基于Cadence IC的CMOS集成電路版圖設(shè)計(jì)

1、基于Cadence IC的CMOS 集成電路版圖設(shè)計(jì) 主要內(nèi)容 1 MOS 場(chǎng)效應(yīng)管的版圖實(shí)現(xiàn) 2 版圖設(shè)計(jì)規(guī)則 3 版圖系統(tǒng)的設(shè)置 4 版圖的建立 5 版圖的編輯 6 棍棒圖 7 版圖設(shè)計(jì)方法概述 1 MOS 場(chǎng)效應(yīng)管的版圖實(shí)場(chǎng)效應(yīng)管的版圖實(shí) 現(xiàn)現(xiàn) 1.1 單個(gè)MOS管的版圖實(shí)現(xiàn) 1. MOS管的結(jié)構(gòu)和布局 MOS管的四種布局圖 直線(xiàn)形排列的NMOS管 結(jié)構(gòu)圖 立體結(jié)構(gòu)和俯視圖 源區(qū)、溝道區(qū)和漏區(qū)合稱(chēng)為MOS管的有源區(qū)(Active），而有源區(qū)之外的區(qū)域 定義為場(chǎng)區(qū)（Fox)。有源區(qū)和場(chǎng)區(qū)之和就是整個(gè)芯片表面。 Fox + Active = Surface 芯片表面包含有源區(qū)和場(chǎng)區(qū)兩部分 N

2、阱CMOS集成電路使用P型襯底，NMOS管直接制作在P型襯底上，PMOS 管做在N阱內(nèi)。 完整的MOS管版版圖必須包含兩個(gè)部分：a）由源、柵和漏組成的器件；b） 襯底連接。 (a)PMOS管 (b)NMOS管 完整的MOS管版圖圖形 1.2 MOS管陣列的版圖實(shí)現(xiàn)管陣列的版圖實(shí)現(xiàn) 1.MOS管串聯(lián)管串聯(lián) (1) 兩個(gè)MOS管的串聯(lián)。 N1的源、漏區(qū)為X和Y，N0的源、漏區(qū)為Y和Z。Y是它們的公共區(qū)域，如 果把公共區(qū)域合并,得到圖5.7(d)所示的兩個(gè)MOS管串聯(lián)連接的版圖。 從電流的方向可以決定，當(dāng)MOS管串聯(lián)時(shí)，它們的電極按S-D-S-D-S-D方 式連接。 (a) 電路圖 (b) N1版圖

3、 (c) N0版圖 (d) N1和N0串聯(lián)版圖 (2) 任意個(gè)MOS管串聯(lián)。例如3個(gè)MOS管串聯(lián)的版圖。 (a)電路圖 (b) 版圖 2.MOS管并聯(lián)管并聯(lián)(并聯(lián)是指它們的源和源連接，漏和漏連接，各自的柵還是獨(dú)立的。) (1)柵極水平放置，節(jié)點(diǎn)X和Y可用金屬連線(xiàn)連接(圖b)；也可用有源區(qū)連接(圖c）。 (a)電路圖 (b)用金屬連接節(jié)點(diǎn) (c) 用有源區(qū)連接節(jié)點(diǎn) (2)柵極豎直方向排列，節(jié)點(diǎn)連接既可用金屬導(dǎo)線(xiàn)(圖b)，也可用有源區(qū)進(jìn)行連接 (圖c）。 (a)電路圖 (b)用金屬連接節(jié)點(diǎn) (c) 用有源區(qū)連接節(jié)點(diǎn) (3)三個(gè)或三個(gè)以上MOS管并聯(lián)。 全部用金屬進(jìn)行源的連接和漏的連接(圖a）,稱(chēng)為

