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1、輔助繞組VCC總結(jié)一、輔助繞組的繞法對供電的影響1.摘自電源網(wǎng)站的基本總結(jié) 圖一 圖二 變壓器按:1/2初級-次級-1/2初級-輔助繞組與1/2初級-次級-輔助繞組-1/2初級,是距離決定還是每圈的圍敝面積決定輔助電源穩(wěn)定一點? 兩個都決定。距離近了;耦合的好。耦合截面積大了;也會耦合的好類似用大截面積磁芯做變壓器一樣)。第一個圖:aux winding和primary winding耦合好,和secondary winding耦合差,輕載與重載時,Vcc電壓差異會很大。重載時,Vcc會很高,漏感造成的。但aux winding有充當初級繞組和鐵芯之間的磁屏蔽。所以EMI部分會好一些。第二個圖
2、:aux winding和primary winding耦合差,和secondary winding耦合好,輕載與重載時,Vcc電壓差異比較小。此時,若EMI比較差,建議在初次級之間增加屏蔽。2.實測總結(jié)和分析理解按照變壓器順繞的原則,輔助繞組由三種繞法,所產(chǎn)生的影響和不同實測如下:(1) 繞制順序從里到外為Np->Ns->NAA: all,VNp,VBJTce,VNs,VNA在輸入電壓為200Vac的情況下從上到下一次為VNp(初級繞組兩端電壓),VBJTce(內(nèi)置三極管集電極和發(fā)射極),VNs(次級繞組兩端電壓),VNA (輔助繞組兩端電壓)。B: VNp在MOS管導通時,VN
3、p就等于Vin*2,恰好與VBJTce電壓的波形相反,但是大小不同。C: VBJTceVBJTce=VNp+Vr+Vk(漏感),尖峰振蕩是漏感和開關(guān)管結(jié)電容產(chǎn)生的振蕩,“死區(qū)”里的振蕩是初級電感(勵磁電感)和開關(guān)管結(jié)電容產(chǎn)生的振蕩.D: VNs 變壓器次級兩端的電壓波形,漏感引起的振蕩會傳遞到次級E: VNA 輔助端電壓波形完全和次級端波形是一樣的。所以輔助繞組的電壓需要參考次級端即可。F:VCC大小 該種繞線方式的VCC大小為13.439Vrms.(2) 繞制順序從里到外為Np->NA->NsA: all,VNp,VBJTce,VNs,VNA在輸入電壓為200Vac的情況下從上到
4、下一次為VNp(初級繞組兩端電壓),VBJTce(內(nèi)置三極管集電極和發(fā)射極),VNs(次級繞組兩端電壓),VNA (輔助繞組兩端電壓)。B: VNp在MOS管導通時,VNp就等于Vin*2,恰好與VBJTce電壓的波形相反,但是大小不同。C: VBJTceVBJTce=VNp+Vr+Vk(漏感),尖峰振蕩是漏感和開關(guān)管結(jié)電容產(chǎn)生的振蕩,“死區(qū)”里的振蕩是初級電感(勵磁電感)和開關(guān)管結(jié)電容產(chǎn)生的振蕩.D: VNs 變壓器次級兩端的電壓波形,漏感引起的振蕩會傳遞到次級E: VNA 輔助端電壓波形完全和次級端波形是一樣的。所以輔助繞組的電壓需要參考次級端即可。F:VCC大小 該種繞線方式的VCC大小
