模電第1章-半導(dǎo)體器件練習(xí)2016(有答案)

1、二極管和三極管練習(xí)題1、N型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是( A )，而P型半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子是( B )。A.自由電子 B.空穴 C.正離子 D. 負(fù)離子2、要得到P型半導(dǎo)體，可在本征半導(dǎo)體硅或鍺中摻入少量的( A )，要得到N型半導(dǎo)體，則需要摻入少量的( C )。A.三價(jià)元素 B.四價(jià)元素C.五價(jià)元素 D.六價(jià)元素3、雜質(zhì)半導(dǎo)體中多數(shù)載流子濃度( B )。A.只與溫度有關(guān) B.取決于摻雜濃度，幾乎與溫度無(wú)關(guān)C.與溫度無(wú)關(guān) D.與摻雜濃度和溫度都無(wú)關(guān)4、PN結(jié)正偏是指( B )。A.N區(qū)電位高于P區(qū) B.P區(qū)電位高于N區(qū)C.與外加電壓無(wú)關(guān) D.P區(qū)和N區(qū)電位相等5、在常溫下，硅二極管的開(kāi)啟電壓約為

2、( C )V。A.0.1 B.0.7C.0.5 D.0.26、當(dāng)溫度升高時(shí)，二極管伏安特性曲線的正向部分( C )， 反向特性曲線( B )。A.上移 B.下移 C.左移 D.右移7、理想二極管模型相當(dāng)于( A )。A.一個(gè)理想開(kāi)關(guān) B.一個(gè)恒壓源C.一個(gè)動(dòng)態(tài)電阻 D.一條斜線8、理想二極管構(gòu)成的電路如圖所示，則（ C ）。AV截止U010VBV截止U03V CV導(dǎo)通U010V DV導(dǎo)通U06V9、由理想二極管構(gòu)成的電路如圖所示，電壓UAB=( B )。A. -3VB. -12VC. 0VD. - 15V推薦精選10、理想二極管構(gòu)成的電路如圖，則( D )。A.V截止U0=-4VB.V導(dǎo)通U0

3、=+4VC.V截止U0=+8VD.V導(dǎo)通U0=+12V11、圖示電路中，D1、D2為理想二極管，則ao兩端的電壓為（C ）。A3VB0VC1VD4V 12、圖示電路，二極管VD1，VD2為理想元件，則UAB 為（C）伏。A12VB15VC0VD3V 13、如圖所示電路中的二極管性能均為理想，電路中的電壓UAB=（C）。A.-12VB.-3VC.-15VD.3V14、二極管電路如圖所示。輸入電壓只有0V或5V兩個(gè)取值。利用二極管理想模型分析，在vI1和vI2電壓的不同組合情況下，輸出電壓vO的值是（ A ）。   A.vO的b列 B.vO的c列C.vO的a列 D.vO的d列推

4、薦精選15、圖示電路中，二極管導(dǎo)通時(shí)壓降為0.7V，若UA=0V,UB=3V,則UO為（ B ）。A.5VB.0.7VC.3.7VD.0V16、二極管正偏時(shí)應(yīng)重點(diǎn)關(guān)注（ A ），反偏時(shí)應(yīng)重點(diǎn)關(guān)注（ A ）。A.導(dǎo)通電流和耗散功率，最大反向電壓B.結(jié)電容，最高工作頻率C.最高工作頻率，導(dǎo)通電流和耗散功率D.最高工作頻率，最大反向電壓17、對(duì)于普通的點(diǎn)接觸二極管，一般具有的特性是 ( B )。A. 最大整流電流大，最高工作頻率高 B. 最大整流電流小，最高工作頻率高C. 最大整流電流大，最高工作頻率低 D. 最大整流電流小，最高工作頻率低18、兩只穩(wěn)壓值分別為6V和9V硅穩(wěn)壓管并聯(lián)，可得到的穩(wěn)壓值