4、叉指形結(jié)構(gòu); 分別用金屬和有源區(qū)進(jìn)行源和漏的并聯(lián)連接; 金屬連接和有源區(qū)連接聯(lián)合使用(圖b）。 (a)源和漏的并聯(lián)都用金屬連接（叉指型） (b)分別用有源區(qū)和金屬進(jìn)行并聯(lián)連接 3.MOS管的復(fù)聯(lián)管的復(fù)聯(lián) 復(fù)聯(lián)是MOS管先串后并和先并后串的連接。 (a) 電路圖 (b) 版圖 2 版圖設(shè)計(jì)規(guī)則版圖設(shè)計(jì)規(guī)則 設(shè)計(jì)規(guī)則是由幾何限制條件和電學(xué)限制條件共同確定的版圖設(shè)計(jì)的幾何規(guī)定，這 些規(guī)定是以掩膜版各層幾何圖形的寬度、間距及重疊量等最小容許值的形式出現(xiàn)的。 版圖設(shè)計(jì)規(guī)則一般都包含以下四種規(guī)則： (1) 最小寬度 例如，金屬、多晶、有源區(qū)或阱都必須保持最小寬度。 (2)最小間距 例如，金屬、多晶、有源區(qū)

5、或阱都必須保持最小間距。 (3)最小包圍 例如，N阱、N+離子注入和P+離子注入包圍有源區(qū)應(yīng)該有足夠的余量;多晶硅、 有源區(qū)和金屬對(duì)接觸孔四周要保持一定的覆蓋。 (4)最小延伸 例如，多晶柵極須延伸到有源區(qū)外一定長(zhǎng)度。 3 版圖系統(tǒng)的設(shè)置版圖系統(tǒng)的設(shè)置 3.1建立版圖庫(kù)建立版圖庫(kù) 1. 建立新庫(kù)步驟 (1) 從CIW進(jìn)入庫(kù)管理器，選命令ToolsLibrary Manager。 進(jìn)入庫(kù)管理器 (2) 在庫(kù)管理器中選命令FileNewLibrary，出現(xiàn)新庫(kù)對(duì)話(huà)框。 選建立新庫(kù)命令 新庫(kù)對(duì)話(huà)框 (3) 在Name 文本區(qū)輸入新庫(kù)名(例如mylib)。點(diǎn)擊OK按鈕，出現(xiàn)新庫(kù)技術(shù)文件 對(duì)話(huà)框，新庫(kù)m

6、ylib的技術(shù)文件有三種選項(xiàng)。 對(duì)新庫(kù)的技術(shù)文件有三個(gè)選項(xiàng) (4) 方法1：選“compile a new techfile”，點(diǎn)擊OK按鈕，出現(xiàn)Load Technology File對(duì)話(huà)框。在框中ASCII Technology File的文本區(qū)輸入技術(shù)文件名(如csmc.tf)， 按OK按鈕結(jié)束，出現(xiàn)對(duì)話(huà)框報(bào)告加載技術(shù)文件成功，新庫(kù)已建立。 在A(yíng)SCII Technology File區(qū)輸入技術(shù)文件名 報(bào)告技術(shù)文件加載成功 (5) 方法2：選“Attach to an existing techfile”,出現(xiàn)Attach Design Library to Technology Fil

7、e對(duì)話(huà)框。在Technology Library文本區(qū)下拉菜單中選擇技術(shù)庫(kù)，例如 csmc15tech,按OK按鈕即完成建庫(kù)。 若新庫(kù)名為abcd,建庫(kù)完成后在CIW中顯示： Design Libraryabcdsuccessfully attached to technology Library csms15tech 新庫(kù)abcd已成功建立。 從庫(kù)管理器建立新庫(kù)的另一種方法 (6) 建立新文件:在庫(kù)管理器,選命令FileNewCell view。在Create New File框 內(nèi)輸入庫(kù)名和單元名(inv)后，先將tool選為virtuoso，在View Name的文本區(qū)會(huì)自動(dòng) 生成Lay

8、out，點(diǎn)擊Ok按鈕，將同時(shí)出現(xiàn)版圖編輯窗（virtuoso Layout Editing）和 層選擇窗（LSW：Layer Select window）。 建立新文件 同時(shí)出現(xiàn)版圖編輯窗和層選擇窗(LSW) 3.2 層選擇窗層選擇窗(LSW)的設(shè)置的設(shè)置 1. 對(duì)對(duì)LSW的說(shuō)明的說(shuō)明 層選擇窗 (LSW ) Current drawing or entry layer Edit menu Technology file Inst buttonPin button AV and NV buttons AS and NS buttons Scroll bar Layers 1) Edit（編輯）

