門路補(bǔ)充內(nèi)容

1、門電路補(bǔ)充內(nèi)容孫衛(wèi)強(qiáng)cmos反相器rp：pmos管的電阻，rn：nmos管的電阻電阻性負(fù)載cmos反相器的電阻模型電阻性負(fù)載的戴維寧等效電路rp：pmos管的電阻，rn：nmos管的電阻電阻性負(fù)載cmos器件的電阻模型（輸出為低電平）vout = 3.33 100/(100+667) =0.43v 電阻性負(fù)載的戴維寧等效電路電阻性負(fù)載cmos器件的電阻模型（輸出為高電平）vout = (5v-3.33v) * 667/(200+667) + 3.33v = 4.61v電阻性負(fù)載的戴維寧等效電路吸收電流和提供電流吸收電流提供電流電阻性負(fù)載電阻性負(fù)載最大低態(tài)輸出電流(ma)最大低態(tài)輸出電壓(v)最

2、小高態(tài)輸出電流(ma)最小高態(tài)輸出電壓 (v)負(fù)載負(fù)載上兩個(gè)slides中吸收和提供電流各是多少？?jī)?nèi)部功耗是多少？非理想輸入時(shí)電路的特性iwasted = 5/(400+2500) = 1.72ma 功耗：pwasted = 5*iwasted = 8.62mwiwasted = 5/(4000+200)功耗：pwasted = 5*iwasted非理想輸入時(shí)電路的負(fù)載特性浪費(fèi)的功率等于多少？電阻性負(fù)載的戴文寧等效電路cmos電路的動(dòng)態(tài)電氣特性 現(xiàn)代電路設(shè)計(jì)正朝著純cmos技術(shù)的方向演進(jìn)，而cmos器件具有很高的輸入阻抗，因此直流負(fù)載效應(yīng)常?？梢院雎圆挥?jì) cmos輸入端、封裝和內(nèi)部連線具有相當(dāng)

3、大的電容 電容充放電時(shí)間是構(gòu)成電路/器件時(shí)延的主要因素之一cmos轉(zhuǎn)換時(shí)間分析 影響轉(zhuǎn)換時(shí)間的因素 晶體管的導(dǎo)通電阻 驅(qū)動(dòng)的輸入端的電容 寄生電容的來(lái)源 輸出電路，2-10pf 輸出和其它輸入的連線電容，1pf/英寸或更多 輸入電路，2-15pf轉(zhuǎn)換時(shí)間分析的等效電路cmos轉(zhuǎn)換時(shí)間分析下降時(shí)間129/()/(100 100 10)/(10 10)5.0v5.0vnlouttrcddttvveee其中rncl為時(shí)間常數(shù)tf = 8.5 ns下降時(shí)間下降時(shí)間cmos轉(zhuǎn)換時(shí)間分析上升時(shí)間9/()/(20 10)15.01vplouttrcddtvvee上升時(shí)間上升時(shí)間其中rncl為時(shí)間常數(shù)tr = 17 nscmos電路的功率損耗 cmos電路在狀態(tài)不發(fā)生變化時(shí)，功耗很低靜態(tài)功耗，通?？梢院雎?狀態(tài)發(fā)生變化的過(guò)程中過(guò)程中消耗可觀的電能動(dòng)態(tài)功耗1.由于轉(zhuǎn)換瞬間t1和t2 瞬態(tài)導(dǎo)通而導(dǎo)致的瞬態(tài)導(dǎo)通功耗pt=cpdvcc2f，其中： cpd：功耗電容 f：輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換的頻率2. 對(duì)負(fù)載電容充放電導(dǎo)致的功耗pl=clvdd2f，其中： cl：負(fù)載電容 f：輸出信號(hào)轉(zhuǎn)換的頻率 總功耗：p=pt+plcmos三態(tài)緩沖器漏極開路cmos與非門集電極開路(oc) 門ttl與非門電路ttl反相器電路oc