多晶硅車間工藝培訓(xùn)

1、還原氫化工序工藝講義第一節(jié) 工序劃分及主要設(shè)備一、三氯氫硅還原的工序劃分單元號(hào)工序名稱t1100/t1101三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)t1200/t1201四氯化硅(stc)蒸發(fā)t100/t101還原t200/t201氫化t300硅芯拉制t400硅芯腐蝕t500破碎、分級(jí)t600超純水制取t700實(shí)驗(yàn)室(分析檢測(cè)中心)t800/801鐘罩清洗t900冷卻水循環(huán)系統(tǒng)t1000hf洗滌二、主要原輔材料及質(zhì)量要求物質(zhì)純度原料三氯氫硅tcs99%（b0.1ppb;p0.1ppb）四氯化硅stc98%氫氣h299.999%硅芯si99.999%；電阻率50·cm(暫定)；5mm ；長(zhǎng)2m石墨電極高

2、純輔料硝酸分析純氫氟酸優(yōu)純級(jí)或分析純洗滌劑氫氧化鈉分析純或化學(xué)純酸洗劑氨基磺酸化學(xué)純超純水電阻率18m·三、主要設(shè)備設(shè)備個(gè)數(shù)位號(hào)三氯氫硅(tcs)蒸發(fā)器4t1100ab001/002t1201ab001/002四氯化硅(stc)蒸發(fā)器4t1200ab001/002t1201ab001/002還原爐及氫化爐的靜態(tài)混合器2am100還原爐18t100/t101ac001-009氫化爐9t200ac001-005t201ac001-004硅芯拉制爐6t300ac001-006區(qū)熔爐1t700ac001冷卻水及冷卻去離子水緩沖罐4t900/t901ab001-002全自動(dòng)硅塊腐蝕清洗機(jī)1t4

3、00hf洗滌塔1t1000ak001a/bt1000ak002a/b第二節(jié) 三氯氫硅氫還原工藝一、還原工藝描述圖1 三氯氫硅氫還原工藝流程簡(jiǎn)圖經(jīng)提純的三氯氫硅原料，按還原工藝條件的要求，經(jīng)管道連續(xù)加入蒸發(fā)器中。向蒸發(fā)器夾套通入蒸汽使三氯氫硅鼓泡蒸發(fā)并達(dá)到10bar，三氯氫硅的汽體和一路一定壓力的高純氫氣（包括干法分離工序返回的循環(huán)氫氣）在混合器am100中以1：3的比例混合，經(jīng)三層套管換熱器加熱后經(jīng)進(jìn)氣管噴頭噴入還原爐內(nèi)。另一路（側(cè)路氫）用于還原爐視鏡冷卻。在10801100的反應(yīng)溫度下，在還原爐內(nèi)通電的熾熱硅芯硅棒的表面，三氯氫硅發(fā)生氫還原反應(yīng)，生成硅沉積下來，使硅芯硅棒的直徑逐漸變大。經(jīng)過

4、約150小時(shí)反應(yīng)沉積過程，制得直徑為120150mm，長(zhǎng)2000mm的多晶硅棒，即為高純多晶硅產(chǎn)品。還原爐爐筒夾套通入熱水，以移除爐內(nèi)熾熱硅芯向爐筒內(nèi)壁輻射的熱量，維持爐筒內(nèi)壁的溫度。還原爐內(nèi)的石墨電極用去離子冷卻水冷卻，進(jìn)水口取樣測(cè)量去離子水的電導(dǎo)率及純度，以防對(duì)還原爐電極造成損害。爐內(nèi)的反應(yīng)壓力為6bar，化學(xué)反應(yīng)方程式為：（主反應(yīng)）轉(zhuǎn)化率僅為10%15%同時(shí)還發(fā)生一系列副反應(yīng)，例如sihcl3和hcl反應(yīng)產(chǎn)四氯化硅和氫氣：（副反應(yīng)）轉(zhuǎn)化率為30%35%和sicl4的還原反應(yīng)（副反應(yīng)）以及雜質(zhì)的還原反應(yīng)： 及 氫還原反應(yīng)同時(shí)生成二氯二氫硅、四氯化硅、氯化氫和氫氣，與未反應(yīng)的三氯氫硅和氫氣一