9、是個(gè)下拉式命令菜單，有六個(gè)子菜單 2) 層符號(hào)分三部分， 左表示層的顏色及圖案； 中為層名； 右表 示層的用途。 層的顏色及圖案 層名 層的用途 3) Inst設(shè)置Instance為可選或不可選。 4) Pin設(shè)置布線(xiàn)工具。 5)Technology file技術(shù)文件名。 6) AV和NV按鈕 AV設(shè)置各層都可視（圖a)； 除輸入層外，NV設(shè)置其余各層不可視(層符號(hào)變灰)（圖b）； 擊鼠標(biāo)中鍵使各層在可視和不可視間轉(zhuǎn)換（圖c）； 層原為可視，點(diǎn)擊中鍵變?yōu)椴豢梢?，再點(diǎn)擊又恢復(fù)可視（圖d)； 鼠標(biāo)左鍵點(diǎn)擊原不可視的層就變?yōu)榭梢暎页蔀檩斎雽樱▓De）。 (a) (e)(d) (c)(b) 7) AS

10、和NS設(shè)置各層的選擇性(后面介紹)。 2. 對(duì)對(duì)LSW的設(shè)置的設(shè)置 (1) 設(shè)置層符號(hào)。 在LSW中，選擇EditSet Valid LayersSet Valid Layer對(duì)話(huà)框。 Set Valid Layer對(duì)話(huà)框 點(diǎn)擊層符號(hào)右邊的選擇開(kāi)關(guān)，開(kāi)關(guān)變黑，本層被選。 點(diǎn)擊Apply按鈕，層符號(hào)出現(xiàn)在LSW中。 點(diǎn)擊LSW的EditSave，Save對(duì)話(huà)框。 按Ok存盤(pán)。 (2) 設(shè)置層符號(hào)的顏色和圖案 在LSW中，選EditDisplay Resource Editor，“Display Resource Editor”對(duì)話(huà)框。 Display Resource Editor對(duì)話(huà)框 設(shè)置層

11、的填充類(lèi)型（Fill sytle）、填充顏色（Fill color）、外框顏色（Outline Color）、點(diǎn)畫(huà)（Stipple）和線(xiàn)型（line sytle）。 按Apply按鈕。 選FileSave，“Save Display Resource File”框。 在Files區(qū)點(diǎn)擊左鍵，/root/display.drf, 左鍵點(diǎn)擊，使它進(jìn)入Selection的文本框， 點(diǎn)擊Ok關(guān)閉。 對(duì)話(huà)框報(bào)告root/display.drf文件已經(jīng)存在，按Yes鍵。 建立顯示文件 按Yes鍵得到新的顯示文件 3.3 版圖編輯窗的設(shè)置版圖編輯窗的設(shè)置 版圖編輯窗 1. 圖標(biāo)欄（圖標(biāo)欄（Icon Menu

12、) 圖標(biāo)欄包含的命令 2. 狀態(tài)欄（狀態(tài)欄（Status Banner) 位于版圖編輯窗的第二行。 3. 菜單欄（菜單欄（Menu Banner) 位于版圖編輯窗第三行。 4. 啟動(dòng)命令和取消命令的方法啟動(dòng)命令和取消命令的方法 (1) 啟動(dòng)命令 從版圖窗的菜單欄選命令。 點(diǎn)擊版圖窗的圖標(biāo)。 用快捷鍵。 (2) 取消命令 按Esc鍵。 點(diǎn)擊對(duì)話(huà)框中的Cancel。 (3) 命令的對(duì)話(huà)框 有兩種對(duì)話(huà)框： 1) 標(biāo)準(zhǔn)框。啟動(dòng)命令時(shí)自動(dòng)出現(xiàn)。 2) 選項(xiàng)框。 3) 顯示對(duì)話(huà)框的方法： 若菜單命令后有三點(diǎn)，標(biāo)準(zhǔn)框會(huì)自動(dòng)出現(xiàn)； 使用命令時(shí)雙擊中鍵或按F3鍵。 Move的選項(xiàng)對(duì)話(huà)框 3.4 使用使用Opti

