電介質(zhì))的存在，導線之間就不可避免地存的存在，導線之間就不可避免地存在電容，稱之為寄生電容。在電容，稱之為寄生電容。o 隨著工藝制程的提高，單位面積里的導線越來越多，連線間的隨著工藝制程的提高，單位面積里的導線越來越多，連線間的間距變小，連線間的耦合電容變得顯著，寄生電容產(chǎn)生的串繞間距變小，連線間的耦合電容變得顯著，寄生電容產(chǎn)生的串繞和延

4、時增加等一系列問題更加突出（寄生電容是導致信號延遲和延時增加等一系列問題更加突出（寄生電容是導致信號延遲的另一個來源）的另一個來源）o 寄生電容不僅影響芯片的速度，也對工作可靠性構成嚴重威脅。寄生電容不僅影響芯片的速度，也對工作可靠性構成嚴重威脅。 o 希望最小化寄生電容希望最小化寄生電容7o 問：在結(jié)構不變的情況下，從材料的角度，問：在結(jié)構不變的情況下，從材料的角度，如何減小寄生電容？如何減小寄生電容？8o 在決定電容器容量大小的各種因素里，在結(jié)構不變在決定電容器容量大小的各種因素里，在結(jié)構不變的情況下，減少電介質(zhì)的的情況下，減少電介質(zhì)的k值（介電常數(shù)），可以值（介電常數(shù)），可以減小電容的容

5、量。減小電容的容量。o 使用使用low-k電介質(zhì)作為電介質(zhì)作為ILD來替代傳統(tǒng)的二氧化硅，來替代傳統(tǒng)的二氧化硅，可以有效地降低互連線之間的分布電容，從而可使可以有效地降低互連線之間的分布電容，從而可使芯片總體性能提升芯片總體性能提升10左右。左右。 圖中藍色部分圖中藍色部分low-k電介質(zhì)用于電介質(zhì)用于ILD 9o 問：現(xiàn)有電子封裝中常用的介質(zhì)？問：現(xiàn)有電子封裝中常用的介質(zhì)？o 在電子封裝基片中，通常使用的介質(zhì)，比如二氧化硅在電子封裝基片中，通常使用的介質(zhì)，比如二氧化硅和聚酰亞胺，它們的相對介電常數(shù)分別是和聚酰亞胺，它們的相對介電常數(shù)分別是3.9和和3.5.道爾化學的苯并環(huán)丁烯介電常數(shù)是道爾化

6、學的苯并環(huán)丁烯介電常數(shù)是2.6，傳統(tǒng)，傳統(tǒng)FR-4印刷電路板材料的介電常數(shù)是印刷電路板材料的介電常數(shù)是4.7.o 問：為什么苯并環(huán)丁烯的介電常數(shù)這么低？從分子結(jié)問：為什么苯并環(huán)丁烯的介電常數(shù)這么低？從分子結(jié)構的角度理解，什么樣的分子結(jié)構具有小的介電常數(shù)？構的角度理解，什么樣的分子結(jié)構具有小的介電常數(shù)？dAC10常用物質(zhì)介電常數(shù)_PDF文檔11o 在引入介電常數(shù)、極化之前，先介紹偶極矩在引入介電常數(shù)、極化之前，先介紹偶極矩o 偶極矩（偶極矩（dipole moment daipul ）n 問：定義？問：定義？n 正、負電荷中心間的距離正、負電荷中心間的距離r和電荷中心所帶電量和電荷中心所帶電量q

7、的的乘積，叫做偶極矩乘積，叫做偶極矩=rq。它是一個矢量，方向規(guī)。它是一個矢量，方向規(guī)定為從負電荷中心指向正電荷中心。定為從負電荷中心指向正電荷中心。 n 極性分子的偶極距等于正負電荷中心間的距離乘以正極性分子的偶極距等于正負電荷中心間的距離乘以正電荷中心（或負電荷中心）上的電量。電荷中心（或負電荷中心）上的電量。12o H2O o CO213o 分子在外電場作用下，構成分子的正負電荷分子在外電場作用下，構成分子的正負電荷發(fā)生相對的位移，形成電偶極矩發(fā)生相對的位移，形成電偶極矩 14o 問：極化？問：極化？o 對于由極性分子形成的介電質(zhì)，假設施加外電對于由極性分子形成的介電質(zhì)，假設施加外電場于