5、起送出還原爐，出口設(shè)置取樣點(diǎn)檢測(cè)尾氣各成分含量，了解還原爐的工作是否正常，尾氣經(jīng)循環(huán)冷卻水冷卻后，直接送往還原尾氣干法分離工序。二、還原爐尾氣組成 還原爐尾氣溫度200，壓力為6bar，各物質(zhì)成分如下： 還原爐尾氣成分含量tcs50%stc40%h257%dcs23%hcl01%第三節(jié) 三氯氫硅氫還原的影響因素一、氫還原反應(yīng)及沉積溫度三氯氫硅氫還原反應(yīng)都是吸熱反應(yīng)，因此升高溫度使平衡向吸熱一方移動(dòng)，有利于硅的沉積，也會(huì)使硅的結(jié)晶性能好，而且表面具有光亮的灰色金屬光澤。但實(shí)際上反應(yīng)溫度不能太高，因?yàn)椋海ㄒ唬┕韬推渌雽?dǎo)體材料一樣，自氣相往固態(tài)載體上沉積時(shí)，都有一個(gè)最高溫度，當(dāng)反應(yīng)超過這個(gè)溫度，隨

6、著溫度的升高，沉積速度反而下降。（二）溫度太高，沉積的硅化學(xué)活性增強(qiáng)，受到設(shè)備材質(zhì)沾污的可能性增強(qiáng)。（三）對(duì)硅極為有害的雜質(zhì)b、p化合物，隨著溫度增高，其還原量也加大，這將使硅的沾污增加。（四）過高的溫度，會(huì)發(fā)生硅的逆腐蝕反應(yīng)。因此，在生產(chǎn)中采用10801100左右進(jìn)行三氯氫硅氫還原反應(yīng)。二、反應(yīng)混合氣配比所謂反應(yīng)混合氣配比是指還原劑氫氣和原料三氯氫硅的摩爾比。在三氯氫硅氫還原過程中，用化學(xué)當(dāng)量計(jì)算的配比的氫氣進(jìn)行還原時(shí)，產(chǎn)品呈非晶體型褐色粉末狀析出，而且實(shí)收率很低。這是由于氫氣不足，發(fā)生其它副反應(yīng)的結(jié)果。因此，氫氣必須比化學(xué)當(dāng)量值過量，有利于提高實(shí)收率，而且產(chǎn)品結(jié)晶質(zhì)量也較好。但是， h2和

7、sihcl3的摩爾配比也不能太大，因?yàn)椋海ㄒ唬┡浔忍螅琱2得不到充分利用，造成浪費(fèi)。同時(shí)，氫氣量太大，會(huì)稀釋sihcl3的濃度，減少sihcl3和硅棒表面碰撞的幾率，降低硅得沉積速度，降低硅得產(chǎn)量。（二）從bcl3、pcl3氫還原反應(yīng)可以看出，過高得h2濃度不利于抑制b、p得析出，影響產(chǎn)品質(zhì)量。因此，選擇合適得配比，使之即有利于提高硅得轉(zhuǎn)化率，又有利于抑制b、p的析出。三、反應(yīng)氣體流量在保證達(dá)到一定沉積速率的條件下，流量越大，爐產(chǎn)量越高。流量大小與還原爐結(jié)構(gòu)和大小，特別是與載體表面積大小有關(guān)。增大氣體流量后，使?fàn)t內(nèi)氣體揣動(dòng)程度隨之增加。這將有效地消除灼熱載體表面的氣體邊界層，其結(jié)果將增加還原

8、反應(yīng)速度，使硅的實(shí)收率得到提高，但反應(yīng)氣體流量不能增的太大，否則造成反應(yīng)氣體在爐內(nèi)停留時(shí)間太短，轉(zhuǎn)化率相對(duì)降低，同時(shí)增大了干法回收崗位的工作量。四、沉積表面積與沉積速度、實(shí)收率關(guān)系硅棒的沉積表面積決定于硅棒的長(zhǎng)度和直徑，在一定長(zhǎng)度下表面積隨硅的沉積量而增大，沉積表面積越大，則沉積速度與實(shí)收率也越高。所以，采用多對(duì)棒，開大直徑硅棒，有利于提高生產(chǎn)效率。五、還原反應(yīng)時(shí)間盡可能延長(zhǎng)反應(yīng)時(shí)間，也就是盡可能使硅棒長(zhǎng)粗，對(duì)提高產(chǎn)品質(zhì)量與產(chǎn)量都是有益的。隨著反應(yīng)周期延長(zhǎng)，沉積硅棒越來越粗，載體表面越來越大，則沉積速率不斷增大，反應(yīng)氣體對(duì)沉積面碰撞機(jī)會(huì)也越多，因而產(chǎn)量就越高。而單位體積內(nèi)載體擴(kuò)散入硅中的雜質(zhì)量