13、on菜單進(jìn)行版圖編輯窗設(shè)置菜單進(jìn)行版圖編輯窗設(shè)置 1. 顯示命令顯示命令 選命令OptionDisplaye，“Display Options”對(duì)話(huà)框 。 (1) Display Controls Display Options 對(duì)話(huà)框 (2) Grid Controls 4個(gè)參數(shù)的缺省設(shè)置為1、5、0.5和0.5。對(duì)于1m或者亞微米的設(shè)計(jì)規(guī)則，可設(shè) 置為0.1、0.5、0.01和0.01。 (3) Snap Modes 在下拉菜單中包含了各種選項(xiàng)。 Creat的模式 Edit的模式 2. 編輯器選項(xiàng)編輯器選項(xiàng) 選命令Optionlayout EditorE,“l(fā)ayout Editor Op

14、tions”對(duì)話(huà)框 。 可以設(shè)置Gravity Controls（引力控制）、Conic sides（圓環(huán)邊數(shù))等。 layout Editor Options 對(duì)話(huà)框 4 版圖的建立版圖的建立 4.1設(shè)置輸入層設(shè)置輸入層 (1) 鼠標(biāo)左鍵單擊LSW的層符號(hào)即為輸入層。 (2) 使用命令Edit Layout Tapt。光標(biāo)點(diǎn)擊目標(biāo)圖形，目標(biāo)圖形所在層就變?yōu)?輸入層。 4.2屏幕顯示畫(huà)圖區(qū)屏幕顯示畫(huà)圖區(qū) 剛打開(kāi)的版圖窗，坐標(biāo)原點(diǎn)在屏幕中央。 （1）選命令windowPanTab，版圖窗和CIW都顯示： Point at center of the desired display：（希望顯示的中

15、點(diǎn)） 用鼠標(biāo)左鍵點(diǎn)擊屏幕右上角某一點(diǎn)，該點(diǎn)立即移到屏幕中心，第一象限成為畫(huà)圖區(qū)。 （2）用鍵盤(pán)上方向鍵實(shí)現(xiàn)坐標(biāo)軸移動(dòng)。 4.3建立幾何圖形建立幾何圖形 1. 矩形（矩形（Rectangle） 1）建立矩形命令：CreateRectangle。 2）選輸入層。 3）畫(huà)矩形。 (a) 點(diǎn)擊左鍵 (b) 移動(dòng)鼠標(biāo) (c) 點(diǎn)擊左鍵建立矩形 (d) 完成的矩形 4）按Esc鍵停止畫(huà)矩形命令。 2. 多邊形（多邊形（polygon） （1）方法1 建立多邊形命令：Createpolygon。 選輸入層。 畫(huà)多邊形。 (a) 點(diǎn)擊第一點(diǎn) (b) 繼續(xù)點(diǎn)擊 (c) 雙擊或按Enter鍵使多邊形封閉 (d)

16、完成的多邊形 （2）方法2 （a）矩形拼接或重疊形成多邊形 （b）合并后的多邊形 (3）加圓弧 命令Createpolygon把多邊形某一邊畫(huà)成圓弧。 雙擊鼠標(biāo)中鍵或按F3鍵，出reate Polygon選項(xiàng)框。 在框中點(diǎn)擊Create Arc按鈕。 在多邊形中畫(huà)圓弧。 (a) 點(diǎn)擊起點(diǎn) (b) 點(diǎn)擊終點(diǎn) (c) 移動(dòng)光標(biāo)可看到圓弧 (d) 點(diǎn)擊建立圓弧 (3) 等寬線(xiàn)等寬線(xiàn) (path) 建立等寬線(xiàn)命令Createpath。 在LSW中點(diǎn)擊輸入層。 雙擊鼠標(biāo)中鍵或按F3鍵Create path 對(duì)話(huà)框。 Create path 對(duì)話(huà)框 設(shè)置線(xiàn)寬度。 畫(huà)等寬線(xiàn)。 (a) 每次點(diǎn)擊建立另一段，終

