KC-2可控硅測試儀說明書

1、丿滬申達電子實驗室可控硅應用技術網(wǎng)聯(lián)系人：沈松濤電話（傳真）機址：http:/www. sst2008. com Email:kkgcsysina. comKC-2型可控硅測試儀一、概述KC-2型可控硅測試儀（又名：全系列塑封可控硅、可控硅光耦測試儀），是2005 年最新研究設計成功的一種新穎的數(shù)字顯示式多功能半自動可控硅和可控硅光電耦合 器參數(shù)測試裝置。它可以測量小至TO-92封裝大至T0P-3封裝的各種電流等級的塑封 單、雙向可控硅（晶閘管）：可以測量DIP-6、DIP-4封裝的過零和非過零檢測可控硅 輸出的光電耦合器和DIP-6封裝

2、的單向可控硅輸出的光電耦合器；可以測暈200A以下 的螺錐型單、雙向可控硅和可控硅組合模塊。儀器可以準確的自動測量顯示可控硅的 觸發(fā)電流IGT、觸發(fā)電壓VGT,可控硅光耦的觸發(fā)電流IFT觸發(fā)電壓VFT,可控硅和可 控硅光耦的正反向斷態(tài)不重復峰值電壓VDSM/VRSM和正反向斷態(tài)重復峰值電壓VDRM/ VRRM的可控硅主要參數(shù)。該儀器主要用于可控硅使用廠家對可控硅元件的質(zhì)嚴檢驗、 參數(shù)的配對、可控硅設備的維修之用。儀器還可以廣泛的應用于對多種電子元器件的 高低壓耐壓的測試。儀器外型美觀、性能穩(wěn)定、測量準確、使用安全方便。二、主要技術性能1、可控硅觸發(fā)電流IGT測量范圍：10uA 1000uA ,

3、 0 10.00mA, 0 100.0mA 精度：W3%。2、可控硅觸發(fā)電壓VGT測量范圍：010V, 精度：W5%。3、可控硅光耦觸發(fā)電流I FT測量范圍：015.00mA,精度：W3%。4、可控硅光耦觸發(fā)電壓VFT測量范圍：0 3V 精度：W5%。5、可控硅和可控硅光耦，正反向不重復峰值電壓VDSM/VRSM測量范圍: 0 2KV 精度：W3%。6、可控硅和可控硅光耦，正反向重復峰值電壓VDRM/VRRM測量范圍： 01.6KV 精度：W5%。7、工作電源電壓：AC220V, 50HZ, 功率：W 30W。8、工作環(huán)境：0 35° C,相對濕度：85%。9、外形尺寸：280 X

4、230 X 130mm。10、重量：約3 Kg。三、主要測試功能1、全系列單雙向塑封可控硅觸發(fā)電流IGT、觸發(fā)電壓VGT的測試，正反向不重 復峰值電壓VDSM / VRSM的測試，正反向重復峰值電壓VDRM / VRRM的測試。2、DIP-6、DIP-4封裝的過零和非過零檢測可控硅光耦和DIP-6封裝的單向可控 硅輸出的光耦IFT / VFT的測試，可控硅光耦正反向不重復峰值電壓VDSM / VRSM 的測試，正反向重復峰值電壓VDRM/VRRM的測試。3、電流在200A以內(nèi)，VDSM / VRSM在2KV以內(nèi)，觸發(fā)電流在120mA以內(nèi)的 螺錐型單、雙向可控硅和可控硅組合模塊的觸發(fā)電壓IGT、