9、相對(duì)減少，這對(duì)提高硅的質(zhì)量有益。延長(zhǎng)開爐周期，相對(duì)應(yīng)地減少了載體的單位消耗量，并縮短停爐、裝爐的非生產(chǎn)時(shí)間，有利于提高多晶硅的生產(chǎn)效率。六、沉積硅的載體作為沉積硅的載體材料，要求材料的熔點(diǎn)高、純度高、在硅中擴(kuò)散系數(shù)小，要避免在高溫時(shí)對(duì)多晶硅產(chǎn)生沾污，又應(yīng)有利于沉積硅與載體的分離，因此采用硅芯作為載體。第四節(jié) 三氯氫硅氫還原工藝質(zhì)量要求一、原料的質(zhì)量要求三氯氫硅氫還原崗位所需的原料有：氫氣、三氯氫硅、硅芯、石墨等。氫氣：需要控制露點(diǎn)，氧含量，碳含量等；露點(diǎn)50，o2含量5ppm.三氯氫硅：標(biāo)準(zhǔn)雜質(zhì)含量；b0.03ppb, p0.02ppb, ai和fe均為10ppb 硅芯：需要控制直徑，：8&#

10、177;0.5mm有效長(zhǎng)度，2000mm，彎曲度，3，類型：n型石墨卡座：光譜純、稠密質(zhì)、內(nèi)部結(jié)構(gòu)均勻、無孔洞。加工件經(jīng)純水煮洗烘干，真空高溫煅燒后備用。二、多晶硅產(chǎn)品質(zhì)量的要求項(xiàng) 目多 晶 硅 等 級(jí)一級(jí)品二級(jí)品三級(jí)品n型電阻率（·cm）300200100p型電阻率（·cm）300020001000碳濃度（at/cm3）1.5×10162×10162×1016n型少數(shù)載流子壽命（s）500300100硅多晶表面應(yīng)致密、平整，硅多晶應(yīng)沒有氧化夾層。夾層對(duì)多晶質(zhì)量的影響：硅棒從還原爐取出后，從硅棒的橫斷面上可以看到一圈圈的層狀結(jié)構(gòu)，是一個(gè)同心圓。

11、多晶硅夾層一般分為氧化夾層和溫度夾層（也叫無定形硅夾層）兩種。1.氧化夾層在還原過程中，當(dāng)原料混合氣中混有水汽或氧時(shí)，則會(huì)發(fā)生水解及氧化，生成一層sio2氧化層附在硅棒上，當(dāng)被氧化的硅棒上又繼續(xù)沉積硅時(shí)，就形成“氧化夾層”。在光線下能看到五顏六色的光澤。酸洗也不能出去這種氧化夾層，拉晶時(shí)還會(huì)產(chǎn)生“硅跳”。應(yīng)注意保證進(jìn)入還原爐內(nèi)氫氣的純度，使氧含量和水份降至規(guī)定值以下，開爐前一定要對(duì)設(shè)備進(jìn)行認(rèn)真的檢查，防止有漏水、漏料現(xiàn)象。2.溫度夾層在還原過程中，在比較低的溫度下進(jìn)行時(shí)，此時(shí)沉積的硅為無定形硅，此時(shí)提高反應(yīng)溫度繼續(xù)沉積時(shí)，就形成了暗褐色的溫度夾層（因?yàn)檫@種夾層很大程度受溫度的影響，因此稱為“溫

12、度夾層”。它是一種疏松、粗糙的夾層，中間常常有許多氣泡和雜質(zhì)。用酸腐蝕都無法處理掉，拉晶熔料時(shí)重則也會(huì)發(fā)生“硅跳”。應(yīng)注意：?jiǎn)?dòng)完成進(jìn)料時(shí)，要保持反應(yīng)溫度，緩慢通入混合氣，蒸發(fā)器的蒸發(fā)量要均勻，在正常反應(yīng)過程中緩慢升電流，使反應(yīng)速度穩(wěn)定，不能忽高忽低。突然停電或停爐時(shí)，要先?；旌蠚狻５谖骞?jié) 四氯化硅氫化工藝一、四氯氫硅氫還原的工藝流程圖2 四氯化硅氫化工藝流程簡(jiǎn)圖經(jīng)提純的四氯氫硅原料，按還原工藝條件的要求，經(jīng)管道連續(xù)加入蒸發(fā)器中。向蒸發(fā)器夾套通入蒸汽使四氯化硅鼓泡蒸發(fā)并達(dá)到10bar，四氯化硅的汽體和一路一定壓力的高純氫氣（包括干法分離工序返回的循環(huán)氫氣）在混合器am100中以1：3的比例混合