8、這種介電質(zhì)，則會出現(xiàn)取向極化現(xiàn)象。場于這種介電質(zhì)，則會出現(xiàn)取向極化現(xiàn)象。o 各個分子偶極矩的疊加，材料就有了極性（后各個分子偶極矩的疊加，材料就有了極性（后問）問）o 問：導體呢？問：導體呢？1516o 介質(zhì)在外加電場時會產(chǎn)生感應電荷而削弱電介質(zhì)在外加電場時會產(chǎn)生感應電荷而削弱電場，原外加電場場，原外加電場(真空中真空中)與最終介質(zhì)中電場與最終介質(zhì)中電場比值即為相對介電常數(shù)比值即為相對介電常數(shù)(permittivity)，又稱相對電容率，以又稱相對電容率，以r表示。表示。o 如果有高介電常數(shù)的材料放在電場中，場的如果有高介電常數(shù)的材料放在電場中，場的強度會在電介質(zhì)內(nèi)有可觀的下降。介電常數(shù)強度會

9、在電介質(zhì)內(nèi)有可觀的下降。介電常數(shù)（又稱電容率），以（又稱電容率），以表示表示o =r0，0為真空絕對介電常數(shù)，為真空絕對介電常數(shù)，0=8.85e-12 F/m。 17o 問：介電常數(shù)的含義？問：介電常數(shù)的含義？o 在電磁學里，介電質(zhì)響應外電場的施加在電磁學里，介電質(zhì)響應外電場的施加而電極化的衡量而電極化的衡量o 衡量電場怎樣影響介電質(zhì)，怎樣被介電衡量電場怎樣影響介電質(zhì)，怎樣被介電質(zhì)影響質(zhì)影響o 相對介電常數(shù)是相對于真空而言對材料相對介電常數(shù)是相對于真空而言對材料極化能力的度量，決定了材料的充放電極化能力的度量，決定了材料的充放電能力能力rdAC018o 一個電容板中充入介電常數(shù)為一個電容板中充

10、入介電常數(shù)為的物質(zhì)后電的物質(zhì)后電容變大容變大倍（為什么？）。倍（為什么？）。o 所以，電子封裝中，使用具有很低相對介電所以，電子封裝中，使用具有很低相對介電常數(shù)的絕緣材料常數(shù)的絕緣材料19o 電介質(zhì)在足夠強的電場作用下將失去其介電性能成為導體，稱為電介質(zhì)擊穿,所對應的電壓稱為擊穿電壓。電介質(zhì)擊穿時的電場強度叫擊穿場強。n 對于絕緣體來說是指使得絕緣體的一部分變成電導體的最小電壓。o Thebreakdown voltageofaninsulatoristheminimumvoltagethatcausesaportionofaninsulatortobecomeelectricallycond

11、uctive.n 對于二極管來說是指二極管反向?qū)ǖ淖钚》聪螂妷?0/wiki/%E9%97%AA%E7%94%B5High voltage dielectric breakdown within a block of plexiglas 有機玻璃的電擊穿大氣的電擊穿21o Ofaninsulatingmaterial,themaximumelectricfieldstrengththatitcanwithstandintrinsicallywithoutbreakingdown,i.e.,withoutexperiencingfailureofit

12、sinsulatingproperties.o Foragivenconfigurationofdielectricmaterialandelectrodes,theminimumelectricfieldthatproducesbreakdown.o 衡量絕緣性能的22/wiki/Dielectric_strength23o 問：你還有什么主意，從材料和結(jié)構的角度問：你還有什么主意，從材料和結(jié)構的角度來減小寄生電容？來減小寄生電容？o 提示：用介電常數(shù)小的材料；結(jié)構上如何減提示：用介電常數(shù)小的材料；結(jié)構上如何減小介電常數(shù)？小介電常數(shù)？24o最好的最