17、占雙擊 (b) 完成的等寬線(xiàn) 4. 圓錐曲線(xiàn)圓錐曲線(xiàn) （1）圓（circle) 命令：Createconicscircle (a) 點(diǎn)擊圓心 (b) 移動(dòng)鼠標(biāo) (c) 在圓周上點(diǎn)擊畫(huà)圓 (d) 完成的圓 （2）橢圓（Ellipse）命令：CreateconicsEllipse (a) 點(diǎn)擊邊框第一角頂點(diǎn) (b) 移動(dòng)鼠標(biāo) (c) 點(diǎn)擊邊框?qū)琼旤c(diǎn) (d) 完成的橢圓 （3）圓環(huán)（Donut）命令：CreateconicsDonut (a) 點(diǎn)擊圓心 (b) 點(diǎn)擊內(nèi)圓周 (c) 點(diǎn)擊外圓周 (d) 完成的圓環(huán) 5. 復(fù)制復(fù)制(Copy)命令：Editcopy，或者選取Copy圖標(biāo)。 6. 其它命

18、令其它命令 (1）合并命令EditMergeM 選中圖形（圖形高亮度），執(zhí)行合并命令。 (2)切割命令 EditOtherChopC 例題：設(shè)計(jì)例題：設(shè)計(jì)CMOS反相器版圖（反相器版圖（用1.5m設(shè)計(jì)規(guī)則） 畫(huà)版圖步驟： 畫(huà)P管有源區(qū)，如圖(a）。 畫(huà)多晶硅柵極：用矩形；用等寬線(xiàn)(path) 。 格點(diǎn)設(shè)置為每格0.5m。 (a) 有源區(qū)矩形 (b) 用矩形畫(huà)多晶柵極 (c) 用等寬線(xiàn)畫(huà)多晶柵極 畫(huà)P管有源區(qū)和多晶柵極 (3) 畫(huà)源和漏區(qū)的接觸孔。 在源區(qū)畫(huà)一個(gè)1.5m1.5m接觸孔，孔至多晶柵距離為1.5m，如圖(a)。 拷貝其余的接觸孔（圖(b)）。 將源區(qū)3個(gè)接觸孔一次全部拷貝到漏區(qū)，漏區(qū)

19、接觸孔至多晶柵間距為1.5m。 (a) 先畫(huà)一個(gè)尺寸和位置都正確的孔 (b) 拷貝生成其它的孔 畫(huà)接觸孔 MOS管寬度(W)和長(zhǎng)度(L)的決定：在1.5m設(shè)計(jì)規(guī)則中，若已知W/L比值， 則W=(W/L)1.5m。畫(huà)一個(gè)接觸孔時(shí)有源區(qū)的寬度3.1m，畫(huà)二個(gè)接觸孔時(shí)寬 度6.1m，；有源區(qū)矩形的最小長(zhǎng)度L9.1m。 當(dāng)有源區(qū)寬度3.1m（為2m）時(shí)，溝道區(qū)寬度不變，增大源區(qū)和漏區(qū)寬 度3.1m能畫(huà)一個(gè)接觸孔。 小寬長(zhǎng)比MOS管的畫(huà)法 有源區(qū)覆蓋接觸孔0.8m，按Ctrl+z鍵將圖形放大，使格點(diǎn)間距顯示為 0.1m，容易畫(huà)0.8m的覆蓋。 (4) 在有源區(qū)外畫(huà)P+注入矩形，最小包圍為1m。 (5)

20、畫(huà)N阱，它對(duì)有源區(qū)的最小包圍為2m。完成的P管如圖(a)。 (6) 用拷貝方法畫(huà)N管：畫(huà)選擇框把P管的P+注入、有源區(qū)和接觸孔圖形都選中，豎 直下拉至合適位置（有源區(qū)與N阱相距8.5m）。 修改： 選N管的W=6.1m，在它的源漏區(qū)分別去除一個(gè)接觸孔： 向上移動(dòng)有源區(qū)和P+注入層矩形的下邊，使有源區(qū)覆蓋接觸孔0.8m； 把P+注入層改為N+注入； 多晶柵極向下延伸至N管有源區(qū)外至少0.8m。 (a) 畫(huà)P+注入和N阱 (b) 拷貝生成NMOS管 (c) 對(duì)拷貝圖形作修改 畫(huà)CMOS反相器過(guò)程 (7) 連線(xiàn)。用Metal1層連接P管和N管的漏極作為反相器的輸出，且用Metal1畫(huà)電源 線(xiàn)，如圖(