13、，經(jīng)三層套管換熱器加熱后經(jīng)進(jìn)氣管噴頭噴入氫化爐內(nèi)。另一路（側(cè)路氫）用于氫化爐視鏡冷卻。在11501250的反應(yīng)溫度下，在氫化爐內(nèi)通電的熾熱電極表面附近，發(fā)生四氯化硅的氫化反應(yīng)，生成三氯氫硅，同時(shí)生成氯化氫。還原爐爐筒夾套通入熱水，以移除爐內(nèi)熾熱硅芯向爐筒內(nèi)壁輻射的熱量，維持爐筒內(nèi)壁的溫度。氫化爐內(nèi)的石墨電極用去離子冷卻水冷卻，進(jìn)水口同樣要設(shè)置取樣點(diǎn)測(cè)量去離子水的電導(dǎo)及純度，以防對(duì)電極造成損害。爐內(nèi)的反應(yīng)壓力為6bar，化學(xué)反應(yīng)方程式為：轉(zhuǎn)化率約為20%出氫化爐的含有三氯氫硅、氯化氫和未反應(yīng)的四氯化硅、氫氣的混合氣體，送往氫化氣干法分離工序，取樣檢測(cè)尾氣各成分的含量，以考察氫化爐的工作是否正常。

14、二、氫化爐尾氣組成 氫化爐尾氣溫度200，壓力為6bar，各物質(zhì)成分如下：氫化爐尾氣成分含量tcs1217%stc75%h224%dcs01%hcl45%第六節(jié) 多晶硅產(chǎn)品的后處理一、硅塊分級(jí)破碎及腐蝕（含硅芯）單純的氫氟酸對(duì)硅的腐蝕作用極慢，通常在氫氟酸的腐蝕液中加入一定量的氧化劑（hno3）。氧化劑硝酸的作用是使單質(zhì)硅氧化為sio2，其反應(yīng)如下：但是由于sio2是難溶的物質(zhì)，它即不溶于水，也不溶于硝酸，同時(shí)，由于硅的表面被硝酸氧化，表面形成一層非常緊密的sio2薄膜，這個(gè)氧化膜對(duì)硅起到保護(hù)作用，能阻礙氧化劑hno3對(duì)硅進(jìn)一步腐蝕，所以也hno3不能有效地腐蝕硅，而只能在硅的表面形成一層很薄

15、的sio2薄膜。然而sio2能與氫氟酸生成可溶解于水的絡(luò)合物，使硅表面的sio2膜溶解，其反應(yīng)如下： 在hno3和hf混合腐蝕液中，由于有hf的存在，使硅表面的sio2保護(hù)膜被破壞了，所以都不斷地被hf溶解，因此hno3和hf混合液對(duì)硅芯能進(jìn)行有效地腐蝕。其反應(yīng)為：（在硅芯腐蝕時(shí)，控制好的硅芯送檢后，根據(jù)檢測(cè)數(shù)據(jù)，按型號(hào)、電阻率均勻度進(jìn)行選配成對(duì)，每根硅芯選好后截取一定長(zhǎng)度稱重、登記）在還原爐內(nèi)制得的多晶硅棒被從爐內(nèi)取下，切斷、破碎成塊狀的多晶硅。在全自動(dòng)多晶硅塊清洗線上，用一定濃度的氫氟酸和硝酸對(duì)塊狀多晶硅進(jìn)行腐蝕處理，再用超純水洗凈多晶硅塊，然后對(duì)多晶硅塊進(jìn)行干燥。在取樣測(cè)量器各項(xiàng)質(zhì)量指標(biāo)