5、是( A )。A.6V，0.7V B.0.7V，0.7VC.9V，0.7V D.6V，9V19、穩(wěn)壓管電路如圖所示。兩穩(wěn)壓管的穩(wěn)壓值均為6.3 V，正向?qū)妷簽?.7V，其輸出電壓Uo為（ B ）。A.0.7V B.7V C.6.7V D.1.4V20、電路如圖所示，設(shè)DZ1的穩(wěn)定電壓為5V，DZ2的穩(wěn)定電壓為7V，兩管正向壓降均為0V，若輸入U(xiǎn)i為8V，則輸出U0的值為（ A ）。A. 5VB. 7VC. 12VD. 2V21、圖示電路中，硅穩(wěn)壓管DZ1的穩(wěn)定電壓為8V，DZ2的穩(wěn)定電壓為6V，正向壓降均為0.7V，則輸出電壓UO為( A )。A.2V B.14V C.6V D.8V推薦精

6、選22、下圖中正確使用穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)壓電路是 ( B )。23、穩(wěn)壓管穩(wěn)壓電路如圖所示，其中UZ1=6V，UZ2=7V，且具有理想的特性。由此可知輸出電壓Uo為( D )。A.6V B.0C.7V D.1V24、在下圖所示的電路中，已知穩(wěn)壓管DZ1的穩(wěn)定電壓VZ1=5V，DZ2的穩(wěn)定電壓VZ2=12V，則輸出電壓V0為（ B ）。A 0.7V B 5V C 12V D 20V25、發(fā)光二極管正常工作時(shí)處于( A )狀態(tài)，光電二極管正常工作時(shí)應(yīng)處于( B )狀態(tài)。A.正偏 B.反偏 C.反向擊穿 D.任意26、晶體管是一種( C )的器件。A.電流控制電壓 B.電壓控制電壓C.電流控制電流 D.

7、電壓控制電流27、晶體管的( C )。A.發(fā)射區(qū)的摻雜濃度小于集電區(qū)B.基區(qū)很薄，摻雜濃度較大C.基區(qū)與集電區(qū)的接觸面積較大D.發(fā)射極與集電極可以互換28、工作在放大區(qū)的某晶體管，如果測(cè)得晶體管IB=30uA時(shí)IC=2.4mA，而IB=40uA時(shí)IC=3mA，則該管的交流電流放大系數(shù)為( B )。A.100 B.60 C.80 D.759、半導(dǎo)體三極管處在放大狀態(tài)時(shí)是( D )。A.C結(jié)正偏e結(jié)正偏 B.C結(jié)反偏e結(jié)反偏C.C結(jié)正偏e結(jié)反偏 D.C結(jié)反偏e結(jié)正偏推薦精選30、某放大狀態(tài)的三極管，測(cè)得其管腳電位為：腳u1=0V,腳u2=-0.7V，腳u3=6V，則可判定該管為( C )。A.NP

8、N型是e極 B.NPN型是e極C.NPN型是e極 D.NPN型是c極31、測(cè)得放大電路中的三極管管腳電位分別為-9V、-6V和-6.2V，說(shuō)明該晶體管是( B )。A.NPN鍺管 B.PNP鍺管C.NPN硅管 D.PNP硅管31、用萬(wàn)用表直流電壓擋測(cè)得電路中晶體管各電極對(duì)地電位如圖所示，說(shuō)明該晶體管的工作狀態(tài)是( D )。A.放大 B.損壞C.飽和 D.截止32、某電路中晶體三極管的符號(hào)如圖，測(cè)得各管腳電位標(biāo)在圖上，則該管處在（C）。A放大狀態(tài)B飽和狀態(tài)C截止?fàn)顟B(tài)D狀態(tài)不能確定33、測(cè)得放大電路中晶體管各電極電位如圖所示，該管的電極從左到右依次為( A )。A. e、b、cB. b、e、cC.