5、觸發(fā)電流VGT的測試，正 反向不重復峰值電ffiVDSM / VRSM的測試，正反向重復峰值電壓VDRM / VRRM的 測試。4、2KV以內(nèi)的各類二極管、三極管、達林頓管、整流橋、MOS場效應管、IGBT 及各種模塊的耐壓測試。5、2KV以內(nèi)的壓敏電阻、穩(wěn)壓管、雙向觸發(fā)二極管等電壓值的測試。四、本儀器所使用的參數(shù)符號說明：1> IGT：可控硅觸發(fā)電流。2、VGT：可控硅觸發(fā)電壓。3、IFT：可控硅光耦觸發(fā)電流。4、VFT：可控硅光耦觸發(fā)電壓。5、Vsm：可控硅和可控硅光耦，正反向不重復峰值電壓VDSM和VRSM的縮 寫。6、Vrm：可控硅和可控硅光耦，正反向可重復峰值電壓VDRM和VR

6、RM的縮 寫。7、ID/IR：測量可控硅和可控硅光耦耐壓參數(shù)時的正反向電流，根據(jù)不同可控硅 的電流等級本儀器有A、B、C三擋可選擇。（附表1）8、RL：測量可控硅和可控硅光耦的觸發(fā)電流時，可控硅陽極負載電阻根據(jù)不同 可控硅的電流等級本儀器有A、B、C三擋可選擇。（附表1）五、測試盒說明：1、測試盒主要是用來測試塑封可控硅和DIP封裝的可控硅光耦之用。2、可控硅測試座分A、B、C、D四組。其中A組的1、2、3可以用來測試TO 92封裝的小可控硅，1、3、2 （跳過2）可以用來測試TOP3等封裝的大可控硅， 如：BTA41等；B組專門用于測試TO92封裝的可控硅，如：MCR1006、MAC97A6

7、 等；C D兩組專門用于測試TO-220. TO-126等封裝的可控硅，如：BT136、BT- 134、2P4M 等。3、光電耦盒器測試座分A、B、C三組，其中A組用于DIP6封裝的單向可控硅 光耦，如：4N39、4N40等：B組用于DDM封裝的雙向可控硅光耦；C組用于D1P0 封裝的雙向可控硅光耦，如：MOC302U MOC3081等。送，它恢介魏該丹化彭旌4、測試盒的左、右下方有兩個按鈕，左下方的IFT按鈕用于可控硅光耦觸發(fā)電流 IFT和觸發(fā)電壓VFT的測試；右下方的KV按鈕用于可控硅和可控硅光耦的Vsm> Vrm的測試，該按鈕實際是儀器的外接按鈕，是通過外接按鈕線與儀器主面板右下角

8、 的KV按鈕相通，兩個KV按鈕的功能完全相同，裝在測試盒中主要是為了操作和維 修方便。5、測試盒的左、右上方有兩個開關，左上方的VSM/VRM、IFT開關是專門用于 測量可控硅光耦觸發(fā)電流IFT和耐壓參的數(shù)VSM/VRM選擇用的；右上方的+、開關 是專門用于測量可控硅和可控硅光耦正、反向耐壓，轉(zhuǎn)換測試高壓電源極性用的。6、測試盒的右側面有兩個座，一個是外接按鈕座，有專用的插頭線與儀器背面的 外接按鈕接線座相連；另外是一個RGK座主要用于測試塑封可控硅耐壓參數(shù)時把測試 座的2號（G）香蕉插頭插入其中，使可控硅的觸發(fā)極并上一只1KC的電阻，使測量 出來的電壓參數(shù)更準確。7、測試盒的左側有一個撥動開

9、關，該開關是專門用于DIPd封裝的單向可控硅光 耦的測試（A組），實際是一只10KG電阻接通（ON）和斷開（OFF）,根據(jù)需要測試 耐壓參數(shù)時必須接通（ON）。8、測試盒中的測試座、開關、按鈕往往因頻繁操作而容易損壞，且不在儀器的保 修范圍內(nèi)，使用時應注意保管和愛護。也可根據(jù)實際測試某一類型的可控硅或可控硅 光耦把測試座改成專用的，如：某用戶只用于測量TO220封裝的BT136,按目前的 測試座只有可控硅測試座中的C、D兩組符合要求，其它的測試組都無法使用，現(xiàn)在 可以把其它不用的測試座都改成C、D的1、3、2排列，兩個測試座可組成8個測試 組，這樣就大大的延長了測試座的使用壽命。本說明書提供詳