16、合格后包裝。酸腐蝕處理過程中會(huì)有氟化氫和氮氧化物氣體逸出至空氣中，用風(fēng)機(jī)通過罩于酸腐蝕處理槽上方的風(fēng)罩抽吸含氟化氫和氮氧化物的空氣，然后將該氣體送往廢氣處理裝置進(jìn)行處理，達(dá)標(biāo)排放。經(jīng)檢測(cè)達(dá)到規(guī)定的質(zhì)量指標(biāo)的塊狀多晶硅產(chǎn)品送去包裝。酸洗后的廢液經(jīng)廢酸緩沖罐輸送到廢水處理廠。二、廢氣洗滌酸性廢氣硅芯制備和產(chǎn)品整理工序產(chǎn)生的酸性廢氣，經(jīng)集氣罩抽吸至廢氣處理系統(tǒng)。洗滌期間氫氟酸從廢氣中在hf洗滌塔被溶解在循環(huán)洗滌液體中。洗滌液體循環(huán)利用?？列遭c供給氫氟酸洗滌器以維持ph值在3-6之間。部分充有氫氟酸的洗滌液體從循環(huán)液體中分離出來供給污水處理廠。經(jīng)過氫氟酸洗滌器，包含少量氫氟酸和氧化氮的廢氣供給氧化氮洗

17、滌塔。廢氣從低到頂部相對(duì)洗滌液體逆流進(jìn)入，通過填料床滴落到洗滌器底部。洗滌過程中氧化氮和氫氟酸從氣相轉(zhuǎn)移到液相中。洗滌器底部的洗滌液體與溶解的氫氟酸和氧化氮（硝酸鹽和亞硝酸鹽成分）混合。洗滌器頂部注入氫氧化鈉中和洗滌液體中的酸，尾氣經(jīng)20m的排氣筒排空。一部分洗滌液體從氧化氮洗滌器分離出來用循環(huán)泵供給亞硝酸鹽解毒裝置，廢水中的亞硝酸鹽成分用氨基黃酸氧化成硝酸鹽成分。氧化之后，廢水用卸料泵供給廢水處理工廠，損失的水用飲用水來補(bǔ)償。三、硅芯拉制在三氯氫硅的氫還原過程中，硅芯是沉積多晶硅的裁體，硅芯拉制和測(cè)試中，難避免其表面的沾污，為了得到高純的多晶硅，必須用物理和化學(xué)的方法除去硅芯表面的油污、氧化

18、物及金屬雜質(zhì)等。（一）工藝原理a.直拉法：即切克老斯基法（czochralski: cz), 直拉法是用的最多的一種晶體生長(zhǎng)技術(shù)。直拉法基本原理和基本過程如下：（1）引晶：通過電阻加熱，將裝在石英坩堝中的多晶硅熔化，并保持略高于硅熔點(diǎn)的溫度，將籽晶浸入熔體，然后以一定速度向上提拉籽晶并同時(shí)旋轉(zhuǎn)引出晶體；（2）縮頸：生長(zhǎng)一定長(zhǎng)度的縮小的細(xì)長(zhǎng)頸的晶體，以防止籽晶中的位錯(cuò)延伸到晶體中；放肩：將晶體控制到所需直徑；（3）等徑生長(zhǎng)：根據(jù)熔體和單晶爐情況，控制晶體等徑生長(zhǎng)到所需長(zhǎng)度；（4）收尾：直徑逐漸縮小，離開熔體；（5）降溫：降級(jí)溫度，取出晶體，待后續(xù)加工（6）最大生長(zhǎng)速度：晶體生長(zhǎng)最大速度與晶體中的

19、縱向溫度梯度、晶體的熱導(dǎo)率、晶體密度等有關(guān)。 提高晶體中的溫度梯度，可以提高晶體生長(zhǎng)速度；但溫度梯度太大，將在晶體中產(chǎn)生較大的熱應(yīng)力，會(huì)導(dǎo)致位錯(cuò)等晶體缺陷的形成，甚至?xí)咕w產(chǎn)生裂紋。為了降低位錯(cuò)密度，晶體實(shí)際生長(zhǎng)速度往往低于最大生長(zhǎng)速度。（7）熔體中的對(duì)流：相互相反旋轉(zhuǎn)的晶體（順時(shí)針）和坩堝所產(chǎn)生的強(qiáng)制對(duì)流是由離心力和向心力、最終由熔體表面張力梯度所驅(qū)動(dòng)的。所生長(zhǎng)的晶體的直徑越大（坩鍋越大），對(duì)流就越強(qiáng)烈，會(huì)造成熔體中溫度波動(dòng)和晶體局部回熔，從而導(dǎo)致晶體中的雜質(zhì)分布不均勻等。實(shí)際生產(chǎn)中，晶體的轉(zhuǎn)動(dòng)速度一般比坩鍋快13 倍，晶體和坩鍋彼此的相互反向運(yùn)動(dòng)導(dǎo)致熔體中心區(qū)與外圍區(qū)發(fā)生相對(duì)運(yùn)動(dòng)，有利于