21、a)。 (8) 畫(huà)一條Metal1線(xiàn)將P管源區(qū)的接觸孔和電源線(xiàn)連接，如圖(b)。 (9) 將電源金屬線(xiàn)拷貝到N管下方作為地線(xiàn)，再畫(huà)一根豎直的金屬線(xiàn)將N管源區(qū)的接 觸孔和金屬地線(xiàn)連接，如圖(c)。 (10) 畫(huà)襯底接觸： 拷貝幾個(gè)接觸孔并旋轉(zhuǎn)90，放到電源金屬線(xiàn)下。 畫(huà)有源區(qū)矩形將上述接觸孔包圍。 在有源區(qū)外畫(huà)N+注入框。 把N阱的上邊拉到這個(gè)接觸區(qū)上方，使N阱包圍N+有源區(qū)(圖(d)。 (11) P型襯底和地線(xiàn)的接觸： 將N阱接觸的N+注入、有源區(qū)和接觸孔拷貝到地線(xiàn)金屬層圖形下。 把拷貝的N+注入層改為P+注入層，如圖(e)。 (12)加一段多晶和多晶柵極連接，作為反相器的輸入；加一段金屬和輸

22、出金屬線(xiàn)連 接，作為反相器的輸出導(dǎo)線(xiàn)，如圖(f)。 (13）將線(xiàn)名標(biāo)注到圖中，并且把各層圖形中由矩形組成的多邊形進(jìn)行合并。 完成后如圖(g)。 (a) (b) (c) (d) (e) (f) (g) 畫(huà)CMOS反相器過(guò)程（續(xù)） 5 版圖的編輯版圖的編輯 5.1 設(shè)置層的可視性設(shè)置層的可視性 1. 顯示一層顯示一層 有二種方法: 1) 顯示層設(shè)置為輸入層， 鼠標(biāo)點(diǎn)擊LSW上NV按鈕，選命令 windowRedrawr。 2) 按shift鍵，鼠標(biāo)中鍵點(diǎn)擊LSW中的顯示層，選命令windowRedraw r。 2. 增加顯示層增加顯示層 鼠標(biāo)左鍵點(diǎn)擊LSW中增加的顯示層，按快捷鍵r。 連續(xù)點(diǎn)擊LS

23、W的層，可以不斷增加顯示層。 3. 顯示所有的層顯示所有的層 點(diǎn)擊LSW的AV按鈕，再按快捷鍵r。 4. 減少顯示層減少顯示層 鼠標(biāo)中鍵點(diǎn)擊LSW中要減少的層符號(hào)，再按快捷鍵r。（被減少的顯示層 不能為輸入層）。 連續(xù)使用可以不斷減少顯示層。 5.2 測(cè)量距離或長(zhǎng)度測(cè)量距離或長(zhǎng)度 1. 用直尺測(cè)量用直尺測(cè)量 1）命令windowCreate Rulerk對(duì)話(huà)框。在測(cè)量起點(diǎn)按鼠標(biāo)左鍵，顯示0。 移動(dòng)光標(biāo)至終點(diǎn)按左鍵，測(cè)量數(shù)據(jù)在終點(diǎn)上方。 Create Ruler 對(duì)話(huà)框 2）選命令windowClear All RulerK，消除顯示的全部測(cè)量數(shù)據(jù)。 2. 狀態(tài)欄顯示坐標(biāo)及距離狀態(tài)欄顯示坐標(biāo)及距