10、細的測試盒接線圖，用 戶可以根據(jù)自己的需要修改之。9、_理違盒中的測試座，兩腳可的耐壓最大不允i午超過200V,所以在調(diào)節(jié)電壓時 需要特別小心，一旦超過往往會永久擊穿損壞。若某_組已擊穿損壞則可以把該組的 線拆除，二般不會影響其它組的E常使用。六、使用方法儀器使用前應把高壓調(diào)節(jié)旋鈕反時針旋到底，高壓開關撥在OFF處，插好電源線 接上220V電源，打開電源開關兩數(shù)字表亮，若量程按鍵開關按在觸發(fā)電流擋上則兩 數(shù)字表都有不同的數(shù)字顯示，若按在高壓KV擋上則都應顯示000,說明儀器工作基 本正常。1、塑封單、雙向可控硅觸發(fā)電流IGT、觸發(fā)電壓VGT的測試：測試前應按（表1）中不同電流等級的可控硅選擇R

11、L開關（A、B、C）的位置， 并把儀器面板上的Vsm/Vrm開關撥在Vsm擋上，根據(jù)被測可控硅觸發(fā)電流范圍選擇 觸發(fā)電流量程。把測試盒的三根插頭線分別對應的插入儀器K （Tl）、G、A （T2）三個接線柱 中，測試盒右上角的+、極性開關必須撥在+端，根據(jù)被測可控硅的封裝插入對應的 插座組中，這時可以聽到儀器內(nèi)蜂鳴器的“嘀”聲、和繼電器的“嘀搭”聲，當蜂鳴 器出現(xiàn)第二次連續(xù)“嘀”聲時，說明可控硅已經(jīng)觸發(fā)導通，同時導通指示燈亮，可立 即讀取數(shù)字表中可控硅的觸發(fā)電流IGT和VGT的值。拔出可控硅，儀器有一復位過 程，約3秒種后方可進行第二次測試。注：一、若在插入可控硅時沒有“嘀搭”聲，且指示的結果又

12、完全不正常，說明 第二次測試的等待時間還不夠長。（以下類同）二、測量觸發(fā)電流IGT時，可控硅一經(jīng)導通（導通指示燈亮）即可讀取較準 確的觸發(fā)電流值，若長時間不拔出來讀數(shù)有可能會產(chǎn)生飄移。（以下類同）2、可控硅光電耦合器觸發(fā)電流IFT、觸發(fā)電壓VFT的測試：測試前應把RL開關撥在“B”的位置，并把儀器面板上的Vsm/Vrm開關撥在 Vsm擋上，觸發(fā)電流量程一般選擇10mA擋，該擋實際最大觸發(fā)電流可顯示到15mA 左右。（注：測量可控硅光耦的觸發(fā)電流一般不宜采用100mA擋）。把測試盒的三根插頭線分別對應的插入儀器K （Tl）、G、A （T2）三個接線柱 中，測試盒右上角的+、極性開關必須撥向+端，

13、左上角的開關撥向IFT端，根據(jù)被 測可控硅光耦的封裝插入對應的插座組中：DIP-6封裝的雙向可控硅光耦插入“C” 組；DIP4封裝的雙向可控硅光耦插入“B”組；DIP6封裝的單向可控硅光耦插入 “A”組，并同時需把測試盒左側面的RGK開關撥至OFF。插入光耦后按住IFT按鈕，這時可以聽到儀器內(nèi)蜂鳴器的“嘀”聲、和繼電器的 “嘀搭”聲，當蜂鳴器出現(xiàn)第二次連續(xù)“嘀”聲時，說明可控硅光耦己經(jīng)觸發(fā)導通， 同時導通指示燈亮，即可讀取該可控硅光耦的觸發(fā)電流IFT和VFT的值，釋放IFT按 鈕后儀器有一復位過程，約3秒種后方可進行第二次測試。3、螺鈴型單、雙向可控硅和可控硅模塊觸發(fā)電流IGT、觸發(fā)電壓VGT