13、好的low-k是是“沒有材料沒有材料”，如何實現(xiàn)？，如何實現(xiàn)？oIBM提出了用氣隙代替絕緣材料的提出了用氣隙代替絕緣材料的Airgap技術。技術。oAirgap的方法是在硅片上涂上一層特殊的聚合材料，這種材料通過烘焙，的方法是在硅片上涂上一層特殊的聚合材料，這種材料通過烘焙，能夠自然形成數(shù)萬億個大小均勻尺寸僅為能夠自然形成數(shù)萬億個大小均勻尺寸僅為20納米的細孔，提高了元件及導納米的細孔，提高了元件及導線間的絕緣性能。線間的絕緣性能。o僅此一項措施，就能讓微芯片的運行速度再次提高三分之一，并可以節(jié)能僅此一項措施，就能讓微芯片的運行速度再次提高三分之一，并可以節(jié)能15%。o問：缺陷？問：缺陷？o它

14、的散熱效果和機械強度，不夠好它的散熱效果和機械強度，不夠好Airgap技術：銅導線間加入氣孔，取代傳統(tǒng)的技術：銅導線間加入氣孔，取代傳統(tǒng)的Low-k電介質(zhì)電介質(zhì) 25o 問：導線密度增加，寄生電容增加？問：導線密度增加，寄生電容增加？o 導線密度的增加，寄生電容的問題越來越嚴重，導線密度的增加，寄生電容的問題越來越嚴重，變成了限制速度的主要因素。（為什么寄生電變成了限制速度的主要因素。（為什么寄生電容能夠限制速度？）容能夠限制速度？）n 導線間距變小導線間距變小o 寄生電容不僅帶來信號延遲，而且增加了功率寄生電容不僅帶來信號延遲，而且增加了功率消耗。為什么？消耗。為什么？o 在高電容結(jié)點上減小

15、功率消耗和信號延遲的一在高電容結(jié)點上減小功率消耗和信號延遲的一個方法是限制這些結(jié)點上的電壓漂移。為什么？個方法是限制這些結(jié)點上的電壓漂移。為什么？26o 然而，隨著最小特征尺度的減小和芯片尺寸的然而，隨著最小特征尺度的減小和芯片尺寸的增加，布線電容變得比器件電容更加重要。增加，布線電容變得比器件電容更加重要。（為什么）（為什么）o 芯片變大使得導線總長度增加，從而總布線電芯片變大使得導線總長度增加，從而總布線電容也隨著芯片增大而增加。容也隨著芯片增大而增加。27o 在封裝設計歷史上，隨著設備的減小，設計在封裝設計歷史上，隨著設備的減小，設計者會增加芯片上的電路密度，這就伴隨著布者會增加芯片上的

16、電路密度，這就伴隨著布線要求的提高。線要求的提高。28o 下表所示為各種封裝組件的寄生電容下表所示為各種封裝組件的寄生電容o 焊線和封裝引腳的寄生電容典型值大約是焊線和封裝引腳的寄生電容典型值大約是1pF。o 倒裝芯片中焊錫凸塊的寄生電容及電感最低，這也是高頻組件需要倒裝芯片中焊錫凸塊的寄生電容及電感最低，這也是高頻組件需要使用倒裝芯片技術的原因。使用倒裝芯片技術的原因。o 倒裝芯片中，在芯片上制作金屬凸塊，再利用凸塊做結(jié)合倒裝芯片中，在芯片上制作金屬凸塊，再利用凸塊做結(jié)合各種封裝組件的寄生電容各種封裝組件的寄生電容29o 倒裝芯片由于其提供芯片至外部線路間最短的路徑，倒裝芯片由于其提供芯片至

17、外部線路間最短的路徑，有較小的寄生電容及電感，其所造成的感應噪聲、信有較小的寄生電容及電感，其所造成的感應噪聲、信號號串擾串擾、信號傳輸延遲信號傳輸延遲及波形失真等皆較少。通常能及波形失真等皆較少。通常能達到良好的電性表現(xiàn)，基本能滿足未來產(chǎn)品更高性能達到良好的電性表現(xiàn)，基本能滿足未來產(chǎn)品更高性能及更低成本的需求。及更低成本的需求。o 目前，已有業(yè)者在研究無凸塊的倒裝芯片，無凸塊目前，已有業(yè)者在研究無凸塊的倒裝芯片，無凸塊（不使用凸塊）倒裝芯片可更進一步降低寄生電感及（不使用凸塊）倒裝芯片可更進一步降低寄生電感及電容，降低噪聲。電容，降低噪聲。30o 封裝組件的電容、電感值與其幾何設計、材質(zhì)、尺

