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1、上頁(yè)上頁(yè) 下頁(yè)下頁(yè)返回返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 電阻量程電阻量程 1 10 100 1k 測(cè)得電阻值測(cè)得電阻值 31 210 1.1 k 11.5 k 例例1 用萬(wàn)用表測(cè)量二極管的正向直流電阻用萬(wàn)用表測(cè)量二極管的正向直流電阻RF,選用,選用 的量程不同,測(cè)得的電阻值相差很大?,F(xiàn)用的量程不同,測(cè)得的電阻值相差很大。現(xiàn)用MF30 型型 萬(wàn)用表測(cè)量某二極管的正向電阻,結(jié)果如下表,試分萬(wàn)用表測(cè)量某二極管的正向電阻,結(jié)果如下表,試分 析所得阻值不同的原因。析所得阻值不同的原因。 練練 習(xí)習(xí) 題題 上頁(yè)上頁(yè) 下頁(yè)下頁(yè)返回返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 圖中,圖中,R0為表頭等效內(nèi)阻。
2、為表頭等效內(nèi)阻。 萬(wàn)用表的量程越大,即萬(wàn)用表的量程越大,即R0越大。越大。 解解 萬(wàn)用表測(cè)電阻的原理圖萬(wàn)用表測(cè)電阻的原理圖 R0 + + - - E iD + +- - uD 寫(xiě)出電路方程寫(xiě)出電路方程 uD+iDR0=E 顯然,上式在顯然,上式在 iD uD坐標(biāo)系中表示一條直線。坐標(biāo)系中表示一條直線。 上頁(yè)上頁(yè) 下頁(yè)下頁(yè)返回返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 畫(huà)出上式所表示的直線。畫(huà)出上式所表示的直線。 E/R01 UD ID E/R0 E 二極管伏安特性二極管伏安特性 直線直線 R0增大增大 UD1 ID1 uD iD O 顯然,顯然,UD、 、ID是直線與二 是直線與二 極管伏安特性曲
3、線的交點(diǎn)。極管伏安特性曲線的交點(diǎn)。 可見(jiàn),萬(wàn)用表的量程越大,可見(jiàn),萬(wàn)用表的量程越大, D R0 + + - - E iD + +- - uD uD+iDR0=E UD、 、ID 越小, 越小, 二極管的等效電阻越大二極管的等效電阻越大。 二極管的等效電阻為二極管的等效電阻為 RD=UD/ID 上頁(yè)上頁(yè) 下頁(yè)下頁(yè)返回返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 例例2 設(shè)圖示電路中的二極管性能均為理想。試判斷各設(shè)圖示電路中的二極管性能均為理想。試判斷各 電路中的二極管是導(dǎo)通還是截止,并求出電路中的二極管是導(dǎo)通還是截止,并求出A、B兩點(diǎn)之兩點(diǎn)之 間的電壓間的電壓AB值值。 V115 V 10 VV2 R
4、2 kW W UAB B + _ D2 A D1 (a) V1 15 V 10 VV2 R2 kW W UAB B + _ D2 A D1 (b) 上頁(yè)上頁(yè) 下頁(yè)下頁(yè)返回返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 解解 判斷電路中二極管工作狀態(tài)的方法判斷電路中二極管工作狀態(tài)的方法 1. 斷開(kāi)二極管,分析電路斷開(kāi)點(diǎn)的開(kāi)路電壓。如斷開(kāi)二極管,分析電路斷開(kāi)點(diǎn)的開(kāi)路電壓。如 果該電壓能使二極管正偏,且大于二極管的死區(qū)果該電壓能使二極管正偏,且大于二極管的死區(qū) 電壓,二極管導(dǎo)通;否則二極管截止。電壓,二極管導(dǎo)通;否則二極管截止。 2. 如果電路中有兩個(gè)二極管,利用方法如果電路中有兩個(gè)二極管,利用方法1分別判
5、分別判 斷各個(gè)二極管兩端的開(kāi)路電壓,開(kāi)路電壓高的二斷各個(gè)二極管兩端的開(kāi)路電壓,開(kāi)路電壓高的二 極管優(yōu)先導(dǎo)通;當(dāng)此二極管導(dǎo)通后,再根據(jù)電路極管優(yōu)先導(dǎo)通;當(dāng)此二極管導(dǎo)通后,再根據(jù)電路 的約束條件,判斷另一個(gè)二極管的工作狀態(tài)。的約束條件,判斷另一個(gè)二極管的工作狀態(tài)。 上頁(yè)上頁(yè) 下頁(yè)下頁(yè)返回返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 對(duì)于圖對(duì)于圖 a,經(jīng)判斷知,經(jīng)判斷知,D1、D2兩端的開(kāi)路電壓兩端的開(kāi)路電壓 分別為分別為: D2反偏電壓為反偏電壓為5 V D1導(dǎo)通導(dǎo)通 AB = 0 V D2截止截止 V115 V 10 VV2 R2 kW W UAB B + _ D2 A D1 (a) 10 V,5 V