14、的測試：測試前應把RL開關撥在“C”的位置，并把儀器面板上的Vsm/Vrm開關撥在Vsm擋上，觸發(fā)電流量程一般選擇100mA或10mA擋，測量用的三根測試線分別插 入儀器K (Tl)、G、A (T2)三個接線柱中，G和A (T2)兩個鱷魚夾分別先夾住可 控硅對應的兩個極，第三個K (T1)鱷魚夾用手搭到可控硅的K (T1)極且不要松 開，這時可以聽到儀器內(nèi)蜂鳴器的“嘀”聲和繼電器的“嘀搭”聲，當蜂鳴器出現(xiàn)第 二次連續(xù)“嘀”聲時，說明可控硅已經(jīng)觸發(fā)導通，同時導通指示燈亮，此時即可讀取 該可控硅的觸發(fā)電流IGT和VGT的值，分斷鱷魚夾后儀器有一復位過程，約3秒種 后方可進行第二次測試。4、塑封單、

15、雙向可控硅VDSM/VRSM正、反向不重復峰值電壓的測試：測試前先把外接按鈕連接線從儀器背后的“外接按鈕”中接至測試盒右側的“外接按鈕”插孔，把儀器面板上的Vsm/Vrm開關撥在Vsm擋上，按下高壓2KV量程開 關，再把高壓開關撥至ON,順時針調(diào)節(jié)“高壓調(diào)節(jié)”旋鈕使KV數(shù)字電壓表指示到 1200V,然后關斷高壓開關至OFF,這時KV電壓表顯示仍為000。把測試盒中的2號(G)插頭線插入測試盒右側的“RGK”插孔，1號(T1/K) 插頭線插入儀器K (T1)接線柱中(高壓極)，3號插頭線插入儀器高壓輸出+接線 柱，測試盒右上角的+、極性開關先撥在+端。根據(jù)被測可控硅的封裝插入對應的插 座組中，按

16、下測試盒右下角的KV按鈕，紅色指示燈應亮，然后撥動ID/IR開關(A、 B、C)使KV數(shù)字表所顯示的電壓在最大的一擋上，該電壓即為該可控硅的正向 VDSM值：釋放KV按鈕高壓將自動關斷，再把測試盒+/極性開關撥至端，再按下 KV按鈕紅色指示燈亮，KV數(shù)字表所顯示的即為該可控硅的反向VRSM值。同一型號同一批次的可控硅測試時，ID/IR開關只需調(diào)節(jié)一次，即可批雖測試，不 需要每個管子都去調(diào)節(jié)ID/IR開關。不同型號、不同批終:、不同廠家的可控硅需在第 一次測試時撥動ID/IR開關至KV電壓在最大擋上。耳殳逆堀核參滋蚩B芻嘲谿) 違厘娶項匸正常情況下塑封可控硅的耐壓都在1200V以下，所以電壓調(diào)節(jié)

17、到 1200V 一般都能適用，對于耐壓大于1200V的可控硅測試時紅色指示燈就不會亮(也 應該注意可控硅與插坐的接觸是否良好，若沒有接觸好紅色指示燈也不會亮)，這時可 以把電壓調(diào)節(jié)到1300V再測試，1300V基本上是測試座各引腳之間的耐壓極限很容易 產(chǎn)生引腳之間擊穿損壞，一般不建議采用。若有大于1200V電壓的，建議不用測試盒 測試耐壓，而直接用測試線夾可控硅的腳測量。5、可控硅光電耦合器VDSM/VRSM正、反向不重復峰值電壓的測試：測試前先把外接按鈕連接線從儀器背后的“外接按鈕”中接至測試盒右側的“外接按鈕”插孔，把rD/IR開關撥在B、的位置，儀器面板上的VsnWrm開關撥在Vsm 擋