18、寸封裝組件的電容、電感值與其幾何設計、材質(zhì)、尺寸大小及使用頻率有關，上表所列的僅是一些參考數(shù)據(jù)。大小及使用頻率有關，上表所列的僅是一些參考數(shù)據(jù)。o 實際上，封裝中寄生電感、電容無所不在，包括導線實際上，封裝中寄生電感、電容無所不在，包括導線間的互感電容、互感電感、結(jié)合線、被動組件、貫穿間的互感電容、互感電感、結(jié)合線、被動組件、貫穿孔、孔、BGA的錫球以及倒裝芯片結(jié)合的焊錫凸塊等的的錫球以及倒裝芯片結(jié)合的焊錫凸塊等的寄生電容及電感等，而這些可用等效電路來描述，用寄生電容及電感等，而這些可用等效電路來描述，用仿真軟件來計算。仿真軟件來計算。o 集成電路專用模擬程序（集成電路專用模擬程序（SPICE

19、）31o 貫穿孔的等效模型貫穿孔的等效模型32o 導線彎曲處的等效電路模擬導線彎曲處的等效電路模擬33o 時間延遲時間延遲o 問：你理解的時間延遲？問：你理解的時間延遲？34o 電阻和電容、或電阻和電感，同時存在于同電阻和電容、或電阻和電感，同時存在于同一個電路系統(tǒng)中時，會造成時間延遲。一個電路系統(tǒng)中時，會造成時間延遲。o 在電阻在電阻-電容電路中的時間延遲電容電路中的時間延遲35o 右圖，明顯示出時間延遲右圖，明顯示出時間延遲o 問：緣由？問：緣由？o 在電阻在電阻-電容電路中，時間延遲實質(zhì)上是由電容的充放電容電路中，時間延遲實質(zhì)上是由電容的充放電所導致的。電所導致的。o 問：如何理解？問：

20、如何理解？36o 純電阻電路純電阻電路o 問：開關閉合，電流變化？問：開關閉合，電流變化？電路圖電路圖電流的時間反應電流的時間反應當當 開開 關關 鈕鈕 閉閉 合合 , 電電 池池 的的 電電 動動 勢勢 會會 提提 升升 電電 流流 I 如右圖所如右圖所 示示 , 并并 沒沒 有有 可可 量量 度度 的的 時時 間間 延延 遲遲o電阻電阻-電容電路電容電路n問：電流變化？問：電流變化？n提示：由大到小，還是由小到大，還是不變化？提示：由大到小，還是由小到大，還是不變化？n當當 開開 關關 鈕鈕 閉閉 合合 , 一一 大大 充充 電電 電電 流流 會會 因因 電電 池池 的的 電電 勢勢 差差

21、 而而 流流 動。動。 n問：為什么會有一大充電電流？問：為什么會有一大充電電流？n提示：電勢差提示：電勢差/電壓差的角度電壓差的角度n當當 電電 容容 器器 被被 部部 分分 充充 電電 后后 , 電電 容容 器器 與與 電電 池池 間間 的的 電電 壓壓 差差 減減 少少 及及 電電 流流 開開 始始 下下 降。降。n最最 后后 當當 電電 容容 器器 被被 充充 電電 至至 與與 電電 池池 的的 電電 壓壓 相相 同同 時時 , 電電 流流 跌跌 至至 零。零。 電流的時間反應電流的時間反應電路圖電路圖o 電阻電阻-電容電路電容電路n 電電 容容 器器 上上 的的 電電 壓壓 變變 化