20、在固液界面下方形成一個(gè)相對(duì)穩(wěn)定的區(qū)域，有利于晶體穩(wěn)定生長(zhǎng)。（8）生長(zhǎng)界面形狀（固液界面）：固液界面形狀對(duì)單晶均勻性、完整性有重要影響，正常情況下，固液界面的宏觀形狀應(yīng)該與熱場(chǎng)所確定的熔體等溫面相吻合。在引晶、放肩階段，固液界面凸向熔體，單晶等徑生長(zhǎng)后，界面先變平后再凹向熔體。通過調(diào)整拉晶速度，晶體轉(zhuǎn)動(dòng)和坩堝轉(zhuǎn)動(dòng)速度就可以調(diào)整固液界面形狀。（9）連續(xù)生長(zhǎng)技術(shù)：為了提高生產(chǎn)率，節(jié)約石英坩堝（在晶體生產(chǎn)成本中占相當(dāng)比例），發(fā)展了連續(xù)直拉生長(zhǎng)技術(shù)，主要是重新裝料和連續(xù)加料兩中技術(shù)： 重新加料直拉生長(zhǎng)技術(shù)：可節(jié)約大量時(shí)間（生長(zhǎng)完畢后的降溫、開爐、裝爐等），一個(gè)坩堝可用多次。連續(xù)加料直拉生長(zhǎng)技術(shù)：除了具有

21、重新裝料的優(yōu)點(diǎn)外，還可保持整個(gè)生長(zhǎng)過程中熔體的體積恒定，提高基本穩(wěn)定的生長(zhǎng)條件，因而可得到電阻率縱向分布均勻的單晶。連續(xù)加料直拉生長(zhǎng)技術(shù)有兩種加料法：連續(xù)固體送料和連續(xù)液體送料法。（10）液體覆蓋直拉技術(shù)：是對(duì)直拉法的一個(gè)重大改進(jìn)，用此法可以制備多種含有揮發(fā)性組元的化合物半導(dǎo)體單晶。主要原理：用一種惰性液體（覆蓋劑）覆蓋被拉制材料的熔體，在晶體生長(zhǎng)室內(nèi)充入惰性氣體，使其壓力大于熔體的分解壓力，以抑制熔體中揮發(fā)性組元的蒸發(fā)損失，這樣就可按通常的直拉技術(shù)進(jìn)行單晶生長(zhǎng)。b. 懸浮區(qū)熔法：主要用于提純和生長(zhǎng)硅單晶。其基本原理是：依靠熔體的表面張力，使熔區(qū)懸浮于多晶硅棒與下方生長(zhǎng)出的單晶之間，通過熔區(qū)向

22、上移動(dòng)而進(jìn)行提純和生長(zhǎng)單晶。具有如下特點(diǎn)：不使用坩堝，單晶生長(zhǎng)過程不會(huì)被坩堝材料污染；由于雜質(zhì)分凝和蒸發(fā)效應(yīng)，可以生長(zhǎng)出高電阻率硅單晶。c.多晶硅澆注法：用于制備多晶硅太陽(yáng)電池所用的硅原片，它是一種定向凝固法，晶體呈現(xiàn)片狀生長(zhǎng)過程和結(jié)構(gòu)。（二）工藝流程：將達(dá)到工藝要求的硅芯料，根據(jù)直徑大小計(jì)算出拉制成一定直徑和長(zhǎng)度硅芯所需的長(zhǎng)度，用切割機(jī)進(jìn)行切割。將切割好的料先用自來水清洗干凈，再用hno3、hf進(jìn)行腐蝕，以除去表面油污和雜質(zhì)。腐蝕好后硅芯放入烘箱內(nèi)烘干水分，烘干后的硅芯就可送入硅芯爐內(nèi)拉制，出爐后檢測(cè)硅芯最后質(zhì)量，根據(jù)檢測(cè)數(shù)據(jù)對(duì)硅芯進(jìn)行選配，再進(jìn)行腐蝕就可作為沉積硅的裁體了。四、鐘罩清洗多晶硅沉積過程結(jié)束后反應(yīng)爐圓頂移開，用吊車移動(dòng)到清洗單元。清洗開始之前，圓頂固定在廢水槽上。去離子水用熱水循化系統(tǒng)中的熱水加溫至80攝氏度。經(jīng)過高壓泵加壓，高壓去離子水用高壓噴嘴噴射到圓頂內(nèi)壁上，去除粉塵和沉積