垂直結(jié)構(gòu)LED技術(shù)

1、由于藍(lán)寶石基板導(dǎo)熱系數(shù)差，影響LED發(fā)光效率。為了解決LED散熱難題, 未來(lái)有可能將主要采用垂直結(jié)構(gòu)LED架構(gòu)，促進(jìn)LED產(chǎn)業(yè)技術(shù)發(fā)展。關(guān)于 垂直結(jié)構(gòu)LED技術(shù)相信大家都有所耳聞，下面僅從技術(shù)表層進(jìn)行介紹，謹(jǐn) 供參考。我們知道，LED芯片有兩種基本結(jié)構(gòu)，橫向結(jié)構(gòu)(Lateral)和垂直結(jié)構(gòu) (Vertical) «橫向結(jié)構(gòu)LED芯片兩個(gè)電極在LED芯片同一側(cè)，電流在n- 和P-類型限制層中橫向流動(dòng)不等距離。垂直結(jié)構(gòu)LED芯片兩個(gè)電極分別在 LED外延層兩側(cè)，由于圖形化電極和全部p-類型限制層作為第二電極，使 得電流幾乎全部垂直流過(guò)LED外延層，極少橫向流動(dòng)電流，可以改善平面 結(jié)構(gòu)電流

2、分布問(wèn)題，提高發(fā)光效率，也可以解決P極遮光問(wèn)題，提升LED 發(fā)光面積。n-氮化稅盾金履合金基板我們先來(lái)了解下垂直結(jié)構(gòu)LED制造技術(shù)與基本方法:多重量子井P-氮化制造垂直結(jié)構(gòu)LED芯片技術(shù)主要有三種方法: 一、采用碳化硅基板生長(zhǎng)GaN薄膜，優(yōu)點(diǎn)是在相同操作電流條件下，光衰 少、壽命長(zhǎng)，不足處是硅基板會(huì)吸光。二、利用芯片黏合及剝離技術(shù)制造。優(yōu)點(diǎn)是光衰少、壽命長(zhǎng)，不足處是須 對(duì)LED表面進(jìn)行處理以提高發(fā)光效率。三、是采用異質(zhì)基板如硅基板成長(zhǎng)氮化錢(qián)LED磊晶層，優(yōu)點(diǎn)是散熱好、易 加工。制造垂直結(jié)構(gòu)LED芯片有兩種基本方法：剝離生長(zhǎng)襯底和不剝離生長(zhǎng)襯 底。其中生長(zhǎng)在神化鉉生長(zhǎng)襯底上垂直結(jié)構(gòu)GaP基LED

3、芯片有兩種結(jié)構(gòu): 不剝離導(dǎo)電珅化錢(qián)生長(zhǎng)襯底：在導(dǎo)電神化像生長(zhǎng)襯底上層迭導(dǎo)電DBR反射 層，生長(zhǎng)GaP基LED外延層在導(dǎo)電DBR反射層上。剝離神化保生長(zhǎng)襯底：層迭反射層在GaP基LED外延層上，鍵合導(dǎo)電支持 襯底，剝離珅化錢(qián)襯底。導(dǎo)電支持襯底包括，碑化鉉襯底，磷化鉉襯底， 硅襯底，金屬及合金等。另外，生長(zhǎng)在硅片上垂直GaN基LED也有兩種結(jié)構(gòu)：不剝離硅生長(zhǎng)襯底：在導(dǎo)電硅生長(zhǎng)襯底上層迭金屬反射層或?qū)щ奃BR反射 層，生長(zhǎng)氮化鉉基LED外延層在金屬反射層或?qū)щ奃BR反射層上。剝離硅生長(zhǎng)襯底：層迭金屬反射層在氮化像基LED外延層上，在金屬反射 層上鍵合導(dǎo)電支持襯底，剝離硅生長(zhǎng)襯底。再簡(jiǎn)單說(shuō)明制造垂直氮化鐵基LED工藝流程：層迭反射層在氮化鐵基LED外延層上，在反射層上鍵合導(dǎo)電支持襯底，剝離藍(lán)寶石生長(zhǎng)襯底。導(dǎo) 電支持襯底包括，金屬及合金襯底，硅襯底等。無(wú)論是GaP基LED、GaN基LED,還是ZnO基LED這一類通孔垂直結(jié)構(gòu)LED,相比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)LED有著較大優(yōu)勢(shì)，具體表現(xiàn)在：1、目前，現(xiàn)有所有顏色垂直結(jié)構(gòu)LED：紅光LED、綠光LED、藍(lán)光LED及 紫外光LED,都可以制成通孔垂直結(jié)構(gòu)LED有極大應(yīng)用市場(chǎng)。2、所有制造工藝都是在芯片（wafer ）水平進(jìn)行。3