22、化 （問：如何變化？）（問：如何變化？）n 提示：由大到小，還是由小到大，還是不變化？提示：由大到小，還是由小到大，還是不變化？n 問：曲線用什么樣的數(shù)學函數(shù)來描述？問：曲線用什么樣的數(shù)學函數(shù)來描述？39o 電容放電電容放電斷開電源，電容通過斷開電源，電容通過RD放電放電兩端電壓兩端電壓Vc逐漸降低，電流逐漸減小逐漸降低，電流逐漸減小最后，降為零，放電完畢最后，降為零，放電完畢40o 電容放電電容放電o 視頻：視頻：3_13 50KV 1000pF 軸向高壓瓷介電容的放電效果軸向高壓瓷介電容的放電效果41o 問：如上所示的電阻問：如上所示的電阻-電容電路中，電容充放電容電路中，電容充放電速度或

23、者說充放電時間與哪些因素有關？電速度或者說充放電時間與哪些因素有關？n 與電容自身大小有關與電容自身大小有關n 與電阻大小有關與電阻大小有關(通過加熱電阻無窮大來理解通過加熱電阻無窮大來理解)o 所以，除電容自身外，所以，除電容自身外，RC和和RD的電阻值分別的電阻值分別影響電容的充電和放電速度。影響電容的充電和放電速度。42o 問：如何描述時間延遲？問：如何描述時間延遲？o RC電路中，電阻值電路中，電阻值R和電容值和電容值C的乘積被稱為時間常數(shù)的乘積被稱為時間常數(shù)，這個常數(shù)描述電容的充電和放電速度。這個常數(shù)描述電容的充電和放電速度。UQCIURttQQIQUQIURC/電容器上的電壓變化電

24、容器上的電壓變化43o 充放電時間充放電時間n充電過程，電壓逐漸升高至穩(wěn)定，電流逐漸減小至零充電過程，電壓逐漸升高至穩(wěn)定，電流逐漸減小至零n放電過程，電壓逐漸減小至零，放電過程，電壓逐漸減小至零， 電流逐漸減小至零電流逐漸減小至零n記憶：先思考最終狀態(tài)，再分析整個過程記憶：先思考最終狀態(tài)，再分析整個過程Vc44o 電容充電電容充電10.6321220.8646630.9502140.9816850.9932660.9975270.9990980.9996690.99988100.99995電容有關的過渡時期，與電阻和電路達到穩(wěn)定狀態(tài)之前解為一段時間是一個時間的常數(shù)，理， RCctccctccc

25、eRVieVVCR/)1 (63.2%99.3%45o 電容放電電容放電解為一段時間是一個時間的常數(shù)，理， RC10.3678820.1353430.0497940.0183250.0067460.0024879.11882E-483.35463E-491.2341E-4104.53999E-5DtDcDtcDDeRViVeVCR/)/() ( RCt，46o 電阻電阻-電感電路中的時間延遲可以類推。電感電路中的時間延遲可以類推。o 因此，從減小信號時間延遲的角度來講，要因此，從減小信號時間延遲的角度來講，要最小化寄生電容、寄生電感。最小化寄生電容、寄生電感。o 電阻電阻-電感電路電感電路n問

26、：開關閉合后，電流的變化？問：開關閉合后，電流的變化？n提示：由大到小，還是由小到大，還是不變化？提示：由大到小，還是由小到大，還是不變化？n當當 開開 關關 鈕鈕 閉閉 合合 , 電電 流流 由由 零零 開開 始始 提提 升。升。 n線線 圈圈 的的 自自 感感 產(chǎn)產(chǎn) 生生 反反 電電 動動 勢勢 , 與與 電電 流流 的的 提提 升升 對對 抗抗 。 n所所 以，電以，電 流流 要要 延延 遲遲 一一 些些 時時 間間 才才 能能 達達 至至 穩(wěn)穩(wěn) 定定 狀狀 態(tài)態(tài) 。n當當 電電 流流 穩(wěn)穩(wěn) 定定 后后 , 反反 電電 動動 勢勢 變變 成成 零零電路圖電路圖電流的時間反應電流的時間反應