18、上，按下高壓2KV量程開關，再把高壓開關撥至ON,順時針調(diào)節(jié)“高壓調(diào)節(jié)”旋 鈕使KV數(shù)字電壓表指示到1200V,然后關斷高壓開關至OFF,這時KV電壓表顯示 仍為000o把測試盒中的1號（T1/K）插頭線插入儀器K （T1）接線柱中（高壓極），3號 插頭線插入儀器高壓輸出+接線柱，2號（G）插頭線浮空，測試盒左上角的開關撥至 VSM/VRM,測試盒右上角的+、極性開關先撥在+端。根據(jù)被測可控硅光耦的特性 插入對應的插座組中：DIP6封裝的雙向可控硅光耦插入“C”組；DIP4封裝的雙向 可控硅光耦插入“B”組；DIP4封裝的單向可控硅光耦插入“A”組，并同時需把測 試盒左側面的RGK開關撥至ON

19、o按下測試盒右下角的KV按鈕ID/IR所對應的紅色 指示燈應亮，KV數(shù)字表所顯示的即為該可控硅的正向VDSM值：釋放KV按鈕高壓 將自動關斷，再把測試盒+/極性開關撥至端，再按下KV按鈕紅色指示燈亮，KV 數(shù)字表所顯示的即為該可控硅的反向VRSM值。 有關注意事項同“4、”。6、螺栓型、模塊型單雙向可控硅VDSM/VRSM正、反向不重復峰值電壓的測試：測試前應把儀器面板上的Vsm/Vrm開關撥在Vsm擋上，按下高壓2KV量程開 關，再把高壓開關撥至ON,順時針調(diào)節(jié)“高壓調(diào)節(jié)”旋鈕使KV數(shù)字電壓表指示到大 于被測可控硅的耐壓值，（最大可以調(diào)節(jié)到1999V也沒有關系），然后關斷高壓開關至 OFF,

20、這時KV電壓表顯示仍為000。測試螺栓型和模塊型可控硅的耐壓只需兩根測試線，把負測試線插入接線柱， 正測試線插入高壓輸出的+接線柱，先把正鱷魚夾夾住可控硅的A （T2）,負鱷魚夾夾 住可控硅的K（T1）,按下儀器右下角的高壓按鈕紅色指示燈亮，撥動ID/IR開關至電 壓讀數(shù)最大位置，KV數(shù)字表所顯示的即為該可控硅的正向VDSM值；釋放髙壓按鈕 高壓將自動關斷，再把兩鱷魚夾的極性轉(zhuǎn)換一下，再按下高壓按鈕紅色指示燈亮，KV 數(shù)字表所顯示的即為該可控硅的反向VRSM值。同批次可控硅測試時ID/IR開關只需 一次調(diào)節(jié)即可。7、正反向電壓：任何一只可控硅在測量耐壓時它的正反向電壓都是不一樣的，通過測試后必

21、須取 小的電壓值為該可控硅的實際測試結果。（一般情況下正向VDSM都小于反向VRSM）8、VSM和VRM的關系：VDRM/VRRM （VRM）是可控硅的標稱電壓值，是可控硅在應用時的一個很重要的參 數(shù)，直接關系到可控硅在應用時的安全與可靠性能，按標準是轉(zhuǎn)折電壓（VDSM）減去 100V即為可控硅的標稱屯壓（VDRM）,但不冋的生產(chǎn)廠家其內(nèi)控標準亦不一樣，也有采用VDSM X 0.8 = VDRM的，所以通過儀器的測試將會有不同的結果，可以直接反映 出可控硅生產(chǎn)廠家內(nèi)控標準的高低及質(zhì)量的好壞。本儀器中VSM和VRM關系為VRM二0.8VSM,如：測量某一可控硅的VDSM為1000V 時，切換儀器