5、為20.060Vrms.(3) 繞制順序從里到外為NA->Np->NsA: all,VNp,VBJTce,VNs,VNA在輸入電壓為200Vac的情況下從上到下一次為VNp(初級繞組兩端電壓),VBJTce(內(nèi)置三極管集電極和發(fā)射極),VNs(次級繞組兩端電壓),VNA (輔助繞組兩端電壓)。B: VNp在MOS管導通時,VNp就等于Vin*2,恰好與VBJTce電壓的波形相反,但是大小不同。C: VBJTceVBJTce=VNp+Vr+Vk(漏感),尖峰振蕩是漏感和開關(guān)管結(jié)電容產(chǎn)生的振蕩,“死區(qū)”里的振蕩是初級電感(勵磁電感)和開關(guān)管結(jié)電容產(chǎn)生的振蕩.D: VNs 變壓器次級兩端
6、的電壓波形,漏感引起的振蕩會傳遞到次級E: VNA 輔助端電壓波形完全和次級端波形是一樣的。所以輔助繞組的電壓需要參考次級端即可。F:VCC大小 該種繞線方式的VCC大小為20.0100Vrms.總結(jié):這三種方式耦合的情況是一樣的,但是相鄰的繞組不相同時,耦合的效果也是不一樣的,當輔助繞組靠近初級繞組的時候,輔助繞組的電壓普遍要偏高,為了讓輔助繞組更好地按照次級來耦合應該按照第一種Np->Ns->NA的方法繞制才能確保VCC電壓的可靠性,但是必要時也可以改變繞組順序。3、初級耦合到輔助的電壓和副邊反饋到輔助的電壓相等根據(jù)公式VNp/VNA=Np/NA和公式VNp/VNs=Np/Ns
7、,VNs/VNA=Ns/NA無論次級耦合到輔助還是初級耦合到輔助,其電壓大小都是一樣的,但是兩個電壓是不能疊加的,因為作用是同時的,可以理解為類似于兩個電壓并聯(lián)(但是實際是同時耦合,和并聯(lián)不一樣),查看以上E:NA圖。4、VCC交接方式和過程 當母線電壓通過高壓電阻個VCC的電容充電時,VCC電壓慢慢升高到芯片開始工作,開關(guān)管開始工作,初級電感開始向次級傳遞能量,同時,同時在開關(guān)管截止的時候次級開始向輔助傳遞芯片所需的能量,為VCC電容充電提供工作的能量,因為電流比高壓啟動端來的電流大很多,所以輔助端提供能量在VCC快速充滿,不需要高壓啟動長時間大能量的提供能量來滿足芯片工作的功耗,當然高壓端
8、也會在VCC電容未充滿時為其充電,從而消耗一部分能量,高壓啟動的電阻消耗的能量取決于電阻的大小,電阻越小,在母線電壓一定的情況下,電流越大,所以為VCC電容充電越快,消耗的能量越大,功耗越大,可以想象一下,如果高壓端下來的能量大于輔助端次級耦合過來的電壓產(chǎn)生的電流,那么甚至不需要輔助端提供電流芯片就可以工作,但是此時高壓電阻消耗的功率將非常大,而且電流相對輔助端比較大時候,相比較不能忽略的時候,反饋電阻感知的電壓將不僅僅是次級端過來的電壓,從造成反饋信號不準確,造成反饋錯誤,影響反饋系統(tǒng),乃至整個電源系統(tǒng)的工作不穩(wěn)定,所以小功率不會切斷高壓啟動的情況下,高壓啟動電阻的選取是要經(jīng)過參考的,而且輔助繞組升壓和降壓的情況都是不一樣的,3W電源是升壓的,會很明顯出現(xiàn)這個情況,詳細查閱項目筆記5、反饋分壓電阻的大小選擇限制以及阻值大小選取后的現(xiàn)象分析 R5和R6的數(shù)值太小時,輔助繞組過來的本來提供給VCC的能量都會講過R5,R6到地,相當于被短路,造成芯片工作異常,甚至不工作,現(xiàn)象表現(xiàn)為芯片打嗝,反復啟動,因為輔助端過來的電流都被“短路“到地了,此時R5,R6的等效阻抗是要小雨芯片VCC端的輸入等效阻抗的。 而且R5,R6太小的時候,當開關(guān)管導通的時候,輔助端是反向電壓,在一段時間內(nèi)形成一個回路,所以還要考慮電阻承受的功率,374*NA/Np/3(kohm),表現(xiàn)為流過R5
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