6、 上頁(yè)上頁(yè) 下頁(yè)下頁(yè)返回返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 對(duì)于圖對(duì)于圖 b,經(jīng)判斷知,經(jīng)判斷知,D1、 D2兩端的開(kāi)路電壓分別為兩端的開(kāi)路電壓分別為 即即 D1上的反偏電壓為上的反偏電壓為15 V D2優(yōu)先導(dǎo)通優(yōu)先導(dǎo)通 AB = 15 V D1截止截止 10 V,25 V D2導(dǎo)通后導(dǎo)通后 V1 15 V 10 VV2 R2 kW W UAB B + _ D2 A D1 (b) 上頁(yè)上頁(yè) 下頁(yè)下頁(yè)返回返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 例例3 電路如圖所示電路如圖所示, 設(shè)設(shè)D1 、D2 的性能均理想,輸入電的性能均理想,輸入電 壓壓uI的變化范圍為的變化范圍為030 V。畫(huà)出電路的
7、傳輸特性曲線畫(huà)出電路的傳輸特性曲線。 + _ uO + _ uI 5 kW W i1 R1 i2 R25 kW W 6 V18 VV1V2 D1D2iD1iD2 上頁(yè)上頁(yè) 下頁(yè)下頁(yè)返回返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 解解 當(dāng)當(dāng)D1、D2均導(dǎo)通時(shí)均導(dǎo)通時(shí) 2 I2 2D2 R uV ii - - )()( 2 I2 1 I1 D21D1 R uV R uV iii - - + + - - - - + +- - + _ uO + _ uI 5 kW W i1 R1 i2 R25 kW W 6 V18 VV1V2 D1D2iD1iD2 上頁(yè)上頁(yè) 下頁(yè)下頁(yè)返回返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)
8、基礎(chǔ) 5 18 I D2 u i - - 代入有關(guān)數(shù)據(jù)得代入有關(guān)數(shù)據(jù)得 由此可知由此可知 D2導(dǎo)通的條件是導(dǎo)通的條件是uI18 V D1導(dǎo)通的條件是導(dǎo)通的條件是uI12 V + _ uO + _ uI 5 kW W i1 R1 i2 R25 kW W 6 V18 VV1V2 D1D2iD1iD2 5 242 I D1 - - u i 上頁(yè)上頁(yè) 下頁(yè)下頁(yè)返回返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 5 24-2 I D1 u i 5 18 I D2 u i - - 故故 當(dāng)當(dāng)uI12 V時(shí),時(shí),D1截止、截止、D2導(dǎo)通。導(dǎo)通。 V12V)52 . 16( 111O + + + + RiVu + _
9、 uO + _ uI 5 kW W i1 R1 i2 R25 kW W 6 V18 VV1V2 D1D2iD1iD2 mA2 . 1mA 55 618 21 12 21 + + - - + + - - RR VV ii 上頁(yè)上頁(yè) 下頁(yè)下頁(yè)返回返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) + _ uO + _ uI 5 kW W i1 R1 i2 R25 kW W 6 V18 VV1V2 D1D2iD1iD2 當(dāng)當(dāng)uI 18 V時(shí),時(shí),D1導(dǎo)通、導(dǎo)通、D2截止截止 當(dāng)當(dāng)12 V uI 18 V時(shí),時(shí),D1、D2均導(dǎo)通均導(dǎo)通 uO= uI uO=18 V 上頁(yè)上頁(yè) 下頁(yè)下頁(yè)返回返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) uOuI關(guān)系曲線關(guān)系曲線 uO/V uI/V 121830 12 18 0 上頁(yè)上頁(yè) 下頁(yè)下頁(yè)返回返回 模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) 例例4 二極管的伏安特性如圖二極管的伏安特性如圖 所示,試畫(huà)出二極管的電路所示,試畫(huà)出二極管的電路 模型。模型。 uD iD O UD
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