24、離 5.3 圖形顯示圖形顯示 1. 顯示單元版圖的全貌顯示單元版圖的全貌 命令WindowFit Allf。 2. 返回前面的圖形返回前面的圖形 命令windowUtilitiesPrevious Vieww。 3. 圖形的放大和縮小圖形的放大和縮小 1）命令WindowzoomInz,圖形全屏顯示。 2）命令WindowzoomIn by 2z，圖形放大2倍。 3）命令WindowzoomOut by 2z，圖形縮小1半。 4. 用鼠標(biāo)放大和縮小圖形用鼠標(biāo)放大和縮小圖形 1）放大圖形：按右鍵并拖動(dòng)畫(huà)矩形框，框內(nèi)圖形全屏幕顯示。 2）縮小圖形：按shift鍵不放，同時(shí)按右鍵并拖動(dòng)鼠標(biāo)畫(huà)任意的矩

25、形，圖形 縮小到與矩形同樣大小。 5. 使用鍵盤(pán)的光標(biāo)移動(dòng)鍵使用鍵盤(pán)的光標(biāo)移動(dòng)鍵 顯示圖形的不同部分，顯示需要編輯的區(qū)域。 5.4 選擇目標(biāo)選擇目標(biāo) LSW有NS和AS兩個(gè)選擇按鈕（版圖層不可選和可選）。 選擇包括全選（full）和部分選（partial）兩種方式，顯示在版圖窗的狀態(tài)欄： Full方式 Partial方式 用F4鍵切換兩種選擇方式。 1. 圖形可選（即選圖形可選（即選LSW中的中的AS）的選擇）的選擇 (1) 用鼠標(biāo)選擇目標(biāo) 1) 移到光標(biāo)到目標(biāo)圖形上，圖形邊框變?yōu)閯?dòng)態(tài)高亮度。 2) 左鍵點(diǎn)擊目標(biāo)，圖形邊框變?yōu)楦吡炼龋辉谌x方式，目標(biāo)邊框全部高亮 度。 3) 按快捷鍵d消除選擇

26、，或左鍵在圖形外空白區(qū)點(diǎn)擊一次，圖形去除 選擇。 4) 選擇一個(gè)目標(biāo)后，再選第二個(gè)目標(biāo)，前一個(gè)目標(biāo)就不再選中。 5) 增加選擇目標(biāo)，按住shift鍵，并用左鍵點(diǎn)擊新目標(biāo)，可連續(xù)選多個(gè) 目標(biāo)。 6) 減少選擇目標(biāo)：按住Ctrl鍵，并用左鍵點(diǎn)擊要減去的目標(biāo)。 (2) 使用選擇框選擇目標(biāo) 1)選擇集中的多個(gè)目標(biāo)，用鼠標(biāo)左鍵畫(huà)矩形框包圍目標(biāo)。 2)被選擇目標(biāo)數(shù)顯示在（F）select：的冒號(hào)后。 2. 部分選擇部分選擇(p) select：0 選擇目標(biāo)的邊、角和整個(gè)圖形。 3. 使用使用LSW設(shè)置層的可選性設(shè)置層的可選性 1) 點(diǎn)擊LSW的AS按鈕，層符號(hào)全部可選（圖a） 2) 點(diǎn)擊NS，層符號(hào)全部不

27、可選(層符號(hào)的中間和右邊變灰)（圖b) 3) 點(diǎn)擊鼠標(biāo)右鍵使各層在可選和不可選間轉(zhuǎn)換：原為可選，點(diǎn)擊一次變?yōu)椴?可選，再點(diǎn)擊又恢復(fù)為可選 (圖c：右鍵點(diǎn)擊了一個(gè)層符號(hào))。 4)原為不可選，右鍵點(diǎn)擊一次變?yōu)榭蛇x，再點(diǎn)擊又恢復(fù)為不可選 (圖d：右鍵 點(diǎn)擊了二個(gè)層符號(hào)）。 (a) (b) (c) (d) 5.5 改變圖形的層次改變圖形的層次 三種方法： 1) 消除原圖，在新層重畫(huà)相同的圖。 2) 用拷貝實(shí)現(xiàn)圖形層次的改變。 3) 用屬性改變圖形所屬的層。 選中圖形，圖形高亮度； 按q鍵：圖形是矩形Edit Rectangle Properties框； 圖形是多邊形Edit polygon Properties框。 要改變層次的圖形為矩形 要改變層次的圖形為多邊形 改變框內(nèi)layer的層符號(hào)，按Ok鍵。 5.6 加標(biāo)記加標(biāo)記 命令：Crea