9、 c、e、bD. c、b、e34、晶體管的ICEO大，說(shuō)明其( A )。 A.熱穩(wěn)定性差 B.工作電流大C.擊穿電壓高 D.壽命長(zhǎng)35、某三極管的極限參數(shù)PCM=150mW，ICM=100mA，UBR（CEO）=30V，若它的工作電壓UCE=1V，則工作電流IC不得超過(guò)( C )mA。A.150 B.5C.100 D.5036、根據(jù)下圖所示的晶體管電極上所標(biāo)的實(shí)測(cè)對(duì)地電壓數(shù)據(jù)，則該管是處于（ B ）。A. 飽和狀態(tài)B. 截止?fàn)顟B(tài)C. 放大狀態(tài)D. 倒置狀態(tài)推薦精選37、根據(jù)下圖所示的晶體管電極上所標(biāo)的實(shí)測(cè)對(duì)地電壓數(shù)據(jù)，則該管是處于（ A ）。A. 放大狀態(tài)B. 截止?fàn)顟B(tài)C. 飽和狀態(tài)

10、D. 倒置狀態(tài)38、三極管的主要參數(shù)UCEO其定義是 ( A )。A. 集電極發(fā)射極反向擊穿電壓 B. 集電極發(fā)射極正向壓降C. 基極發(fā)射極正向壓降 D. 集電極發(fā)射極反向飽和電流39、某三極管接在放大電路上，它的三個(gè)管腳的電位分別為U1=-12V，U2=-5.2V，U3=-5V，則對(duì)應(yīng)該管的管腳排列依次是 ( D )。A. E、B、C B. B、C、E C. B、E、C D. C、B、E40、NPN型三極管處在放大狀態(tài)時(shí)是( C )。A.UBE<0, UBC<0 B.UBE>0, UBC>0C.UBE>0, UBC<0 D.UBE<0, UBC>

11、;041、工作在放大狀態(tài)的某PNP晶體三極管，各電極電位關(guān)系為( A )。A.VC<VB<VE B.VC>VB>VEC.VC<VE<VB D.VC>VE>VB42、從提高晶體管放大能力出發(fā)，除了將晶體管基區(qū)做得很薄，且摻雜濃度很低之外，工藝上還要采取如下措施：( B )。A. 發(fā)射區(qū)摻雜濃度高，集電結(jié)面積小 B. 發(fā)射區(qū)摻雜濃度高，集電結(jié)面積大C. 發(fā)射區(qū)摻雜濃度低，集電結(jié)面積小 D. 發(fā)射區(qū)摻雜濃度低，集電結(jié)面積大43、某一晶體管的極限參數(shù)為PCM=100mW，ICM=20mA，UBR（CEO）=15V，在下列情況下，為正常工作狀況的是（D）。

12、A.UCE=8V，IC=18mAB.UCE=2V，IC=40mAC.UCE=20V，IC=10mAD.UCE=3V，IC=10mA44、三極管工作在開(kāi)關(guān)狀態(tài)下，其“關(guān)”態(tài)和“開(kāi)”態(tài)，分別指三極管的( A )。A.截止?fàn)顟B(tài)和飽和狀態(tài) B.截止?fàn)顟B(tài)和放大狀態(tài)C.放大狀態(tài)和飽和狀態(tài) D.飽和狀態(tài)和放大狀態(tài)推薦精選45、晶體三極管工作在飽和區(qū)時(shí)發(fā)射結(jié)、集電結(jié)的偏置是( B )。A.發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)反向偏置B.發(fā)射結(jié)正向偏置，集電結(jié)正向偏置C.發(fā)射結(jié)反向偏置，集電結(jié)反向偏置D.發(fā)射結(jié)反向偏置，集電結(jié)正向偏置46用萬(wàn)用表的R×100和R×1k擋分別測(cè)量一個(gè)正常二極管的正向電阻，兩

13、次測(cè)量結(jié)果是( B )。                                                                          A.無(wú)法判斷B.R×100擋測(cè)量的比R×1k擋測(cè)量的阻值小C.相同D.R