27、o 電阻電阻-電感電路電感電路n 電電 感感 器器 上上 的的 電電 壓壓 變變 化化n 提示：由大到小，還是由小到大，還是不變化？提示：由大到小，還是由小到大，還是不變化？49oRL電路中，時間常數(shù)用電路中，時間常數(shù)用來表示RL/dtRdtdivRLdtdivL/50o 計算電路的時間常數(shù)，電阻為計算電路的時間常數(shù)，電阻為4，電感為，電感為0.2Ho 解：解：sRL05. 042 . 051o 信號傳輸信號傳輸n 想象中，電傳輸足夠快，所以發(fā)射信號就能即想象中，電傳輸足夠快，所以發(fā)射信號就能即刻接收到信號刻接收到信號o 信號傳輸中確實存在，時間延遲信號傳輸中確實存在，時間延遲n 電容、電感電

28、容、電感o 問：還有別的因素能影響信號的傳輸么？問：還有別的因素能影響信號的傳輸么？52o 光的傳播速度光的傳播速度o 在真空中的速度：在真空中的速度：3.0108m/s o 在水中的速度：在水中的速度：2.25108m/so 在玻璃中的速度：在玻璃中的速度：2.0108m/s o 問：為什么會有不同？問：為什么會有不同？53o 問：電信號在介質(zhì)中的傳輸速度？問：電信號在介質(zhì)中的傳輸速度？o 電磁波在介質(zhì)中的傳輸速度電磁波在介質(zhì)中的傳輸速度o 由此，介電常數(shù)越大，傳輸?shù)脑铰?，這樣存在時間延由此，介電常數(shù)越大，傳輸?shù)脑铰?，這樣存在時間延遲遲1 ,率為大部分材料的相對磁導相對磁導率相對介電常數(shù)，光

29、速，rrrrpccV54材材料料的的介介電電常常數(shù)數(shù)帶帶來來傳傳輸輸延延遲遲1GHz下的下的ps/cm鋁鋁 9.4 102.0 空氣空氣 1.0 33.3 55低頻低頻 波長遠大于導線長波長遠大于導線長高頻高頻波長與導線相近波長與導線相近導線位置不同導線位置不同其電壓、相位其電壓、相位 可能不同可能不同56o 開關噪聲，又稱開關噪聲，又稱I噪聲噪聲n 源自電路開關時，系統(tǒng)電感所產(chǎn)生的電壓源自電路開關時，系統(tǒng)電感所產(chǎn)生的電壓n 若同時啟動若同時啟動N個驅(qū)動器，所產(chǎn)生的電壓噪聲個驅(qū)動器，所產(chǎn)生的電壓噪聲V為為n 若傳輸線的阻抗為若傳輸線的阻抗為50，驅(qū)動器送出，驅(qū)動器送出5V的信號，的信號，信號上

30、升時間為信號上升時間為2ns，電源線寄生電感是，電源線寄生電感是500pH，tiNLV0.75V2ns0.1A500pH30tiNLV0.1A505VRVcc電壓噪聲為，驅(qū)動器電流為， i57o 串音串音n 由于傳輸信號的導線間距太近，相互間的互感由于傳輸信號的導線間距太近，相互間的互感電感和互感電容的耦合作用而產(chǎn)生的噪聲，又電感和互感電容的耦合作用而產(chǎn)生的噪聲，又稱耦合噪聲稱耦合噪聲n 即由于導線的耦合作用，在原本沒有信號通過即由于導線的耦合作用，在原本沒有信號通過的導線上引發(fā)了信號而造成線路的誤動作。的導線上引發(fā)了信號而造成線路的誤動作。n A、C沒有信號，沒有信號，B有信號，但有信號，但C離離B太近，受到太近，受到B的干擾而產(chǎn)生噪聲的干擾而產(chǎn)生噪聲58o 電子封裝基片中，去耦電容的基本目的是，電子封裝基片中，去耦電容的基本目的是，當電流改變時，提供大量積累電荷，以保持當電流改變時，提供大量積累電荷，以保持電壓恒定。電壓恒定。o 它們常常放到電子封裝基片的關鍵點上，以它們常常放到電子封裝基片的關鍵點上，以減小開關噪聲。減小開關噪聲。o 去耦電容器的上述特定功能要求它們的寄生去耦電容器的上述特定功能要求它們的寄生電感必須很小。電感必須很