22、中的VSM/VRM JF關至VRM時，電壓表即顯示800V （轉(zhuǎn)換誤差W2.5%）, 說明該可控硅的VDRM為800V«例：MCR100-6可控硅的標稱電壓（VDRM）為N 400V,實測VSM電壓應大于 500V,開關撥至VRM時電壓也應大于400V,否則該可控硅的耐壓就不合格了。5、各類二極管、三極骨、達林頓管、整流橋、MOS場效應管.IGBT、各種模塊 和壓敏電阻、穩(wěn)壓管、等電壓值的測試。一般把ID/IR開關撥至C擋，VSM/VRM ff關撥至VSM擋，具體操作方法類同6。七、注意事項:1、測試盒是測量塑封可控硅和可控硅光耦的重要工具，使用時應倍加愛護，要盡 可能的延長測試座的

23、使用壽命，測試盒不用時應放至在干燥無灰塵的地方。2、高壓測試時盡可能使用KV按鈕上電，這樣比較安全，因為按鈕釋放時高壓會 自動關斷。3、測試螺錐型可控硅及模塊時應把器件放置在絕緣板上。5、儀器使用完畢后應把高壓調(diào)節(jié)反時針旋到低。八、附件1說明書一份。3、測試盒一個。4、6、電源線一根。測試座備品總九1A保險絲管三個。7、外接按鈕連接線一根。5、測試線三根。可控硅應用技術網(wǎng)表1部分可控硅測量參數(shù)參考表僅供參考（SCR單向可控硅）型號ITVGTIGTRLIR/IDVDRM封裝MCR100-60.8AW 1.2 VW200uAB400VTO-92CR03AM0.3AW0.8V1-lOOuAB400-

24、600VTO-92BT1690.5AW0.8VW200uAA200-600VTO-92PCR4 060.5AW0.8VW200uAB*300-400VTO-92TICP1062AW IVW200uAB400-600VTO-92JCT011AW0.8V10-120uAB上A_600VTO-92C106D2.5AW0.8VW200uABq20Q-600VTO-126BT1517.5AW 1.5 VW 15mAA500-800VTO-2203CT4088AW 1.5 VW 15mAB400VTO-220TIC1063.2AW 1.2 VW200uABir400-800VTO-220TIC 1083.

25、2AW 1.2 V0.2-lmABV400-800VTO-220TIC1165AW 1.5 VW20mAB400-800VTO-220TICI267.5AW 1.5 VW20mABU vf400-800VTO-2202P4M2AW0.8VW200uAB400-600VTO-220JCT022AW0.8V10-120uAB600VTO-126FJCT055AW 1.2 Vl-12mAB0600VTO-220ABJCT088AW 1.2 Vl-12mAB600VTO-220ABJCTI010AW 1.5 V4-15mAB600VTO-220ABJCT1212AW L5V515mAB600VTO-2

26、20ABJCT1616AW 1.5 V5-15mABc r，600VTO-220ABJCT2020AW 1.5 V6-20mAB600VTO-220AB2N6504/916AW 1.5 VW30mAA,厶5O-8OOVTO-220k A（可控硅的型號繁多不能一一列入，未列型號的RL可根據(jù)表中同等電流原則的選?。┍?部分可控硅測量參數(shù)參考表僅供參考（TRIAC雙向可控硅）ITVGTIGT型號MAC97A60.6AW2VW 10mABT1311AW 1.5VW3mAJST6011AW 1.5VW 6mABT1344AW 1.5VW50mAJST6022AW L5VW 6mAJST6044AW 1.5VW 6mAJST6066AW 1.5VW 25mAJST6088AW 1.5VW25mAJST61010AW 1.5 VW25mAJST61212AW 1.5VW25mAJST61616AW 1.5VW 30mABT1364AW 1.5VW25mABT1378AW 1.5VW 50mABT138