場發(fā)射顯示器之展望解析

1、場發(fā)射顯示器之展望場發(fā)射顯示器之展望The Prospects of Field Emission Displays 大同公司FED研發(fā)處羅吉宗處長 DVMDFED vs other displays. What is the Field Emission Display (FED) ？ . Kinds of field emission display.The traditional FEDs PixTech, Motorola, Candescent/Sony, Futaba.The New Approaches pFED, SED and CNT FED. The prospects o

2、f commercial FED. 簡報(bào)內(nèi)容 簡報(bào)內(nèi)容. FED vs other displays. What is the Field Emission Display (FED) ？ . Kinds of field emission display.The traditional FEDs PixTech, Motorola,Candescent/Sony, Futaba. The New Approaches pFED, SED andCNT FED. The prospects of commercial FED.FED與其他類型顯示器之特性比較: good ; O: medium

3、 ; X : badO(75%NTSC)O(72%NTSC)(90%NTSC)O(75%NTSC)(94%NTSC)Color Fidelity(5000:1)X(1000:1)O(3000:1)(5000:1)(10000:1)Contrast (Dark)o(800nits)o(600nits)o(640nits)o(400nits)(800nits)BrightnessX(525line)(1920x1080)X(1024x768)(1920x1080)(1920x1080)High Resolutiono(200W)o(240W)X(385W)(150W)(150W)Low Power

4、 Consumption(1ms)X(8ms)(1ms)(1ms)(8600:1Announced on Sep. 14, 2004(Surface-conduction Electron-emitter Display,表面?zhèn)鲗?dǎo)電子發(fā)射顯示器 )CNT-FEC發(fā)展較為積極的公司有日本的伊勢電子,NEC,三菱電機(jī)，韓國的三星電子丄G電子，臺灣的工研院電子所等 .CNT為較佳電子發(fā)射源之理由：高寬比 (aspect ratio) 大, 尖端的曲率半徑小 , 易穿隧電子 .Conductivity 大, 導(dǎo)電 , 導(dǎo)熱佳化性穩(wěn)定 , 機(jī)械強(qiáng)度強(qiáng) .SID 2000 Display of the Y

5、earSilver Award WinnerSource: ISE (2001)ISEs Field Emission Lamp ModuleCNT- FEDCNT- FEDISEs FEDCNT- FEDISEs FEDTest image of a fully sea 9-inch CNTs-FED (Samsung)CNT- FEDSamsungs CNT-FEDSamsung在2003年IVMC以錄影展示自家38吋CNT FEDDVMDThe prospects of commercial FEDCNT易結(jié)團(tuán)難均勻分布,漿料之調(diào)制技術(shù)與不同之涂布 emitter技術(shù)尚在發(fā)展中 但LCD

6、之背光源(BLU)或高亮度燈具結(jié)構(gòu)較簡單,將可於一兩年內(nèi)上市,再向 CNT-FEDk市努力.商用的大面積FED技術(shù)，將有pFED,SED&CNT-FED出.Toshiba & Cannon已宣 布將於2007年正式量產(chǎn)SED.CN之場發(fā)射源應(yīng)用將以背光源或高亮度燈具為優(yōu) 先.大同公司的FED技術(shù)展望：大同公司之FED技術(shù)競爭力：大同公司在92年業(yè)界科專開始FED研發(fā)工作，至今已擁有高精細(xì)網(wǎng)印技術(shù)， 陽極板制作技術(shù) , 真空封裝技術(shù) , 并在上期計(jì)劃展示 4 吋 color FED panel.大同公司有CRT,TFT-LCD,PDP勺技術(shù)基礎(chǔ),對FED的研發(fā)助益很大,在這期計(jì) 劃中有三項(xiàng)技術(shù)優(yōu)

7、勢 :制作有特色之FED陰極板：以網(wǎng)印的厚膜技術(shù)實(shí)現(xiàn)大面積 化,以黃光微影技術(shù) 提高影像解析度和畫素均勻性 .開發(fā) printable spacer： 應(yīng)用網(wǎng)印和噴砂技術(shù)制作穩(wěn)定的 Spacer 架構(gòu) , 因有華 映制作 PDP rib 的經(jīng)驗(yàn), 成功的機(jī)會很高 .使用MIMIV的PFE IPs調(diào)制最佳的emitter和insulator 漿料,并在spacer上 以薄膜技術(shù)解決輝光閃爍問題，因有MIMIV專家指導(dǎo),我們有信心做好這些關(guān)鍵 技術(shù) .A:9294年:Dy node強(qiáng)化場發(fā)射核心技術(shù)開發(fā)與智權(quán)布局（業(yè)界科專計(jì)畫） B：9596 年：20 吋場發(fā)射顯示技術(shù)深耕 （業(yè)界科專計(jì)畫 - 本計(jì)劃）C:97 年: 大於 40吋場發(fā)射顯示面板試驗(yàn)工廠D:98年:BLU量產(chǎn)E:99 年: 大於 40 吋場發(fā)射顯示面板產(chǎn)品量產(chǎn) 量產(chǎn)性A （Lab）商品規(guī)格檢討 建立基礎(chǔ)技術(shù) 智權(quán)布局B （ 技術(shù)深耕 ）20FED驅(qū)動電路面板設(shè)計(jì)制程驗(yàn)證制程 QC產(chǎn)品規(guī)格Pilot 規(guī)劃C （Pilot Plant）驗(yàn)證40的大尺寸化FED技術(shù)建立良品率與產(chǎn)能分析成本分析設(shè)備采購與廠房建構(gòu) C1安裝試車 C2良率改善 C3D （ 試